JP4578936B2 - インキ供給制御装置 - Google Patents

Description

本発明は、所望の印刷濃度を得るべく印刷機のインキツボ開度を制御するためのインキ供給制御装置に関する。

印刷機において適正なインキ供給量を設定するべく、印刷物の濃度測定装置によって測定された濃度に応じてインキツボ開度を制御することにより、インキ供給量を制御する制御装置が知られている。

インキツボは、インキツボローラとブレードとを有し、インキツボローラに対するブレードの位置（すなわち、ブレードとインキツボローラとの間隙の量）を調整することによりインキツボ開度を調整し、インキ供給量を制御している。このようなインキ供給制御装置において、ブレードの位置検出を行うために、ポテンショメータが用いられる（例えば、特許文献１）。

ポテンショメータは、可変抵抗器と、ブレードの移動に伴って可変抵抗器上の所定の使用領域内を摺動する摺動子とを具備する。摺動子の位置が変化することにより可変抵抗器の抵抗値が変化することを利用して、可変抵抗器の抵抗値を検出することにより、摺動子に伴って移動するブレードの位置、ひいてはインキツボ開度を検出する。
特開平５−２４６０１４号公報

しかし、上記のようなポテンショメータを用いる際に以下のような問題が生じていた。摺動子は、可変抵抗器上を摺動するため、長年使用すると、摺動子および可変抵抗器が磨耗し、接触不良が生じ得る。接触不良が生じると正常な抵抗値が得られず、正確なインキツボ開度制御が行えなくなる。特に、使用するインキツボの開度は、印刷対象またはユーザの使用態様により似たような位置になることが多く、当該位置付近の可変抵抗器の劣化が最も激しく、ポテンショメータの寿命を短くしてしまう結果となっていた。

本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するべくなされたもので、ポテンショメータの接触不良を軽減し、ポテンショメータの寿命をより長く保つことができるインキ供給制御装置を提供することを目的とする。

本発明に係るインキ供給制御装置は、インキツボローラとブレードとを有し、ブレードの位置に応じてインキツボ開度が変化するインキツボ、および、可変抵抗器と前記ブレードの移動に伴って前記可変抵抗器の全抵抗領域のうちの所定の使用領域上を導通接触しつつ摺動する摺動子とを有し、前記使用領域の一端部と摺動子との間の可変抵抗器の抵抗値に基づいてブレードの位置検出を行うポテンショメータを具備し、ポテンショメータから検出されるブレードの位置に基づいてインキツボ開度の制御を行うためのインキ供給制御装置であって、前記可変抵抗器に対する摺動子の相対移動範囲によって規定される使用領域が複数用意され、それら複数の使用領域を切り替え可能に構成したことを特徴とする。
また、本発明に係るインキ供給制御装置は、前記可変抵抗器の使用領域の一端部及び他端部が、前記摺動子の摺動方向のいずれかの方向に同じ変更量だけずれることにより該摺動子の相対移動範囲を異ならせることを特徴としている。

上記構成のインキ供給制御装置によれば、インキツボローラとブレードとを有するインキツボおよびポテンショメータを具備し、ポテンショメータから検出されるブレードの位置に基づいてインキツボ開度の制御を行う。ポテンショメータは、可変抵抗器と摺動子とを具備し、可変抵抗器の全抵抗領域のうち所定の使用領域上を摺動子が導通接触しつつ摺動することにより可変抵抗器上の使用領域の一端部と摺動子との間の抵抗値が変化することを用いて、摺動子とともに移動するブレードの位置を検出する。なお、可変抵抗器上あるいは使用領域上とは、可変抵抗器自体の位置関係によらず、可変抵抗器の面上であることを意味する。

ここで、可変抵抗器の所定の使用領域は、使用領域変更手段により変更可能に構成される。すなわち、可変抵抗器の使用領域の一端部および／または他端部の位置を変更することにより、摺動子の相対移動範囲が変化する。言い換えれば、ブレードが同じ位置にあるときでも、使用領域の変更後は可変抵抗器に対するブレードの相対位置が異なるため、異なる抵抗値を示すこととなる。

したがって、可変抵抗器の使用領域を適宜変更することにより、使用頻度の高いインキツボ開度（すなわち、停止頻度の高いブレード位置）においても、可変抵抗器の劣化を防止することができるため、ポテンショメータの接触不良を軽減し、ポテンショメータの寿命をより長く保つことができる。

本発明に係るインキ供給制御装置によれば、可変抵抗器の使用領域を適宜変更することにより、使用頻度の高いインキツボ開度（すなわち、停止頻度の高いブレード位置）においても、劣化を防止することができるため、ポテンショメータの接触不良を軽減し、ポテンショメータの寿命をより長く保つことができる。

以下、添付図面を参照しつつ、本発明を実施するための最良の形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に係るインキ供給制御装置の構成を示す概略ブロック図である。

本実施形態に係るインキ供給制御装置１は、インキツボローラ２１とブレード２２とを有し、ブレード２２の位置に応じてインキツボ開度が変化するインキツボ２、および、可変抵抗器３１と前記ブレード２２の移動に伴って前記可変抵抗器３１の全抵抗領域Ｒのうちの所定の使用領域Ａ上を導通接触しつつ摺動する摺動子３２とを有し、前記使用領域Ａの一端部と摺動子３２との間の可変抵抗器３１の抵抗値に基づいてブレード２２の位置検出を行うポテンショメータ３を具備し、ポテンショメータ３から検出されるブレード２２の位置に基づいてインキツボ開度の制御を行うためのインキ供給制御装置１であって、前記可変抵抗器３１上の所定の使用領域Ａが変更可能に構成される使用領域変更手段４１として機能するＣＰＵ４を具備するものである。本実施形態において、インキツボ２は、インキツボ２のブレード２１とポテンショメータの摺動子３２とを連動させるために、一端がインキツボ２のブレード２１に当接され、他端が摺動子３２に取り付けられたインキツボキー２３およびＣＰＵ４の制御に基づいてインキツボキー２３を駆動するモータ２４を具備している。なお、図１においては、簡単のため１つのブレード２２および１つのインキツボキー２３が表示されているが、本実施形態は、複数のブレード２２および複数のインキツボキー２３を備え、複数のブレード２２のそれぞれにインキツボキー２３が配置され、ブレード２２ごとにインキツボキー２３を用いて制御するものである。

また、ポテンショメータ３の検出結果（現在のインキツボ開度）をデータとして保存したり、インキツボ開度の補正テーブルを記憶したり、ＣＰＵ４を各種制御手段として機能させるプログラムを記憶したり、インキツボ開度やインキツボ開度の補正値等を各制御処理に使用すべく一時記憶するためのＲＡＭ、ＲＯＭおよびハードディスク等からなる記憶手段７、現在のインキツボ開度を表示するモニタ等のインキツボ開度表示手段５およびユーザが各種制御処理を指示等するための入力手段（本実施形態においてはＧＵＩ６（グラフィックユーザインターフェイス））を具備する。インキツボ２（モータ２４）、ポテンショメータ３、ＣＰＵ４、記憶手段７、インキツボ開度表示手段５およびＧＵＩ６は、信号バス８を通じて相互通信可能に構成される。なお、インキツボ２およびポテンショメータ３を除く上記の構成は、汎用のパーソナルコンピュータを使用することもできるし、専用のインキ供給制御装置１として構成することもできる。

上記構成のインキ供給制御装置１によれば、ポテンショメータ３から検出されるインキツボ２のブレード２２の位置に基づいてインキツボ開度の制御を行う。ポテンショメータ３は、可変抵抗器３１の所定の使用領域Ａ上を摺動子３２が導通接触しつつ摺動することにより可変抵抗器３１の使用領域Ａの一端部と摺動子３２との間の抵抗値が変化することを用いて、摺動子３２とともに移動するブレード２２の位置を検出する。

本実施形態においては、図１に示すように、インキツボキー２３が送りねじで構成され、モータ２４を駆動してインキツボキー２３を軸回転させることにより、可変抵抗器３１に対して水平方向に移動させる。これにより、インキツボキー２３に当接されるブレード２２が一端部を軸に回動してインキツボローラ２１との間隙が調整される。また、可変抵抗器３１上に使用領域Ａが直線状に形成されるとともに、インキツボキー２３に取り付けられた摺動子３２が可変抵抗器３１上を水平直線往復移動することにより、ポテンショメータ３において検出される抵抗値が変化する。なお、本実施形態においては、摺動子３２が水平直線往復移動するような可変抵抗器３１の構成を有しているが、これに限られるものではなく、可変抵抗器３１の使用領域Ａが円周上または円弧状に形成されており、インキツボキー２３が軸方向に移動することにより、摺動子３２が当該円周上または円弧状の使用領域Ａ上を摺動する構成を有するポテンショメータ等、種々のポテンショメータを採用可能である。また、可変抵抗器３１上あるいは使用領域Ａ上とは、可変抵抗器３１自体の位置関係によらず、可変抵抗器３１の面上であることを意味する。

ここで、可変抵抗器３１の所定の使用領域Ａは、使用領域変更手段４１により変更可能に構成される。図２（ａ）は本実施形態の可変抵抗器における使用領域の変化を説明するための概念図である。

本実施形態においては、図２（ａ）に示されるように、可変抵抗器３１は、均質の（測定する長さに抵抗値が比例する）抵抗体で構成される。また、可変抵抗器３１は、全抵抗領域Ｒ（０〜５ｋΩ）を有し、全抵抗領域Ｒのうち、使用領域Ａ（抵抗値差４ｋΩ分）が摺動子３２の移動範囲として規定される。また、摺動子３２の停止した位置において検出された使用領域Ａの一端部と摺動子３２との間の抵抗値から摺動子３２の位置（すなわち、ブレード２２の位置）がＣＰＵ４にて算出される。

また、本実施形態においては、所定の使用領域Ａを変更する際、前記使用領域Ａの一端部（下限値）における変更量と同じ方向および同じ変更量で当該使用領域Ａの他端部（上限値）も変更するように構成される。つまり、使用領域Ａが同じ抵抗値差（４ｋΩ）を保った状態でスライドする。さらに、本実施形態においては、いずれの使用領域Ａにおいても、使用領域Ａを変更する際の変更量が同じであるように構成される。つまり、次の使用領域に移行する際の移行ピッチが変更前の使用領域Ａに関わらず同じである。

この場合、可変抵抗器３１の使用領域Ａの一端部および他端部（下限値および上限値）が同じ変更量だけいずれかの方向にずれる（加算または減算される）ため、ブレード２２の位置検出の際に、変更した量だけ補正（減算または加算）すれば現在のブレード位置を容易に求めることができる。本実施形態においては、初期状態を使用領域Ａ１（０．５〜４．５ｋΩ）とし、さらに下限値および上限値を０．１ｋΩ（移行ピッチ）ずつ減じる方向にずらすことにより、変更用の使用領域Ａ２（０．４〜４．４ｋΩ），Ａ３（０．３〜４．３ｋΩ），Ａ４（０．２〜４．２ｋΩ）が規定されており、記憶手段７に使用領域情報として予め記憶される。なお、本実施形態においては、全ての使用領域をあわせても全抵抗領域Ｒより狭い範囲としているが、これは導通接触を確実に行うためのマージンを設けているものであり、摺動子３２の移動の精度によっては全抵抗領域Ｒの全体を使用領域Ａに充てることとしてもよい。

図３は本実施形態のインキ供給制御装置における可変抵抗器の使用領域変更制御処理についての流れを示すフローチャートである。

まず、ユーザがＧＵＩ６により、またはインキ供給制御装置１が稼働時間等に基づいて自動的に、可変抵抗器３１の使用領域Ａの変更が入力される（ステップＳ１１）。具体的には、ＧＵＩ６に複数の（本実施形態においてはＡ１〜Ａ４の４つが割り当てられた）ボタン表示の中からいずれかを選択入力する。または、ＣＰＵ４の有するタイマ（図示せず）により所定の稼働時間ごと（１年ごと等）にＡ１→Ａ２→Ａ３→…のように下限値の大きい順に使用領域Ａが自動的に切り替え制御される（双方を併用することも可能である）。

一般的に、インキツボ開度は、印刷開始時や印刷処理変更時には、摺動子３２が使用領域Ａの下限値近傍に位置するような最小開度（例えば、インキツボ開度≒０）となり、印刷開始等により所定の開度までインキツボ開度を大きくするべく制御することが多い。この場合、使用領域Ａの下限値近傍領域Ｂが劣化し易い領域となり、最小開度に正しく復帰しない場合が生じ得る。このような場合には、下限値の大きい順に使用領域Ａを切り替えることにより、変更後の使用領域Ａの下限値近傍領域Ｂにおいて変更前の使用領域Ａの範囲外の領域を使用することができるため、最小開度の検出精度（最小開度への復帰精度）を高めることができる。

さらに、ユーザの使用頻度の高い領域（例えば、図２（ａ）において斜線入り三角指標近傍領域）が劣化し易い領域となり得るが、一度劣化した領域が変更後において使用領域Ａの下限値とユーザの使用頻度の高い領域との間に挟まれることとなると、上記のようにインキツボ開度が最小開度からユーザの使用頻度の高いインキツボ開度になるようにブレード２２を開いていく途中で、接触不良が生じエラーが発生する場合が生じ得る。例えば、図２（ａ）の使用領域Ａ２において２．４ｋΩ近傍領域が使用頻度が高い領域とすると、使用領域をＡ２→Ａ１に変更させた場合の使用頻度が高い領域は、２．５ｋΩ近傍領域となり（詳しくは後述）、使用領域Ａ１における２．４ｋΩ近傍領域は、下限値近傍領域Ｂと使用頻度が高い領域との間に劣化領域となって存在するため、２．４ｋΩ近傍領域において接触不良が生じ得る。このような場合にも、下限値の大きい順に使用領域Ａを切り替えることにより、一度劣化した領域（ユーザの使用頻度の高い領域）が変更後において実質上使用しない領域となる。例えば、図２（ａ）の使用領域Ａ１においてユーザの使用頻度の高い領域を２．５ｋΩ近傍領域とすると、使用領域をＡ１→Ａ２に変更した場合、使用領域Ａ２においては、ユーザの使用頻度の高い領域は２．４ｋΩ近傍領域となる（詳しくは後述）ため、実質上の使用領域が下限値近傍領域Ｂと２．４ｋΩ近傍領域との間となり、劣化領域である２．５ｋΩ近傍領域は実質上使用されないこととなる。したがって、ブレード２２を動かしてインキツボ開度を大きくする際に接触不良が生じエラーが発生することを効果的に防止することができる。

なお、本実施形態においては、自動切り替えの際に、下限値の大きい順に使用領域が切り替えられることとしているが、下限値の小さい順に切り替えられることとしてもよいし、ランダムに切り替えられることとしてもよい。また、本実施形態においては、図２（ａ）に示すように、各使用領域Ａ１〜Ａ４の一部領域がそれぞれ重複しているが、図２（ｂ）に示すように、各使用領域Ａ１〜Ａ４が他の使用領域にそれぞれ重複しないように設定されてもよい。この場合は、いずれの順で切り替えられた場合であっても同じ使用領域Ａを使用しない限り、すべてのインキツボ開度で新しい（劣化のない）領域を使用することができる。

また、上記のような複数のボタン表示は用いずに、１つのボタン表示（もしくは実際の入力ボタンでもよい）を押下入力するごとに使用領域Ａが切り替わることとしてもよい。この場合には、上記のように下限値の大きい使用領域の順または下限値の大きい使用領域の順に変更されることとしてもよいし、過去使用したもののない使用領域からランダムに選択されることとしてもよい。また、設定されている使用領域Ａ１〜Ａ４までを全て使用した場合は、再びいずれかの使用領域Ａを選択可能とすることとしてもよい。この場合、Ａ１→Ａ２→…→Ａ４→Ａ１→…のように、昇順変更Ａ１→…→Ａ４を繰り返すこととしてもよいし、Ａ１→…→Ａ３→Ａ４→Ａ３→…のように、昇順変更Ａ１→…→Ａ４の後、降順変更Ａ４→…Ａ１とすることとしてもよい。また、そこで使用を停止し可変抵抗器３１（ポテンショメータ３）を取り替える旨報知（ＧＵＩ６等による警告表示、スピーカ（図示せず）からの警告音等）することとしてもよい。このように使用を停止する態様の場合には、あと何回変更可能かを示す変更可能残数を示すカウンタをＧＵＩ６に表示または別途表示することとしてもよい。

また、変更入力の際に、過去にすでに使用した使用領域Ａが分かるように、ＧＵＩ６上に使用履歴を表示することとしてもよい。例えば、ＧＵＩ６の使用領域ごとに割り当てられた複数のボタン表示において、過去の使用履歴が分かるように、過去使用したことのある使用領域Ａについて色変表示したり、使用履歴を別途表示することとしてもよい。使用履歴を表示することは、使用領域がランダムに切り替えられる場合や１つのボタン表示を採用する場合により有効である。さらに、前回使用した領域と重なる領域を含む使用領域Ａに対しては、それが分かるように表示することとしてもよい。

このような使用領域Ａの変更入力を受けたＣＰＵ４は、使用領域変更手段４１として機能し、使用領域Ａを変更設定する（ステップＳ１２）。そして、変更後の使用領域（例えばＡ２）は、記憶手段７に記憶される（ステップＳ１３）。この使用領域（Ａ２）は、後述するインキツボ開度表示制御処理およびインキツボ開度補正制御処理においても用いられる。そして、ＣＰＵ４は、ポテンショメータ３に対し使用領域の変更指示を伝達する（ステップＳ１４）。これを受けたポテンショメータ３は、可変抵抗器３１の使用領域Ａと摺動子３２の位置関係を変更する。

図４は本実施形態のインキ供給制御装置における可変抵抗器と摺動子との位置関係の変更例を示す図である。なお、図４においては使用領域を複数の線分にて表しているが、これは、１つの可変抵抗器３１の中に複数の使用領域Ａを有することを便宜的に示すものに過ぎない。図４（ａ）の例によれば、インキツボ２のインキツボキー２３と摺動子３２との相対位置が摺動子３２の移動方向に対して伸縮可能に構成されており、選択入力された使用領域Ａに合わせて伸縮調整される。また、図４（ｂ）の例によれば、摺動子３２が回転往復移動するような可変抵抗器３１の構成を有する場合に、可変抵抗器３１の使用領域Ａの抵抗下限値における可変抵抗器３１に対する摺動子３２の取り付け角度（回転開始角θ）を変化させることとしてもよい。また、上記例に限られず、摺動子３２ではなく可変抵抗器３１をスライドさせることにより相対的に摺動子３２の移動範囲を変化させること等、種々適用可能である。

このように、可変抵抗器３１の使用領域Ａの一端部および他端部の位置を変更することにより、摺動子３２の相対移動範囲が変化する。言い換えれば、ブレード２２が同じ位置にあるときでも、使用領域Ａの変更後は可変抵抗器３１に対するブレードの相対位置が異なるため、異なる抵抗値を示すこととなる。例えば、図２において、使用領域Ａ１が採用されており、ポテンショメータ３において摺動子３２が２．５ｋΩの位置にある（このときのインキツボ開度を６２．５％とする）ことを示す場合、使用領域Ａ２に変更すると、ブレード２１が同じ位置にあれば、ポテンショメータ３において摺動子３２が２．４ｋΩの位置にあることが示される。逆にいえば、使用領域Ａ２が採用されている場合にポテンショメータ３において摺動子３２が２．５ｋΩの位置にあることを示す場合、このときのインキツボ開度は、６５％であると言える（本実施形態においては０．１ｋΩあたり２．５％インキツボ開度が変化する）。

以上のように、可変抵抗器３１の使用領域Ａを適宜変更することにより、使用頻度の高いインキツボ開度（すなわち、停止頻度の高いブレード位置）においても、可変抵抗器３１の劣化を防止することができるため、ポテンショメータ３の接触不良を軽減し、ポテンショメータ３の寿命をより長く保つことができる。

ここで、本実施形態における使用領域変更制御処理において、前記可変抵抗器３１上の所定の使用領域Ａを変更した場合に、当該変更した量に応じて適正なインキツボ開度を算出する方法について説明する。

図５は本実施形態のインキ供給制御装置におけるインキツボ開度算出処理についての流れを示すフローチャートである。

まず、ＣＰＵ４は、記憶手段７に記憶されている現在の可変抵抗器３１の使用領域Ａを読み出し、Ａ１〜Ａ４のいずれであるかを検出する（ステップＳ２１）。そして、検出した可変抵抗器３１の使用領域Ａに基づいて現時点における実際のインキツボ開度を算出するための領域補正値を設定すべく実開度算出用領域補正値設定処理を行う（ステップＳ２２）。

図６は本実施形態のインキ供給制御装置における実開度算出用領域補正値設定処理についての流れを示すフローチャートである。検出された使用領域がＡ１である場合（ステップＳ２２１でＹｅｓ）、領域補正は必要ない（検出されるインキツボ開度＝実際のインキツボ開度）ため、領域補正値は０を算出する（ステップＳ２２２）。検出された使用領域がＡ２である場合（ステップＳ２２３でＹｅｓ）、インキツボ開度は上述したように２．５％（０．１ｋΩ分）少なく検出されるので、領域補正値は、＋２．５を算出する（ステップＳ２２４）。同様に、検出された使用領域がＡ３である場合（ステップＳ２２５でＹｅｓ）、領域補正値は、＋５．０を算出し（ステップＳ２２６）、検出された使用領域がＡ４である場合（ステップＳ２２５でＮｏ）、領域補正値は、＋７．５を算出する（ステップＳ２２７）。

一方、ＣＰＵ４は、図５に示すように、ポテンショメータ３を用いてブレード位置を検出し（ステップＳ２３）、検出されたブレード位置に、上記実開度算出用領域補正値設定処理において算出された領域補正値を加算して、現時点における実際のインキツボ開度を算出する（ステップＳ２４）。例えば、図２において、使用領域Ａ３である場合に、インキツボ開度が５７．５％（抵抗値２．３ｋΩ）と検出された場合、これにステップＳ２２６で算出された領域補正値＋５．０を加算した６２．５％が実際のインキツボ開度として算出される。なお、図２において、斜線入り三角指標の値がインキツボ開度（見かけのブレード位置）として検出された場合の実際のインキツボ開度（実際のブレード位置）は、斜線の入っていない三角指標（抵抗値２．５ｋΩ）で表される（つまり、斜線入りの三角指標は、すべて同じインキツボ開度を示している）。

このようにして算出された実際のインキツボ開度をインキツボ開度表示手段５により表示出力する（ステップＳ２５）。

したがって、可変抵抗器３１の使用領域Ａを変更した場合であっても、ユーザは、その変更量を気にすることなく変更前と同様に使用することができる。

さらに、本実施形態においては、図１に示すように、ＣＰＵ４を、印刷時のインキツボ開度および印刷物の印刷濃度と目標濃度との濃度差に基づいてインキツボ開度を補正してインキ供給量を制御するインキツボ開度補正手段４２として機能させるように構成される。

ＣＰＵ４は、自動的にまたはユーザの指示を受けて、インキツボ開度補正手段４２として機能し、印刷時のインキツボ開度および印刷物の印刷濃度と目標濃度との濃度差に基づいてインキツボ開度を補正する（ブレード２２の位置を変化させる）。この場合においても、使用領域が上記使用領域変更制御処理により変更された場合、使用領域変更制御処理における変更量に応じて適正なインキツボ開度の補正量が設定されるべく制御される。

図７は本実施形態のインキ供給制御装置におけるインキツボ開度補正処理についての流れを示すフローチャートである。

本処理においても、前述のインキツボ開度算出処理におけるステップＳ２１〜Ｓ２４（図５）と同様に、現時点における実際のインキツボ開度を算出する（ステップＳ３１〜Ｓ３４）。この後、ＣＰＵ４は、算出された実際のインキツボ開度および印刷物の印刷濃度と目標濃度との濃度差に基づいて記憶手段７に記憶されているインキツボ開度の補正テーブルより、所定のインキツボ開度補正値を読み出す（ステップＳ３５）。ＣＰＵ４は、このツボ開度補正値と領域補正値と実際のインキツボ開度とに基づいてポテンショメータ３における目標インキツボ開度を算出する（ステップＳ３６）。すなわち、ステップＳ３４において算出された実際のインキツボ開度にステップＳ３５において読み出されたインキツボ開度補正値を加算した（または減算した）ものが実際の目標インキツボ開度となり、さらに、ステップＳ３２で算出された領域補正値を減算することにより、ポテンショメータ３における（見かけの）目標インキツボ開度が算出される。見かけの目標インキツボ開度を算出することにより、ブレード２２の駆動制御を可変抵抗器３１の使用領域Ａによって切り換える必要なく行うことができる。

例えば、図２において、使用領域がＡ３である場合に、インキツボ開度が５７．５％（抵抗値２．３ｋΩ）と検出された場合、これにステップＳ２２６で算出された領域補正値＋５．０を加算した６２．５％が実際のインキツボ開度として算出される（ステップＳ３１〜ステップＳ３４）。このときのインキツボ開度補正値が−２．０％であった場合、実際の目標インキツボ開度は、６２．５−２．０＝６０．５％となり、見かけの目標インキツボ開度は、領域補正値＋５．０を減算した５５．５％となる。

ＣＰＵ４は、算出された見かけの目標インキツボ開度に基づいてブレード２２を駆動させるべくインキツボ２に指示する（ステップＳ３５）。そして、インキツボ開度が（見かけの）目標インキツボ開度になるまで制御する（ステップＳ３６）。

以上のように、可変抵抗器３１の使用領域Ａを変更した場合であっても、見かけの目標インキツボ開度を算出し、これに基づいて制御することによって、その変更量によらず、適正な補正を行うことができる。

図１は本発明の一実施形態に係るインキ供給制御装置の構成を示す概略ブロック図である。 図２（ａ）は本実施形態の可変抵抗器における使用領域の変化を説明するための概念図である。図２（ｂ）は可変抵抗器における使用領域の他の例を示す概念図である。 図３は本実施形態のインキ供給制御装置における可変抵抗器の使用領域変更制御処理についての流れを示すフローチャートである。 図４は本実施形態のインキ供給制御装置における可変抵抗器と摺動子との位置関係の変更例を示す図である。 図５は本実施形態のインキ供給制御装置におけるインキツボ開度表示制御処理についての流れを示すフローチャートである。 図６は本実施形態のインキ供給制御装置における実開度算出用領域補正値設定処理についての流れを示すフローチャートである。 図７は本実施形態のインキ供給制御装置におけるインキツボ開度補正制御処理についての流れを示すフローチャートである。

符号の説明

１ インキ供給制御装置
２ インキツボ
２１ インキツボローラ
２２ ブレード
３ ポテンショメータ
３１ 可変抵抗器
３２ 摺動子
４ ＣＰＵ
４１ 使用領域変更手段
Ａ，Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４ 使用領域

Claims (2)

1. インキツボローラとブレードとを有し、ブレードの位置に応じてインキツボ開度が変化するインキツボ、および、可変抵抗器と前記ブレードの移動に伴って前記可変抵抗器の全抵抗領域のうちの所定の使用領域上を導通接触しつつ摺動する摺動子とを有し、前記使用領域の一端部と摺動子との間の可変抵抗器の抵抗値に基づいてブレードの位置検出を行うポテンショメータを具備し、ポテンショメータから検出されるブレードの位置に基づいてインキツボ開度の制御を行うためのインキ供給制御装置であって、
   前記可変抵抗器に対する摺動子の相対移動範囲によって規定される使用領域が複数用意され、それら複数の使用領域を切り替え可能に構成したことを特徴とするインキ供給制御装置。
2. 前記可変抵抗器の使用領域の一端部及び他端部が、前記摺動子の摺動方向のいずれかの方向に同じ変更量だけずれることにより該摺動子の相対移動範囲を異ならせることを特徴とする請求項１に記載のインキ供給制御装置。

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