JP4583544B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、ルテニウムを含む導電膜、例えばストロンチウム・ルテニウム酸化膜(SRO膜)、ルテニウム(Ru)を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
(Ba,Sr)TiO3(BST)膜、SrTiO3(STO)膜、Ta2O5 膜等の誘電体膜を2つのSRO膜又はRu膜により挟んだ構造を有するキャパシタは、高い容量と低いリーク電流を有することが知られている。これは、ギガビットDRAMのような新たな世代のメモリ素子の要求に適している。
【0003】
そのSROは、トランジスタ特性を改善するための水素アニーリングの最中にルテニウム(Ru)と酸化ストロンチウム(SrO) に分解することが知られている。また、BST、STO等をベースにしたMIM(metal-insulator-metal) キャパシタのリーク電流は、水素アニーリングの後に増加するのが一般的である。
そのようなリーク電流の増加を防止するためには上部電極の水素透過を防止することが好ましいので、キャパシタの上部電極を保護膜によって覆う方法が採用されている。
【0004】
アルミナ(Al2O3) は、プラチナ又はルテニウムよりなる上部電極用の保護膜として適している。
従来のキャパシタの構造の断面を図1に示す。
図1において、シリコン基板1の上に形成された第一の絶縁膜2には、半導体基板1内の不純物拡散層3に繋がるコンタクトホール2aが形成されている。そのコンタクトホール2a内にはタングステンプラグ4aとバリアメタル4bが順に埋め込まれ、そのバリアメタル4bと第一の絶縁膜2の上には、キャパシタ5が形成されている。キャパシタ5は、第一のSRO膜からなる下部電極5aと、BST膜からなる誘電体膜5bと、第二のSRO膜からなる上部電極5cとによって構成されている。
【0005】
そのようなキャパシタ5は、第二の絶縁膜6によって覆われており、その第2の絶縁膜6に形成されたホール6a内には上部電極5cに接続されるプラグ7が形成されている。そのプラグ7は、ホール内にチタン(Ti)7a、窒化チタン(TiN) 7b、タングステン(W)7cが順に形成された多層構造を有している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
そのような構造において、水素アニーリングは、SROを分解するおそれがあるし、BST膜にも悪い影響を与え、これらは、SRO/BST/SROを有するキャパシタの電気的特性を劣化させる原因になる。
そこで、第二のSRO膜7cをアルミナ膜によって覆うことも考えられるが、ギガビットDRAMの実際の構造において、アルミナ膜を微細にパターニングすることは難しい。
【0007】
また、上記したプラグ7のチタン7aとSRO上部電極5cが反応して酸化チタン(TiOx ) が形成されると、プラグ7と上部電極5cのコンタクト抵抗は非常に高くなる。
本発明の目的は、SRO分解とキャパシタ電気特性劣化を防止し、さらに、キャパシタの上部電極とプラグの間のコンタクト抵抗を減らすことができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、半導体基板の上に第一の絶縁膜を形成する工程と、ストロンチウム・ルテニウム酸化膜をキャパシタ下部電極として前記第一の絶縁膜上に形成する工程と、前記キャパシタ下部電極の上にキャパシタ誘電体膜を形成する工程と、前記キャパシタ誘電体膜の上にストロンチウム・ルテニウム酸化膜をキャパシタ上部電極として形成する工程と、前記キャパシタ上部電極の上に、下から順に酸化シリコンと窒化シリコンを積層してなる二層構造膜と20nmよりも薄い窒化チタン膜の少なくとも1つを保護膜として形成する工程と、前記保護膜の形成後に前記半導体基板を水素を含む雰囲気中で加熱する工程とを有する半導体装置の製造方法によって解決される。
【0009】
その半導体装置の製造方法において、前記第一の絶縁膜を形成する工程の後、前記ストロンチウム・ルテニウム酸化膜を前記キャパシタ下部電極として形成する工程の前に、前記第一の絶縁膜内に前記キャパシタ下部電極と接続される第一のプラグを埋め込み、前記二層構造膜と前記窒化チタン膜の少なくとも1つを保護膜として形成する工程の後に、前記保護膜の上に第二の絶縁膜を形成し、該第二の絶縁膜に、前記キャパシタ上部電極に電気的に接続される第二のプラグを埋め込んでもよい。この場合、前記キャパシタ誘電体膜は、BST、STO、Ta2O5、PZT又はPLZTのいずれかであってもよい。また、前記第二のプラグは、前記キャパシタ上部電極の上に、窒化チタン膜を介して形成されたタングステン又はアルミニウムを含む膜から構成されてもよい。
【0010】
また、上記した課題は、半導体基板の上に形成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に形成された、ストロンチウム・ルテニウム酸化膜からなるキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極の上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜の上に形成された、ストロンチウム・ルテニウム酸化膜からなるキャパシタ上部電極と、前記キャパシタ上部電極の上に形成されて水素を含む雰囲気中で加熱する際に前記ストロンチウム・ルテニウム酸化膜を保護し、かつ、下から順に酸化シリコンと窒化シリコンを積層してなる二層構造膜と20nmよりも薄い窒化チタン膜の少なくとも1つからなる保護膜とを有することを特徴とする半導体装置によって解決される。
上記した半導体装置において、前記二層構造膜を構成する前記酸化シリコンは50nmよりも薄いことが好ましい。
【0011】
次に、本発明の作用について説明する。
本発明によれば、SRO膜/誘電体膜/SRO膜のキャパシタの上に形成されるSRO膜の保護膜として、酸化シリコンと窒化シリコンを積層してなる二層構造膜と20nmよりも薄い窒化チタン膜の少なくとも1つを選択している。
そのような保護膜によれば、基板を水素を含む雰囲気中でアニールしても、SRO膜が分解、劣化することが防止され、しかも、そのSRO膜とその上に形成されるプラグとのコンタクト抵抗が殆ど上昇せず、保護膜に剥がれが生じることはない。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
キャパシタの上部電極となるSRO膜の上に形成される保護膜として、CVD法により成長し、ギガビットDRAMの構造を実際にパターニングすることについて調べるために、複数の材料及び構造について試料を作成し、以下のような実験を行った。
【0013】
まず、SRO膜の上に保護膜を形成しない構造を第1の試料とし、SRO膜を窒化シリコン(SiN )で覆ったSiN /SRO構造を第2の試料とし、SRO膜を酸化シリコン(SiO2)で覆ったSiO2/SRO構造を第3の試料とし、SRO膜の上に酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を順に形成したSiN /SiO2/SRO構造を第4の試料とし、SRO膜を窒化チタン(TiN )膜で覆ったTiN /SRO構造を第5の試料とした。
【0014】
そして、それら第1〜第5の試料を、フォーミングガス雰囲気中で基板温度400℃、加熱時間60分でアニーリングしたところ、表1と以下の図に示すような結果が得られた。この場合、フォーミングガスとして3%水素と窒素の混合ガスを用いた。
【0015】
【表1】
【0016】
第1の試料
図2(a) は、SRO膜を形成した直後の試料1の断面を示すSEM写真で、図2(b) は、その試料1を上記した条件でアニールした後の断面を示すSEM写真である。
それらのSEM写真から明らかなように、SRO膜の上に保護膜を形成しない状態でSRO膜をアニールすると、SRO膜の表面に荒れが生じることがわかった。
【0017】
また、SRO膜についてアニール前と後のX線回折パターンを見ると、表1に示すようにアニールの後には、SRO膜の(121)面を示すピークが消滅していた。また、SRO膜を露出したままでアニールすると、SRO膜は分解されてルテニウムが発生することがわかった。
第2の試料
図3は、SiN /SRO構造を第2の試料を形成した直後、即ちSRO膜の上にSiN 膜を形成した直後の断面を示すSEM写真であり、荒れが発生している。
【0018】
その第2の試料について、成膜直後のX線回折パターンを見ると、表1に示すように、SRO膜の(121)面を示すピークが始めから存在せず、ルテニウムが発生していることがわかった。
そのようにSRO膜の上にSiN 膜を形成すると、SRO膜が劣化するのは、SiN 成長の際に使用するガス、即ちシラン(SiH4)ガスとアンモニア(NH3) ガスによってSRO膜が還元されるからと考えられる。
【0019】
以上のことから、SRO膜の上にSiN 膜を形成している間にSRO膜は既に分解していることがわかり、第2の試料をアニールする意味が無くなっている。
第3の試料
図4(a) は、SRO膜を酸化シリコン(SiO2)で覆った直後の第3の試料の断面を示すSEM写真で、図4(b) は、その第3の試料を上記した条件でアニールした後の断面を示すSEM写真である。
【0020】
それらの写真から明らかなように、第3の試料をアニールした後に、SRO膜は変質することが分かった。
アニール前と後のSRO膜のX線回折パターンを見ると、表1に示すようにアニールの後には、SRO膜の(121)面を示すピークがシフトしていた。しかし、そのSRO膜は、ルテニウムのピークが現れるような分解は発生しないことがわかった。
【0021】
なお、第3の試料と次の第4の試料でのSiO2膜の形成はTEOS(テトラエトキシシラン)を用いたCVD法によって形成される。
第4の試料
図5(a) は、第4の試料を作成した直後のSEM写真であり、図5(b) は、その第4の試料を上記条件でアニールした後の断面を示すSEM写真である。
【0022】
それらの写真から明らかなように、第4の試料をアニールした後に、SRO膜に変化は見られないことが分かった。
アニール前と後のSRO膜のX線回折パターンを見ると、表1に示すようにアニールの前と後には、いずれもSRO膜の(121)面を示すピークが存在し、ルテニウムのピークが現れていないことがわかった。しかも、コンタクト抵抗を測定してもアニールの前と後で殆ど変化が生じない。
【0023】
したがって、SRO膜の上にSiO2膜を形成し、そのSiO2膜の上にSiN 膜を形成した保護膜は安定であり、SRO膜の変質や分解を防止するのに有効であることがわかる。この場合、SiO2膜は50nm以下の厚さにすることが好ましい。
第5の試料
図6は、基板温度を20℃以上で400℃より低い範囲内に設定し、SRO膜の上に厚さ20nmのTiN 膜を形成して作成された直後の第5の試料のSEM写真である。この第5の試料を上記した条件でアニールすると、図7(a) に示すようなSEM写真が得られ、TiN 膜に部分的な剥がれが生じていることが分かった。そのSEM写真を倍率を小さくしてみると、図7(b) に示すよう状態になり、TiN 膜の表面に凹凸が生じてTiN 膜に膜剥がれが生じ易くなる。
【0024】
これに対して、SRO膜の上に厚さ5nmのTiN 膜を形成し、これを上記した条件でアニールしたところ、図8のようなSEM写真が得られ、TiN 膜の表面には凹凸が発生しなかった。
また、SRO膜の上のTiN 膜の膜厚を20nmよりも薄くした場合には、そのアニール後にも凹凸が発生せず、しかも、コンタクト抵抗は殆ど変化が生なかった。
【0025】
なお、TiN 膜の形成時の基板温度を400℃以上にすると、SRO膜とTiN 膜が反応するので好ましくない。例えば、基板温度を500℃としてSRO膜上にTiN 膜を形成すると、SRO膜は酸素を失い、SRO膜とTiN 膜の間には酸化チタン(TiO2)が形成される。その酸化チタンによりSRO膜とTiN 膜の間に寄生容量が生じて、キャパシタの総容量が低くなってしまう。
【0026】
以上のことから、SRO膜の保護膜として厚さ20nmよりも薄いTiN 膜が有効であることがわかる。
上記した第1〜第5の試料のSEM写真とX線回折によれば、SRO膜のアニール時の保護膜として、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の二層構造か、あるいは膜厚20nmより薄い窒化チタン膜が、SRO膜の分解を防止し、上部電極とタングステンプラグのコンタクト抵抗を低減させるもことがわかった。したがって、そのような保護膜は、SRO/BST/SROキャパシタの劣化を防止するために有効である。
【0027】
次に、SRO膜の保護膜としてSiN /SiO2の二層構造膜、又は20nmより薄い窒化チタン膜を用いた場合のキャパシタ構造を図9、図10に基づいて説明する。
図9において、シリコン基板11の表面にはLOCOS膜12に隣接して不純物拡散層13が形成されている。そのシリコン基板11の上には、SiO2、PSG、BPSG等の第一の層間絶縁膜14が形成され、そのうち不純物拡散層13の上にはコンタクトホール15が形成されている、
コンタクトホール15内には、タングステン層16a上にバリアメタル層16bを重ねて構成される第一のプラグ16が形成されている。また、第一のプラグ16と第一の層間絶縁膜14の上には第二の層間絶縁膜17が形成され、そこには第一のプラグ16を露出する凹部18が形成されている。
【0028】
その凹部18の底面と側面には、第一のSRO膜19が形成されている。さらに、第一のSRO膜19の上と第二の層間絶縁膜17の上には、BST20と第二のSRO膜21が順に形成され、それらの膜は所望の形状にパターニングされている。
第二のSRO膜21の上には、TEOSガスを用いて膜厚50nm以下のSiO2膜22aが形成され、そのSiO2膜22aの上にはシランとアンモニアを用いてSiN 膜22bが形成されている。そのSiO2膜22aとSiN 膜22bの二層構造は第二のSRO膜21の保護膜22として機能し、その保護膜22は、フォトリソグラフィー法によって微細にパターニングすることが容易である。
【0029】
第一のSRO膜19はキャパシタの下部電極として、BST膜20はキャパシタの誘電体膜として、第二のSRO膜21はキャパシタの上部電極として使用される。
さらに、保護膜22の上には第三の層間絶縁膜23が形成されている。第三の層間絶縁膜23と保護膜22は連続的にパターニングされて、第二のSRO膜21の一部の上に開口24が形成されている。
【0030】
その開口24内には、窒化チタン膜25aとタングステン25bよりなる第二のプラグ25が埋め込まれている。その窒化チタン膜25aは、20nmよりも薄く、且つ400℃よりも低い基板温度で形成されることが好ましい。
以上のような構造を有する半導体装置を水素含有雰囲気で加熱しても、SiN /SiO2保護膜22により第二のSRO膜21の膜質の劣化が防止される。なお、第二のプラグ25と第二のSRO膜22の間の窒化チタン膜24は膜厚20nmより薄く、400℃以下で形成されることが好ましい。
【0031】
図10は、第二のSRO膜21上の保護膜として、 SiN/SiO2膜の代わりに窒化チタン膜を用いた例を示している。図10において、図9と同じ符号は同じ要素を示している。
図10において、第二のSRO膜21の上には窒化チタンよりなる保護膜30が形成されている。400℃よりも低い基板温度条件でスパッタにより窒化チタン保護膜30が20nmよりも薄い例えば15nm以下の厚さに形成されている。そして、その保護膜30は、フォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングが容易であり、そのパターニングの後に窒化チタン保護膜30と第二の層間絶縁膜17は第三の層間絶縁膜23に覆われる。
【0032】
第三の層間絶縁膜23には、窒化チタン保護膜30の一部に達する開口24aが形成され、その開口24a内には窒化チタン25aとタングステン膜25bよりなる第二のプラグ25が埋め込まれる。
そのような構造を有する半導体装置を水素雰囲気で加熱しても、窒化チタン保護膜30によって第二のSRO膜21の膜質の劣化が防止される。
【0033】
なお、キャパシタの上部電極としてSRO膜に限定されるものではなく、その他のルテニウムを含む導電膜を用いてもよい。また、上部電極に接続されるプラグとして、アルミニウムを含む膜を用いてもよい。
キャパシタの誘電体膜として、BST((Ba x Sr1-x )TiO3 、但し0≦x≦1)の代わりにSTO(SrTiO3)、酸化タンタル(Ta2O5 )、PZT(Pb(Zr x Ti1-x )O3 、但し0≦x≦1) 、PLZT((Pb y La1-y )(Zrx Ti1-x )O3 、但し0≦x≦1、0≦y≦1) を用いてもよい。また、保護膜として、上記した材料の他にアルミナ(Al2O3 )を用いてもよい。
{付 記}
(1)半導体基板上方に形成されたルテニウムを含む導電膜の上に、下から順に酸化シリコンと窒化シリコンを積層してなる二層構造膜と窒化チタン膜の少なくとも1つを保護膜として形成する工程と、前記保護膜の形成後に前記半導体基板を還元雰囲気中で加熱する工程とを有する半導体装置の製造方法。
(2)前記二層構造膜を構成する前記酸化シリコンは50nmよりも薄いことを特徴とする(1)に記載の半導体装置の製造方法。
(3)前記窒化チタン膜は、400℃よりも低い基板温度で20nmより薄く形成されることを特徴とする(1)に記載の半導体装置の製造方法。
【0034】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、SRO膜のようなルテニウムを含む導電膜上に形成される保護膜として、酸化シリコンと窒化シリコンの二層構造膜と窒化チタン膜のうち少なくとも1つを選択したので、そのような保護膜によれば、基板を還元雰囲気中でアニールする際に、ルテニウムを含む導電膜の劣化を防止でき、しかも、その導電膜とその上に形成されるプラグとのコンタクト抵抗の上昇を抑制し、保護膜剥がれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図2】半導体装置に使用されるSRO膜のアニーリングの前と後の状態を示すSEM写真である。
【図3】半導体装置に使用されるSRO膜を窒化シリコン膜で覆った状態を示すSEM写真である。
【図4】半導体装置に使用されるSRO膜を酸化シリコン膜で覆った状態を示すSEM写真である。
【図5】本発明の実施形態に係る半導体装置のSiN /SiO2/SRO構造をアニーリングする前と後の状態を示すSEM写真である。
【図6】半導体装置に使用されるSRO膜を膜厚20nmのSiN 膜で覆い、アニーリングする前の状態を示すSEM写真である。
【図7】半導体装置に使用されるSRO膜を膜厚20nmのSiN 膜で覆い、アニーリングした後の状態を示すSEM写真である。
【図8】本発明の実施形態に係る半導体装置における窒化チタン/SROをアニーリングした後の状態を示すSEM写真である。
【図9】本発明の実施形態に係る第1の半導体装置を示す断面図である。
【図10】本発明の実施形態に係る第2の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
11…シリコン基板(半導体基板)、12…LOCOS、13…不純物拡散層、14、17、23…層間絶縁膜、15…コンタクトホール、16…第一のプラグ、18…凹部、19…第一のSRO膜、20…BST膜、21…第二のSRO膜、22…保護膜、22a…酸化シリコン膜、22b…窒化シリコン膜、24…開口、25…プラグ、25a…窒化チタン膜、25b…タングステン膜、30…保護膜。
Claims (6)
- 半導体基板の上に第一の絶縁膜を形成する工程と、
ストロンチウム・ルテニウム酸化膜をキャパシタ下部電極として前記第一の絶縁膜上に形成する工程と、
前記キャパシタ下部電極の上にキャパシタ誘電体膜を形成する工程と、
前記キャパシタ誘電体膜の上にストロンチウム・ルテニウム酸化膜をキャパシタ上部電極として形成する工程と、
前記キャパシタ上部電極の上に、下から順に酸化シリコンと窒化シリコンを積層してなる二層構造膜と20nmよりも薄い窒化チタン膜の少なくとも1つを保護膜として形成する工程と、
前記保護膜の形成後に前記半導体基板を水素を含む雰囲気中で加熱する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第一の絶縁膜を形成する工程の後、前記ストロンチウム・ルテニウム酸化膜を前記キャパシタ下部電極として形成する工程の前に、前記第一の絶縁膜内に前記キャパシタ下部電極と接続される第一のプラグを埋め込み、
前記二層構造膜と前記窒化チタン膜の少なくとも1つを保護膜として形成する工程の後に、前記保護膜の上に第二の絶縁膜を形成し、該第二の絶縁膜に、前記キャパシタ上部電極に電気的に接続される第二のプラグを埋め込むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記キャパシタ誘電体膜は、BST、STO、Ta2O5、PZT又はPLZTのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第二のプラグは、前記キャパシタ上部電極の上に、窒化チタン膜を介して形成されたタングステン又はアルミニウムを含む膜から構成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の上に形成された第一の絶縁膜と、
前記第一の絶縁膜上に形成された、ストロンチウム・ルテニウム酸化膜からなるキャパシタ下部電極と、
前記キャパシタ下部電極の上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、
前記キャパシタ誘電体膜の上に形成された、ストロンチウム・ルテニウム酸化膜からなるキャパシタ上部電極と、
前記キャパシタ上部電極の上に形成されて水素を含む雰囲気中で加熱する際に前記ストロンチウム・ルテニウム酸化膜を保護し、かつ、下から順に酸化シリコンと窒化シリコンを積層してなる二層構造膜と20nmよりも薄い窒化チタン膜の少なくとも1つからなる保護膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記二層構造膜を構成する前記酸化シリコンは50nmよりも薄いことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
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