JP4594728B2 - より高い正確度の圧力に基づく流れコントローラ - Google Patents

より高い正確度の圧力に基づく流れコントローラ Download PDF

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Description

(関連出願への相互参照)
本出願は、2002年8月28日に出願された米国仮特許出願第60/406,511号に対する優先権を主張しており、その内容は、本明細書によって、それらの全体が本明細書中に援用される。
(発明の背景)
種々の製造プロセスは、流体の速度および流れに対する制御を必要とする。例えば、半導体製作プロセスは、プロセスチャンバ中への非常に正確な量の流体(主にガス)の放出を必要とし得る。1分間あたり20リットル程度の高さから、1分間あたり1立方センチメートル(CCM)の数十分の一の低さまでの範囲の流速が、この製作プロセスの間に必要とされ得る。
これに応じて、流体の流速を測定かつ制御する質量流れコンローラが開発され、ここで、この流速測定は、流体の熱性質に基づいている。代表的には、これらの熱質量流れコントローラは、半導体デバイスの製作で用いられるタイプの毒性および高度に反応性のガスのような流体の流れをモニターおよび制御するために用いられる。さらに、種々の製造手順では、種々のガスが、エッチングおよび蒸着プロセスで用いられる。これらのガスは、ヒトに対して毒性であり得、そして周囲雰囲気状態に曝されるとき高度に反応性であり得る。
さらに、流れ制限器またはオリフィスを横切る圧力低下を測定することにより稼動する多くの流体質量流れコントローラが開発されている。これらのデバイスは、質量流れを測定および制御することで有用であることが証明されているが、多くの欠点が識別されている。例えば、先行技術質量流れコントローラは、限られた流れ範囲に亘って流速を正確に制御するが、より広い動力学的範囲に亘る流体の流速を制御するとき制御エラーを導入し得る。
従って、特に上記に記載のような製造プロセスにおいて用いられるタイプの、圧力センサおよびこのような圧力センサを取り込む流体質量流れコントローラに対するいくつかの願望が識別されている。このような願望は:コントローラ設定値の数パーセント内のコントローラ正確度(目下のところ、現在のデバイスでフルスケールの1%が得られ得る)(1パーセント未満が所望される);例えば、熱を基礎にする質量流れコントローラによって経験されるような、「正常」温度より高いか、またはそれより低い温度および種々の位置および姿勢(すなわち、表を上にする、片側に傾く、または逆さま)での正確度の損失のない稼動;広範な範囲の流速に亘る正確な測定および制御;オン状態から安定流れ状態を達成するまでの速い応答時間;製造の経済性;および流れコントローラの修理を容易にし、そして製造プロセスのために流体流れ分与システムからの流れコントローラの変更を容易にするための複雑でないモジュールの機械的構造を含む。流体質量流れコントローラにおいて所望されるその他の特徴は、製造の時における各完全コントローラ器具を較正すること、または修理後の器具の再較正をすることの必要がないこと、信頼性があり、容易に交換される流れ制限器またはオリフィス部分の提供、修理または流れ制限器の交換後の作業性および正確度の確認の容易さ、広範な種類の毒性および/または反応性流体、特に、半導体製作プロセスで用いられるガス形態にある数百の流体に対し正確に流速を制御する能力、および異なるガスまたは液体形態にある流体のための流速に対するコントローラ作業データを変更する容易さを含む。
(要約)
本出願は、流れコントローラに基づく圧力に関する。より詳細には、本出願は、現在の流れ制御デバイスより広い動力学的範囲に亘ってより高い正確さを有する圧力ベースの流れコントローラを開示する。
1つの実施形態において、質量流れコントローラが開示され、そして、その中に形成された第1の内部通路、および少なくとも第2の内部通路を有する本体部分、該本体部分に接続され、かつ該第1および第2の内部通路と連絡している流れ制御バルブ、該本体部分と接続され、かつ該第1の内部通路および該第2の内部通路の少なくとも1つと連絡している少なくとも1つの圧力トランスデューサ、該第2の内部通路と接続され、それを通じる高圧縮層流を生成するよう構成される非線形流れ制限器、該第1の内部通路、該第2の内部通路、および該流れ制限器の少なくとも1つと連絡している熱センサ;および該流れ制限器と連絡している排出部分を備える。
別の実施形態では、質量流れコントローラが開示され、そして1つ以上の圧力センサ、上流バルブ、このバルブおよび圧力センサの下流に位置決めされる非線形制限器を備え、かつ低い流れにおけるこの制限器の入口でより多くの増分流れ圧力を有するように構成されている。
本開示は、流れコントローラに、そしてより詳細には、より高い正確さの圧力を基礎にした流れコントローラに関する。しかし、以下の開示は、流れコントローラの異なる特徴を履行するための多くの異なる実施形態、または実施例を提供することが理解される。コンポーネントおよび配置の特定の例は、本開示を単純にするために以下に記載されている。勿論、これらは、単なる例示であり、そして制限的であることは意図されない
図1を参照して、例示の質量流れコントローラ(MFC)10が示される。流れコントローラ10の種々の実施形態は、2001年10月12日に出願された米国仮特許出願第60/329,031号、および2000年9月20日に出願された米国特許出願第09/666039号(米国特許第6,539,968号)に提示かつより詳細に記載されており、その両者は、あたかもそれらの全体が再現されるように本明細書に参考として援用される。
この実施形態のMFC10は、単一の本体部分12とともに図示されている。所望により、1つ以上のモジュール本体部分(図示せず)が、この本体部分12に付加され得ることが理解される。この本体部分12は、特に、例えば、半導体製作における使用のためのガス状形態にある毒性または反応性流体を供給するために、半導体製作のような流体供給システムの導管との接続のための適切なコネクタ(図示せず)を備え得る。
このMFC10は、従来の機械的固定具(図示せず)によってこの本体部分12の面16上に取り外し可能に取り付けられている電気的に制御される流れ制御バルブ14を支持する。例示の機械的固定具は、限定されずに、ねじ取り付け、ねじ、ピン、ロック部材、スナップ取り付け、およびロック部材を含む。この流れ制御バルブ14は、好ましくは、予め組み立てられたモジュール構成であり、その結果、それは、所定の位置で本体部分12上に容易に取り付けられ得、その結果、一旦取り付けられると、流れ制御バルブ14の調節は必要ではない。これは、バルブ14がモジュールではなく、そしてそれ故、代表的には比較的長時間を要して調節されなければならない先行技術システムに対する利点である。このバルブ14は、第1の内部通路20から第2の内部通路22まで流体の流れを減速するために作動可能である電気的に作動される閉鎖部材18を備える。この第1の内部通路20は、圧力供給源部分と流体連絡している。このバルブ14はまた、完全開放位置と完全閉鎖位置との間で上記閉鎖部材18を移動するためのアクチュエータ24を備える。このアクチュエータ24は、好ましくは、完全開放位置と閉鎖位置との間を高い程度の分解能で上記閉鎖部材18の位置を迅速かつ正確に制御するためのソレノイドまたは圧電タイプである。いくつかの実施形態では、バルブ14を利用しなくても良く、そして流れコントローラよりもむしろ流れメーターとして供し得る。
圧力トランスデューサ26は、本体部分12の面16上に取り付けられ、そしてこの本体部分12中に形成された第2の内部通路22と流体連絡している。図示される実施形態では、この圧力トランスデューサ26は、第3の内部通路28を通じて第2の内部通路22と連絡している。代替の実施形態では、圧力トランスデューサは、第2の内部通路22に接続されても良く、そしてそれを通じて流れる流体の圧力を測定するように構成され、それによって、第3の内部通路28の必要性をなくする。当業者は、この圧力トランスデューサ26を第2の内部通路22に直接連結することにより、MFC10内の「死空間」から最小であり得ることを認識する。図1のトランスデューサ26のような、大部分の圧力トランスデューサは、ゼロドリフトおよびスパンドリフトを示す。ゼロドリフトは、ゼロ入力であるとき測定において生じる変化をいう。スパンドリフトは、範囲の上限または下限における変化をいう。ゼロドリフトは、代表的には、より大きなコンポーネントであり、そして総ドリフトの80%までを構成し得る。
なくとも1つの熱センサ(図示せず)が、上記本体部分12上に位置決めされるか、またはそうでなければそれと連絡している。この少なくとも1つの熱センサ、上記第1の内部通路20、第2の内部通路22、流れ制限器30、または上記のいずれかを横切る流体の温度を測定するように構成される。1つの実施形態では、この熱センサは、第1の内部通路20、第2の内部通路22、流れ制限器30、または上記のいずれかのいずれか1つと連結される。代替の実施形態では、この熱センサ、第1の内部通路20、第2の内部通路22、流れ制限器30、または上記のいずれかのいずれか内に位置決めされる検知デバイス(図示せず)を含む。例示の熱センサ、例えば、サーモメーター、熱電対、赤外センサ、またはその他の当該分野で公知の温度読み取りデバイスを含む。
代替の実施形態では、少なくとも1つの熱制御要素(図示せず)が、MFC10の本体部分12と連絡され得る。この少なくとも1つの熱制御要素(図示せず)は、第1の内部通路20、第2の内部通路22、流れ制限器30、または上記のいずれかのいずれかの少なくとも1つと連結され得、そして内部通路20、22、流れ制限器30の温度を所望の温度で調節するように構成され得る。例えば、1つの実施形態では、この熱制御要素(図示せず)は、流れ制限器30を所望の温度に加熱するように構成され得、それによってその中を流れる流体の温度を所望の温度に維持する。例示の熱制御要素は、制限されずに、コイルヒーター、抵抗ヒーター、圧電ヒーターおよびクーラー、またはその他の当該技術分野で公知のデバイスを含む。
図1を再び参照して、流れ制限器30は、上記制御バルブ14の下流の第2の内部通路22に連結され、そして流れ制限器入口50および流れ制限器出口52を含む。1つの実施形態では、この流れ制限器30は、細長い管状本体またはキャピラリー本体を有する高度に非線形である流れ制限器を備える。キャピラリーまたは層流が、この流れ制限器30内で、その細長い本体長さのキャピラリー本体および比較的小さな水動力学的直径に起因して生成される。有益な非線形性は、高度に圧縮可能な層流がこのキャピラリー本体を横切って流れるときに生成され得る。より詳細には、この有益な非線形性は、流れ制限器30が、流れ制限器通路長さと比較して比較的小さな水動力学的直径(L/D)を有し、もそしてこの制限器を通る流れが、高度に圧縮可能な層流であるときに生成され得る。当業者は、この流れ制限器30が、それを通る高度に圧縮可能な層流を生成するために種々の長さおよび内径で製造され得、そして種々の材料から製作され得ることを認識する。例えば、1つの実施形態では、この流れ制限器30は、所望の多孔性および流れ制限性質を提供するために適切に圧縮され、かつ焼成されたステンレス鋼またはニッケル粒子から製造される。この流れ制限器30は、その他の材料または構成から構築され得ることが理解される。例示の代替の構成は、制限されずに、比較的小さな水動力学的直径を有するコイル状チューブ、平坦プレート、溝のあるプレート、環状プレート、オリフィス、平行プレート、積み上げプレート、コイル状シート、または当該技術分野で公知のその他の構成を含む。
流れ制限器出口52は、その中にMFC10の排出物を受容するように構成された種々の部分に連結され得る。例えば、1つの実施形態では、この流れ制限器出口52は、その中に生成される減圧を有する排出部分に連結される。代替の実施形態では、この流れ制限器出口52は、その中に形成されるほぼ真空を有する出口部分に連結され得る。例えば、この出口部分は、約1psia以下であり得る。必要に応じて、この流れ制限器出口52は、その中の形成された圧力低下および/または変動減圧を有する排出部分と連絡され得る。例えば、この出口部分は、約0psia〜約5psiaまで変動する圧力を有し得る。必要に応じて、第2の圧力トランスデューサ54が、流れ制限器30に近接して配置されても良く、そしてMFC10を出る排出物の圧力を測定するように構成される。
使用の間、流れ制限器入口50と流れ制限器出口52との間に圧力低下が形成される。1つの実施形態では、流れ制限器入口50と流れ制限器出口52との間の圧力低下は、流れ制限器入口50における圧力の少なくとも約50%である。別の実施形態において、流れ制限器入口50と流れ制限器出口52との間の圧力低下は、流れ制限器入口50における圧力の少なくとも約60%である。なお別の実施形態では、流れ制限器入口50と流れ制限器出口52との間の圧力低下は、流れ制限器入口50における圧力の少なくとも約70%である。要するに、流れ制限器入口50と流れ制限器出口52との間の圧力低下は、流れ制限器入口50における圧力の少なくとも約50%〜100%の近くであり得る。
本出願において、圧縮可能な層流は、制限器入口50における圧力の少なくとも約10%である、流れ制限器入口50と流れ制限器出口52との間の圧力低下として規定され、その一方、高度に圧縮可能な層流は、制限器入口50における圧力の少なくとも約50%である、流れ制限器入口50と流れ制限器出口52との間の圧力低下として規定される。流れ制限器30を通る高度に圧縮可能な層流の生成の結果として、有益な非線形性を有するMFC10は、「フルスケールエラーの%」特性よりもむしろ「読み取りエラーの%」へのシフトを生成する。従って、MFCは、特に低流速において、現在利用可能であるより増加した動力学的範囲を有する。
ここで、図2を参照して、例示の流れ制限器30が示される。説明の目的のために、加圧流体が流れ制限器入口50中に入り、そして流れ制限器出口52を通って減圧中に出る。流れ制限器30の内側で、流体流れは、A、B、およびCで指定される3つの異なるゾーンに分割される。ゾーンAでは、流体流れは主に層の特徴を有する。ゾーンBでは、流体流れは高速度および関連する増加動力学損失を有する。ゾーンCでは、流体流れは主に分子特徴を有している。これらのゾーンは、圧力源、制限器パラメータ、およびその他の変数に従って変動し得る。真空近くに排出するとき、ゾーンBおよびCは排除され得る。結果として、ゾーンAの層の特徴は、有益な非線形性を維持しながら、この流れ制限器30の実質的に全長を通じて存在し得る。
ここで図3〜7を参照して、流れが入口圧力(音波適用)または示差圧力(圧力低下がライン圧力と比較して小さい層流要素(LFE))に比例する圧力を基礎にするMFCについて、圧力トランスデューサのゼロにおける変化は、「フルスケールの%」特徴をとるMFCの較正エラーに変換される。
図3は、高度に圧縮可能な層流を生成するように構成された非線形流れ制限器の流れ特徴のグラフを示す。図3に示されるデータを生成するために、非線形流れ制限器を有するMFCは、24℃の温度で酸素を流すよう構成され、そして減圧に排出された。図3に示されるように、本明細書に開示された流れ制限器は、高度に非線形であり、そしてより高い流れにおけるより、より低い流れにおいてかなり急峻である、流れ 対 入口圧力曲線の傾きを生成する。この流れ制限器の非線形特徴は、現在利用可能なものよりより低い流速でより正確であるMFCを生成する。
図4は、種々の流速における圧力測定エラーに対する非線形流れ制限器の感度のグラフを示す。図4に示されるように、非線形流れ制限器を有するMFCは、24℃の温度で酸素を流すように構成され、そして減圧に排出された。図4に示されるように、MFCの圧力測定エラーに対する圧力感度は、より低い流速において減少する。結果として、図3および4は、記載のような非線形流れ制限器を有するMFCが、現在利用可能な非線形制限器より広い動力学的範囲に亘って流体の流速を正確に制御し得ることを示す。
図5は、図6のトランスデューサに代表的な、圧力測定エラーにより誘導される「読み取り値の%」で流速エラーを示すグラフである。示されるように、1 Torrの圧力測定エラーは、約20sccm以上の流れに対して約1の「読み取り値の%」の流れエラーを生成し、そして約1sccm〜約20sccmの間の流れに対して約6の「読み取り値の%」の流れエラーを生成する。
図6は、MFC10の圧力トランスデューサの安定性をグラフにより示す。上記に記載のように、ゼロドリフトは、ゼロ入力が存在するとき測定で生じる変化を記載する。スパンドリフトは、範囲の上限または下限における変化を記載する。ゼロドリフトは、代表的には大きなコンポーネントであり、そして総ドリフトの80%までを構成し得る。グラフにより示されるとき、ゼロドリフトは、平均値からの垂直偏移として現れる。例えば、図6のライン60は、圧力に対するトランスポンダエラーを表す。示されるように、ライン60は、約0 Torr〜約750 Torrの参照圧力の範囲を横切って0.10の値で相当に一定のままであり、そして0に接近する傾きを所有する。
図7A〜7Dは、上記に記載のような非線形流れ制限器を有するMFCの経時的な安定性、およびそれに対する誤補償温度変動の影響のいくつかのグラフ表示を示す。図7A〜7Cにおいて、単一の1000sccmのMFCは、約172.0sccm、46.0sccm、および10.75sccmの流速で試験された。図7Dは、実際の温度を示し、流れの推定温度に関してMFCを通る流体流れのラインFを参照のこと、MFCに連結される制御システムによる補償についてはラインGを参照のこと。図7A〜7Dに示されるように、12〜20時間の間に、MFCを通って流れる流体の実際の温度は、約23℃〜約24℃の間で変動する。MFCに連結された制御システムは、MFCを通って流れる流体の温度を誤って決定し、約27℃と29℃との間で変動した。(ラインG、図7Dを参照のこと)。制御システムによる誤りの温度変動読み取り値に応答して、MFCを通る流れは増加した。
上記のように、MFCは、焼成された要素または細長い(キャピラリーチューブまたは当該技術分野で公知のその他の手段のような)層流要素を有して構築され得、供給圧力と比較して流れ制限器を横切る大きな圧力低下が、MFC10内に配置され得る。きつい減圧が流れ制限器出口52に付与されるとき、供給圧力に対して、流れの高度に非線形である流れ特徴が形成され、それによって、流れ制限器入口50における圧力と比較したとき、100%に近づく圧力低下を形成する。結果として、流れ増加の単位あたり必要なより高い増分圧力は、低い流れにおける圧力トランスデューサに対するゼロドリフトエラーにより誘導されるエラーの影響を減少する。例えば、流れ範囲の下末端におけるトランスデューサに対する1 Torrゼロシフトの影響は、それが流れ範囲の上末端において有するであろう影響のほんの1/20以下であり得る。半導体産業のような特定の産業においては、より多くの「読み取り値の%」較正エラー特徴を有するMFCを用いることが所望され得る。これは、在庫減少、低圧範囲における増加した正確度、および柔軟性のような利益を可能にする。
従って、より高い正確度の圧力を基礎にした流れコントローラが上記のように提供され得る。先行する説明は、例示のみであって、しかも、当業者に容易に明らかであるように、同様の機能を達成するために代替の設計が用いられ得ることが理解される。
図1は、流体質量流れコントローラの等角図である。 図2は、減圧に排出されるとき、図1の質量流れコントローラの1つの実施形態における3つの異なる流れゾーンの図示である。 図3は、図1の質量流れコントローラが減圧に排出されている場合の流れ特徴を示すグラフである。 図4は、図1の質量流れコントローラの流れ感度における変化を、流速の関数として示すグラフである。 図5は、図6に示されるような予期されるトランスデューサ較正ドリフトに基づく、図1の質量流れコントローラにおける予期される流れ測定エラーを示すグラフである。 図6は、参照圧力に対する図1の質量流れコントローラにおけるトランスデューサ安定性を示すグラフである。 図7Aは、約172.0sccmの流速における図1の質量流れコントローラの安定性レベルを示すグラフであり、そしてそれに対する温度の影響を示す。図7Bは、約46.0sccmの流速における図1の質量流れコントローラの安定性レベルを示すグラフであり、そしてそれに対する温度の影響を示す。図7Cは、約10.75sccmの流速における図1の質量流れコントローラの安定性レベルを示すグラフであり、そしてそれに対する温度の影響を示す。図7Dは、図1の質量流れコントローラを通って流れる流体の実際の温度読み取りと誤温度読み取りとを示すグラフである。

Claims (7)

  1. 第1の内部通路と第2の内部通路とを有する本体部分と、
    前記本体部分に接続され、かつ、前記第1および第2の内部通路と連絡している流量制御バルブと、
    前記本体部分に接続され、かつ、前記第1の内部通路および前記第2の内部通路のうちの少なくとも1つに接続された少なくとも1つの圧力センサであって、前記第1の内部通路および前記第2の内部通路のうちの少なくとも1つを通って流れる流体の圧力を測定する少なくとも1つの圧力センサと、
    前記第2の内部通路に接続され、それを通って高圧縮層流を生成するように構成された非線形流れ制限器と、
    前記非線形流れ制限器に接続された熱センサであって、前記非線形流れ制限器を通って流れる流体の温度を測定する熱センサと、
    前記非線形流れ制限器に接続された排出部分
    を備えるマスフローコントローラであって、
    前記マスフローコントローラは、前記熱センサによって測定された流体の温度に対応する流体の圧力と流体の流量との関係を選択し、前記選択された流体の圧力と流体の流量との関係を用いて、前記少なくとも1つの圧力センサによって測定された流体の圧力に対応する流体の流量を求め、前記求められた流体の流量が所定の流量になるように前記流量制御バルブをコントロールするように構成されており、
    前記非線形流れ制限器の通路長(L)は、前記非線形流れ制限器の水動力学的直径(D)に比較して大きく、
    前記非線形流れ制限器は、多孔性の構造を有し、
    前記非線形流れ制限器は、圧縮かつ焼成された材料から製造されており、
    前記排出部分は、真空状態にある、マスフローコントローラ。
  2. 前記第2の内部通路は、前記非線形流れ制限器の出口における圧力より大きい圧力で流体を流すように構成されている、請求項1に記載のマスフローコントローラ。
  3. 前記非線形流れ制限器は、コイル状のキャピラリーチューブを備える、請求項1に記載のマスフローコントローラ。
  4. 前記非線形流れ制限器は、前記流体が流れる方向に対して前記流量制御バルブの下流に位置する、請求項1に記載のマスフローコントローラ。
  5. 前記非線形流れ制限器の出口と連絡している少なくとも1つの圧力トランスデューサをさらに備える、請求項1に記載のマスフローコントローラ。
  6. 内部通路と連絡しているバルブと、
    前記内部通路を通る流体が流れる方向に対して前記バルブの下流に位置する1つ以上の圧力センサであって、内部通路を通って流れる流体の圧力を測定する1つ以上の圧力センサと、
    前記流体が流れる方向に対して前記1つ以上の圧力センサの下流に位置し、非線形の流れを作り出す非線形流れ制限器であって、低い流れにおいて前記非線形流れ制限器の入口で単位体積あたりのより多くの増加分の圧力を有するように構成された非線形流れ制限器と、
    前記非線形流れ制限器を通って流れる流体の温度を測定する熱センサと
    を備えるマスフローコントローラであって、
    前記マスフローコントローラは、前記熱センサによって測定された流体の温度に対応する流体の圧力と流体の流量との関係を選択し、前記選択された流体の圧力と流体の流量との関係を用いて、前記1つ以上の圧力センサによって測定された流体の圧力に対応する流体の流量を求め、前記求められた流体の流量が所定の流量になるように前記バルブをコントロールするように構成されており、
    前記非線形流れ制限器の通路長(L)は、前記非線形流れ制限器の水動力学的直径(D)に比較して大きく、
    前記非線形流れ制限器は、多孔性の構造を有し、
    前記非線形流れ制限器は、圧縮かつ焼成された材料から製造されており、
    前記排出部分は、真空状態にある、マスフローコントローラ。
  7. 前記非線形流れ制限器は、コイル状のキャピラリーチューブを備える、請求項に記載のマスフローコントローラ。
JP2004531988A 2002-08-28 2003-08-28 より高い正確度の圧力に基づく流れコントローラ Expired - Fee Related JP4594728B2 (ja)

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