JP4578071B2 - ミリ波発振器 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば衛星通信や地上での極短距離通信、あるいは車載用の追突防止レーダ装置等に用いられるミリ波発振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のミリ波発振器は、例えば特許文献1に示されるような半導体基板上に所定の半導体層が積層されて作製されたメサ形状のガンダイオードを、特許文献2に示されるように、ミリ波共振器を構成する電極が形成された半絶縁性の平面基板あるいは絶縁体基板上にいわゆるフリップチップ実装するといった方法で作製されていた。
【0003】
すなわち、ガンダイオードとして、InPからなる半導体基板上に、高濃度n型InPからなる第1の半導体層,低濃度n型InPからなる活性層および高濃度n型InPからなる第2の半導体層が順に積層されてなり、底面の中央にアノード電極が形成され、底面の両側にカソード電極が形成されたフリップチップ型のInPガンダイオードを用いる。そして、半絶縁性の平面基板の表面に、信号電極と、この信号電極をまたぐように配置される2個の表面接地電極を各々形成し、裏面全体に裏面接地電極を形成し、2個の表面接地電極を個々のビアホールにより裏面接地電極と接続したマイクロストリップ線路を具備した共振器基板に、InPガンダイオードのアノード電極をマイクロストリップ線路の信号電極に接続するとともに、カソード電極をマイクロストリップ線路の各表面接地電極に接続する。これによって、ガンダイオードをミリ波共振器が形成された共振器基板にフリップチップ実装したガンダイオード発振器としてミリ波共振器が作製されていた。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−134808号公報
【0005】
【特許文献2】
特開2001−185782号公報
【0006】
【非特許文献1】
三井茂、他5名,「ガンダイオードの高信頼度化」,電子通信学会 信頼性研究会資料,1974年,p.13〜20
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のミリ波発振器においては、共振器基板とガンダイオードとの接続にはフリップチップ実装法が用いられていることから、実装に際して接続を確実とするためにガンダイオードに大きな荷重をかける必要がある。そして、この実装時の荷重によりガンダイオードの半導体結晶中に欠陥が誘発されることとなり(例えば、非特許文献1参照。)、このためミリ波出力が低下したり、信頼性が低下したりするという問題点があった。
【0008】
本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、ガンダイオードにその半導体結晶中に欠陥の発生を誘発するような物理的な荷重をかけたりする必要がなく、ガンダイオードを安定に動作させることができ、長期間動作の信頼性も高いミリ波発振器を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明のミリ波発振器は、n型半導体から成る基板の上面に凹部が形成されるとともにこの凹部内に上面が平坦な前記基板の凸部が形成され、この凸部の前記上面にn型半導体活性層とn型半導体層とが順次積層されてガンダイオード素子が形成されており、前記凹部に、前記凸部を覆い、かつ前記ガンダイオード素子の上面を露出させて誘電体が充填されているとともに、この誘電体上に前記ガンダイオード素子の前記上面に接合され、平面透視して前記ガンダイオード素子の上面と重なる表面領域が露出した共振器電極が形成されていることを特徴とするものである。
【0010】
本発明のミリ波発振器によれば、n型半導体から成る基板の上面に、上面にガンダイオード素子が形成された凸部が内部に形成された凹部が形成され、この凹部に、ガンダイオード素子の上面を露出させて凸部を覆うように誘電体が充填されているとともに、この誘電体上にガンダイオード素子の上面に接合された共振器電極が形成されていることから、従来のミリ波発振器では基板上の共振器電極にガンダイオードを接合する際に物理的な荷重がガンダイオードに加わっていたのに対して、ガンダイオード素子に荷重がかかることが一切無く、よってガンダイオード素子の半導体結晶の品質を劣化させることがないので、ガンダイオードを安定に動作させることができ、ミリ波発振出力を安定させることができるとともに、長時間動作についても高い信頼性を確保することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のミリ波発振器について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0012】
図1(a)は、本発明のミリ波発振器の実施の形態の一例を示す断面図であり、図1(b)は上面図である。
【0013】
図1において、1はn型半導体から成る基板、1aは基板1の上面に形成された凹部、1bは凹部1a内に形成された、上面が平坦な基板1の凸部、2は凸部1bの上面に形成されたn型半導体活性層、3はn型半導体活性層2の上に積層して形成されたn型半導体層であり、これら基板1と凸部1b上面のn型半導体活性層2とn型半導体層3とによりガンダイオード素子が形成されている。4は凸部を覆い、かつガンダイオード素子の上面を露出させて凹部1aに充填された誘電体であり、5は誘電体4上にガンダイオード素子の露出した上面に接合されて形成された共振器電極である。
【0014】
本発明のミリ波発振器は、このようにn型半導体から成る基板1の凹部1a内の凸部1bの上面にn型半導体活性層2とn型半導体層3とが順次積層されて形成されたガンダイオード素子に対して、このガンダイオード素子の上面を露出させて凹部1a内に充填された誘電体4上にガンダイオード素子の上面に接合するように共振器電極5を形成することによって構成されている。
【0015】
このような図1に示す例の本発明のミリ波発振器においては、ガンダイオード素子が基板1の上面に誘電体4から露出するように形成され、その上に共振器電極5が形成されているので、従来のミリ波発振器のようにガンダイオードの実装に際して物理的な荷重がガンダイオード素子に荷重がかかるようなことが一切無く、荷重がかかることによってガンダイオード素子の半導体結晶の品質を劣化させることがない。従って、ガンダイオード素子を安定に動作させることができ、ミリ波発振出力を安定させることができ、長期間の使用に対しても信頼性の高いものとなる。
【0016】
本発明のミリ波発振器におけるガンダイオード素子は、例えば5GHz〜100GHzの発振周波数を有するミリ波発振素子であり、n型半導体から成る基板1の凹部1a内の凸部1bの上面に、n型半導体活性層2およびn型半導体層3を順次積層することによって形成されている。これらの半導体としては、GaN,GaAs,GaSb,InN,InP,InAs,InSb等が用いられる。また、各半導体層2,3の厚みや基板1および各半導体層2,3の不純物濃度等は、目的の発振周波数と材料物性によって適宜選択すればよく、例えば発振周波数が77GHzのガンダイオード素子を得る場合であれば、GaAs半導体を用いて、n型半導体活性層2の厚さを1.6μmにすれば所望の周波数で発振が得られる。この際のn型半導体活性層2の不純物濃度は5×1017/cm未満にする必要があり、これ以上では、電圧印加時に電流密度が高くなってしまうために、負性抵抗現象が発現する電界強度までバイアスを印加する前にガンダイオード素子が破壊することがある。また、n型半導体層3は厚さを0.4μm 以上にすることが好ましい。この理由は、n型半導体層3の上面に共振器電極5を形成し、低抵抗な電気的導通を得るために熱処理を行なう際に、共振器電極5の成分がn型半導体層3に拡散するが、n型半導体層3の厚さが0.4μm未満では、共振器電極5の成分がn型半導体層3を貫通してn型半導体活性層2まで拡散するおそれがあるからである。このため、n型半導体層3の厚さは0.4μm以上が必要であり、より好ましくは0.6μm以上である。
【0017】
このように基板1の凸部1bの上面にn型半導体活性層2およびn型半導体層3を順次積層するには、有機金属化学気相成長(MOCVD)法によって各半導体層2,3の結晶成長を行ない、その際に不純物濃度については、マスフローコントローラによる原料ガス流量の高精度な制御によって調整するようにすればよい。また分子線エピタキシー(MBE)法を用いる場合には、各半導体層2,3の原料坩堝を加熱して分子線を発生させ、その分子線を高温に保持された基板1の凸部1b上に照射することによって各半導体層2,3が形成される。その際の不純物濃度については、不純物材料が保持された坩堝を高精度に温度制御して決められた分量の不純物分子線を結晶成長中に同時に基板1の凸部1b上に照射することによって調整すればよい。
【0018】
本発明のミリ波発振器におけるn型半導体から成る基板1の上面に、内部に上面が平坦な凸部1bが形成された凹部1aを形成するには、例えば湿式エッチングによればよい。
【0019】
凹部1aの形状は、例えば図1に示すように共振器電極5の形状に合わせて細長い溝状とし、その大きさとしては、基板1と共振器電極5との間で不要な容量を有しないように、例えば深さおよび凸部1bと側壁との距離をそれぞれ100μm程度以上とするとよい。これにより、不要な電気的容量を確実に低減することができるものとなる。
【0020】
凸部1bの形状は、例えば図1に示すような上面視で円形状で、断面が台形状としておけばよく、その大きさは、例えば後述する共振器電極5の短辺の長さ以下とすればよい。これにより、共振器からガンダイオード素子がはみ出さず、ガン発振出力を効率良く共振器へ伝えることができるものとなる。
【0021】
凹部1aに、凸部1bを覆い、かつガンダイオード素子の上面を露出させるように充填される誘電体4は、15以下の低い比誘電率を有するものである。このような誘電体4に用いる誘電体材料としては、ポリイミド系,エポキシ系,アクリル系,シリコーン系等がある。中でも、比誘電率が10程度の誘電体材料を用いると、溝状の凹部1aの深さを100μm程度またはそれ以下にまで浅くすることが可能である。これは、誘電体4を凹部1aに充填した際に、誘電体4が硬化時に体積収縮すると誘電体4の上面が凹形状になってしまうが、凹部1aが浅く誘電体4の体積が小さいのでこの凹形状の部分の深さも10μm程度と小さく抑えることができ、このためこの上に共振器電極5を形成しやすいものとなるからである。
【0022】
このように誘電体4を充填するには、例えばディスペンサ塗布によればよい。
【0023】
誘電体4の上面にガンダイオード素子の上面を覆ってその上面と接合されるように形成される共振器電極5は、例えばCrとAuとの二層構造、またはTiとPtとAuとの三層構造の金属層から成るものである。誘電体4と接触するCrもしくはTiは、この共振器電極5と誘電体4との接着強度を高める働きがある。また、表面側のAu層は、数百mAから数Aの大電流を流すためのものであり、電気的に低抵抗である必要があるために、少なくとも2μm以上の厚みが必要である。また、三層構造においてPt層を介在させる目的は、下地のTiが表面側のAu層に拡散するのを防ぐことにある。
【0024】
この共振器電極5の形状および大きさは、例えば図1に示すように長方形状であり、大きさは、目的の発振周波数に応じて調整する必要がある。例えば77GHzでの発振を得るには、長辺の長さを460μmとすればよく、これにより長辺方向に定在波ができることとなる。また、共振器電極5に対するガンダイオード素子の配置は、共振器電極5の長辺方向の辺から100μm以上離れて中央側に配置することが好ましく、また短辺方向に対しては、その中心に配置するのがよい。このように配置することで、ガンダイオード素子の発振出力を効率良く共振器に伝達させることができる。
【0025】
なお、図1に示す例では、共振器電極5に接合されるガンダイオード素子としては、凹部1aの内部に1つの凸部1bを形成してその凸部1bに形成したもの1つを接合した場合を示しているが、ガンダイオード素子の個数は要求される発振出力によって適宜選択して設定すればよい。例えば、ガンダイオード素子を複数個とすることにより、発振出力はその数に応じて倍増されることとなる。
【0026】
本発明のミリ波発振器は、例えば高出力が要求される車載用衝突防止レーダ用ミリ波発振器に使用されるものであり、ガンダイオード素子を形成した半導体基板1上に共振器電極5をフォトリソグラフィ等の薄膜プロセスで形成するため、作製プロセスでガンダイオード素子に応力がかからず、ガンダイオード素子を構成する半導体の結晶品質を劣化させることがない。よって、その動作時において欠陥の発生を誘発する結晶欠陥の発生が無く、高出力を維持でき、長期間の使用に際しても信頼性が高いという長所を有している。さらにガンダイオード素子上の金属材料からなる共振器電極5は、ガンダイオード素子で発生した熱を空気中へ放射するいわゆる放熱板としての働きも併せ持っており、これによりガンダイオード動作時にその温度上昇を抑制することができるので、発振周波数や出力の変動を抑制できるという特長も持っている。
【0027】
【実施例】
次に、本発明のミリ波発振器の実施例について、図2を参照しつつ説明する。
図2(a)〜(d)は、それぞれ本発明のミリ波発振器の製造方法の例を説明するための工程毎の断面図である。
【0028】
まず、図2(a)に示すように、n型単結晶GaAsから成る基板1上に、主成分がGaAsから成る機能性の半導体層をMOCVD法により単結晶成長して形成した。この機能性半導体層は、動作層として機能するn型半導体活性層2と、コンタクト層として機能するn型半導体層3とから成る。ここで、動作層とは、高電界時に電子遷移効果により負性抵抗を発現させる層である。また、コンタクト層とは、この層の上に形成する共振器電極5の薄膜金属と電気的に低抵抗な条件での接合を実現するために、例えば2×1018cm−3の濃度のキャリアを有する層である。
【0029】
次に、図2(b)に示すように、上述のn型半導体活性層2およびn型半導体層3はここでは基板1の上面の全面に結晶成長されるが、この上面に、ガンダイオード素子を形成する部分となる凸部1bの周囲をエッチングによって除去することによって凹部1aを形成した。この例では、深さ方向に150μmまでエッチングを行なって深さ150μmの凹部1aを形成した。また、凸部1bの上面は、元の基板1の上面を残すようにして、基板1の上面と同一平面にある平坦な面としてある。凹部1aの大きさは、長辺の長さを800μm、短辺の長さを400μmとし、また凸部1bの大きさをφ80μmとした。
【0030】
次に、図2(c)に示すように、凸部1bを覆い、かつその凸部1b上面のガンダイオード素子の上面が露出するように、凹部1aに誘電体4としてエポキシ系樹脂をディスペンサー塗布により充填した。ここでは、凸部1bの上面まで覆われるように十分な量の誘電体を充填した後に、ガンダイオード素子の上面が露出するようにその上の誘電体4を除去した。これにより、基板1表面の深さ150μmまでエッチングされた凹部1aは、誘電体4で十分に埋められ、誘電体4の上面は略平面になっているものが得られた。
【0031】
最後に、図2(d)に示すように、金属薄膜を基板1および誘電体4の上面上に真空蒸着し、これをフォトリソグラフィおよびエッチングを行なうことによって加工し、誘電体4上にガンダイオード素子の上面と接合された共振器電極5を形成した。この共振器電極5の形状および大きさは、長方形状で長辺方向の長さを460μm、短辺方向の長さを200μmとした。なお、ここでは、金属薄膜を蒸着後にエッチングすることで共振器電極5を形成したが、蒸着前に共振器電極5のパターンにレジスト等を加工しておき、金属薄膜を蒸着後にリフトオフ法によって共振器電極5を形成するようにしてもよい。
【0032】
そして、以上のようにして得られた本発明のミリ波発振器について、直流電圧印加時の発振周波数と発振出力をスペクトルアナライザにより評価したところ、目的とする77GHzでのミリ波発振が得られた。
【0033】
以上により、本発明のミリ波発振器によれば、荷重がかかることによってガンダイオード素子の半導体結晶の品質を劣化させることがないことから、ガンダイオード素子を安定に動作させることができ、ミリ波発振出力を安定させることができることが確認できた。また、長期間の使用に対しても信頼性の高いものであることが確認できた。
【0034】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行なうことは何ら差し支えない。
【0035】
例えば、以上の例では、ガンダイオード素子を1個としたが、複数個であってもよい。また、77GHzでの発振に対して基本周期で発振させたが、2倍波(38.5GHz)等の高次の周期での発振を用いることも可能である。
【0036】
【発明の効果】
本発明のミリ波発振器によれば、n型半導体から成る基板の上面に、上面にガンダイオード素子が形成された凸部が内部に形成された凹部が形成され、この凹部に、ガンダイオード素子の上面を露出させて凸部を覆うように誘電体が充填されているとともに、この誘電体上にガンダイオード素子の上面に接合された共振器電極が形成されていることから、従来のミリ波発振器では基板上の共振器電極にガンダイオードを接合する際に物理的な荷重がガンダイオードに加わっていたのに対して、ガンダイオード素子に荷重がかかることが一切無く、よってガンダイオード素子の半導体結晶の品質を劣化させることがないので、ガンダイオードを安定に動作させることができ、ミリ波発振出力を安定させることができるとともに、長時間動作についても高い信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)および(b)は、それぞれ本発明のミリ波発振器の実施の形態の一例を示す断面図および上面図である。
【図2】(a)〜(d)は、本発明のミリ波発振器の製造方法の例を説明するための工程毎の断面図である。
【符号の説明】
1・・・n型半導体から成る基板
1a・・・凹部
1b・・・凸部
2・・・n型半導体活性層
3・・・n型半導体層
4・・・誘電体
5・・・共振器電極

Claims (2)

  1. 型半導体から成る基板の上面に凹部が形成されるとともに該凹部内に上面が平坦な前記基板の凸部が形成され、該凸部の前記上面にn型半導体活性層とn型半導体層とが順次積層されてガンダイオード素子が形成されており、前記凹部に、前記凸部を覆い、かつ前記ガンダイオード素子の上面を露出させて誘電体が充填されているとともに、該誘電体上に前記ガンダイオード素子の前記上面に接合され、平面透視して前記ガンダイオード素子の上面と重なる表面領域が露出した共振器電極が形成されていることを特徴とするミリ波発振器。
  2. 前記誘電体の上面は、前記ガンダイオード素子の上面より高い位置に設けられていることを特徴とする請求項1記載のミリ波発振器。
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