JP4637046B2 - 酸化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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この発明の1つの目的は、良好なpn接合を容易に形成することが可能なZnO系酸化物半導体素子の製造方法を提供することである。
図1は本発明の参考例1による酸化物半導体素子の構造を説明するための断面図である。図1を参照して、以下に、本発明の参考例1による酸化物半導体素子の構造について説明する。
この参考例2では、p型ドーパントの多結晶薄膜2への拡散を、上記参考例1における熱処理を行う代わりに、プラズマドーピングにより行う方法について説明する。
この参考例3では、上記参考例1および2と異なり、n型の単結晶基板1とp型の多結晶薄膜2との間に、p型のZnOからなる単結晶薄膜を有する酸化物半導体素子について説明する。
この参考例4では、上記参考例3と異なり、n型の単結晶基板1とp型の多結晶薄膜2との間にMgを含有するZnO系の単結晶薄膜を有する酸化物半導体素子について説明する。
2 多結晶薄膜
8、9 電極
Claims (1)
- 亜鉛酸化物を含むn型の単結晶基板上に亜鉛酸化物を含むi型の単結晶薄膜を形成する工程と、
前記単結晶薄膜上に、亜鉛酸化物を含むとともにp型ドーパントを含まない微結晶薄膜または非晶質薄膜からなる非単結晶薄膜を形成する工程と、
前記非単結晶薄膜にp型ドーパントを含むプラズマを照射することにより、前記非単結晶薄膜をp型化する工程とを備える、酸化物半導体素子の製造方法。
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