JP4607506B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4607506B2 JP4607506B2 JP2004209298A JP2004209298A JP4607506B2 JP 4607506 B2 JP4607506 B2 JP 4607506B2 JP 2004209298 A JP2004209298 A JP 2004209298A JP 2004209298 A JP2004209298 A JP 2004209298A JP 4607506 B2 JP4607506 B2 JP 4607506B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier layer
- layer
- semiconductor device
- film
- recess structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
高い臨界電界を有する材料を用いるのが有効である。このため、高い臨界電界を有する窒化物半導体材料を用いることが、電力用半導体装置、もしくは、高周波パワー半導体装置
にとって有効である。
2 … 障壁層
3 … ゲート電極
4 … ドレイン電極
5 … ソース電極
6 … コンタクト層
7 … 絶縁膜
8 … フィールドプレート電極
9 … 絶縁膜
10 … リセス構造
10−1 … (リセス構造の)上面
Claims (5)
- InXGa1−XN(0≦X≦1)からなるキャリア走行層と、
前記キャリア走行層上に積層され、その一部を除去することで形成されたリセス構造を有するInYAlZGa1−Y―ZN(0<Y<1、0<Z<1)からなる障壁層と、
前記リセス構造領域内の前記障壁層上に形成されたゲート電極と、
前記リセス構造領域外の前記障壁層上に形成されたドレイン電極及びソース電極とを有する電界効果トランジスタにおいて、
前記リセス構造における障壁層膜厚が、16.4×(1−1.27×Z+0.68×(Y−X))/(Z−4.66×(Y−X))Å以下であることを特徴とする半導体装置。 - 前記リセス構造を除く前記障壁層上に形成され、前記障壁層よりバンドギャップが小さい、もしくは不純物濃度の高い半導体により構成されるコンタクト層をさらに備え、
前記コンタクト層上に前記ドレイン電極と前記ソース電極を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト層はInY´AlZ´GaN1−Y´−Z´(Y´>Y、Z´<Z)からなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 少なくとも前記障壁層上に形成された絶縁膜と、
この絶縁膜上にフィールドプレート電極と
をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記リセス構造内に形成された絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜上に前記ゲート電極が形成されたことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004209298A JP4607506B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004209298A JP4607506B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032650A JP2006032650A (ja) | 2006-02-02 |
JP4607506B2 true JP4607506B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=35898628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004209298A Active JP4607506B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4607506B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7408208B2 (en) * | 2006-03-20 | 2008-08-05 | International Rectifier Corporation | III-nitride power semiconductor device |
JP4226020B2 (ja) | 2006-05-23 | 2009-02-18 | シャープ株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP4282708B2 (ja) | 2006-10-20 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体装置 |
JP2008211172A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5261945B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2013-08-14 | サンケン電気株式会社 | 電界効果半導体装置及びその製造方法 |
JP5416399B2 (ja) | 2008-02-13 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2009231508A (ja) | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP5597921B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-10-01 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
WO2012172753A1 (ja) | 2011-06-13 | 2012-12-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016058681A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223697A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP2000277724A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Nagoya Kogyo Univ | 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法 |
JP2002289837A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-07-16 JP JP2004209298A patent/JP4607506B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223697A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP2000277724A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Nagoya Kogyo Univ | 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法 |
JP2002289837A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006032650A (ja) | 2006-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5697456B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及び電力制御装置 | |
JP5400266B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP4751150B2 (ja) | 窒化物系半導体装置 | |
JP4282708B2 (ja) | 窒化物系半導体装置 | |
JP5041701B2 (ja) | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ | |
JP5749580B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5653607B2 (ja) | GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5217157B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5505698B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5383652B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5388839B2 (ja) | Iii族窒化物半導体電界効果トランジスタ | |
JP2007165719A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2009231508A (ja) | 半導体装置 | |
US11462635B2 (en) | Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same | |
WO2005024955A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011210750A (ja) | 電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、および電子装置 | |
US10600901B2 (en) | Compound semiconductor device and manufacturing method thereof | |
WO2010016564A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007281453A (ja) | 半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP4607506B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5341345B2 (ja) | 窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ | |
WO2010016213A1 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2010287594A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2010153748A (ja) | 電界効果半導体装置の製造方法 | |
JP5732228B2 (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090812 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100506 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101007 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4607506 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |