JP4630998B2 - スピーカ装置又はマイクロフォン装置 - Google Patents
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Description
そのため、全体的に薄型で軽量化され、更には、表示画面が拡大するために聞き取り性能が向上する。
圧電フィルム振動板を筐体に支持固定する構造としては、筐体の一部に溝を形成し、そこに圧電フィルム振動板の端部を嵌め込み上方から支持部材で押さえ固定する手法が採用されている。
この場合、圧電フィルム振動板は、常時、振動するために、携帯情報端末機の筐体との間の固定は確実に行わなければならない。
しかし、圧電フィルム振動板の端部を支持部材で押さえて固定する構造であることから、使用環境によっては両者の剥離の問題も生じ、必ずしも圧電フィルム振動板と筐体とは確実で強固な固定とはなっていない。
一方、製造工程においては、支持部材を使った固定構造を、確実に組み付ける必要がある。
すなわち、本発明は、基板を有する圧電フィルムを備えたスピーカ装置又はマイクロフォン装置において、圧電フィルムの基板と装置機体との支持固定が強固で確実となる装置を提供することを目的とする。
また、製造時の組み付けミス等により支持固定が不完全となることが全くない。
また圧電フィルムの基板の振動が装置筐体に伝播するために、装置全体にスピーカ機能やマイクロフォン機能が拡大発揮できる。
図1は本発明の一実施形態に係る携帯電話を示している。
この実施形態の携帯電話A(スピーカ装置)は、折り畳み式の携帯電話であり、液晶表示画面を有する蓋部1と操作ボタンを有する本体部2とを備えている。
液晶表示画面を有する蓋部1の上方の表面には、スピーカSを備えている。
このスピーカSは蓋部1のハウジングとなっている筐体11の上方の空き領域に応じた十分な大きさとすることができる。
このスピーカSは、振動する圧電フィルム3により形成されており、また圧電フィルム3は基板31を有し、後述するように、この基板31はスピーカ装置の筐体と共通化している。
なお、各層は区別するために示したものであり、層間の厚みの比が意味を持つものではない。)
この圧電フィルム3は、薄板状の基板31を備えている。
基板31上には、順次、下部電極層32、圧電体層33、絶縁層34、上部電極層35が形成され、また上部電極層35の上面には保護層36が形成されている。
この下部電極層32及び上部電極層35は装置の筐体11に内蔵された制御回路(図示しない)等に接続されておりいわゆるスピーカとしての機能を発揮する。
下部電極層32及び上部電極層35の材料としては、Al,Ni,Pt,Au,Ag,Cu等の金属や合金の導電材料、又は金属酸化物若しくは金属窒化物の導電材料を用いることができる。
これら電極層32,35の形成方法は特に限定されるものではなく、例えば塗布処理、メッキ法、スパッタリング法又は真空蒸着法等の物理蒸着法を用いることができる。
ペロブスカイト系複合酸化物の上記Aサイトとしては通常、Pb,Ba,Ca,Sr,La,Li,Biの中から選択される少なくとも1種の元素を採用することができる。
上記BサイトとしてはTi,Zr,Zn,Ni,Mg,Co,W,Nb,Sb,Ta,Feの中から選択される少なくとも1種の元素を採用することができる。
このような複合酸化物の具体例としては、Pb(Zr,Ti)O3,PbTiO3,BaTiO3,SrTiO3,(Pb,La)(Zr,Ti)O3,LiNbO3等が挙げられる。
ウルツ鉱型構造としては具体的には窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化ベリリウム、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化亜鉛又はヨウ化銀等があり、これらの中から1種選択すれば良い。
圧電体層33の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、レーザーアブレーション法、イオンプレーティング法、CVD法又はMOCVD法等が知られており、その中から好ましいものを宜選択することができる。
すなわち、厚みが0.05μm未満では圧電センサーとして用いた場合に十分な出力が得られにくく、逆に100μmを超えると柔軟性が乏しくなりクラックや剥離を引き起こす恐れがある。
酸化膜の厚みは、短絡を防止することができれば特に限定されないが、例えば5nm〜500nmの厚さが採用される。
尚、絶縁層34や保護層36は上述の圧電体層33の形成方法により、形成可能である。
図3に示す圧電フィルム3は、図2に示す圧電フィルム3と比べて、絶縁層34が、上部電極層35と圧電体層33との間ではなく、圧電体層33と下部電極層32との間に形成されている点で異なる。
図4の圧電フィルム3は、図2の圧電フィルム3の基板31が筐体11と共通化したものである。
通常、対象となる筐体11の一部を薄く形成しておくか、又は筐体の表面を一部、微削加工することにより薄く形成しておき、その底面である基板31の上に、順次、下部電極層32、圧電体層33、絶縁層34、上部電極層35、保護層36を形成する。
この場合、多数の孔を有する外覆板を筐体の上面に渡すように設けることにより圧電フィルムへの損傷が確実に防止される。
図5の圧電フィルム3は、図3の圧電フィルム3の基板31が筐体11と共通化したものである。
筐体11の底面である基板31の上に、順次、下部電極層32、絶縁層34圧電体、層33、上部電極層35、保護層36を形成する。
以上、圧電フィルム3をスピーカ装置として使用する場合について説明してきたが、同様に圧電フィルム3をマイクロフォン装置として使用する場合にも、同様な構造を採用することができる。
このマイクロフォンMは、圧電フィルム3により形成されており、圧電フィルム3は基板を有し基板はマイクロフォン装置の筐体と共通化している。
この場合の圧電フィルム3も、基板の上に、順次、下部電極層32、圧電体層33、絶縁層34、上部電極層35、保護層36が形成されているものや、基板の上に、順次、下部電極層32、絶縁層34、圧電体層33、上部電極層35、保護層36が形成されているもの等があり、その共通化のための構造も、図4及び図5で示したスピーカ装置におけるものと同じである。
本実施形態の圧電フィルム3は、実施の形態で述べたように、基板31、上下電極層32,35、絶縁層34の各層同士が全面で接合されているものであるが、必ずしも各層の大きさ(すなわち、この場合は面積をいう)は同じでなくても良い。
そのため圧電体層と電極層との接合割合(すなわち、圧電体層全面積に対する電極層の面積)を、適宜選択することができ、スピーカ又はマイクロフォンとしての性能を適宜変更することができる。
この接合割合は、接合強度の観点から30%〜100%とすることが好ましい。
11 筺体
2 本体部
3 圧電フィルム
31 基板
32 下部電極層
33 圧電体層
34 絶縁層
35 上部電極層
36 保護層
A 携帯電話(スピーカ装置)
B 携帯電話(マイクロフォン装置)
S スピーカ
M マイクロフォン
Claims (2)
- 携帯電話に用いられ、基板を有する圧電フィルムを備えたスピーカ装置であって、
装置の筐体の表面を一部、微削加工することにより薄く形成し、その底面を基板とし、
前記圧電フィルムは、前記基板の上に、順次、下部電極層、絶縁層、圧電体層、上部電極層、保護層が形成されており、
多数の孔を有する外覆板を前記筐体の上面に渡すように設け、
前記圧電体層の膜厚が0.05μm〜100μmであり、
酸化膜からなる前記絶縁層の膜厚が5nm〜500nmであり、
前記圧電体層と、前記上部電極層との接合割合が30%〜100%であり、
前記圧電体層がペロブスカイト構造の複合酸化物又はウルツ鉱型構造の化合物であるスピーカ装置。 - 携帯電話に用いられ、基板を有する圧電フィルムを備えたマイクロフォン装置であって、
装置の筐体の表面を一部、微削加工することにより薄く形成し、その底面を基板とし、
前記圧電フィルムは、前記基板の上に、順次、下部電極層、絶縁層、圧電体層、上部電極層、保護層が形成されており、
多数の孔を有する外覆板を前記筐体の上面に渡すように設け、
前記圧電体層の膜厚が0.05μm〜100μmであり、
酸化膜からなる前記絶縁層の膜厚が5nm〜500nmであり、
前記圧電体層と、前記上部電極層との接合割合が30%〜100%であり、
前記圧電体層がペロブスカイト構造の複合酸化物又はウルツ鉱型構造の化合物であるマイクロフォン装置。
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