JP4586802B2 - 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ディスプレイ、照明、バックライト光源等に利用できる発光ダイオード素子に関し、特に蛍光を発する光変換材料を用いた発光ダイオード素子および発光ダイオードを形成するための基板に関する。

近年、窒化物系化合物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を用いた青色発光素子を発光源とする白色発光ダイオードの開発研究が盛んに行われている。白色発光ダイオードは軽量で、水銀を使用せず、長寿命であることから、今後、需要が急速に拡大することが予測されている。青色発光素子の青色光を白色光へ変換する方法として最も一般的に行なわれている方法は、例えば特開２０００−２０８８１５号公報に記載されているように、青色光を発光する発光素子の前面に、青色光の一部を吸収して黄色光を発する蛍光体を含有するコーティング層と、光源の青色光とコーティング層からの黄色光を混色するためのモールド層とを設け、補色関係にある青色と黄色を混色することにより擬似的に白色を得るものである。従来、コーティング層としては、セリウムで付活されたＹＡＧ（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ）粉末とエポキシ樹脂の混合物が採用されている。しかし本方法ではコーティング層を塗布する際に、含まれる蛍光体粉末の分布のむら、発光ダイオード個体毎の蛍光体粉末の量のバラツキ等が生じやすく、それに起因する発光ダイオードの色むらが指摘されている。
それを回避するため、特開２００３−２０４０８０号公報ではＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ蛍光体単結晶の（１１１）面を主面とした基板上にＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなる窒化物半導体層を形成し、発光層から発光される青色光を直接基板に入射し基板自身から均質な黄色蛍光を発光させることで、蛍光体粉末を含むコーティング層を用いずに発光チップのみで色むらのない均質な白色を得る方法を提案している。（図２）
しかしながら、特開２００３−２０４０８０号公報に記載の方法における、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２（１１１）基板とその上に形成される窒化物半導体バッファ層のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮとの格子間隔の差は、現状一般的に用いられている方法における、Ａｌ_２Ｏ_３単結晶の（０００１）面（六方晶表記、以下同様）基板と例えばＧａＮバッファ層との格子間隔の差より依然として大きい値である。このため、本方法における窒化物半導体層中には現状の方法より、より多くの歪みが生じ、良質な窒化物半導体発光層を得ることが困難であり、良好な発光ダイオードを得ることができない。

現状の窒化物半導体層の一般的な作製方法から考えて、良質な窒化物半導体層を得るにはＹＡＧ単結晶（１１１）面よりも、格子間隔が近いＡｌ_２Ｏ_３単結晶の（０００１）面を用いたほうが、良いことは明らかである。しかし、Ａｌ_２Ｏ_３単結晶を用いると、黄色の蛍光を得ることができないので、前述のコーティング層が必要となり、色むら等の問題が生じる。
また、特開２００３−２０４０８０号公報の記載の方法におけるＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ蛍光体単結晶基板では、内部が均質で光が屈折・反射・散乱することなく直進するため、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．４１（２００２）ｐｐ．Ｌ ８８７−Ｌ ８８８に示されるように、入った光は基板と外界（例えば大気、樹脂）との界面（以後、内表面）で全反射を繰り返し外に出ることができないまま減衰する確率が高くなり、良好な光の取り出し効率を得ることができない。
本発明の目的は、発光ダイオード形成用半導体と結晶構造上の整合性が良く、欠陥の少ない良好な半導体層を成膜でき、半導体層内に形成された発光層から効率の良い発光を得ることができると共に、半導体層中の発光層からの光により均一な蛍光も発し、かつ光を効率的に取り出すことのできる、半導体を形成するための発光ダイオード用基板と、該基板を用いた色むらのない発光ダイオード素子を提供することにある。

本発明者らは、セラミック複合酸化物からなる光変換材料基板を用いると発光ダイオード用半導体の成膜基板として作用すると共に、蛍光の発生を同時に成立させることができ、光も効率的に取り出せることを見出し本発明にいたった。すなわち、本発明は、光変換材料基板と、該光変換材料基板上に形成された半導体層とからなる発光ダイオード素子であり、前記光変換材料基板は、単一金属酸化物および複合金属酸化物から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、該凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有しており、前記半導体層は、複数の化合物半導体層からなり少なくとも可視光を発する発光層を有することを特徴とする発光ダイオード素子に関する。
また、本発明の発光ダイオードの一態様は、前記半導体層が窒化物半導体層であり、さらに、好ましくは、前記複数の化合物半導体層が、一般式、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表わされる窒化物系化合物半導体層であり、前記凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つはＡｌ_２Ｏ_３結晶相であり、前記光変換材料基板は、前記Ａｌ_２Ｏ_３結晶の（０００１）面を主面とすることを特徴とする。
また、本発明の発光ダイオードの一態様は、前記光変換材料基板が、少なくともセリウムで付活されたガーネット型構造を有する結晶を含むことを特徴とし、さらに、好ましくはＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２結晶を含むことを特徴とする。
また、本発明の発光ダイオードの一態様は、前記窒化物半導体層中に形成される発光層が紫色あるいは青色を発することを特徴とし、好ましくは、発光層はＩｎ−Ｇａ−Ｎからなることを特徴とする。
また、本発明は、発光ダイオード用半導体層を形成するための発光ダイオード用基板であり、単一金属酸化物および複合金属酸化物から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、該凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有していることを特徴とする発光ダイオード用基板に関する。
また、本発明は、上記の発光ダイオード用基板上に、複数の化合物半導体層からなり少なくとも可視光を発する発光層を有する半導体層を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法に関する。

図１は本発明の発光ダイオード素子の一実施形態を示す模式的断面図である。
図２は従来の発光ダイオード素子の構造を示す模式的断面図である。
図３は光変換材料の組織構造の一例を示す電子顕微鏡写真である。
図４Ａおよび図４Ｂは光変換材料中のＡｌ_２Ｏ_３結晶とＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅの結晶方位の一例を示す極点図である。
図５は本発明の発光ダイオード素子の一例を示す発光スペクトル図である。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の発光ダイオード素子は、例えば図１に示されるような、光変換材料基板１と、その上に形成された半導体層２よりなる。図１の実施形態では、Ａｌ_２Ｏ_３／ＹＡＧ：Ｃｅの光変換材料基板１の上に、複数の窒化物系化合物半導体層２ａ〜２ｃからなり、少なくとも可視光を発する発光層を有する窒化物半導体層２ｂが形成され、その上にｐ電極３とｎ電極４が形成されている。
本発明の光変換材料基板は、発光ダイオード用化合物半導体層を形成するための発光ダイオード用基板であり、単一金属酸化物および複合金属酸化物から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、該凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つはＡｌ_２Ｏ_３結晶相であり、また、前記凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有している。単一金属酸化物とは、１種類の金属の酸化物であり、複合金属酸化物は、２種以上の金属の酸化物である。それぞれの酸化物は、単結晶状態となって三次元的に相互に絡み合った構造をしている。このような単一金属酸化物としては、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化クロミウム（Ｃｒ_２Ｏ_３）等の他、希土類元素酸化物（Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｔｂ_４Ｏ_７、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｈｏ_２Ｏ_３、Ｅｒ_２Ｏ_３、Ｔｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｌｕ_２Ｏ_３）が挙げられる。また、複合金属酸化物としては、ＬａＡｌＯ_３、ＣｅＡｌＯ_３、ＰｒＡｌＯ_３、ＮｄＡｌＯ_３、ＳｍＡｌＯ_３、ＥｕＡｌＯ_３、ＧｄＡｌＯ_３、ＤｙＡｌＯ_３、ＥｒＡｌＯ_３、Ｙｂ_４Ａｌ_２Ｏ_９、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｅｒ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｔｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、１１Ａｌ_２Ｏ_３・Ｌａ_２Ｏ_３、１１Ａｌ_２Ｏ_３・Ｎｄ_２Ｏ_３、３Ｄｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３、２Ｄｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３、１１Ａｌ_２Ｏ_３・Ｐｒ_２Ｏ_３、ＥｕＡｌ_１１Ｏ_１８、２Ｇｄ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３、１１Ａｌ_２Ｏ_３・Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、ＣｅＡｌ_１１Ｏ_１８、Ｅｒ_４Ａｌ_２Ｏ_９等が挙げられる。
本発明の発光ダイオード用基板である光変換材料基板は、２種以上の酸化物相からなっているため、その組み合わせにより、様々な結晶格子間隔を選択することができる。このため、発光ダイオードの種々の半導体の格子間隔に合わせることが可能であり、結晶構造上の整合性が良く、欠陥の少ない良好な半導体層を成膜でき、半導体層内に形成された発光層から効率の良い発光を得ることができる。さらに、本発明の光変換材料基板は、蛍光体でもあるため、半導体層中の発光層からの光により均一な蛍光も発することができる。また、個々の酸化物相の屈折率が異なるため、酸化物相間の界面で様々な方向に屈折・反射されることで基板の内表面での全反射が起きにくくなり、良好な光の取り出し効率も得ることができる。
発光ダイオード用半導体層が窒化物半導体層である場合は、光変換材料を構成する前記凝固体の中で、単一金属酸化物であるＡｌ_２Ｏ_３結晶を含む組み合わせが好ましい凝固体として挙げられる。上述のようにＡｌ_２Ｏ_３結晶は可視光を発する窒化物半導体層を構成する代表的なＩｎＧａＮと結晶構造上整合性が良く、窒化物半導体の良好な発光層を形成することができるためである。そして、Ａｌ_２Ｏ_３結晶と少なくともセリウムで付活された複合金属酸化物であるガーネット型結晶単結晶との組み合わせがさらに好ましい凝固体として挙げられる。ガーネット型結晶はＡ_３Ｘ_５Ｏ_１２の構造式で表され、構造式中ＡにはＹ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｌａ，Ｅｒの群から選ばれる１種以上の元素、同じく構造式中ＸにはＡｌ，Ｇａから選ばれる１種以上の元素が、含まれる場合が特に好ましい。この特に好ましい組み合わせからなる光変換光変換材料は、紫から青色の光を透過しながら、その一部を吸収し、黄色の蛍光を発するためである。なかでもセリウムで付活されたＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２（＝ＹＡＧ：Ｃｅ）との組み合わせは強い蛍光を発するため好適である。また、この光変換光変換材料は、ＹＡＧ：Ｃｅの屈折率は１．８５、Ａｌ_２Ｏ_３の屈折率は１．７８であり、ＹＡＧ：Ｃｅ単結晶より平均屈折率が低いため、基板の内表面での全反射が起こりにくい。加えて各相同士が複雑に絡み合った組織構造を有することにより形成される、屈折率の異なる２相の複雑な形状の界面により材料内で光が様々な方向へ屈折・反射し、表面での全反射がさらに起こりにくいため、良好な光取り出し効率を発現するため好適である。
図１に示した本発明の一実施形態であるＡｌ_２Ｏ_３／ＹＡＧ：Ｃｅの光変換材料基板は、Ａｌ_２Ｏ_３単結晶とＹＡＧ：Ｃｅ単結晶から構成され、各酸化物相が連続的にかつ３次元的に相互に絡み合って形成されており、全体として２個の単結晶の相から構成されている。各相が単結晶であることは非常に重要である。単結晶でないと良質の窒化物半導体層を形成することはできない。光変換材料基板は、例えば、上記Ａｌ_２Ｏ_３／ＹＡＧ：Ｃｅの凝固体を所定厚みに切断し、表面を必要な状態に研磨し、洗浄することにより得られる。光変換材料基板の切出し方位はＡｌ_２Ｏ_３の（０００１）面を主面とすることが特に好ましい。Ａｌ_２Ｏ_３は窒化物系化合物半導体であるＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎと類似の結晶構造を有し、Ａｌ_２Ｏ_３（０００１）面とＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎの格子間隔は差が小さく整合性が良い。このため、Ａｌ_２Ｏ_３の（０００１）面を利用することで、良質な窒化物半導体層が得られ良好な発光層を形成することができる。
本発明に用いる光変換材料を構成する凝固体は、原料金属酸化物を融解後、凝固させることで作製される。例えば、所定温度に保持したルツボに仕込んだ溶融物を、冷却温度を制御しながら冷却凝結させる簡単な方法で凝固体を得ることができるが、最も好ましいのは一方向凝固法により作製されたものである。一方向凝固をおこなうことにより含まれる結晶相が単結晶状態で連続的に成長し、各相が単一の結晶方位となるためである。
本発明に用いる光変換材料は、少なくとも１つの相が蛍光を発する金属元素酸化物を含有していることを除き、本願出願人が先に特開平７−１４９５９７号公報、特開平７−１８７８９３号公報、特開平８−８１２５７号公報、特開平８−２５３３８９号公報、特開平８−２５３３９０号公報および特開平９−６７１９４号公報並びにこれらに対応する米国出願（米国特許第５，５６９，５４７号、同第５，４８４，７５２号、同第５，９０２，９６３号）等に開示したセラミック複合材料と同様のものであることができ、これらの出願（特許）に開示した製造方法で製造できるものである。これらの出願あるいは特許の開示内容はここに参照して含めるものである。
光変換材料基板上に形成する窒化物半導体層は、複数の窒化物系化合物半導体層からなる。複数の窒化物系化合物半導体層は、それぞれ、一般式、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表わされる窒化物系化合物により構成されることが好ましい。そして、窒化物半導体層は、少なくとも可視光を発する発光層を有する。良好な発光層を形成するためには、それぞれの層で、各機能に最適な組成に調整した複数の窒化物系化合物半導体層を積層することが好ましい。複数の窒化物系化合物半導体層およびこれらの層の形成方法は、例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３４（１９９５），Ｌ７９８等に開示されているように公知の技術である。具体的には、基板上に、ＧａＮのバッファ層、ｎ電極が形成されるｎ型−ＧａＮ：Ｓｉコンタクト層、ｎ型−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．９Ｎ：Ｓｉ層、ｎ型−Ｉｎ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎ：Ｓｉ層、単一量子井戸構造型発光層を形成するＩｎ−Ｇａ−Ｎ層、ｐ型‐Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎ：Ｍｇ障壁層、ｐ電極が形成されるｐ型‐ＧａＮ：Ｍｇ層をＭＯＣＶＤなどの方法により、順に積層することにより得ることができる。発光層の構造は他に、多重量子井戸構造や、ホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構造としても良い。
本発明における窒化物半導体層中の発光層は可視光であることが好ましい。可視光が本発明の光変換材料基板を透過する際に、波長変換された蛍光と変換前の可視光が混合されて、混合された光の波長に応じて、新たな擬似的な光を得ることができる。さらに、可視光は青色または紫色を発することが好ましい。発光色が青色または紫色である場合、発光層からの青色または紫色の光が、基板であるＹＡＧ：Ｃｅ単結晶に入射することにより、ＹＡＧ：Ｃｅ結晶から黄色蛍光が発生し、Ａｌ_２Ｏ_３結晶では青色または紫色の光がそのまま透過する。これらの光が光変換材料単結晶基板内の連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織により混合され、放出されるため、色むらのない均質な白色を得ることができる。このため、窒化物半導体層中の発光層は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなることが好ましい。前記発光層を形成するＩｎＧａＮ層に含まれるＩｎのモル比を変えることにより、発光波長を変化させることができる。
本発明の発光ダイオード基板を用いて発光ダイオードを製造するには、所望の半導体層と格子整合する金属酸化物の組み合わせからなる発光ダイオード基板を予め形成しておき、その発光ダイオード基板上に上記所望の半導体層を公知の方法で結晶成長させればよい。結晶成長方法としては、液相法、気相法等のいずれでもよく、また気相法ではＭＯＣＶＤ（有機金属化合物ＣＶＤ）などのＣＶＤ，スパッタ法などのＰＶＤのいずれでもよい。本発明の発光ダイオードの製造方法によれば、特にＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表わされる窒化物系化合物からなる発光層を含む半導体層を、蛍光を発する光変換材料からなる基板上にエピタキシャル成長させることができる。
本発明の基板は複数の酸化物相を含むため、基板の格子間隔も各相毎に複数存在する。そのため半導体層を、基板上の複数の相の内で整合性の良い格子間隔を持つ酸化物相の領域を利用してエピタキシャル成長させることができる。ＧａＮは同じ六方晶系で整合性がよいＡｌ_２Ｏ_３（サファイア）基板上にエピタキシャル成長させることが行なわれており、同様に本発明の基板のＡｌ_２Ｏ_３相上にＧａＮをエピタキシャル成長させることができる。

以下、具体的例を挙げ、本発明を更に詳しく説明する。
（実施例１）
α−Ａｌ_２Ｏ_３粉末（純度９９．９９％）とＹ_２Ｏ_３粉末（純度９９．９９９％）をモル比で８２：１８となるよう、またＣｅＯ_２粉末（純度９９．９９％）を仕込み酸化物の反応により生成するＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２（ＹＡＧ） １モルに対し０．０１モルとなるよう秤量した。これらの粉末をエタノール中、ボールミルによって１６時間湿式混合した後、エバポレーターを用いてエタノールを脱媒して原料粉末を得た。原料粉末は、真空炉中で予備溶解し一方向凝固の原料とした。
次に、この原料をそのままモリブデンルツボに仕込み、一方向凝固装置にセットし、１．３３×１０^−３Ｐａ（１０^−５Ｔｏｒｒ）の圧力下で原料を融解した。次に同一の雰囲気においてルツボを５ｍｍ／時間の速度で下降させ、ガーネット型結晶であるＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅとα型酸化アルミニウム型結晶であるＡｌ_２Ｏ_３からなる凝固体を得た。得られた凝固体は黄色を呈していた。
凝固体の凝固方向に垂直な断面組織を図３に示す。白い部分がＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ結晶、黒い部分がＡｌ_２Ｏ_３結晶である。二つの結晶が相互に絡み合った組織を有していることが分かる。
凝固体の凝固方向に垂直な面におけるＡｌ_２Ｏ_３結晶とＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ結晶の極点図を図４Ａおよび図４Ｂに示す。両相ともに極点の分布は単一の結晶方位からなっていることを示しており、単結晶であることがわかる。この結果よりＡｌ_２Ｏ_３結晶の（０００１）面が主面となるよう光変換材料基板の切り出しをおこなった。そして表面を研磨、洗浄し、２００μｍの厚みの光変換材料基板を得た。
得られた光変換材料基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、窒素ガスおよびドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物系化合物半導体を製膜し青色発光層を得た。ドーパントガスとしてＳｉＨ_４とＣｐ_２Ｍｇとを切り替えることによってｎ型窒化物系化合物半導体とｐ型窒化物系化合物半導体を形成し、ｐｎ接合を形成させた。具体的には、光変換材料基板上にＧａＮのバッファ層を介して、ｎ電極が形成されるｎ型−ＧａＮ：Ｓｉコンタクト層、ｎ型−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．９Ｎ：Ｓｉ層、ｎ型−Ｉｎ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎ：Ｓｉ層、単一量子井戸構造型発光層を形成するＩｎＧａＮ層、ｐ型‐Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎ：Ｍｇ障壁層、ｐ電極が形成されるｐ型‐ＧａＮ：Ｍｇ層を形成した。ｐｎ各電極をスパッタ法により形成し、光変換材料基板にスクライブラインを引き、外力を加えることにより分割し、発光ダイオード素子を得た。
得られた発光ダイオード素子の発光スペクトルを図５に示す。窒化物半導体層からの青色光と、それにより励起された光変換材料基板からの黄色蛍光が混合され白色が得られている。

本発明の発光ダイオード素子は、本発明の発光ダイオード用基板である光変換材料基板を用いることで、欠陥の少ない良好な半導体層を形成することができ、蛍光の発光も同時に行えるので、他の蛍光を発する部材と組み合わすことなく単体で用途に応じた色の光を発することができる。また、特定の基板と窒化物半導体層との組み合わせにより白色の光を発することも可能である。このため、色調むらが小さい均質な白色光を得るのに好適である。さらに、２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されているため、基板内の光は減衰することなく、かつ屈折率が異なる相間の界面で様々な方向に屈折・反射されることで内表面での全反射が起きにくくなり、良好な光の取り出し効率を得ることができる。また、本発明の発光ダイオード用基板である光変換材料基板は、セラミック複合体で構成されており、種々の発光ダイオード用半導体に応じて基板を調整できるため良好な半導体を形成でき、発光強度の優れた発光ダイオードを提供することができる。したがって、本発明は、優れた発光ダイオード及びそれを製造するための発光ダイオード基板を提供し、産業上有用である。

Claims (15)

1. 光変換材料基板と、該光変換材料基板上に結晶成長された半導体層とからなる発光ダイオード素子であり、前記光変換材料基板は、単一金属酸化物および複合金属酸化物から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、該凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有しており、前記半導体層は、複数の化合物半導体層からなり少なくとも可視光を発する発光層を有することを特徴とする発光ダイオード素子。
2. 前記半導体層が窒化物半導体層であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード素子。
3. 前記複数の化合物半導体層が、一般式、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表わされる窒化物系化合物半導体層であることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード素子。
4. 前記凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つはＡｌ₂Ｏ₃結晶相であり、前記光変換材料基板は前記Ａｌ₂Ｏ₃結晶の（０００１）面を主面とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光ダイオード素子。
5. 前記光変換材料基板が、少なくともセリウムで付活されたガーネット型構造を有する結晶を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光ダイオード素子。
6. 前記ガーネット型結晶がＹ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂結晶であることを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオード素子。
7. 前記窒化物半導体層中に形成される発光層が紫色あるいは青色を発することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光ダイオード素子。
8. 前記発光層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光ダイオード素子。
9. 白色発光ダイオード素子である請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光ダイオード素子。
10. 発光ダイオード用半導体層を結晶成長するための発光ダイオード用基板であり、単一金属酸化物および複合金属酸化物から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、該凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有していることを特徴とする発光ダイオード用基板。
11. 請求項１０に記載の発光ダイオード用基板上に、複数の化合物半導体層からなり少なくとも可視光を発する発光層を有する半導体層を結晶成長することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
12. 前記半導体層が前記発光ダイオード用基板上にエピタキシャル成長することを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオード素子の製造方法。
13. 前記半導体層が窒化物半導体層であり、前記複数の化合物半導体層が、一般式、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表わされる窒化物系化合物半導体層であり、前記凝固体中の酸化物相のうち少なくとも１つはＡｌ₂Ｏ₃結晶相であり、前記光変換材料基板は前記Ａｌ₂Ｏ₃結晶の（０００１）面を主面とすることを特徴とする請求項１１または１２に記載の発光ダイオード素子の製造方法。
14. 前記光変換材料基板が少なくともセリウムで付活されたＹ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂結晶を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード素子の製造方法。
15. 前記発光層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１３または１４に記載の発光ダイオード素子の製造方法。

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