JP4617492B2 - 偏光変調光学素子および偏光変調光学素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は偏光変調光学素子およびその製造方法に関する。
マイクロリソグラフィは、例えば、集積回路又は液晶ディスプレイ(LCD)のような超小型構造化コンポーネントの製造用に使用される。マイクロリソグラフィプロセスは、照明光学系及び投影対物レンズを有する所謂投影露光装置(projection exposure apparatus)で実行される。照明光学系を用いて照明されるマスク(レチクル)のイメージは、投影対物レンズを用いて基板(例えば、シリコンウエーハ)上に投影され、基板は、感光性コーティング層(例えば、フォトレジスト)でコーティングされ、且つ、投影対物レンズのイメージ面内にセットアップされる。ここでこのマスク構造は基板の感光性コーティングに転送される。
偏光変調光学素子の製造方法であって、
当該素子は、当該素子を通過する光に対して、ストレス誘導複屈折により、偏光の直交状態間にリターデイション分布を生じさせ、
当該方法は、第1のコンポーネントと第2のコンポーネントを結合するステップを含んでおり、
ここで所定の高さプロファイルが与えられている第1のコンポーネントの非平面表面は、第2のコンポーネントの平面表面と結合され、
前記ストレス誘導複屈折を生起させる機械的ストレスを、このように変形された偏光変調光学素子内に生じさせる方法によって解決される。
以下では、偏光変調光学素子の製造方法並びにこの種の素子の構造を実施例を用いて、および図1〜5を参照して説明する。これらの図は概略的に示されているだけであって、縮尺通りではなく、分かりやすくするために拡大されているということに注意されたい。
ここで
Claims (18)
- 少なくとも第1のコンポーネントと第2のコンポーネントとを有する偏光変調光学素子の製造方法であって、
当該方法は、前記第1のコンポーネント(110、220、310、410、510)と前記第2のコンポーネント(120、210、320、420、520)を結合するステップを含んでおり、
所定の高さプロファイルが与えられている前記第1のコンポーネントの非平面表面を、前記第2のコンポーネントの平面表面と結合し、
この結合プロセスが、前記2つのコンポーネントの少なくとも1つのコンポーネントにおいて強制変形を生じさせることで、該コンポーネント内に機械的ストレスが生じ、これによって該コンポーネント内にストレス誘導複屈折が生じ、
当該素子は、当該素子を通過する光に対して、前記ストレス誘導複屈折により、偏光の直交状態間にリターデイション分布を生じさせる、
ことを特徴とする、偏光変調光学素子の製造方法。 - 前記結合ステップよりも前に、所定の高さプロファイル(110a、220a)を前記第1のコンポーネント上に形成することによって、前記第1のコンポーネント(110、220)の非平面表面が生成され、
前記高さプロファイルは、所定のリターデイション分布が得られるよう計算されたものである、請求項1記載の方法。 - 前記結合ステップを密着によって行う、請求項1または2記載の方法。
- 前記第1のコンポーネントおよび第2のコンポーネントのうちの1つのコンポーネント(120、220、320、420、520)のみを、前記結合ステップの間に変形させる、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記機械的ストレスを、前記第1のコンポーネント(110、220、310、410、510)と前記第2のコンポーネント(120、210、320、420、520)を結合するときに、前記第1のコンポーネントおよび第2のコンポーネントのうちの1つのコンポーネント(120、220、320、420、520)のみにおいて生じさせる、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 前記第1のコンポーネントおよび第2のコンポーネントのうちの1つのコンポーネント(120、220、320、420、520)の平均厚さは、他方のコンポーネント(110、210、310、410、510)の平均厚さの少なくとも10倍、有利には少なくとも15倍、より有利には少なくとも20倍である、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 前記第1および第2のコンポーネントのうちの1つのコンポーネントは、平凸レンズ(410)または平凹レンズ(510)である、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 前記第1のコンポーネントおよび第2のコンポーネントのうちの1つのコンポーネント(120、320、420、520)は、前記結合ステップ前は、平行平面プレートである、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 少なくとも1つの波面補償構造(130、310b)を形成するステップをさらに含み、
当該波面補償構造は、少なくとも部分的に、前記第1のコンポーネント(110、310)と前記第2のコンポーネント(120、320)の前記結合ステップの後に生じる波面の変化を補償する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。 - 請求項1から9までのいずれか1項記載の方法を用いて製造された、偏光変調光学素子。
- 請求項10に記載された、少なくとも1つの偏光変調光学素子(707、712、513)を含む光学系、殊にマイクロリソグラフィ投影露光装置(700)の照明系(701)または投影対物レンズ(702)。
- 少なくとも1つの光学素子を含み、
当該光学素子は偏光分布を乱し、
当該偏光分布の乱れは少なくとも部分的に、前記偏光変調光学素子によって補償される、請求項11記載の光学系。 - 前記偏光変調光学素子(707、712、513)は、前記光学系の瞳面またはフィールド面に配置されている、請求項11または12記載の光学系。
- 少なくとも2つの請求項10記載の偏光変調光学素子(701、712、513)を含んでおり、
前記偏光変調光学素子のうちの1つは、前記光学系の瞳面に配置されており、前記偏光変調光学素子のうちの他方は、前記光学系のフィールド面に配置されている、請求項11から13までのいずれか1項記載の光学系。 - 光学系の製造方法であって、当該方法は以下のステップを有しており、すなわち:
a)偏光光学測定データを生成するために、光学サブシステムの偏光光学測定を行うステップと;
b)当該偏光光学測定データに基づいて、請求項1から9のいずれか1項に記載された方法を使用して偏光変調光学素子を製造するステップと;
c)ステップa)で定められた前記サブシステム内の偏光分布の乱れが少なくとも部分的に前記偏光変調光学素子によって補償されるように、前記偏光変調光学素子を当該サブシステムのビーム路内に挿入するステップを有している、
ことを特徴とする、光学系の製造方法。 - 前記偏光変調光学素子を製造するために前記ステップb)において結合される前記第1および第2のコンポーネントのうちの1つのコンポーネントは、前記光学サブシステムの平凸レンズまたは平凹レンズであり、当該光学サブシステムの前記偏光光学測定は前記ステップa)で行われる、請求項15記載の方法。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置(700)であって、
照明系(701)と投影対物レンズ(702)を含んでおり、
前記照明系および/または前記投影対物レンズは請求項11から14までのいずれか1項記載の光学系である、ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。 - マイクロ構造化されたコンポーネントをマイクロリソグラフィ技術によって製造する方法であって、
当該方法は以下のステップを有しており、
・基板(715)を設けるステップを有しており、ここで当該基板の少なくとも一部に感光性材料のコーティング(714)を付与するステップと;
・イメージが形成されるべき構造を有するマスク(708)を設けるステップと;
・請求項17記載の投影露光装置(700)を設けるステップと;
・前記投影露光装置(700)を用いて、前記コーティングの領域上に、前記マスク(708)の少なくとも一部分を投影するステップを含むことを特徴とする、マイクロ構造化されたコンポーネントをマイクロリソグラフィ技術によって製造する方法。
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Citations (3)
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JPH09184918A (ja) * | 1995-09-23 | 1997-07-15 | Carl Zeiss:Fa | 放射偏光光学構造及びそれを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
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JP2004535603A (ja) * | 2001-07-18 | 2004-11-25 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 結晶レンズを備えた対物レンズにおける複屈折の補正 |
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