JP4606268B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
2、2a、2b 画素スイッチ
3、3a、3b、3c、3d、3e 水平スイッチ
4 NMOSトランジスタ
5、18 オペアンプ
6 スイッチ
7 D/A変換器
8 デコーダ
9、9a NOR回路
10 インバータ回路
11 積分オペアンプ
12 積分コンデンサ
13 リセットスイッチ
14、15 クリップダイオード
16 抵抗
17 PMOSトランジスタ
19a、19b AND回路
20 バイアス電圧
21 バイアスキャンセル電圧
22 HSW信号
22a φHA信号
22b φHB信号
23 入力データ
24 最上位データ
25 最下位データ
26 出力電圧
27 サンプルホールド回路
28 マルチプレクサ
29、75 出力端子
30 バイアス回路
34、34a、34b、72 読み出し回路
40 抵抗アレイ
51 赤外線センサ
52 A/D変換器
53 CPU
54 メモリ
55 NTSC信号発生器
70 被バイアス印加対象物
71 抵抗体
73 VCC電源
74 VCC2電源
Claims (9)
- 物理量を抵抗値に変換する複数の測定抵抗体と、
前記複数の測定抵抗体における各測定抵抗体に接続され、前記各測定抵抗体を導通可能とする第1のスイッチ素子と、
前記各測定抵抗体にバイアス電圧を印加するバイアス回路と、
前記各測定抵抗体に流れる電流を積分して蓄積する積分回路と、
を備え、前記積分回路の蓄積された電流に基づいて、前記各測定抵抗体の抵抗値の変化を検出し、前記物理量を間接的に測定する半導体装置であって、
前記バイアス回路は、
非反転入力端子がバイアス電圧供給端子に接続されるオペアンプと、
ゲートが前記オペアンプの出力端子に接続され、ソースが前記オペアンプの反転入力端子と前記第1のスイッチ素子を介して前記各測定抵抗体とに接続されるMOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのゲートとソース間に挿入される第2のスイッチ素子と、
を備える回路であって、
前記物理量を測定する際に、抵抗値が所定の範囲外となる測定抵抗体が選択された場合には、前記第1のスイッチ素子を開放して前記第2のスイッチ素子を短絡するように制御するスイッチ制御回路と、
前記各測定抵抗体の抵抗値を予め測定して保持してあるデータに基づいて、前記バイアス電圧供給端子に与える電圧を出力するデジタルアナログ変換回路と
を備え、
前記スイッチ制御回路は、前記データが前記各測定抵抗体の抵抗値が前記所定の範囲外であることを示すデータである場合に前記第1のスイッチ素子を開放して前記第2のスイッチ素子を短絡するように制御することを特徴とする半導体装置。 - 前記スイッチ制御回路は、前記積分回路が積分動作を行っていない期間に前記第1のスイッチ素子を開放するように制御することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記MOSトランジスタのソースから前記各測定抵抗体へのバイアス電流供給経路に挿入される第3のスイッチ素子をさらに備え、
前記スイッチ制御回路は、前記積分回路が積分動作を行っていない期間に前記第3のスイッチ素子を開放するように制御することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記スイッチ制御回路は、前記積分回路が積分動作を行っていない期間には、さらに前記第2のスイッチ素子を短絡するように制御することを特徴とする請求項2または3記載の半導体装置。
- 前記各測定抵抗体は、赤外線を入力する熱電変換素子であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の半導体装置。
- 物理量を抵抗値に変換する複数の被バイアス印加対象物と、
前記複数の被バイアス印加対象物における各被バイアス印加対象物に接続され、前記各被バイアス印加対象物を導通可能とする第1のスイッチ素子と、
前記各被バイアス印加対象物にバイアス電圧を印加するバイアス回路と、
前記各被バイアス印加対象物に流れる電流を積分して蓄積する積分回路と、
を備え、前記積分回路の蓄積された電流に基づいて、前記各被バイアス印加対象物の抵抗値の変化を検出し、前記物理量を間接的に測定する測定装置であって、
前記バイアス回路は、
非反転入力端子がバイアス電圧供給端子に接続されるオペアンプと、
ゲートが前記オペアンプの出力端子に接続され、ソースが前記オペアンプの反転入力端子と前記第1のスイッチ素子を介して前記各被バイアス印加対象物とに接続されるMOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのゲートとソース間に挿入される第2のスイッチ素子と、
を備える回路であって、
前記物理量を測定する際に、抵抗値が所定の範囲外となる被バイアス印加対象物が選択された場合には、前記第1のスイッチ素子を開放して前記第2のスイッチ素子を短絡するように制御するスイッチ制御回路と、
前記各被バイアス印加対象物の抵抗値を予め測定して保持してあるデータに基づいて、前記バイアス電圧供給端子に与える電圧を出力するデジタルアナログ変換回路と
を備え、
前記スイッチ制御回路は、前記データが前記各被バイアス印加対象物の抵抗値が前記所定の範囲外であることを示すデータである場合に前記第1のスイッチ素子を開放して前記第2のスイッチ素子を短絡するように制御することを特徴とする測定装置。 - 前記スイッチ制御回路は、前記積分回路が積分動作を行っていない期間に前記第1のスイッチ素子を開放するように制御することを特徴とする請求項6記載の測定装置。
- 前記スイッチ制御回路は、前記積分回路が積分動作を行っていない期間には、さらに前記第2のスイッチ素子を短絡するように制御することを特徴とする請求項7記載の測定装置。
- 前記各被バイアス印加対象物は、赤外線を入力する熱電変換素子であることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一に記載の測定装置。
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