JP4593664B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
例えば、センスアンプ567を有するビット線に位置するセルであって、全てのプレート線に接続されたセル52が“1”を格納している場合は、NANDゲート74の出力はH、NANDゲート76の出力はLとなり、NORゲート78の出力はL、インバータ80の出力はHとなる。よって、冗長メモリ部12を選択するコラムアドレス信号col add orがオンすると(Hになると)、デコーダ44を構成するNANDゲート46の出力はL、インバータ48の出力はHとなり、冗長メモリ部12のトランジスタ40、42がオンして、冗長メモリ部12が選択される。その結果、コラム0の全てのセルのデータが、冗長メモリ部12に置換される。
特に、ワード線単位(行単位)に、冗長情報ファイル部14の情報データを異なるパターンとすれば(“1”を設定する位置を行単位に変える)、正しいデータの判別は極めて困難になる。
(付記1)
主メモリ部と、冗長メモリ部と、冗長情報ファイル部とを有し、該冗長情報ファイル部に格納された冗長情報に従い、前記主メモリ部に書き込むべき書き込みデータの少なくとも一部を前記冗長メモリ部に書き込むことで、当該書き込みデータの書き込み位置を物理的に変更し、書き込みデータの秘匿性を高めることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記2)
前記冗長情報は任意に書き換え可能であることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路装置。
(付記3)
前記冗長情報は、外部から書き換えができないように、前記冗長情報ファイルに固定的に格納されていることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路装置。
(付記4)
前記冗長情報ファイル部は不揮発性メモリを有し、外部から書き換え可能であることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路装置。
(付記5)
前記冗長情報ファイル部は不揮発性メモリを有し、外部から該不揮発性メモリを選択するための制御端子を設けたことを特徴とする付記1記載の半導体集積回路装置。
(付記6)
前記メモリ部は、複数のコラムから構成されており、前記書き込み位置の物理的変更を前記主メモリ部のコラム単位に行なうことを特徴とする付記1ないし5のいずれか一項記載の半導体集積回路装置。
(付記7)
前記主メモリ部のコラムを選択するデコーダと、前記冗長メモリ部のコラムを選択するデコーダは同一の回路パターンを有することを特徴とする付記1記載の半導体集積回路装置。
(付記8)
冗長メモリ部は、前記主メモリ部の内部に配置されていることを特徴とする付記1ないし7のいずれか一項記載の半導体集積回路装置。
(付記9)
主メモリ部と、冗長メモリ部と、冗長情報ファイル部とを有し、該冗長情報ファイル部に格納された冗長情報に従い、前記主メモリ部に書き込まれた書き込みデータの少なくとも一部を置換するデータを前記冗長メモリ部に書き込むことを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記10)
前記冗長情報ファイル部内の複数のセルに格納された冗長情報の書き換えを指示する制御信号を外部から受取る端子と、
該制御信号を受けて、前記冗長情報ファイル内の前記複数のセルを自動的に選択するアドレスを生成するアドレス生成手段とを有し、
新たな冗長情報は、前記アドレス生成手段が生成するアドレスに従って、前記複数のセルに書き込まれることを特徴とする付記9記載の半導体集積回路装置。
(付記11)
同一アドレスに対し、前記冗長情報に従って、前記書き込みデータは前記主メモリ部のみから、又は前記主メモリ部と前記冗長メモリ部の両方から読み出されることを特徴とする付記9記載の半導体集積回路装置。
(付記12)
主メモリ部と、冗長メモリ部と、冗長情報ファイル部とを有し、前記冗長メモリ部を、前記主メモリ部内の欠陥セルの救済に加え、前記冗長情報ファイル部に格納された冗長情報に従い、書き込みデータの少なくとも一部を書き込むために用いることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記13)
主メモリ部への書き込みデータの少なくとも一部を、主メモリ部の書き込むべき領域に欠陥がないにもかかわらず冗長メモリ部に書き込み、当該書き込みデータの書き込み位置を物理的に変更して記憶する方法。
12 冗長メモリ部
14 冗長情報ファイル部
16 メモリセルを構成するトランジスタ
18 メモリセルを構成するキャパシタ
20 センスアンプ
22、24 コラムゲートを構成するトランジスタ
26 データバス
28 主メモリ部10のコラムデコーダ
44 冗長メモリ部12のコラムデコーダ
62 論理回路
Claims (7)
- 複数のコラムから構成されている第1のメモリ部と、前記第1のメモリ部の一つのコラム分のメモリセルを有する第2のメモリ部と、前記第1のメモリ部のコラムに対応したビット構成のメモリセルを有する冗長情報ファイル部とを有し、
該冗長情報ファイル部のメモリセルに格納され、前記第1のメモリ部及び前記第2のメモリ部をコラム単位で選択的に活性化する冗長情報に従い、前記第1のメモリ部に書き込み可能な書き込みデータの内、前記冗長情報で非選択とされた前記第1のメモリ部のコラムのデータを、前記第1のメモリ部には保持させず、前記第2のメモリ部に書き込むことで、当該書き込みデータの書き込み位置を物理的に変更し、
前記冗長情報は、前記第2のメモリ部に書き込まれた後固定され、外部から読み出すことはできない
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記冗長情報は任意に書き換え可能であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記冗長情報は、外部から書き換えができないように、前記冗長情報ファイルに固定的に格納されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記冗長情報ファイル部は不揮発性メモリを有し、外部から書き換え可能であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記メモリ部は、複数のコラムから構成されており、前記書き込み位置の物理的変更を前記第1のメモリ部のコラム単位に行なうことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1のメモリ部のコラムを選択するデコーダと、前記第2のメモリ部のコラムを選択するデコーダは同一の回路パターンを有することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2のメモリ部は、前記第1のメモリ部の内部に配置されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項記載の半導体集積回路装置。
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