JP4621190B2 - 無電解銅めっき浴用反応促進剤 - Google Patents
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Description
で表される構造単位を有するジアリルアミン系重合物を含有することを特徴とする無電解銅めっき浴用反応促進剤である。
で表される構造単位を有するジアリルアミン系重合物を有効成分として含有するものである。このジアリルアミン系重合物を構成する構造単位(I)としては、RおよびR’の両方が水素またはメチル基のものが好ましく、特にRおよびR’の両方がメチル基のものが好ましく、また、対アニオン(X−)が、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン等のハロゲンイオンから選ばれるものが好ましく、特に塩素イオンのものが好ましい。さらに、ジアリルアミン系重合物の分子量は特に限定されないが、1,000〜100,000が好ましく、特に2,000〜10,000のものが好ましい。このようなジアリルアミン系重合物の市販品としては、PAS−A−1(分子量5,000)、PAS−A−5(分子量4,000)、PASA−120L(分子量100,000)、PAS−A−120S(分子量100,000)、PAS−92(分子量5,000)(いずれも日東紡株式会社製)が挙げられる。これらの市販品の中でもPAS−A−1が好ましい。
<無電解銅めっき浴組成>
塩化第2銅または硫酸銅:銅として2〜3g/L
EDTA:10〜50g/L
ホルムアルデヒド:3〜20g/L
2−2’ジピリジル:0.1〜100mg/L
水酸化ナトリウム:3〜20g/L
無電解銅めっき浴の調製(1):
以下の組成の無電解銅めっき浴に、更に、以下の式(II)で示される構造単位を有する重合物であり、その分子量が5,000であるジアリルアミン系重合物(PAS−A−1;日東紡株式会社製)を10mg/L添加・混合して無電解銅めっき浴を調製した。
塩化第2銅:銅として2.5g/L
EDTA:20g/L
水酸化ナトリウム:10g/L
ホルムアルデヒド:6g/L
2−2’ジピリジル:30mg/L
無電解銅めっき浴の調製(2):
実施例1の分子量5,000のPAS−A−1に代えて、分子量4,000のジアリルアミン系重合物(PAS−A−5;日東紡株式会社製)を10mg/L添加・混合する以外は実施例1と同様に無電解銅めっき浴を調製した。
析出速度の検討(1):
実施例1または実施例2で調製した無電解銅めっき浴を35℃に調整した。この無電解めっき浴に、ライザトロンシステム(荏原ユージライト株式会社製)にて触媒の活性化(アクセラレーター)まで処理したエポキシ板(松下電工株式会社製)を浸漬した。各浸漬時間あたりの膜厚をエポキシ板の重さから算出した。また、比較として無電解銅めっき浴(PB−503F:荏原ユージライト株式会社製)を25℃にしたものについても同様の測定を行った。膜厚と浸漬時間との関係を図1に示した。
スルーホール内被覆性の検討:
実施例1の無電解銅めっき浴を35℃に調整した。一方、1.0mmφ×1.6mmtのスルーホールを形成したプリント基板(FR−4:松下電工株式会社製)を、実施例3と同様にライザトロンシステムにて触媒の活性化(アクセラレーター)まで処理した後、前記無電解銅めっき浴に浸漬した。各浸漬時間におけるスルーホール内への銅めっき被覆性を以下のバックライト試験と基準により評価した。また、比較として無電解銅めっき浴(PB−503F:荏原ユージライト株式会社製)を25℃にしたものについても同様の測定を行った。
各浸漬時間後にスルーホールを切り開いてスルーホール内壁を露出させ、それに下方向からライトをあて、光の遮断具合を以下の評価基準で評価した。また、浸漬5分後、10分後および15分後のバックライト試験の結果の一例を図2に示した。
(評価) (内容)
レイティングNo.0 :スルーホールが銅めっきにより全く被覆されていない状態
レイティングNo.10:スルーホールが完全に銅めっきで被覆され、遮光された状態
*レイティングNo.1〜9については自社基準に従った。
浴安定性の検討(1):
実施例1の無電解銅めっき浴を容量100mlのガラス瓶に入れ、フタをして密封した。次いで、これを50℃の温浴で加温して銅が析出し始めるまでの時間を測定した。また、比較として無電解銅めっき浴(PB−503F:荏原ユージライト株式会社製)についても同様の測定を行った。
浴安定性の検討(2):
実施例1の無電解銅めっき浴を容量100mlのガラス瓶に入れ、フタをして密封した。次いで、これを室温(昼間、約25℃:夜間、約15℃)で放置して銅が析出し始めるまでの日数を測定した。また、比較として無電解銅めっき浴(PB−503F:荏原ユージライト株式会社製)についても同様の測定を行った。
浴安定性の検討(3):
1.0mmφ×1.6mmtのスルーホールを形成したプリント基板(FR−4:松下電工株式会社製)を、試験例1と同様にライザトロンシステムにてアクセラレーターまで処理し、これを35℃に調整した、実施例1の無電解銅めっき浴に浸漬した。浸漬後にプリント基板を取りだし、浴温を維持したまま放置して銅が析出し始めるまでの日数を測定した。また、比較として無電解銅めっき浴(PB−503F:荏原ユージライト株式会社製)を25℃にしたものについても同様の測定を行った。
析出速度の検討(2):
実施例1の無電解銅めっき浴中のPAS−A−1の含有量を20mg/Lまたは30mg/Lに代えた無電解銅めっき浴を調製した。この無電解銅めっき浴に、樹脂基板(FR−4(松下電工株式会社製)から銅を剥がしたもの)を15分浸漬した場合の銅の析出速度を以下の方法により測定した。また、実施例2の無電解銅めっき浴中のPAS−A−5の含有量を20mg/Lまたは30mg/Lに代えた無電解銅めっき浴についても上記と同様に銅の析出速度を測定した。これらの結果を図3に示した。
まず、樹脂基板の重量を測定した。次に、樹脂基板を試験例1と同様にライザトロンシステムにてアクセラレーターまで処理し、これを35℃に調整した無電解銅めっき浴に15分浸漬させた。その後、銅めっき後の樹脂基板の重量を測定し、重量の変化等から樹脂基板上に施された銅めっきの膜厚および析出速度を算出した。
Claims (5)
- 以下の式(I)、
で表される構造単位を有するジアリルアミン系重合物を含有することを特徴とする無電解銅めっき浴用反応促進剤。 - 以下の式(I)、
で表される構造単位を有するジアリルアミン系重合物、銅塩、キレート剤および還元剤を含有することを特徴とする無電解銅めっき浴。 - キレート剤が、EDTAまたはその塩である請求項2記載の無電解銅めっき浴。
- 請求項2または3記載の無電解銅めっき浴に被めっき物を浸漬することを特徴とする無電解銅めっき方法。
- 無電解銅めっき浴の温度が、20〜40℃である請求項4記載の無電解銅めっき方法。
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