JPH1093195A

JPH1093195A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH1093195A
Application number: JP24063496A
Authority: JP
Inventors: Mutsuyuki Yoshie; 睦之吉江; Yuji Hishida; 有二菱田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1996-09-11
Filing date: 1996-09-11
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】ｐ型半導体基板上に該基板との界面近傍にお
ける抵抗が低く且つ結晶性のよいＺｎとＳｅを含むＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体からなるｐ型半導体層を備える半
導体装置を提供する。【解決手段】ｐ型半導体基板１上にＺｎとＳｅを含む
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなるｐ型半導体層３を備
える半導体装置であって、このｐ型半導体層３は、前記
ｐ型半導体基板１との界面近傍に該ｐ型半導体層３ａ、
３ｂよりアクセプタ濃度が高い高濃度層４を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ｐ型半導体基板上
にＺｎとＳｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（ＺｎＳ
ｅ系化合物半導体）からなるｐ型半導体層を備える半導
体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】直接遷移型の広禁止帯を有するＺｎＳ
ｅ、ＺｎＳＳｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ等のＺｎとＳｅを含む
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（ＺｎＳｅ系化合物半導体）
は紫外光から青色、緑色の発光が可能なことから、主に
発光素子の材料として活発に研究がなされている。

【０００３】しかしながら、ｎ型半導体基板上にｎ型Ｚ
ｎＳｅ系化合物半導体層とｐ型ＺｎＳｅ系化合物半導体
層をこの順序に形成してなる半導体装置の場合、該装置
の最上層のｐ型ＺｎＳｅ系化合物半導体層をコンタクト
層として、この層上に、Ａｕ、Ｐｔ等からなる電極を単
に形成するのみでは、ｐ型側において良好な特性のオ−
ミック接触を得ることが困難である。

【０００４】これは、上記材料系では、１×１０¹⁸ｃｍ
^-3を越えるようなアクセプタ濃度を得ることが困難であ
ることに起因する。

【０００５】即ち、上記材料系では、ｐ型層を高アクセ
プタ濃度にできないため、例えばｐ型コンタクト層がＺ
ｎＳｅである場合、コンタクト層と電極間に、価電子帯
において約０．７５ｅＶのエネルギー障壁が存在する。
この結果、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層中の表面近傍に高
抵抗の空乏層ができ、オ−ミック接触を妨げるためであ
る。

【０００６】上述の問題を解決する方法として、例えば
実開昭６３−１９１６５７号（Ｈ０１Ｌ３３／００）
公報には、ｎ型ＧａＡｓ基板上に形成したＺｎＳｅ系化
合物半導体からなるレーザ構造の最上層にｐ型ＺｎＳｅ
膜／ｐ型ＺｎＴｅ膜からなる超格子構造層、及びｐ型Ｚ
ｎＴｅ層をこの順序で形成し、このｐ型ＺｎＴｅ層上に
Ａｕ電極を形成する構成が提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、超格子構造となる多層膜を積層するので結晶
成長工程が複雑である。しかも、この超格子構造層を構
成する各膜の膜厚を正確に制御する必要があるが、この
制御を再現性よく行うことが困難である。

【０００８】加えて、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用い
た発光素子を代表とする半導体装置では、上記公報でも
記載されているように、一般に基板としてＧａＡｓ単結
晶基板が用いられ、このＧａＡｓ基板と格子整合するよ
うにＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が結晶成長される。し
かしながら、ＺｎＴｅ結晶はＧａＡｓ結晶に対して格子
不整合が著しく大きい。このため、半導体装置内の結晶
に転位等の多くの結晶欠陥が発生し、良好な半導体結晶
を得ることが困難である。これらの結晶欠陥は、装置抵
抗の増大、即ち、消費電力の増大や、装置寿命の低下を
招く恐れがある。

【０００９】これらの問題を解決するために、良好なｐ
型側オ−ミック接触が得られる例えばＧａＡｓ等のｐ型
半導体基板上にｐ型ＺｎＳｅ系化合物半導体層とｎ型Ｚ
ｎＳｅ系化合物半導体層をこの順序に形成してなる半導
体装置の構成が考えられる。

【００１０】しかしながら、この場合は、前述のように
高アクセプタ濃度のｐ型ＺｎＳｅ系化合物半導体層を得
ることが困難であることに起因して、該ｐ型ＺｎＳｅ系
化合物半導体層と前記ｐ型半導体基板との界面近傍に高
抵抗の空乏層ができ、前記半導体装置のｐ型側の抵抗が
高くなるといった問題がある。

【００１１】本発明は、上述の問題点を鑑み成されたも
のであり、ｐ型半導体基板上に該基板との界面近傍にお
ける抵抗が低く且つ結晶性のよいＺｎとＳｅを含むＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体（ＺｎＳｅ系化合物半導体）から
なるｐ型半導体層を備える半導体装置を提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ｐ型半導体基板上にＺｎとＳｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体からなるｐ型半導体層を備える半導体装置であ
って、前記ｐ型半導体層は、前記ｐ型半導体基板との界
面近傍に該ｐ型半導体層よりアクセプタ濃度が高い高濃
度層を有することを特徴とする。

【００１３】更に、前記高濃度層は高濃度の窒素を含有
することを特徴とする。

【００１４】特に、前記ｐ型半導体基板と前記高濃度層
との距離が２３Å以下であることを特徴とする。

【００１５】更に、前記ｐ型半導体層は、前記ｐ型半導
体基板との界面近傍の他に該ｐ型半導体層よりアクセプ
タ濃度が大きい高濃度層を有する。

【００１６】特に、前記高濃度層は、超薄膜であること
を特徴とする。

【００１７】更に、前記高濃度層は、窒素のデルタド−
プ膜であることを特徴とする。

【００１８】また、前記ｐ型半導体層は、ＺｎＳｅ、Ｚ
ｎＳＳｅ、ＺｎＳＳｅＴｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄ
ＳＳｅ、又はＢｅＭｇＺｎＳｅからなることを特徴とす
る。

【００１９】更に、前記ｐ型半導体基板は、ＧａＡｓ、
ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、又はＳｉであることを特徴とす
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態に係る半導
体レーザを模式断面構造図である図１を用いて説明す
る。

【００２１】図１中、１は、アクセプタ濃度が５×１０
¹⁸ｃｍ^-3のｐ型ＧａＡｓ単結晶基板である。２は、この
基板１上にエピタキシャル成長された窒素がド−プされ
たアクセプタ濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3、層厚ｔÅのｐ型Ｚ
ｎＳｅ結晶膜３ａと、該結晶膜３ａ上に交互に例えば３
組エピタキシャル成長されたアクセプタ濃度１．２×１
０¹⁹ｃｍ^-3、層厚２Åのｐ型高濃度層４とアクセプタ濃
度１×１０¹⁸ｃｍ^-3、層厚５０Åのｐ型ＺｎＳｅ結晶膜
３ｂからなる積層構造で構成された低抵抗化層である。

【００２２】即ち、低抵抗化層２は、高アクセプタ濃度
のＺｎＳｅ結晶膜３ａ、３ｂからなるＺｎＳｅ結晶層３
内に、所定距離離間して前記ＺｎＳｅ結晶膜３ａ、３ｂ
より更に高アクセプタ濃度の高濃度層４が挿入された構
造を有する。

【００２３】低抵抗化層２上には、アクセプタ濃度５×
１０¹⁷ｃｍ^-3、層厚０．７μｍのｐ型Ｍｇ_0.15Ｚｎ_0.85
Ｓ_0.3Ｓｅ_0.7クラッド層５、及び、アクセプタ濃度３×
１０ ¹⁷ｃｍ^-3、層厚０．１μｍのｐ型ＺｎＳ_0.06Ｓｅ
_0.94光ガイド層６がこの順序にエピタキシャル成長され
ている。

【００２４】光ガイド層６上には、層厚６０Åのアンド
−プＣｄ_0.2Ｚｎ_0.8Ｓｅバリア層７（４層）と層厚６０
Åのアンド−プＺｎＳ_0.06Ｓｅ_0.94ウェル層８（３層）
が交互にエピタキシャル成長されてなる多重量子井戸構
造からなる活性層９が構成されている。

【００２５】活性層９の上には、ドナ−濃度３×１０¹⁷
ｃｍ^-3、層厚０．１μｍのｎ型ＺｎＳ_0.06Ｓｅ_0.94光ガ
イド層１０、ドナ−濃度５×１０¹⁷ｃｍ^-3、層厚０．７
μｍのｎ型Ｍｇ_0.15Ｚｎ_0.85Ｓ_0.3Ｓｅ_0.7クラッド層１
１、及び、ドナ−濃度３×１０¹⁸ｃｍ^-3、層厚６００Å
のｎ型ＺｎＳｅコンタクト層１２がこの順序にエピタキ
シャル成長されている。

【００２６】１３は、コンタクト層１２上に形成された
Ｉｎからなるｎ型側電極、１４は、基板１の下面に形成
されたＡｕからなるｐ型側電極である。

【００２７】このように本半導体装置では、低抵抗化層
２の中に、高濃度層４を、ｐ型ＧａＡｓ基板１との界面
近傍だけでなく、この他にも、所定距離離間させて複数
の位置に配置する。

【００２８】斯る半導体装置の一製造工程を簡単に説明
する。尚、図２は、この実施形態で用いられるＭＢＥ
（分子線エピタキシ−）装置の模式構成図である。

【００２９】図２中、２１は真空容器、２２は図示しな
い真空ポンプに接続され真空容器２１内を真空排気する
ための排気口、２３は真空容器内に設置された基板１を
支持し、該基板１を加熱して所望の結晶成長温度に保持
するための基板ホルダーである。２４、２５、２６、２
７は真空容器２１内に設置された上記基板１表面上に分
子線を照射するための、高純度のＺｎ（亜鉛）、Ｓｅ
（セレン）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、Ｍｇ（マグネシウ
ム）がそれぞれ格納された分子線源としてのセル、２８
は上記分子線と同時に基板１表面上にｐ型ド−パント用
ガスを照射するための真空容器２１内に設置されたプラ
ズマドーピング法用窒素セル、２９は上記分子線と同時
に基板１表面上にｎ型ド−パント用分子線を照射するた
めの高純度のＺｎＣｌ₂が格納された分子線源としての
塩素セルである。

【００３０】以下、この装置を用いた上記半導体レーザ
の製造方法の一例を示す。尚、従来と異なる点は、高濃
度層４を含有する低抵抗化層２の製造方法のみであるの
で、この点のみを詳細に述べる。

【００３１】最初に、基板１としてｐ型ＧａＡｓ半導体
を基板ホルダー２３に装着した後、真空容器２１内を好
ましくは１０^-9ｔｏｒｒ程度の高真空になるまで排気す
る。

【００３２】次に、基板１を６００℃程度まで昇温し、
基板１表面に形成された自然酸化膜を除去する。

【００３３】その後、基板１を結晶成長温度（基板温
度）２６０℃に降温し、この温度に保持した状態で、そ
れぞれ所定の温度に加熱されたセル２４、２５、２６、
２７から、それぞれＺｎからなる分子線、Ｓｅからなる
分子線、ＺｎとＳからなる分子線、Ｍｇからなる分子線
を便宜出射すると共に、ｐ型ド−パントとしては、窒素
分子（Ｎ₂）が内蔵されたガスボンベ（図示せず）に連
結された上記窒素セル２８にて窒素分子を高周波電力１
４０Ｗの条件下でプラズマ化した窒素プラズマガスを照
射し、ｎ型ド−パントとしては、塩素セル２９からのＣ
ｌからなる分子線を照射する。

【００３４】上記低抵抗化層２のｐ型ＺｎＳｅ結晶膜３
ａ、ｐ型ＺｎＳｅ結晶膜３ｂは、上記各セル２４、２
５、２８から、１．２×１０^-7ｔｏｒｒのＺｎからなる
分子線、１．８×１０^-7ｔｏｒｒのＳｅからなる分子
線、及び１×１０^-6ｔｏｒｒの窒素プラズマガスを同時
に照射して形成される。本実施形態では、Ｚｎからなる
分子線とＳｅからなる分子線をそれぞれ異なるセル２
４、２５から照射したが、高純度のＺｎＳｅ結晶を格納
した単一のセルからＺｎとＳｅの両方の分子線を同時に
照射することによっても、ＺｎＳｅ結晶膜を形成するこ
とができる。

【００３５】一方、本実施形態では高濃度層４は、Ｓｅ
からなる分子線の照射を停止しつつ、Ｚｎの蒸発を押さ
えるために１．２×１０^-7ｔｏｒｒのＺｎからなる分子
線を照射すると共に、１×１０^-6ｔｏｒｒの窒素プラズ
マガスを照射して形成した。即ち、本実施形態では、高
濃度層４の成膜時にＺｎＳｅ結晶の成長は行わず、窒素
ドーピングのみを行うので、本実施形態における高濃度
層４は、所謂デルタド−プ膜となっている。但し、本発
明はデルタド−プに限るものではない。

【００３６】斯る装置における高濃度層４の形成は、例
えば容量−電圧特性の測定により確認できる。図３は、
一例としてＳｅの供給を停止しつつＺｎ分子線と窒素プ
ラズマガスとを１０分間照射して形成した高濃度層（窒
素デルタド−プ膜）４のアクセプタ濃度プロファイルで
ある。

【００３７】この図３から、このように形成した窒素デ
ルタド−プ膜４のアクセプタ濃度は、１．２×１０¹⁹ｃ
ｍ^-3と高濃度にできることが判る。しかも、上記プロフ
ァイルが疑似ガウス分布近似であることから、この窒素
デルタド−プ膜４の面密度が６×１０¹²ｃｍ^-2の高アク
セプタ濃度であることが判る。

【００３８】このことから、窒素のド−プは膜厚が大き
い場合、アクセプタ濃度を１×１０ ¹⁸ｃｍ^-3より高濃度
にすることは困難であるが、膜厚が小さい場合には高ア
クセプタ濃度にできることが判る。

【００３９】このように、窒素のド−プはド−プ領域の
幅を小さくすることにより、高アクセプタ濃度にでき
る。ところで、上述では理想的には単原子層からなる窒
素デルタド−プ膜を例に示したが、これより幅広の超薄
膜である高濃度層４を用いることもできる。

【００４０】また、高濃度層４は、低抵抗化層２のｐ型
ＺｎＳｅ結晶膜３ａ、ｐ型ＺｎＳｅ結晶膜３ｂとの格子
定数差が殆ど無く、且つ超薄膜であるために、低抵抗化
層２での転位等の結晶欠陥の発生は殆ど無い。更に、低
抵抗化層２上に順次形成される半導体層５〜１２も格子
定数差が殆ど無いので、転位等の結晶欠陥の殆ど無い高
品質な結晶層である。特に、多重量子井戸活性層９のバ
リア層７とウェル層８は極薄膜であるので、これらの層
７、８の格子定数は所定の範囲内で異なるように設定し
ても、転位等の結晶欠陥は発生しない。従って、本半導
体レーザは、結晶性が非常に良好な半導体により構成さ
れている。

【００４１】上記半導体レーザでは、良オ−ミック接触
が得られる従来周知のＩｎ電極１３、Ａｕ電極１４をそ
れぞれｎ型ＺｎＳｅ層１２、ｐ型ＧａＡｓ基板１に対し
て用いるので、ｎ型ＺｎＳｅ層１２とＩｎ電極１３間、
ｐ型ＧａＡｓ基板１とＡｕ電極１４間に生じる抵抗の増
大は抑制されている。しかも、ｐ型ＧａＡｓ基板１に単
純にｐ型ＺｎＳｅ層を成長しただけでは、これらの界面
近傍に厚い空乏層が形成されるために、ｐ型ＧａＡｓ基
板１とｐ型ＺｎＳｅ層間の抵抗が極めて高くなるが、本
装置では低抵抗化層２を備えるので、ｐ型ＧａＡｓ基板
１とｐ型Ｍｇ_0. ₁₅Ｚｎ_0.85Ｓ_0.3Ｓｅ_0.7クラッド層５間
の抵抗も低減される。

【００４２】以下に、本発明で用いる低抵抗化層２によ
る抵抗低減のメカニズムを説明する。

【００４３】図４は、上記半導体レーザの基板１と低抵
抗化層２との界面近傍における模式バンド構造図であ
る。

【００４４】この図４から判るように、各高濃度層４で
の価電子帯頂上は、ゼロバイアス時のフェルミ準位より
高く、その結果、縮退する。

【００４５】この縮退により、ｐ型ＧａＡｓ基板１に隣
接する高濃度層４で正孔が局在化するので、この隣接す
る高濃度層４からｐ型ＧａＡｓ基板１と低抵抗化層２の
間に生じる空乏層側に正孔が供給される。従って、この
空乏層の幅を小さくできる。

【００４６】しかも、この構造に電界が印加（装置動
作）されると、ｐ型ＧａＡｓ基板１と低抵抗化層２の間
に生じる空乏層は高抵抗であるので、印加された電界が
集中し、この空乏層でのエネルギーバンドが極端に曲が
る。これにより、ｐ型ＧａＡｓ基板１に隣接する高濃度
層４での上記局在化した正孔の波動関数がｐ型ＧａＡｓ
基板１にしみだすように変化する。

【００４７】このように、高濃度層４の存在により、ｐ
型ＧａＡｓ基板１と低抵抗化層２との界面近傍に生じる
空乏層幅が小さくなるばかりでなく、電界印加によりエ
ネルギーバンドが極端に曲がるので、ｐ型ＧａＡｓ基板
１から低抵抗化層２への正孔のトンネル確率（トンネル
電流）が更に増大し、よって装置抵抗が著しく低減され
る。

【００４８】加えて、上記ｐ型ＧａＡｓ基板１に隣接す
る高濃度層４の他、互いに所定距離離間する複数の高濃
度層４は、隣接する高濃度層４の正孔の波動関数が重な
るように前記所定距離離間（好ましくは１００Å以下）
が設定されているので、低抵抗化層２中での抵抗が低減
される。しかも、ｐ型ＧａＡｓ基板１と低抵抗化層２と
の界面近傍に生じる空乏層の幅を小さくする効果があ
る。これらの結果、装置抵抗が更に低減される。

【００４９】図５は、上記ｐ型ＧａＡｓ基板１に隣接す
るｐ型ＺｎＳｅ膜３ａの膜厚ｔと装置の特性接触抵抗の
関係を示す計算結果である。

【００５０】この図５から、一般に接触抵抗は１０^-4Ω
ｃｍ²程度以下であるのが好ましいので、上記隣接する
ｐ型ＺｎＳｅ膜３ａの好ましい膜厚は、典型的には２３
Å以下がよい。

【００５１】尚、上述では、窒素のプラズマドーピング
法を用いたが、窒素のガスドーピング法でも同様にでき
る。

【００５２】また、上述では、ｐ型ＺｎＳｅ結晶からな
る低抵抗化層２を用いたが、ｐ型ＭｇＺｎＳＳｅ結晶や
ｐ型ＺｎＳＳｅＴｅ結晶等のＺｎとＳｅを含むｐ型ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体からなる低抵抗化層２を用いても
よい。

【００５３】尚、上述では、低抵抗化層２は、複数の高
濃度層４を有したが、ｐ型基板１との界面近傍にｐ型高
濃度層４を少なくとも一層有すれば、効果が得られる。

【００５４】さらに、上述では、ｐ型基板１の材料とし
てＧａＡｓを用いたが、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、又はＳ
ｉ等を用いてもよい。

【００５５】加えて、上記一実施形態は、半導体レーザ
について説明したが、発光ダイオードなどの他の半導体
装置にも便宜用いることができる。

【００５６】

【発明の効果】本発明の半導体装置は、ｐ型半導体基板
上にＺｎとＳｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からな
るｐ型半導体層を備える半導体装置であって、前記ｐ型
半導体層は、前記ｐ型半導体基板との界面近傍に該ｐ型
半導体層よりアクセプタ濃度が高い高濃度層を有する。
この高アクセプタ濃度の高濃度層は容易に形成可能であ
り、またこの膜厚は高精度に制御する必要もないので、
容易に且つ再現性よく製造が可能である。

【００５７】そして、高アクセプタ濃度の高濃度層での
価電子帯頂上は、ゼロバイアス時のフェルミ準位より高
く、縮退させることができる。

【００５８】この縮退により、高濃度層で正孔が局在化
するので、この高濃度層からｐ型半導体基板とｐ型半導
体層の間に生じる空乏層側に正孔が供給される。従っ
て、この空乏層の幅を小さくできる。

【００５９】しかも、この構造に電界が印加（装置動
作）されると、ｐ型半導体基板とｐ型半導体層の間に生
じる空乏層は高抵抗であるので、印加された電界が集中
し、この空乏層におけるエネルギーバンドが極端に曲が
り、これにより、高濃度層での上記局在化した正孔の波
動関数がｐ型半導体基板にしみだすように変化する。

【００６０】以上の結果、高濃度層の存在により空乏層
幅が小さくなるばかりでなく、電界印加によりエネルギ
ーバンドが極端に曲がるので、ｐ型半導体基板からｐ型
半導体層への正孔のトンネル確率（トンネル電流）が更
に増大し、よってｐ型半導体基板とｐ型半導体層との界
面近傍における抵抗を著しく低減できる。

【００６１】斯る構成では、ｐ型半導体基板と高濃度層
の格子定数差が殆ど無いように設定可能であるので、結
晶性の良好なｐ型半導体層と高濃度層を得ることができ
る。

【００６２】また、前記ｐ型半導体基板と前記高濃度層
との距離が２３Å以下である場合、接触抵抗が非常に好
ましい値になる。

【００６３】更に、前記高濃度層が超薄膜である場合、
窒素を容易に高濃度にできるので、アクセプタ濃度を容
易に高めることができる。特に、前記高濃度層が窒素の
デルタド−プ膜である場合、より高濃度にド−プできる
ので、アクセプタ濃度を容易により高めることができ
る。

【００６４】また、前記ｐ型半導体層は、前記ｐ型半導
体基板との界面近傍の他に該ｐ型半導体層よりアクセプ
タ濃度が高い高濃度層を有する場合、複数の高濃度層
は、隣接する高濃度層の正孔の波動関数が重なるように
前記所定距離離間を設定できるので、装置抵抗を更に低
減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係わる半導体レーザの断
面模式図である。

【図２】上記半導体レーザを製造するのに用いたＭＢＥ
装置を示す模式構造図である。

【図３】窒素デルタド−プ膜のアクセプタ濃度のプロフ
ァイルを示す図である。

【図４】上記半導体レーザの基板と低抵抗化層との界面
近傍における模式バンド図である。

【図５】上記基板とそれに隣接する高濃度層との距離と
特性接触抵抗の関係を示す図である。

【符号の説明】

１ｐ型ＧａＡｓ基板（ｐ型半導体基板）２低抵抗化層３ａｐ型ＺｎＳｅ結晶膜（ｐ型半導体層）３ｂｐ型ＺｎＳｅ結晶膜（ｐ型半導体層）３ｐ型ＺｎＳｅ結晶層（ｐ型半導体層）４ｐ型高濃度層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｐ型半導体基板上にＺｎとＳｅを含むＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体からなるｐ型半導体層を備える
半導体装置であって、前記ｐ型半導体層は、前記ｐ型半
導体基板との界面近傍に該ｐ型半導体層よりアクセプタ
濃度が高い高濃度層を有することを特徴とする半導体装
置。
【請求項２】前記高濃度層は、高濃度の窒素を含有す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記ｐ型半導体基板と前記高濃度層との
距離が２３Å以下であることを特徴とする請求項１又は
２記載の半導体装置。
【請求項４】前記ｐ型半導体層は、前記ｐ型半導体基
板との界面近傍の他に該ｐ型半導体層よりアクセプタ濃
度が高い高濃度層を有することを特徴とする請求項１、
２、又は３記載の半導体装置。
【請求項５】前記高濃度層は、超薄膜であることを特
徴とする請求項１、２、３、又は４記載の半導体装置。
【請求項６】前記高濃度層は、窒素のデルタド−プ膜
であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】前記ｐ型半導体層は、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ
Ｓｅ、ＺｎＳＳｅＴｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳＳ
ｅ、又はＢｅＭｇＺｎＳｅからなることを特徴とする請
求項１、２、３、４、５、又は６記載の半導体装置。
【請求項８】前記ｐ型半導体基板は、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＩｎＰ、Ｇｅ、又はＳｉであることを特徴とする請
求項１、２、３、４、５、６、又は７記載の半導体装
置。