JP4579975B2 - Rf誘導ハイパーサーミアのための機能強化されたシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
本出願は、System and Method For RF−Induced Hyperthermiaと題され、2004年5月7日に出願された、出願番号第60/569,348号の仮出願の優先権とその利益とを主張し、上記仮出願は、参照のため、本明細書に援用される。本出願はまた、System and Method for RF−Induced Hyperthermiaと題され、2004年10月20日に出願された、出願番号第10/969,477号の非仮出願の一部継続出願であり、その優先権を主張する。上記非仮出願は、参照のため、本明細書に援用される。本出願はまた、Systems and Methods for Combined RF−Induced Hyperthermia and Radioimmunotherapyと題され、2005年2月3日に出願された、米国特許出願番号第11/050,478号にも関連し、Systems and Methods for RF−Induced Hyperthermia Using Biological Cells and Nanoparticles as RF Enhancer Carriersと題され、2005年2月3日に出願された、米国特許出願番号11/050,481号にも関連する。両出願は、参照のため、本明細書に援用される。
本発明は、概して、無線周波数(RF)回路の分野に関連し、特に、標的領域にハイパーサーミア(hyperthermia)を発生させるためのRF送信器およびRF受信器のシステムおよび方法に関する。
ハイパーサーミアは、特に治療目的で人工的に誘導されたときの非常に高い加熱によって特徴付けられる。RF電磁エネルギーは、9000Hzから3THz(3000GHz)までの無線スペクトルに存在する任意の周波数の電磁エネルギーである。例えば病気の細胞を破壊すること(例えば、特許文献1)のような治療目的のために、ヒトの細胞内にハイパーサーミアを意図的に誘導するため、コンタクトアンテナを使用してRF電磁放射を誘導することは、当業者には周知である。様々な文献に記述されているその他いくつかの従来技術のRF加熱装置もまた、存在する(例えば、日本の大阪にあるYamamoto Viniter Co.製のThermotron RF−8システム、ロシア製のΘΚCTPATEPMシステム、ならびにLeVeenによる特許文献2、特許文献3、特許文献4)。
本発明の1つの例示的な実施形態にしたがい、例えば腫瘍または腫瘍の一部または標的化された癌細胞のような標的の少なくとも一部にハイパーサーミアを誘導する方法が提供される。この第1の例示的な方法において、患者に対し、例えばRF吸収粒子に結合した抗体のような標的化されたRF吸収エンハンサーが、導入される。これら標的化されたRF吸収エンハンサーは、標的領域における特定の細胞を標的化し、ハイパーサーミアを生成する標的領域に向けられるRF信号の効果を強化する。ある意味で標的化されたRF吸収エンハンサーは、標的領域内の細胞に1つ以上の人工的なRF吸収周波数を追加し得る。このことにより、ハイパーサーミアを生成する上記の周波数(単数または複数の)におけるRF信号が、標的化された細胞を加熱することを可能にし得る。
本発明の例示的な実施形態は、本明細書に援用され本明細書の一部を構成する添付の図面において示されている。これは、上記で与えられた本発明の概略的な記述と以下で与えられる詳細な記述と合わせることにより、本発明の原理を例示化するのに役立つ。
Claims (56)
- 患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、該非侵襲装置は、
(a)送信ヘッドと回路通信しているRF生成器を有するRF送信器であって、該RF生成器は、該送信ヘッドを介した送信に対して少なくとも1つの周波数を有するハイパーサーミア誘導RF信号を生成できる、RF送信器と、
(b)該標的細胞に結合することによって特徴付けられた、標的RF吸収エンハンサーであって、該結合によって、該RF信号と該標的RF吸収エンハンサーとの間の相互作用による、該RF信号に応答した標的細胞の加熱を増大し、該標的RF吸収エンハンサーは、少なくとも1つの導電性の粒子を含む、標的RF吸収エンハンサーと、
(c)該標的RF吸収エンハンサーを該患者に導入する手段と、
(d)該送信ヘッドを介して送信された該RF信号が、少なくとも標的細胞に結合された該標的RF吸収エンハンサーを通過し加温するような態様で、該標的細胞を含んでいる該患者の体の少なくとも一部の近位で該患者の外部に該送信ヘッドを配置する手段と、
(e)該患者の外部の該送信ヘッドを介して該RF信号を送信する手段であって、該送信によって、標的細胞に結合された該標的RF吸収エンハンサーを加温する、手段と、
(f)該患者を通過した該RF信号の少なくとも一部を受信する手段と
を備える、非侵襲装置。 - 請求項1に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーの一部が、該標的細胞の細胞膜または該標的細胞内の分子構造に結合する、非侵襲装置。
- 請求項1に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーの一部が、該標的細胞によって摂取される、非侵襲装置。
- 請求項1に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記患者を通過したRF信号の少なくとも一部を受信する手段が、受信ヘッドと回路通信している共振回路を有するRF受信器を備える、非侵襲装置。
- 請求項1に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、ハイパーサーミアが誘導される該標的細胞の少なくとも1つの特性に基づいて、複数の異なる種類の標的RF吸収エンハンサーから前記標的RF吸収エンハンサーを選択する手段をさらに備える、非侵襲装置。
- 請求項1に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのRF吸収粒子に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該生体分子は、該標的細胞のうちの少なくとも1つにおける標的生体分子を標的にすることによって特徴付けられる、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのRF吸収粒子に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分は、該標的細胞のうちの少なくとも1つにおける標的生体分子を標的にすることによって特徴付けられる、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの圧電結晶を含み、該少なくとも1つの圧電結晶は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの圧電結晶に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該少なくとも1つの圧電結晶は、該少なくとも1つの生体分子に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項8に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの粒子周波数が、前記少なくとも1つのRF吸収粒子の共振周波数を含む、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの同調電子回路を含み、該少なくとも1つの同調電子回路は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの同調電子回路に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該少なくとも1つの同調電子回路は、該少なくとも1つの生体分子に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項10に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの同調電子回路が、少なくとも1つの同調RF(TRF)回路を含み、該少なくとも1つのTRF回路は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのTRF回路に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該少なくとも1つのTRF回路は、該少なくとも1つの生体分子に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項11に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのTRF回路が、受信されたRF信号の整流のための少なくとも1つの整流器を含む、非侵襲装置。
- 請求項10に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの同調電子回路が、少なくとも1つのLCタンク回路を含み、該少なくとも1つのLCタンク回路は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのLCタンク回路に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該少なくとも1つのLCタンク回路は、該少なくとも1つの生体分子に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項10に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの同調電子回路が、受信されたRF信号の整流のための少なくとも1つの整流器と回路通信している少なくとも1つのLCタンク回路であって、関連する少なくとも1つの粒子周波数を有する、少なくとも1つのLCタンク回路を含み、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの整流器と回路通信している少なくとも1つのLCタンク回路に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該少なくとも1つのLCタンク回路は、該少なくとも1つの生体分子に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金属の粒子を含み、さらに、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの導電性の金属の粒子に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該少なくとも1つの導電性の金属の粒子は、該少なくとも1つの生体分子に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金の粒子を含み、さらに、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの導電性の金の粒子に結合された少なくとも1つの生体分子を含み、該少なくとも1つの導電性の金の粒子は、該少なくとも1つの生体分子に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金属のナノ粒子を含み、さらに、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのナノ粒子に結合された少なくとも1つの生体分子を含む、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金のナノ粒子を含み、さらに、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの導電性の金のナノ粒子に結合された少なくとも1つの生体分子を含む、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの圧電結晶を含み、該少なくとも1つの圧電結晶は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの圧電結晶に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該少なくとも1つの圧電結晶は、該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの同調電子回路を含み、該少なくとも1つの同調電子回路は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの同調電子回路に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該少なくとも1つの同調回路は、該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項20に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも1つの同調電子回路が、少なくとも1つの同調RF(TRF)回路を含み、該少なくとも1つのTRF回路は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのTRF回路に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該少なくとも1つのTRF回路は、該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項21に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つのTRF回路が、受信されたRF信号の整流のための少なくとも1つの整流器を含む、非侵襲装置。
- 請求項20に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも1つの同調電子回路が、少なくとも1つのLCタンク回路を含み、該少なくとも1つのLCタンク回路は関連する少なくとも1つの粒子周波数を有し、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのLCタンク回路に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該少なくとも1つのLCタンク回路は、該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項20に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも1つの同調電子回路が、受信されたRF信号の整流のための少なくとも1つの整流器と回路通信する少なくとも1つのLCタンク回路であって、関連する少なくとも1つの粒子周波数を有する、少なくとも1つのLCタンク回路を含み、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの整流器と回路通信している少なくとも1つのLCタンク回路に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該少なくとも1つのLCタンク回路は、該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さく、さらに、前記RF送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導RF信号が、該少なくとも1つの粒子周波数に対応する少なくとも1つの周波数を有する、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金属の粒子を含み、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの導電性の金属の粒子に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該少なくとも1つの導電性の金属の粒子が、該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金の粒子を含み、さらに、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの導電性の金の粒子に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該少なくとも1つの導電性の金の粒子は、該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分に結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ該少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金属のナノ粒子を含み、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つのナノ粒子に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項6に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記少なくとも1つの生体分子が、少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも1つのRF吸収粒子が、少なくとも1つの導電性の金のナノ粒子を含み、さらに、前記標的RF吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも1つの導電性の金のナノ粒子に結合された少なくとも1つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、5、6、7、9、14、16、18、19、24、または26のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記RF信号が、前記標的RF吸収エンハンサーにおいて使用されている特定のRF吸収粒子に対応するように選択されたパラメータを有する周波数変調(FM)ハイパーサーミア誘導RF信号である、非侵襲装置。
- 請求項1、5、6、7、9、14、16、18、19、24、または26のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記RF信号が、前記標的RF吸収エンハンサーにおいて使用されている名目上のRF吸収粒子の共振周波数に対応する中心周波数を有する周波数変調(FM)ハイパーサーミア誘導RF信号であり、該FMハイパーサーミア生成信号の変調が、該標的RF吸収エンハンサーにおいて使用されている該RF吸収粒子のパラメータの範囲に対応する、非侵襲装置。
- 請求項14〜請求項17または請求項24〜請求項27のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記RF信号が、前記標的RF吸収エンハンサーにおいて使用されている名目上にサイズ変更されたRF吸収粒子の共振周波数に対応する中心周波数を有する周波数変調(FM)ハイパーサーミア誘導RF信号であり、該FMハイパーサーミア生成信号の変調が、該標的RF吸収エンハンサーにおいて使用されている該RF吸収粒子のサイズ許容範囲に対応する、非侵襲装置。
- 請求項1、5、6、7、9、14、16、18、19、24、または26のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーのうちの前記かなりの数の前記RF吸収粒子が、共振周波数の関連範囲という結果となる関連製造許容範囲を有し、さらに、前記RF信号が、該標的RF吸収エンハンサーのうちの該かなりの数における該RF吸収粒子の該製造許容範囲に関連する該共振周波数の範囲に対応する複数の周波数を含む、非侵襲装置。
- 請求項1〜32のいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記RF信号が高Q回路を介して前記RF吸収エンハンサーに結合されている、非侵襲装置。
- 請求項1〜32のいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記RF信号が高Q共振回路を介して前記RF吸収エンハンサーに結合されている、非侵襲装置。
- 請求項15、25および31のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記RF吸収エンハンサーが、少なくとも1つのRF吸収マイクロ粒子に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項15、25および31のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記RF吸収エンハンサーが、放射性核種の少なくとも1つのRF吸収粒子に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項15、25および31のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記RF吸収エンハンサーが、放射性核種の少なくとも1つのRF吸収マイクロ粒子に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項15、25および31のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記RF吸収エンハンサーが、放射性核種の少なくとも1つのRF吸収ナノ粒子に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、RF吸収金に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、RF吸収銅に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーのうちの少なくとも1つの粒子が、RF吸収銅を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、RF吸収金属に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、RF吸収放射性核種に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、RF吸収2FDGに結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、RF吸収銅−67に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、RF吸収銅−64に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、銅のRF吸収放射性核種に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記標的RF吸収エンハンサーが、金のRF吸収放射性核種に結合されている標的部分を含む、非侵襲装置。
- 請求項1、29、30および32のうちのいずれか一項に記載の非侵襲装置であって、前記RF吸収エンハンサーが、部分的に劣化された放射性物質を含む、非侵襲装置。
- 患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、該非侵襲装置は、
(a)送信ヘッドと回路通信しているRF生成器を有するRF送信器であって、該RF生成器は、該送信ヘッドを介した送信に対して少なくとも1つの周波数を有するハイパーサーミア誘導RF信号を生成できる、RF送信器と、
(b)RF吸収エンハンサーであって、それによって、該RF信号と該RF吸収エンハンサーとの間の相互作用による該RF信号に応答した標的細胞の加熱を増大し、該RF吸収エンハンサーが、対応周波数の関連範囲という結果となる関連製造許容範囲を有し、さらに、該RF信号が、該RF吸収エンハンサーの該製造許容範囲に関連する共振周波数の範囲に対応する複数の周波数を含み、該RF吸収エンハンサーは、少なくとも1つの導電性の粒子を含む、RF吸収エンハンサーと、
(c)該RF吸収エンハンサーを該患者に導入する手段と、
(d)該送信ヘッドを介して送信された該RF信号が少なくとも該RF吸収エンハンサーを通過し加温するような態様で、該標的細胞を含んでいる該患者の体の少なくとも一部の近位で該患者の外部に該送信ヘッドを配置する手段と、
(e)該患者の外部の該送信ヘッドを介して該RF信号を送信する手段であって、それによって、該RF吸収エンハンサーを加温する、手段と、
(f)該患者を通過した該RF信号の少なくとも一部を受信する手段と
を備える、非侵襲装置。 - 請求項50に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記RF信号が、前記RF吸収エンハンサーに対応するように選択されたパラメータを有する周波数変調(FM)ハイパーサーミア誘導RF信号である、非侵襲装置。
- 請求項50に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記RF信号が、名目上のRF吸収エンハンサーの共振周波数に対応する中心周波数を有する周波数変調(FM)ハイパーサーミア誘導RF信号であり、該FMハイパーサーミア生成信号の変調が、該RF吸収エンハンサーの許容範囲に対応する、非侵襲装置。
- 請求項50に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記対応周波数の範囲が、共振周波数の範囲を含む、非侵襲装置。
- 請求項1または50に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記RF信号の少なくとも一部を受信する受信ヘッドであって、前記患者の外部の前記送信ヘッドと異なる受信ヘッドを備える、非侵襲装置。
- 請求項54に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記患者の外部の前記送信ヘッドおよび該患者の外部の前記受信ヘッドは、前記患者から絶縁されている、非侵襲装置。
- 請求項55に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する非侵襲装置であって、前記患者の外部の前記送信ヘッドおよび該患者の外部の前記受信ヘッドは、空隙によって前記患者から絶縁されている、非侵襲装置。
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