JP4592486B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
例えば、車載用インバータ等に利用される半導体装置は、大電流を扱うとともに、周辺に設けられている内燃機関等からの熱も加わるので、動作中の温度はかなり高温になる。さらに、動作中の温度がかなり高温になることから、はんだ用の合金に作用する熱応力も大きくなる。このため、この種の半導体装置を接合するのに用いられる合金には、融点が250℃以上を有する高融点はんだが望まれる。従来用いられてきた高融点はんだの代表としては、Pb−10重量%Sn合金(固相線温度:350℃)がある。この高融点はんだを構成するPb及びSnは、共に延性に優れており、実装において問題となることはなかった。しかし、鉛の環境汚染の問題から、最近では鉛フリーはんだを用いることが要望されている。このため、上述した半導体装置の接合に用いられる合金には、鉛フリーであり、且つ熱応力に対しても対策が講じられたものが望まれる。このようなはんだ用の合金を利用して半導体モジュールを構成すれば、信頼性の高いものが得られるものと期待されている。
本発明は、柔軟性を有するとともに疲労の蓄積さえも低減されたはんだ用の合金を利用することによって、信頼性が向上した半導体モジュールを提供することを目的としている。
本発明者らは、はんだ用の合金にマルテンサイト変態の性質を有する金属を加えることによって、外力に基づいて作用する応力を緩和するとともにその応力の蓄積さえも抑制でき得ることに着眼した。さらに、この種のはんだ用の合金を利用して半導体モジュールを構成すれば、極めて信頼性の向上した半導体装置を得ることができ得ることを突き止めたのである。
本明細書で開示する他の半導体モジュールは、絶縁性基板の表面導電層と、はんだ層と、半導体装置の裏面電極が順に接合している構造を備えている。本発明のはんだ層に用いられる合金は、合金の融点を実質的に決定する第1金属と、その第1金属に混在しているとともにマルテンサイト変態の性質を有する第2金属を備えていることを特徴としている。
第1金属は、合金の融点を実質的に決定するものであるが、第2金属及び/又は添加元素との組合せで合金の融点が調整されることもある。第1金属の種類は、使用される状況に応じて適宜に選択され、高融点系、中融点系、又は低融点系等のいずれであってもよい。
上記の半導体モジュールによれば、冷熱サイクルが繰返されたとしても、はんだ層において疲労の蓄積が低減されているので、はんだ層が破損するという事態が顕著に抑制される。このため、半導体モジュールは長期に亘って特性を維持することができ、信頼性の高いものとなる。
GaN又はSiCを主材料として形成されている半導体装置は、絶縁破壊電界及び飽和電子密度等が大きいことから、高い動作電圧を用いて大電流を扱うことが可能となる。その一方で、半導体装置自身の発熱に基づく温度上昇も大きくなる。このため、この種の半導体装置と絶縁性基板を接合しているはんだ層に大きな熱応力が作用し易いことが問題となる。
本発明のはんだ層はこのような場合においても、破損することなく長期間に亘って使用することができる。したがって、半導体モジュールの信頼性が顕著に向上する。また、はんだ層の破損が抑制されることから、半導体装置を高い温度において動作させることが可能になる、ともいえる。したがって、動作温度に規制されることなく、半導体装置を動作させることができるので、使用範囲を拡大させることができる。
Bi又はBiを含む合金は、融点を約300℃に調整可能であり実用範囲が広い。その一方で、Bi又はBiを含む合金は、せん断応力に弱く、脆いという性質を有している。本発明では、マルテンサイト変態の性質を有する第2金属を加えることによって、特にせん断応力を緩和する効果を得ることができる。したがって、Bi又はBiを含む合金とマルテンサイト変態の性質を有する第2金属を組合せることによって、極めて有用なはんだ層を得ることができ、ひいては信頼性の向上した半導体モジュールを得ることができる。
はんだ層と半導体装置の裏面電極の間に、Cu又はNiの金属層が形成されているのが好ましい。はんだ層の第1金属がBi又はBiを含む合金の場合、Cu又はNiの金属層を介在させることによって、はんだ層と半導体装置の裏面電極との間の結合を強固なものとすることができる。このため、より信頼性の向上した半導体モジュールを得ることができる。
第2金属が第1金属中に分散して混在していると、仮にはんだ層にクラックが生じたとしても、第1金属と第2金属の界面においてクラックの進行が停止される。したがって、はんだ層に致命的な破損が生じることを防止することができる。
上記の元素を添加することによって、マルテンサイト相を安定にする効果などを得ることができる。
(第1形態) 第1金属としては、Biの他に、高融点のZn-Al系、中融点のSn-Ag系、Sn-Zn系、及び低融点のSn-Bi系などを利用することができる。なお、本発明は、熱応力の緩和に効果があることから、高融点系の材料を用いる場合に特に有用である。
(第2形態) マルテンサイト変態の性質を有する金属としては、典型的にはCu-Al-Mn系、Cu-Zn-Al系、又はNi-Ti系を利用することができる。これらの金属は、毒性が少なく、また第1金属の融点に与える影響も少ない。より好ましくは、Cu-Al-Mn系又はCu-Zn-Al系である。これらは、合金自体の電気抵抗が小さいので、合金自体に電流が流れる状況下において利用される場合にも好適に利用することができる。
(第3形態) はんだ用の合金にCu-Al-Mn系を用いる場合は特に、第2金属に次の添加元素を加えるのが有用である。添加元素のAg、Ni、Au、Sn、P、Zn、Co、Fe、B、Sb、Geは、はんだ用の合金の構成元素になり得る元素である。したがって第1金属との整合性を向上させ、且つマルテンサイト相を安定にする効果がある。
添加元素のTi、Mgは、阻害元素として知られるO及びNを除去する効果がある。
添加元素のV、Mo、Nb、Zrは、相中の硬さを高める効果がある。
添加元素のCr、Siは、耐食性を向上させる効果がある。
ミッシュメタルは、相中の結晶組織を微細化する効果がある。
添加元素の第2金属における重量%百分率は、合計の重量%が0.001〜10重量%であるのが好ましい。添加元素が0.001重量%よりも少ないと上記の効果を得ることができない。添加元素が10重量%よりも多いと第2金属はマルテンサイト相を有することができなくなる。
(第4形態) はんだ用の合金を製造する方法は、(1)合金の融点を実質的に決定する第1金属にマルテンサイト変態の性質を有する第2金属の粉末を加える工程と、(2)第1金属が溶融する温度以上で第1金属と第2金属を混合する工程と、(3)混合した後に冷却する工程を備えているのが好ましい。これらの工程を経て、棒状、線状、箔状、球状、又はペースト状等に加工され、用途に応じた形状の合金を得ることができる。
さらに、第1金属に第2金属の粉末を加えるのに先立って、第2金属の表面をNiで被覆するのが好ましい。表面がNiで被覆されている第2金属を、溶融した第1金属に混合すると、第1金属中に第2金属がほぼ均一に分散する。クラック等の発生が顕著に抑制された合金を得ることができる。
図1に、半導体モジュール10の要部断面図を模式的に示す。半導体モジュール10は、車載用インバータに設けられている複数の半導体モジュール10の一つである。半導体モジュール10群は、バッテリーからの直流電力をスイッチングして交流電力に変換する。半導体モジュール10群の周辺には、図示しない内燃機関が設けられており、その内燃機関からの熱によって、半導体モジュール10群が存在する環境はかなり高温である。
コンタクト層80の裏面には、Cu又はNiからなるめっき層70が形成されている。めっき層70を保護するために、その表面には図示しないAu膜が形成されている。
CIC基板50の熱膨張係数は、半導体装置90の熱膨張係数と略一致するように調整されている。CIC基板50の各層52、54、56の厚みを調整することによって、熱膨張係数を調整することができる。半導体装置90とCIC基板50の熱膨張係数を略一致させることで、はんだ層60に作用する熱応力を大幅に低減することができる。ただし、CIC基板50を利用することによって、はんだ層60に作用する熱応力を大幅に緩和できるものの、完全に除去することはできない。したがって、はんだ層60自体に熱応力を緩和する作用を付与することは極めて重要である。
はんだ層60は、マルテンサイト変態の性質を有する第2金属64を含有している。そのため、はんだ層60全体としても、見かけ上はマルテルサイト変態としての挙動を示すようになる。マルテンサイト変態は、少なくとも次の2つの機構によって弾性特性を示す。
この機構は、第2金属64の相がマルテンサイト変態開始温度(Ms点)以下のマルテンサイト相にあるときに主として起きる。はんだ層60の温度がMs点以下のとき、第2金属64はマルテンサイト相を常に保持している。例えば、半導体装置90に自らの動作に基づく熱及び周囲からの熱が加わると、はんだ層60と半導体装置90の間に熱膨張差が作用する。この熱膨張差に基づいてはんだ層60に圧縮応力が作用する。この場合、第2金属64は作用する圧縮応力に応じて変形することによって、はんだ層60に作用する圧縮応力を吸収する。このため、はんだ層60に作用する応力は緩和されるとともに、半導体装置90に作用する引張り応力も緩和される。半導体装置90の動作が終了し、はんだ層60と半導体装置90の間の熱膨張差が解消されるときは、第2金属64が変形することによって、はんだ層60に作用する引張り応力を吸収する。このため、はんだ層60に作用する応力は緩和されるとともに、半導体装置90に作用する圧縮応力も緩和される。即ち、第2金属64の相がマルテンサイト変態開始温度(Ms点)以下のマルテンサイト相にあるときは、冷熱サイクルが繰返されたとしても、熱応力に基づく疲労の蓄積が抑制され、はんだ層60は長期間に亘って破損しない。
(2)超弾性機構
この機構は、第2金属64がマルテンサイト変態開始温度(Ms点)以上のときに主として起きる。はんだ層60に外力が加わると、第2金属64が実質的にマルテンサイト相に相転移し変形を生じる。さらに、超弾性機構では、はんだ層60に加わる外力が除荷されれば、第2金属64の形状は記憶された元の形状に回復される。例えば、半導体装置90に自らの動作に基づく熱及び周囲からの熱が加わると、はんだ層60と半導体装置90の間に熱膨張差が作用する。この熱膨張差に基づいてはんだ層60に圧縮応力が作用する。この場合、第2金属64は作用する圧縮応力に応じてマルテンサイト相に相転移し変形する。第2金属64が変形することによって、はんだ層60に作用する圧縮応力を吸収する。このため、はんだ層60に作用する応力は緩和されるとともに、半導体装置90に作用する引張り応力も緩和される。半導体装置90の動作が終了し、はんだ層60と半導体装置90の間の熱膨張差が解消されるときは、第2金属64の形状が母相に相転移することによって回復し、はんだ層60に作用する引張り応力を吸収する。即ち、第2金属64の相がマルテンサイト変態開始温度(Ms点)以上の母相にあるときは、冷熱サイクルが繰返されたとしても、熱応力に基づく疲労の蓄積が抑制され、はんだ層60は長期間に亘って破損しない。
なかでも、超弾性機構によって変形した場合は、外力が除荷されれば、はんだ層60の形状は元の状態に回復することができる。したがって、変形が蓄積されることがない。この場合のはんだ層60は、冷熱サイクルが繰返されたとしても、変形による疲労の蓄積が顕著に抑制され、長期間に亘って破壊されることが防止される。
さらに、図2(b)に示すように、第2金属64が第1金属62中に分散して混在していると、仮にはんだ層60にクラック66が生じたとしても、第1金属62と第2金属64の界面においてクラック66の進行が停止される。したがって、はんだ層60が致命的に破壊されることが防止されるのである。
まず、所定の重量%百分率に調整されたCuとAlとMnを、Ar雰囲気下において高周波溶解炉を利用して溶製し、第2金属64の前駆体であるインゴットを得る。必要に応じて、添加元素が加えられたインゴットを得てもよい。次に、得られたインゴットをアトマイズ法等の粉末作成技術を利用して粉末化する。粉末化された第2金属64の粒径は、必要に応じて調整することができ、粒径を調整することによって、出来上がりのはんだ層60の柔軟性等を調整することができる。
粉末化された第2金属64の前駆体は、滴下法を利用して、その粉末表面にNiをめっきする。Niに代えて、粉末表面にAuをめっきしてもよい。滴下法の反応時間を調整すれば、Niめっきの膜厚を容易に調整することができる。Niめっきの膜厚を調整することによって、出来上がりのはんだ層60中に分散する第2金属64の分散する度合いを向上させることができる。Niめっきの膜厚は、0.01〜3μmの範囲に調整するのが好ましい。
次に、表面がNiめっきされた第2金属64の粉末とBiを混合する。第2金属64の粉末とBiの体積分率を調整することによって、出来上がりのはんだ層60の柔軟性等の特性を調整することができる。第2金属64の粉末とBiは、透明石英管に真空封入され、Biの融点以上である400℃の温度にて5分間保持する。Biを溶融状態にすることによって、第2金属64の粉末は均一に分散される。分散化した試料を冷却凝固することによって、はんだ層60を得ることができる。
評価方法は以下の手順とした。まず、得られたはんだ層60の鋳塊を、放電加工法を利用して、150〜200μmの厚みに切り出した。次に、切り出されたはんだ層60の表面を覆っている酸化膜を、研磨及び酸洗浄を利用して除去した。次に、図1に示すように、半導体装置90の裏面電極とCIC基板50の間にはんだ層60を挟み込んだ状態で、不活性ガス雰囲気下においてリフロー法を利用して両者を接合した。接合温度は、はんだ層60の液相線温度よりも30度高い温度に設定した。なお、はんだ層60と半導体装置90の裏面電極の間には、Ti/Al/Cu/Au又はTi/Al/Ni/Auが蒸着して形成されている。なお、Ti/Alはコンタクト層80である。Cu/Au又はNi/Auは、はんだ層60とコンタクト層80の接合強度を増加させる効果を有する。Cu/Auが採用されている場合は、はんだ層60とCuの間に金属間化合物が生じない均一で安定的な反応層が形成され、両者間の接合強度が向上される。Ni/Auが採用されている場合は、はんだ層60とNiの間にBi-Ni合金反応層が形成され、両者間の接合強度が向上される。
また、はんだ層60とCIC基板50の上層56の間にも、Au又はNi/Auが蒸着して形成されている。
図3に示すように、比較品1と比較品2はいずれも、冷熱サイクル試験を実施した後にその断面を観察すると、クラックの発生が確認された。
一方、実施品の場合は、いずれの場合もその断面にはクラックの発生が認められなかった。
この結果から、Biの第1金属62にマルテンサイト変態の性質を有する第2金属64を加えることによって得られるはんだ層60は、熱応力を緩和するとともに、冷熱サイクルの繰返しに対して極めて安定していることが確認された。
さらに、次のことが確認された。
第2金属64を構成するMnの重量%百分率は、0.01〜20重量%が好ましい。
第2金属64を構成するAlの重量%百分率は、3〜13重量%が好ましい。
添加元素の重量%百分率は、0.001〜10重量%が好ましい。
図4に、半導体モジュール100の要部断面図を模式的に示す。半導体モジュール100は、以下の点で第1実施例の半導体モジュール10と異なる。
まず、コンタクト層80にPtからなる第3コンタクト層186が設けられている。これにより、コンタクト層80のオーミックコンタクト性はさらに向上している。
絶縁性基板には、DBC基板150が利用されている。DBC基板150は、銅からなる下層152と、窒化アルミニウムからなるセラミック層158と、銅からなる上層156(表面導電層の一例)が積層した構造を備えている。DBC150の各層152、158、156の厚みは調整され、半導体装置90の熱膨張係数の略一致するように調整されている。
図5に、はんだ層60A及びはんだ層60Bの組成、並びにその他の条件と、半導体モジュール100の特性を評価した結果を示す。なお、組成等の条件は、第1実施例の場合と同一とした。なお、はんだ層60BとDBC基板150の上層156の間にも、Au又はNi/Auが蒸着して形成されている。
半導体モジュール100の場合も、全ての実施品において、冷熱サイクル試験を実施したとしてもその断面にはクラックの発生は認められなかった。
半導体モジュール100では、はんだ層60Aを利用することによって、DBC基板150とベースプレート30の間の接合強度の向上にも成功している。即ち、DBC基板150の下層152はCuを主成分としており、ベースプレート30もCuを主成分としていることから、はんだ層60Aと下層152の間に金属間化合物が生じない均一で安定的な反応層が形成されるとともに、はんだ層60Aとベースプレート30の間にも金属間化合物が生じない均一で安定的な反応層が形成される。さらに、はんだ層60Aを利用することによって、この部分の熱応力も緩和される。このため、はんだ層60Aとはんだ層60Bの両者の相乗効果により、半導体モジュール100は冷熱サイクルに対して極めて安定であり、信頼性が顕著に向上された構造となる。
図6に、半導体モジュール200の要部断面図を模式的に示す。半導体モジュール200は、以下の点で第1実施例と第2実施例の半導体モジュール10、100と異なる。
まず、コンタクト層にはNiからなるコンタクト層288のみが利用されている。抵抗等の電気的特性が十分に満足の得られるものであれば、複数の層を形成しなくてもよい。
半導体装置290は、SiCを主材料とする縦型の半導体装置である。半導体装置290はFET(Field Effect Transistor)の構造を有している。
絶縁性基板には、DBC基板150が利用されている。DBC基板150は、銅からなる下層152と、窒化アルミニウムからなるセラミック層158と、銅からなる上層156が積層した構造を備えている。DBC150の各層152、158、156の厚みは調整され、半導体装置290の熱膨張係数の略一致するように調整されている。
また、半導体モジュール200は、はんだ層60Aとはんだ層60Bの相乗効果によって、冷熱サイクルに基づく熱応力が極めて緩和されており、信頼性が顕著に向上された構造となっている。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
22:水冷管
30:ベースプレート
40:セラミック板
50:CIC基板
150:DBC基板
52、152:下層
54:インバー層
56、156:上層
158:セラミック層
60:はんだ層
62:第1金属
64:第2金属
70:めっき層
80:コンタクト層
82:第2コンタクト層
84:第1コンタクト層
90:半導体装置
Claims (7)
- 半導体モジュールであって、
基板と、
半導体装置と、
前記基板と前記半導体装置の裏面電極を接合するはんだ層と、を備えており、
前記はんだ層に用いられる合金は、合金の融点を実質的に決定する第1金属と、第1金属に混在している粒状の第2金属とを含み、
前記第1金属はBiであり、
前記第2金属は、CuとAlとMnを含むとともにマルテンサイト変態の性質を有する合金であることを特徴とする半導体モジュール。 - 半導体装置が、GaN又はSiCを主材料として形成されていることを特徴とする請求項1の半導体モジュール。
- 前記基板は、表面導電層を有する絶縁性基板であり、
はんだ層と絶縁性基板の表面導電層の間に、Cu又はNi金属層が形成されていることを特徴とする請求項1又は2の半導体モジュール。 - はんだ層と半導体装置の裏面電極の間に、Cu又はNi金属層が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかの半導体モジュール。
- 第2金属が、第1金属中に分散して混在していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかの半導体モジュール。
- 第2金属を構成する金属の第2金属における重量%百分率が、Mnが0.01〜20重量%であり、Alが3〜13重量%であり、残部がCuであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかの半導体モジュール。
- 第2金属は、添加元素をさらに備えており、
添加元素は、Ag、Ni、Au、Co、Fe、Ti、V、Cr、Si、Nb、Mo、Ge、Sn、Mg、P、Be、Sb、Cd、As、Zr、Zn、B及びミッシュメタルから選択される1種又は2種以上の元素を有しており、
添加元素の第2金属における重量%百分率は、合計の重量%が0.001〜10重量%であることを特徴とする請求項6の半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005126106A JP4592486B2 (ja) | 2005-04-25 | 2005-04-25 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005126106A JP4592486B2 (ja) | 2005-04-25 | 2005-04-25 | 半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006303346A JP2006303346A (ja) | 2006-11-02 |
JP4592486B2 true JP4592486B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=37471248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005126106A Expired - Fee Related JP4592486B2 (ja) | 2005-04-25 | 2005-04-25 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4592486B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Publication date |
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JP2006303346A (ja) | 2006-11-02 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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