JP4597088B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]配線構造が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、配線構造が形成された半導体基板上にプラズマCVDシリコン酸化膜を成膜する第1の層間絶縁膜形成工程と、該第1の層間絶縁膜形成工程により成膜したプラズマCVDシリコン酸化膜の表面改質のためのプラズマ処理を行う表面改質工程と、該表面改質工程により表面の改質が行われたプラズマCVDシリコン酸化膜の上にオゾンTEOS膜を成膜する第2の層間絶縁膜形成工程とを有し、さらに、前記表面改質工程において、表面改質のためのプラズマ処理を行う前に、該プラズマ処理を行う装置内に堆積した堆積物の除去を行うことを特徴とする。
[2]上記[1]に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の層間絶縁膜形成工程の後に、該第1の層間絶縁膜形成工程によりプラズマCVD装置内に堆積した堆積物の除去を行う堆積物除去工程と、該堆積物除去工程により堆積物が除去されたプラズマCVD装置内に所定膜厚のプラズマCVDシリコン酸化膜を堆積させるプリコート工程とをさらに有し、前記表面改質工程におけるプラズマ処理前に行う装置内に堆積した堆積物の除去が、前記プリコート工程により堆積したプラズマCVDシリコン酸化膜を除去するものであることを特徴とする。
(1)まず、1枚目のウェハをCVD反応チャンバー内装入しプラズマTEOS−CVD膜の成膜を行う(プラズマTEOS−CVD膜の形成工程)。
(2)次に、CVD反応チャンバー内からウェハを取り出し、ウェハの取り出されたCVD反応チャンバー内の堆積物の除去を行う(堆積物除去工程)。
(3)次に、堆積物の除去されたCVD反応チャンバー内にプリコート膜の堆積を行う(プリコート工程)。
(4)2枚目のウェハを、プリコート膜の堆積されたCVD反応チャンバー内に装入し、上記(1)からの処理を繰り返す。
(5)N枚目まで上記処理が繰り返された後に、N枚目のウェハがCVD反応チャンバー内から搬出された後に行われたプリコート工程でのプリコート膜の除去を行う(プリコート膜の除去工程)。
(6)上記(1)によりプラズマTEOS−CVD膜の成膜が行われたウェハを、プリコート膜の除去が行われたCVD反応チャンバー内に装入し、プラズマTEOS−CVD膜の表面改質を行う(表面改質工程)。
(7)次に、CVD反応チャンバー内からウェハを取り出し、プラズマTEOS−CVD膜の成膜が行われた2枚目のウェハに対して表面改質を行う。
(8)プラズマTEOS−CVD膜の成膜が行われたN枚目のウェハまで上記(7)を繰り返す。
(9)1ロット終了。
以上より、本発明を適用することにより、オゾンTEOS膜の成膜レート及びウェハ面内均一性が共に大きく向上していることが確認された。
2 配線構造
3 プラズマCVD膜
4 オゾンTEOS膜
5 プラズマTEOS−CVD装置
6 CVD反応チャンバー
7 上部電極
8 下部電極
9 半導体基板
Claims (2)
- 配線構造が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
配線構造が形成された半導体基板上にプラズマCVDシリコン酸化膜を成膜する第1の層間絶縁膜形成工程と、
該第1の層間絶縁膜形成工程により成膜したプラズマCVDシリコン酸化膜の表面改質のためのプラズマ処理を行う表面改質工程と、
該表面改質工程により表面の改質が行われたプラズマCVDシリコン酸化膜の上にオゾンTEOS膜を成膜する第2の層間絶縁膜形成工程とを有し、
さらに、前記表面改質工程において、表面改質のためのプラズマ処理を行う前に、該プラズマ処理を行う装置内に堆積した堆積物の除去を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の層間絶縁膜形成工程の後に、該第1の層間絶縁膜形成工程によりプラズマCVD装置内に堆積した堆積物の除去を行う堆積物除去工程と、
該堆積物除去工程により堆積物が除去されたプラズマCVD装置内に所定膜厚のプラズマCVDシリコン酸化膜を堆積させるプリコート工程とをさらに有し、
前記表面改質工程におけるプラズマ処理前に行う装置内に堆積した堆積物の除去が、前記プリコート工程により堆積したプラズマCVDシリコン酸化膜を除去するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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