RU2488917C1 - Способ создания светоизлучающего элемента - Google Patents
Способ создания светоизлучающего элемента Download PDFInfo
- Publication number
- RU2488917C1 RU2488917C1 RU2012104413/28A RU2012104413A RU2488917C1 RU 2488917 C1 RU2488917 C1 RU 2488917C1 RU 2012104413/28 A RU2012104413/28 A RU 2012104413/28A RU 2012104413 A RU2012104413 A RU 2012104413A RU 2488917 C1 RU2488917 C1 RU 2488917C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- substrate
- layer
- nanocrystallites
- fesi
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра.Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100). Активная зона светоизлучающего элемента представляет собой наноразмерные кристаллиты (нанокристаллиты) полупроводникового дисилицида железа, упруго встроенные в монокристаллический эпитаксиальный кремний. Перед формированием активной зоны на подложку наносится слой нелегированного кремния для ее пространственного отделения от подложки (буферный слой). Нанокристаллиты образуются при эпитаксиальном заращивании предварительно сформированных на буферном слое методом молекулярно-лучевой эпитаксии наноостровков полупроводникового дисилицида железа. Применение особых режимных параметров обеспечивает высокую концентрацию нанокристаллитов в активной зоне. Цикл, включающий формирование наноостровков и их последующую агрегацию в нанокристаллиты, повторяют несколько раз, что обеспечивает формирование многослойной активной структуры. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности светоотдачи светоизлучающего элемента за счет возможности уменьшения размеров кристаллитов полупроводникового дисилицида железа (до 20-40 нм) и обеспечения их высокой плотности (количества кристаллитов в единице объема кремниевой матрицы) и в силу этого упругого встраивания в кремниевую матрицу и значительной напряженности внутренней структуры кристаллитов, а также повышение интенсивности светоизлучающего элемента за счет увеличения объема активной зоны. 1 з.�
Description
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра.
Известен способ создания светоизлучающих приборов на основе кремния, включающий формирование в непосредственной близости от p-n перехода излучающей зоны, легированной примесями редкоземельных элементов, на основе того же полупроводникового материала, что и активные слои n- и p-типа проводимости (см. US №6828598, H01S 3/16, H01S 5/30, H01S 5/32, 2004). В зависимости от уровня легирования активных слоев в приборах реализуется механизм туннельного, лавинного либо смешанного пробоев. Основным ограничивающим фактором практического применения приборов, создаваемых известным способом, несмотря на их простоту и интегрируемость в схемы микроэлектроники, является их низкая излучающая способность и, следовательно, низкая выходная мощность прибора.
Известен также способ создания светоизлучающего элемента, включающий формирование слоя железа осаждением в условиях сверхвысокого вакуума атомов железа на кремниевую подложку первого типа проводимости, агрегацию этого слоя в островки β-FeSi2 и последующее осаждение эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости при нагреве подложки (см. US №6368889, H01L 33/26; H01L 21/00; H01L 33/00, 2002).
Недостаток этого технического решения - значительный (около 100 нм) размер зерен дисилицида железа, что не позволяет обеспечить высокую эффективность светоизлучающего элемента в силу недостаточно хорошего встраивания кристаллов в кремниевую матрицу и релаксированной внутренней структуры.
Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, выражается в повышении эффективности светоизлучающего элемента.
Технический результат - повышение эффективности светоотдачи светоизлучающего элемента за счет возможности уменьшения размеров кристаллитов полупроводникового дисилицида железа (до 20-40 нм) и обеспечения их высокой плотности (количества кристаллитов в единице объема кремниевой матрицы) и в силу этого упругого встраивания в кремниевую матрицу и значительной напряженности внутренней структуры кристаллитов, а также повышение интенсивности светоизлучающего элемента за счет увеличения объема активной зоны.
Решение поставленной задачи обеспечивается тем, что способ создания светоизлучающего элемента, включающий формирование островков дисилицида железа β-FeSi2 путем осаждения в условиях сверхвысокого вакуума атомов железа на нагретую кремниевую подложку первого типа проводимости и последующее осаждение эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости при нагреве подложки не выше 800°C, отличается тем, что на кремниевую подложку первого типа проводимости осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C, на поверхность которого при нагреве подложки до 375°C осаждают железо в количестве, достаточном для формирования слоя толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с, после чего подложку охлаждают до комнатной температуры, при которой на слой железа осаждают слой нелегированного кремния толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с, при этом, агрегацию осажденного железа в наноостровки β-FeSi2 осуществляют отжигом при температуре подложки 475°C в течение 2 минут, после чего осуществляют агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 20-40 нм, упруго встроенных в кремниевую матрицу, для чего осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с при нагреве подложки до 600-800°C, при этом, цикл, включающий формирование наноостровков β-FeSi2 на поверхности слоя нелегированного кремния и их последующую агрегацию в нанокристаллиты β-FeSi2 осаждением слоя нелегированного кремния, повторяют с такими же режимными параметрами, по крайней мере, один раз, после чего осаждают слой кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C. Кроме того, в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111).
Сопоставительный анализ признаков заявляемого и известных технических решений свидетельствует о его соответствии критерию «новизна».
Признаки отличительной части формулы изобретения решают следующие функциональные задачи:
Признаки «на кремниевую подложку первого типа проводимости осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм» обеспечивают отделение нанокристаллитов β-FeSi2 от подложки, что обеспечивает их расположение вне границы p-n перехода и эффективную инжекцию носителей заряда.
Признаки, указывающие, что осаждение слоя нелегированного кремния ведут «при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C», обеспечивают эпитаксиальное формирование буферного слоя нелегированного кремния на подложке.
Признаки, указывающие, что на поверхность слоя нелегированного кремния «при нагреве подложки до 375°C осаждают железо в количестве, достаточном для формирования слоя толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с», обеспечивают формирование на буферном слое нелегированного кремния слоя моносилицида железа FeSi.
Признаки, указывающие, что "подложку охлаждают до комнатной температуры, при которой на слой железа осаждают слой нелегированного кремния толщиной 0,2-0,8 нм со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с", обеспечивают формирование слоя кремния для упрощения образования силицида нужной стехиометрии.
Признаки, указывающие, что «агрегацию осажденного железа в наноостровки β-FeSi2 осуществляют отжигом при температуре подложки 475°C в течение 2 минут», обеспечивают формирование на буферном слое нелегированного кремния наноостровков β-FeSi2, при этом заданные режимные параметры процесса осаждения железа и толщины его слоя обеспечивают возможность минимизировать размеры наноостровков β-FeSi2 и получить их в необходимом количестве.
Признаки, указывающие, что «агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 20-40 нм, упруго встроенные в кремниевую матрицу, осуществляют осаждением нелегированного кремния толщиной 100-200 нм», обеспечивают возможность формирования кремниевой матрицы толщиной, существенно большей размеров нанокристаллитов β-FeSi2, заключенных в ней. Кроме того, обеспечивается отделение нанокристаллитов β-FeSi2 от верхнего слоя кремния второго типа, что обеспечивает их расположение вне границы p-n перехода и эффективную инжекцию носителей заряда. Кроме того, обеспечивается трансформация наноостровков в нанокристаллиты заданной крупности и обладающие напряженной внутренней структурой.
Признаки, указывающие, что осаждение покрывающего слоя нелегированного кремния ведут «при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с при нагреве подложки до 600-800°C», задают режимные параметры процесса осаждения нелегированного кремния, обеспечивающие «запуск» и «протекание» процесса агрегации наноостровков в нанокристаллиты β-FeSi2.
Признаки, указывающие, что «цикл, включающий формирование наноостровков β-FeSi2 на поверхности слоя нелегированного кремния и их последующую агрегацию в нанокристаллиты β-FeSi2 осаждением слоя нелегированного кремния повторяют с такими же режимными параметрами, по крайней мере, один раз», обеспечивают формирование многослойного активного слоя.
Признаки, указывающие, что процесс формирования структуры светоизлучающего элемента завершают осаждением слоя «кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C», обеспечивают формирование p-n перехода в структуре светоизлучающего элемента.
Признаки, указывающие, что «в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111)», обеспечивают возможность варьирования кристаллографической ориентации подложки и варьирования свойств формируемого полупроводникового материала на подложке кремния.
На чертежах показаны стадии формирования светоизлучающего элемента, при этом на фиг.1. схематически показан этап формирования слоя нелегированного кремния на подложке кремния первого типа проводимости для пространственного отделения сформирующихся впоследствии нанокристаллитов β-FeSi2 и подложки; на фиг.2 схематически показан этап формирования массива наноостровков β-FeSi2; на фиг.3 схематически показан этап агрегации наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 при осаждении на подложку нелегированного кремния; на фиг.4 показано завершение этапа осаждения нелегированного кремния; на фиг.5 показан этап формирования второго слоя массива наноостровков β-FeSi2; на фиг.6 показан этап осаждения кремния второго типа проводимости; на фиг.7 схематически показан общий вид светоизлучающего элемента, на фиг.8 схематически показана установка, обеспечивающая реализацию способа; на фиг.9 показано изображение поверхности кремния, на которой сформированы наноостровки дисилицида железа, полученные методом сканирующей атомно-силовой микроскопии; на фиг.10 представлен спектр электролюминисценции восьмислойного образца при обратном смещении и комнатной температуре диодной структуры; на фиг.11 дано изображение поперечного среза образца, сформированного при четырехкратном повторении процедуры формирование наноостровков β-FeSi2 на поверхности слоя нелегированного кремния, зарегистрированные методом просвечивающей электронной микроскопии.
На чертежах схематически показаны составные части светоизлучающего элемента, формируемого при реализации способа: подложка 1 кремния первого типа проводимости, например n-типа, слой нелегированного кремния 2 для отделения наноостровков 3 дисилицида железа (β-FeSi2) от подложки, нанокристаллиты 4 дисилицида железа (β-FeSi2), образующие активный слой, заращенные слоем нелегированного кремния 5, слой кремния 6 второго типа проводимости (в данном случае p-типа), положительный 7 и отрицательный 8 электроды. Кроме того, показаны узлы и оборудование установки, обеспечивающей реализацию способа.
Для реализации способа используют известный комплект лабораторного оборудования (см. фиг.8), включающий в себя, кроме сверхвысоковакуумной камеры 9 (базовое давление в камере - 5×10-10 Topp и менее), электронный спектрометр 10 (например, фирмы Percin Elmer), манипулятор 11 образца (т.е. подложки) с электрическими вводами, имеющий четыре степени свободы, соединенный с образцом-подложкой 1, обеспечивающий возможность ее удержания в заданном положении и подвод к ней электрического тока для отжига.
Кроме того, комплект включает в себя блок испарителей 12 на три источника: источник 13 атомов железа, 14 нелегированного кремния и кремния первого или второго типа проводимости (не показан), а также сверхвысоковакуумный насос (не показан), обеспечивающий необходимый вакуум в камере 9. Обычно манипулятор 11 сгруппирован на одном фланце с тепло- и электрически-изолированными вводами (на чертежах не показаны), через которые к ней подводится электрический ток для ее нагрева. Источник атомов железа 13 должен обеспечить достаточную для формирования наноостровков скорость осаждения (≥1,7×10-3 нм/с). Источник атомов кремния (нелегированного, первого и второго типов) должен обеспечить достаточную для формирования эпитаксиального слоя скорость осаждения (≥5×10-2 нм/с). Давление паров материала адсорбата в потоке, исходящем из блока испарителей, должно быть не менее чем на 2-3 порядка выше остаточного давления в камере 9. Экспозицию испаряемой порции адсорбата задают путем пропускания тока соответствующей величины через электрические вводы 15 в течение нужного времени.
Заявленный способ реализуется следующим образом. Перед загрузкой в камеру выбирают подложку 1 со срезом вдоль кристаллической плоскости (100) или (111). Затем подложку очищают известным образом, например, с помощью органических растворителей (например, кипячением в толуоле). После размещения образца-подложки 1 на манипуляторе 11 сверхвысоковакуумной камеры 9 и установки в ней подготовленных источников в блок испарителей 12, камеру 9 известным образом герметично закрывают. Далее камеру вакуумируют с помощью насоса, понижая величину давления в ней до заданного значения (обычно ≤5×10-7 Topp). Далее камеру 9 и всю ее внутреннюю оснастку обезгаживают наружным нагревом камеры до температуры 120-150°C. При этом в процессе и после нагрева камеру 9 непрерывно вакуумируют. Обезгаживание обычно проводят в течение суток, после чего камеру 9 охлаждают. Температуру обезгаживания определяют опытным путем из расчета обеспечения после охлаждения камеры заданного рабочего вакуума (≤5×10-10 Topp).
После загрузки образца-подложки 1 и получения заданного вакуума подложку, перед напылением, очищают термическим отжигом в течение времени, достаточного для испарения окисной пленки с ее поверхности, например, для подложки из кремния - в течение 2-3 мин при температуре 1250°C.
Затем на подложке формируют эпитаксиальный слой нелегированного кремния при нагреве подложки до 700-750°C (путем пропускания через нее постоянного стабилизированного тока через термо- и электрически изолированные от камеры вводы) толщиной от 100 до 200 нм со скоростью осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с, что обеспечивает формирование на поверхности буферного слоя нелегированного кремния 2. Затем температуру подложки устанавливают на уровне 375°C, которая обеспечивает формирование поверхности слоя нелегированного кремния слоя моносилицида железа, при этом поддерживают скорость осаждения железа на уровне 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с. В случае использования сублимационного источника атомов железа заданная скорость обеспечивается его прогревом путем пропускания через него постоянного стабилизированного тока. Величина тока подбирается экспериментально так, чтобы скорость сублимации атомов железа из него находилась в указанных пределах. Осаждение железа на разогретую до 375°C подложку ведут до появления на подложке такого количества железа, которое эквивалентно объему сформированной на подложке сплошной пленки железа толщиной от 0,2 до 0,8 нм. После этого подложку охлаждают до комнатной температуры, при которой на слой железа осаждают слой нелегированного кремния толщиной 0,2-0,8 нм со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с.
Далее проводят агрегацию осажденного железа в наноостровки β-FeSi2, для чего осуществляют отжиг при температуре подложки 475°C в течение 2 минут (см. фиг.2).
Последующую агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 20-40 нм, упруго встроенные в кремниевую матрицу, осуществляют осаждением слоя нелегированного кремния толщиной 100-200 нм (покрывающего поверхность подложки со сформированными на ней наноостровками β-FeSi2) при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и при нагреве подложки до 600-800°C (см. фиг.3, 4). В процессе такого заращивания нанокристаллиты распределяются в объеме кремния, двигаясь в направлении фронта эпитаксиального роста кремния.
Цикл, включающий формирование наноостровков β-FeSi2 на поверхности слоя нелегированного кремния и их последующую агрегацию в нанокристаллиты β-FeSi2 осаждением слоя нелегированного кремния, повторяют с такими же режимными параметрами, до формирования активной области заданной толщины.
После завершения формирования активной области формируют слой кремния второго типа проводимости, для чего осаждают кремний второго типа проводимости толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и при нагреве подложки до 700-750°C на поверхность последнего (покрывающего) слоя нелегированного кремния.
Поскольку в качестве подложки выбран кремний первого типа проводимости (в данном случае, например, n-типа), эпитаксиальный слой кремния второго типа проводимости должен быть представлен кремнием p-типа, для обеспечения возможности формирования области p-n-перехода (при использовании подложки из кремния p-типа, эпитаксиальный слой кремния должен быть n-типа, т.е. фразы «первого типа» и «второго типа» говорят только о необходимости использования кремния различных типов проводимости).
По завершении этого процесса на внешних поверхностях кремния (соответственно, свободная поверхность эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости и свободная поверхность подложки) известным образом формируют положительный 7 и отрицательный 8 электроды, завершая процесс формирования светоизлучающего элемента (см. фиг.7).
Заявленный способ обеспечивает формирование эпитаксиального покрывающего слоя нелегированного кремния, изображение поверхности которого, полученное методом сканирующей атомно-силовой микроскопии, приведено на фиг.9. Этот образец был получен при четырехкратном повторении процедуры формирование наноостровков β-FeSi2 на поверхности слоя нелегированного кремния и их последующей агрегации в нанокристаллиты β-FeSi2 осаждением слоя нелегированного кремния. Среднеквадратическая шероховатость поверхности не превосходит 0,3 нм, что говорит о том, что выращенные слои кремния являются монокристаллическими. На поверхности находятся дырки (ширина 50-100 нм, глубина 0,2-2,5 нм) с концентрацией не более 5·108 см-2, которые формируются непосредственно над движущимися к поверхности нанокристаллитами.
Заявленный способ обеспечивает формирование в составе светоизлучающего элемента активного слоя, что подтверждает фиг.10, на котором представлен спектр электролюминисценции восьмислойного образца при обратном смещении и комнатной температуре диодной структуры. Для данного вида меза-диодных структур наблюдается спектр электролюминесценции с широким пиком в области 0,8-0,85 эВ, что свидетельствует о протекании процесса излучательной рекомбинации в нанокристаллитах дисилицида железа.
На фиг.11 показан поперечный срез образца, сформированного при четырехкратном повторении процедуры формирования наноостровков β-FeSi2 на поверхности слоя нелегированного кремния и их последующей агрегации в нанокристаллиты β-FeSi2 осаждением слоя нелегированного кремния. Эта процедура с заявленными режимными параметрами позволяет получить распределенные в объеме кремния нанокристаллиты дисилицида железа.
Claims (2)
1. Способ создания светоизлучающего элемента, включающий осаждение на кремниевую подложку первого типа проводимости слоя нелегированного кремния толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5·10-2-3,3·10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C, на поверхность которого при нагреве подложки до 375°C, осаждают железо в количестве, достаточном для формирования слоя толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7·10-3-1,7·10-2 нм/с, после чего подложку охлаждают до комнатной температуры, при которой на слой железа осаждают слой нелегированного кремния толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7·10-3-1,7·10-2 нм/с, при этом агрегацию осажденного железа в наноостровки β-FeSi2 осуществляют отжигом при температуре подложки 475°C в течение 2 мин, после чего осуществляют агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 20-40 нм, упруго встроенных в кремниевую матрицу, для чего осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5·10-2-3,3·10-l нм/с при нагреве подложки до 600-800°C, при этом цикл, включающий формирование наноостровков β-FeSi2 на поверхности слоя нелегированного кремния и их последующую агрегацию в нанокристаллиты β-FeSi2 осаждением слоя нелегированного кремния, повторяют с такими же режимными параметрами, по крайней мере, один раз, после чего осаждают слой кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5·10-2-3,3·10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C.
2. Способ создания светоизлучающего элемента по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104413/28A RU2488917C1 (ru) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | Способ создания светоизлучающего элемента |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104413/28A RU2488917C1 (ru) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | Способ создания светоизлучающего элемента |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2488917C1 true RU2488917C1 (ru) | 2013-07-27 |
Family
ID=49155761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012104413/28A RU2488917C1 (ru) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | Способ создания светоизлучающего элемента |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2488917C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018167A1 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | University Of Surrey | Optoelectronic semiconductor devices |
| EP1045459A1 (en) * | 1998-10-22 | 2000-10-18 | Japan Science and Technology Corporation | Variable-wavelength light-emitting device and method of manufacture |
| JP2006019648A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Takashi Suemasu | 鉄シリサイド発光素子及びその製造方法 |
| JP2006019426A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子およびその製造方法 |
| JP4129528B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2008-08-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | β−ＦｅＳｉ２結晶粒子を含む薄膜及びこれを用いた発光材料 |
| CN101339906A (zh) * | 2008-08-12 | 2009-01-07 | 贵州大学 | 新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺 |
-
2012
- 2012-02-08 RU RU2012104413/28A patent/RU2488917C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018167A1 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | University Of Surrey | Optoelectronic semiconductor devices |
| EP1045459A1 (en) * | 1998-10-22 | 2000-10-18 | Japan Science and Technology Corporation | Variable-wavelength light-emitting device and method of manufacture |
| JP4129528B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2008-08-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | β−ＦｅＳｉ２結晶粒子を含む薄膜及びこれを用いた発光材料 |
| JP2006019426A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子およびその製造方法 |
| JP2006019648A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Takashi Suemasu | 鉄シリサイド発光素子及びその製造方法 |
| CN101339906A (zh) * | 2008-08-12 | 2009-01-07 | 贵州大学 | 新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3078611B2 (ja) | Ｉｉｂ−ｖｉａ族半導体層を含む発光半導体デバイス | |
| US6342313B1 (en) | Oxide films and process for preparing same | |
| US8735290B2 (en) | Amorphous group III-V semiconductor material and preparation thereof | |
| WO2013186749A1 (en) | Method for depositing a group iii nitride semiconductor film | |
| JP3477855B2 (ja) | 固体エレクトロルミネッセント装置及びその製造方法 | |
| JPH0152910B2 (ru) | ||
| EP3157068B1 (en) | Semiconductor multilayer structure and method for producing same | |
| US8097885B2 (en) | Compound semiconductor film, light emitting film, and manufacturing method thereof | |
| JP2000164921A (ja) | 半導体発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子 | |
| RU2488917C1 (ru) | Способ создания светоизлучающего элемента | |
| JP4398310B2 (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| RU2488920C1 (ru) | Способ создания светоизлучающего элемента | |
| US20050186435A1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
| RU2488918C1 (ru) | Способ создания светоизлучающего элемента | |
| RU2485631C1 (ru) | Способ создания светоизлучающего элемента | |
| US8294146B2 (en) | ZnO-containing semiconductor layer and device using the same | |
| RU2488919C1 (ru) | Способ создания светоизлучающего элемента | |
| RU2485632C1 (ru) | Способ создания светоизлучающего элемента | |
| JP2006019648A (ja) | 鉄シリサイド発光素子及びその製造方法 | |
| JP2009158702A (ja) | 発光デバイス | |
| US20130302930A1 (en) | Method of manufacturing gallium nitride-based semiconductor light emitting device | |
| JP2018154553A (ja) | ＧａＮ基板 | |
| JP4142374B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP4637046B2 (ja) | 酸化物半導体素子の製造方法 | |
| Nagar et al. | Influence of Li implantation on the optical and electrical properties of ZnO film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200209 |