JP2003152246A - ガンダイオード及びガンダイオード発振器 - Google Patents
ガンダイオード及びガンダイオード発振器Info
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- JP2003152246A JP2003152246A JP2001346992A JP2001346992A JP2003152246A JP 2003152246 A JP2003152246 A JP 2003152246A JP 2001346992 A JP2001346992 A JP 2001346992A JP 2001346992 A JP2001346992 A JP 2001346992A JP 2003152246 A JP2003152246 A JP 2003152246A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガンダイオード発振器の発振周波数と最大発
振出力のバラツキを低減させる。 【解決手段】 ガンダイオードのアノードバンプ１９の
合計面積に対するカソードバンプ１８の合計面積の比
を、0.7％〜20％に設定する。
振出力のバラツキを低減させる。 【解決手段】 ガンダイオードのアノードバンプ１９の
合計面積に対するカソードバンプ１８の合計面積の比
を、0.7％〜20％に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、実装時におけるダ
メージを低減し、発振周波数や発振出力等のバラツキを
低減したガンダイオード及びそのガンダイオードを搭載
したガンダイオード発振器に関するものである。
メージを低減し、発振周波数や発振出力等のバラツキを
低減したガンダイオード及びそのガンダイオードを搭載
したガンダイオード発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２にマイクロ波やミリ波の発振用の従
来のガンダイオード２０を示す。図２において、２１は
半導体基板、２２は第１の半導体層、２３は活性層、２
４は第２の半導体層、２５は絶縁体、２６はカソード電
極、２７はアノード電極、２８は導電性突起によるカソ
ードバンプ、２９は導電性突起によるアノードバンプで
ある。
来のガンダイオード２０を示す。図２において、２１は
半導体基板、２２は第１の半導体層、２３は活性層、２
４は第２の半導体層、２５は絶縁体、２６はカソード電
極、２７はアノード電極、２８は導電性突起によるカソ
ードバンプ、２９は導電性突起によるアノードバンプで
ある。
【０００３】絶縁体２５は、上面から活性層２３と第１
の半導体層２２の境までボロン注入により筒形状に形成
され、カソード電極２６をアノード電極２７から分離
し、該絶縁体２５により囲まれた内側の第１の半導体層
２２、活性層２３及び第２の半導体層２４によりガンダ
イオードの機能部が形成されている。図２では絶縁体２
５による筒状の部分が６個形成され、６個のカソード電
極２６の下層に各々ガンダイオード機能部が形成されて
いる。また、カソードバンプ２８は６個のカソード電極
２６の全ての上面に各々形成されているが、アノードバ
ンプ２９はアノード電極の部分の上面の両側にカソード
バンプ２８の一群を両側から挟むように片側に３個ずつ
合計で６個形成されている。
の半導体層２２の境までボロン注入により筒形状に形成
され、カソード電極２６をアノード電極２７から分離
し、該絶縁体２５により囲まれた内側の第１の半導体層
２２、活性層２３及び第２の半導体層２４によりガンダ
イオードの機能部が形成されている。図２では絶縁体２
５による筒状の部分が６個形成され、６個のカソード電
極２６の下層に各々ガンダイオード機能部が形成されて
いる。また、カソードバンプ２８は６個のカソード電極
２６の全ての上面に各々形成されているが、アノードバ
ンプ２９はアノード電極の部分の上面の両側にカソード
バンプ２８の一群を両側から挟むように片側に３個ずつ
合計で６個形成されている。
【０００４】図３は、図２のガンダイオード２０をマイ
クロストリップ線路３０に搭載して構成したガンダイオ
ード発振器の断面を示す図で、図４はその全体斜視図、
図５はヴィアホール３５の部分を切断した断面を表した
斜視図である。マイクロストリップ線路３０は、半絶縁
性の平板基板３１の上面に信号電極３２とその信号電極
３２を両側から挟むように２個の表面接地電極３３を形
成すると共に、裏面に裏面接地電極３４を形成して、各
表面接地電極３３と裏面接地電極３４をヴィアホール３
５により導通させたものである。信号電極３２には電圧
印加用のバイアス電極３２Ａ、共振器を構成するオープ
ンスタブ３２Ｂ、及び発振出力取出用の出力部３２Ｃが
形成されている。ガンダイオード２０は、中央のカソー
ドバンプ２８が信号電極３２に、両側のアノードバンプ
２９が両側の表面接地電極３３に接着するように実装さ
れる。３６は放熱基台であるが、図４及び図５では省略
した。
クロストリップ線路３０に搭載して構成したガンダイオ
ード発振器の断面を示す図で、図４はその全体斜視図、
図５はヴィアホール３５の部分を切断した断面を表した
斜視図である。マイクロストリップ線路３０は、半絶縁
性の平板基板３１の上面に信号電極３２とその信号電極
３２を両側から挟むように２個の表面接地電極３３を形
成すると共に、裏面に裏面接地電極３４を形成して、各
表面接地電極３３と裏面接地電極３４をヴィアホール３
５により導通させたものである。信号電極３２には電圧
印加用のバイアス電極３２Ａ、共振器を構成するオープ
ンスタブ３２Ｂ、及び発振出力取出用の出力部３２Ｃが
形成されている。ガンダイオード２０は、中央のカソー
ドバンプ２８が信号電極３２に、両側のアノードバンプ
２９が両側の表面接地電極３３に接着するように実装さ
れる。３６は放熱基台であるが、図４及び図５では省略
した。
【０００５】ところで、従来では、ガンダイオード２０
をマイクロストリップ線路３０に実装するとき、熱圧着
方式のボンディングツールを用いてガンダイオード２０
のカソードバンプ２８を信号電極３２に、アノードバン
プ２９を表面接地電極３３に各々接着していた。
をマイクロストリップ線路３０に実装するとき、熱圧着
方式のボンディングツールを用いてガンダイオード２０
のカソードバンプ２８を信号電極３２に、アノードバン
プ２９を表面接地電極３３に各々接着していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方式で
は、ガンダイオード２０のバンプ２８、２９とマイクロ
ストリップ線路３０の電極３２、３３は、Au-Auの熱圧
着となり、380℃程度の加熱（接合温度）が必要となる
が、ガンダイオード２０にこのような温度の熱が加わる
と、オーミック電極のシンター効果で抵抗が増大し、発
振特性が劣化してしまうという問題がある。
は、ガンダイオード２０のバンプ２８、２９とマイクロ
ストリップ線路３０の電極３２、３３は、Au-Auの熱圧
着となり、380℃程度の加熱（接合温度）が必要となる
が、ガンダイオード２０にこのような温度の熱が加わる
と、オーミック電極のシンター効果で抵抗が増大し、発
振特性が劣化してしまうという問題がある。
【０００７】そこで、熱及び超音波併用方式のボンディ
ングツールを用いることで、加熱温度を低下させ、特性
の劣化防止を図っているが、超音波によってガンダイオ
ードチップの結晶に転移などの欠陥が誘発される恐れが
ある。そして、このような欠陥が発生すると、ガンダイ
オード２０の発振周波数や発振出力等にバラツキが発生
するという問題がある。
ングツールを用いることで、加熱温度を低下させ、特性
の劣化防止を図っているが、超音波によってガンダイオ
ードチップの結晶に転移などの欠陥が誘発される恐れが
ある。そして、このような欠陥が発生すると、ガンダイ
オード２０の発振周波数や発振出力等にバラツキが発生
するという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、熱及び超音波併用方式の
ボンディングツールを用いたときであっても、発振周波
数や発振出力等にバラツキが発生しないようにした、ガ
ンダイオード及びガンダイオード発振器を提供すること
である。
ボンディングツールを用いたときであっても、発振周波
数や発振出力等にバラツキが発生しないようにした、ガ
ンダイオード及びガンダイオード発振器を提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
片面のほぼ中央部分に１又は複数個形成された第１の電
極、該第１の電極の周囲にガンダイオード機能部を区画
するよう形成された凹部又は絶縁体、前記片面における
前記第１の電極と前記凹部又は前記絶縁体を除く面に形
成された第２の電極、前記第１の電極に形成された導電
性突起による第１のバンプ、及び前記第２の電極に前記
第１のバンプを挟むように形成された導電性突起による
複数の第２のバンプを有するガンダイオードにおいて、
前記第１のバンプの合計面積を、前記第２のバンプの合
計面積に対して０．７％〜２０％に設定したことを特徴
とするガンダイオードとした。
片面のほぼ中央部分に１又は複数個形成された第１の電
極、該第１の電極の周囲にガンダイオード機能部を区画
するよう形成された凹部又は絶縁体、前記片面における
前記第１の電極と前記凹部又は前記絶縁体を除く面に形
成された第２の電極、前記第１の電極に形成された導電
性突起による第１のバンプ、及び前記第２の電極に前記
第１のバンプを挟むように形成された導電性突起による
複数の第２のバンプを有するガンダイオードにおいて、
前記第１のバンプの合計面積を、前記第２のバンプの合
計面積に対して０．７％〜２０％に設定したことを特徴
とするガンダイオードとした。
【００１０】請求項２に係る発明は、半絶縁性の平板基
板、該平板基板の表面に形成された信号電極、該信号電
極の片端にオープンスタブが残る位置を跨ぐように形成
された２個の表面接地電極、前記平板基板の裏面に形成
された裏面接地電極、及び前記各表面接地電極と前記裏
面接地電極とを導通させるヴィアホールを有するマイク
ロストリップ線路と、該マイクロストリップ線路の前記
信号電極に前記第１のバンプが接着され、前記マイクロ
ストリップ線路の前記各表面接地電極に前記第２のバン
プが接着された前記請求項１に記載のガンダイオードと
からなることを特徴とするガンダイオード発振器とし
た。
板、該平板基板の表面に形成された信号電極、該信号電
極の片端にオープンスタブが残る位置を跨ぐように形成
された２個の表面接地電極、前記平板基板の裏面に形成
された裏面接地電極、及び前記各表面接地電極と前記裏
面接地電極とを導通させるヴィアホールを有するマイク
ロストリップ線路と、該マイクロストリップ線路の前記
信号電極に前記第１のバンプが接着され、前記マイクロ
ストリップ線路の前記各表面接地電極に前記第２のバン
プが接着された前記請求項１に記載のガンダイオードと
からなることを特徴とするガンダイオード発振器とし
た。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の１つの実施形態の
ガンダイオード１０を示す図で、(a)は平面図、(b)は断
面図である。図１において、１１は不純物濃度が１〜２
×1018atm/cm3のＮ型ガリウム砒素からなる半導体基
板、１２は不純物濃度が２×1018atm/cm 3で厚さ1.5μｍ
のＮ型ガリウム砒素からなる第１の半導体層、１３は不
純物濃度が８×1015atm/cm3で厚さ1.6μｍＮ型ガリウム
砒素からなる活性層、１４は不純物濃度が１×1018atm/
cm3で厚さ0.3μｍのＮ型ガリウム砒素からなる第２の半
導体層である。１５は絶縁体、１６は第２の半導体層１
４とオーミック接触するAuGe，Ni，Au等の金属膜からな
るカソード電極、１７は同様のアノード電極、１８は導
電性突起によるカソードバンプ、１９は同様のアノード
バンプである。
ガンダイオード１０を示す図で、(a)は平面図、(b)は断
面図である。図１において、１１は不純物濃度が１〜２
×1018atm/cm3のＮ型ガリウム砒素からなる半導体基
板、１２は不純物濃度が２×1018atm/cm 3で厚さ1.5μｍ
のＮ型ガリウム砒素からなる第１の半導体層、１３は不
純物濃度が８×1015atm/cm3で厚さ1.6μｍＮ型ガリウム
砒素からなる活性層、１４は不純物濃度が１×1018atm/
cm3で厚さ0.3μｍのＮ型ガリウム砒素からなる第２の半
導体層である。１５は絶縁体、１６は第２の半導体層１
４とオーミック接触するAuGe，Ni，Au等の金属膜からな
るカソード電極、１７は同様のアノード電極、１８は導
電性突起によるカソードバンプ、１９は同様のアノード
バンプである。
【００１２】絶縁体１５は、上面から活性層１３と第１
の半導体層１２の境までボロン注入により筒形状に形成
され、カソード電極１６をアノード電極１７から分離
し、該絶縁体１５により囲まれた内側の第１の半導体層
１２、活性層１３及び第２の半導体層１４によりガンダ
イオードの機能部が形成されている。図１では絶縁体１
５による筒状の部分が６個形成され、６個のカソード電
極１６の下層に各々ガンダイオード機能部が形成されて
いる。また、カソードバンプ１８は６個のカソード電極
２６の全ての上面に各々形成されているが、アノードバ
ンプ１９はアノード電極１７の部分の上面にカソードバ
ンプ１８の一群を両側から挟むように片側の両角に２個
ずつ合計で４個形成されている。このアノードバンプ１
９は、ＣＣＤカメラを用いた位置合わせを考慮すると図
示のような四角形状が好ましいが、これに限られるもの
ではない。また、面積は少なくとも100μｍ×50μｍ程
度のものが望ましい。
の半導体層１２の境までボロン注入により筒形状に形成
され、カソード電極１６をアノード電極１７から分離
し、該絶縁体１５により囲まれた内側の第１の半導体層
１２、活性層１３及び第２の半導体層１４によりガンダ
イオードの機能部が形成されている。図１では絶縁体１
５による筒状の部分が６個形成され、６個のカソード電
極１６の下層に各々ガンダイオード機能部が形成されて
いる。また、カソードバンプ１８は６個のカソード電極
２６の全ての上面に各々形成されているが、アノードバ
ンプ１９はアノード電極１７の部分の上面にカソードバ
ンプ１８の一群を両側から挟むように片側の両角に２個
ずつ合計で４個形成されている。このアノードバンプ１
９は、ＣＣＤカメラを用いた位置合わせを考慮すると図
示のような四角形状が好ましいが、これに限られるもの
ではない。また、面積は少なくとも100μｍ×50μｍ程
度のものが望ましい。
【００１３】絶縁体１５によって区画された各々のカソ
ード電極１６に対応する活性層１３の面積は、ガンダイ
オードの所定の動作電流が得られる値（横方向面積）に
設定される。また、アノード電極１７に対応する活性層
１３の面積は、カソード電極１６に対応する面積の１０
〜１００倍位として、この部分がガンダイオードとして
機能しないようになっている。
ード電極１６に対応する活性層１３の面積は、ガンダイ
オードの所定の動作電流が得られる値（横方向面積）に
設定される。また、アノード電極１７に対応する活性層
１３の面積は、カソード電極１６に対応する面積の１０
〜１００倍位として、この部分がガンダイオードとして
機能しないようになっている。
【００１４】本ガンダイオード１０は、これを図３乃至
図５に示した従来のガンダイオード２０と同様に、マイ
クロストリップ線路３０に搭載することにより、ガンダ
イオード発振器として機能させることができる。このと
き、ボンディングツールとしては、熱及び超音波併用の
ツールを使用する。
図５に示した従来のガンダイオード２０と同様に、マイ
クロストリップ線路３０に搭載することにより、ガンダ
イオード発振器として機能させることができる。このと
き、ボンディングツールとしては、熱及び超音波併用の
ツールを使用する。
【００１５】図６(a)は、ガンダイオード１０をマイク
ロストリップ線路３０に搭載して構成したガンダイオー
ド発振器について、アノードバンプ１９の合計面積に対
するカソードバンプ１８の合計面積の面積比と発振周波
数の３σとの関係（σ：標準偏差）を示す特性図、図６
(b)は同面積比と最大発振出力の３σとの関係を示す特
性図である。ここで、アノードバンプの面積は、アノー
ドバンプがアノード電極に接する部分の面積をいい、同
様にカソードバンプの面積はカソードバンプがカソード
電極に接する部分の面積をいう。
ロストリップ線路３０に搭載して構成したガンダイオー
ド発振器について、アノードバンプ１９の合計面積に対
するカソードバンプ１８の合計面積の面積比と発振周波
数の３σとの関係（σ：標準偏差）を示す特性図、図６
(b)は同面積比と最大発振出力の３σとの関係を示す特
性図である。ここで、アノードバンプの面積は、アノー
ドバンプがアノード電極に接する部分の面積をいい、同
様にカソードバンプの面積はカソードバンプがカソード
電極に接する部分の面積をいう。
【００１６】アノードバンプ１９の合計面積に対するカ
ソードバンプ１８の合計面積の面積比を２０％以下にす
ることにより、図６(a)に示すように発振周波数の３σ
が小さくなって発振周波数のバラツキが小さくなり、ま
た、図６(b)に示すように、最大発振出力の３σが小さ
くなって最大発振出力のバラツキが小さくなっている。
すなわち、ボンディングツールとして、熱及び超音波併
用のツールを使用したときでも、上記したようにアノー
ドバンプ１９の合計面積に対するカソードバンプ１８の
合計面積の面積比を２０％以下にすることにより、発振
周波数と最大発振出力のバラツキを小さくすることがで
きる。
ソードバンプ１８の合計面積の面積比を２０％以下にす
ることにより、図６(a)に示すように発振周波数の３σ
が小さくなって発振周波数のバラツキが小さくなり、ま
た、図６(b)に示すように、最大発振出力の３σが小さ
くなって最大発振出力のバラツキが小さくなっている。
すなわち、ボンディングツールとして、熱及び超音波併
用のツールを使用したときでも、上記したようにアノー
ドバンプ１９の合計面積に対するカソードバンプ１８の
合計面積の面積比を２０％以下にすることにより、発振
周波数と最大発振出力のバラツキを小さくすることがで
きる。
【００１７】なお、ガンダイオード１０のアノードバン
プ１９の合計面積に対するカソードバンプ１８の合計面
積の面積比の下限は、0.7％程度が好ましい。ガンダイ
オード１０をガン発振器として使用するとき、カソード
電極１６は、合計で少なくとも13μｍ直径の面積（133
μｍ2）がないと、発振出力が得られない。この場合、
カソード電極１６の部分の放熱のため、カソードバンプ
１８の直径も13μｍ程度が必要となる。したがって、こ
の直径13μｍの面積（133μｍ2）が下限となる。４個の
アノードバンプ１９の各々を100μｍ×50μｍとする
と、その合計面積は20,000μｍ2となる。よって、アノ
ードバンプ１９の合計面積に対するカソードバンプ１８
の合計面積の面積比は0.66％であり、ほぼ0.7％とな
る。
プ１９の合計面積に対するカソードバンプ１８の合計面
積の面積比の下限は、0.7％程度が好ましい。ガンダイ
オード１０をガン発振器として使用するとき、カソード
電極１６は、合計で少なくとも13μｍ直径の面積（133
μｍ2）がないと、発振出力が得られない。この場合、
カソード電極１６の部分の放熱のため、カソードバンプ
１８の直径も13μｍ程度が必要となる。したがって、こ
の直径13μｍの面積（133μｍ2）が下限となる。４個の
アノードバンプ１９の各々を100μｍ×50μｍとする
と、その合計面積は20,000μｍ2となる。よって、アノ
ードバンプ１９の合計面積に対するカソードバンプ１８
の合計面積の面積比は0.66％であり、ほぼ0.7％とな
る。
【００１８】図７はガンダイオードをマイクロストリッ
プ線路３０に搭載して38ＧＨｚ帯域用のガンダイオード
発振器とした場合の発振周波数のヒストグラムであり、
(a)は本実施形態のガンダイオード１０の場合、(b)は従
来のガンダイオード２０の場合である。なお、本実施形
態のガンダイオード１０の素子サイズは290μｍ×490μ
ｍ、カソードバンプ１８は28μｍ直径のものが６個、ア
ノードバンプ１９は100×50μｍのものが４個の場合で
ある。また、従来のガンダイオード２０は、アノードバ
ンプ２９が50μｍ直径のものが６個で、他はガンダイオ
ード１０と同じ条件である。ここで、アノードバンプの
形状が異なっているが、上記特性に影響を与えることは
ない。
プ線路３０に搭載して38ＧＨｚ帯域用のガンダイオード
発振器とした場合の発振周波数のヒストグラムであり、
(a)は本実施形態のガンダイオード１０の場合、(b)は従
来のガンダイオード２０の場合である。なお、本実施形
態のガンダイオード１０の素子サイズは290μｍ×490μ
ｍ、カソードバンプ１８は28μｍ直径のものが６個、ア
ノードバンプ１９は100×50μｍのものが４個の場合で
ある。また、従来のガンダイオード２０は、アノードバ
ンプ２９が50μｍ直径のものが６個で、他はガンダイオ
ード１０と同じ条件である。ここで、アノードバンプの
形状が異なっているが、上記特性に影響を与えることは
ない。
【００１９】図７(a)の本実施形態のガンダイオード１
０では、平均発振周波数が38.5 GHz、標準偏差が0.16 G
Hzという良好な結果が得られているのに対し、図７(b)
の従来のガンダイオード２０では、平均発振周波数が3
8.3 GHz、標準偏差が0.4 GHzという結果にとどまってい
る。
０では、平均発振周波数が38.5 GHz、標準偏差が0.16 G
Hzという良好な結果が得られているのに対し、図７(b)
の従来のガンダイオード２０では、平均発振周波数が3
8.3 GHz、標準偏差が0.4 GHzという結果にとどまってい
る。
【００２０】図８はガンダイオードをマイクロストリッ
プ線路３０に搭載して38ＧＨｚ帯域用のガンダイオード
発振器とした場合の最大発振出力のヒストグラムであ
り、(a)が本実施形態のガンダイオード１０（図７(a)と
同じ条件）の場合、(b)は従来のガンダイオード２０
（図７(b)と同じ条件）の場合である。
プ線路３０に搭載して38ＧＨｚ帯域用のガンダイオード
発振器とした場合の最大発振出力のヒストグラムであ
り、(a)が本実施形態のガンダイオード１０（図７(a)と
同じ条件）の場合、(b)は従来のガンダイオード２０
（図７(b)と同じ条件）の場合である。
【００２１】図８(a)の本実施形態のガンダイオード１
０では、平均最大発振出力が122.8 mW、標準偏差が7.2
mWという良好な結果が得られているのに対し、図８(b)
の従来のガンダイオード２０では、平均最大発振出力が
106.4 mW、標準偏差が18.4 mWという結果にとどまって
いる。
０では、平均最大発振出力が122.8 mW、標準偏差が7.2
mWという良好な結果が得られているのに対し、図８(b)
の従来のガンダイオード２０では、平均最大発振出力が
106.4 mW、標準偏差が18.4 mWという結果にとどまって
いる。
【００２２】なお、以上説明した実施形態のガンダイオ
ード１０において、半導体基板１１、第１の半導体層１
２、活性層１３及び第２の半導体層１４のガンダイオー
ド機能部の不純物の種類及びその濃度を調整することに
より、カソード電極１６をアノード電極に代え、アノー
ド電極１７をカソード電極に代えることもできる。ま
た、以上の実施形態のガンダイオード１０では、ボロン
注入により絶縁体１５を形成したが、この絶縁体は形成
せず、そこに凹部を形成してガンダイオード機能部を区
画してもよい。
ード１０において、半導体基板１１、第１の半導体層１
２、活性層１３及び第２の半導体層１４のガンダイオー
ド機能部の不純物の種類及びその濃度を調整することに
より、カソード電極１６をアノード電極に代え、アノー
ド電極１７をカソード電極に代えることもできる。ま
た、以上の実施形態のガンダイオード１０では、ボロン
注入により絶縁体１５を形成したが、この絶縁体は形成
せず、そこに凹部を形成してガンダイオード機能部を区
画してもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上から本発明によれば、熱及び超音波
併用のツールを使用してガンダイオード発振器を構成し
たときでも、上記したように第２のバンプの合計面積に
対する第１のバンプの合計面積の面積比を０．７％〜２
０％に設定することにより、その発振周波数や最大発振
出力等のバラツキを低減することができるという利点が
ある。
併用のツールを使用してガンダイオード発振器を構成し
たときでも、上記したように第２のバンプの合計面積に
対する第１のバンプの合計面積の面積比を０．７％〜２
０％に設定することにより、その発振周波数や最大発振
出力等のバラツキを低減することができるという利点が
ある。
【図１】 本発明の実施形態のガンダイオードを示す図
で、(a)は平面図、(b)は断面図である。
で、(a)は平面図、(b)は断面図である。
【図２】 従来のガンダイオードを示す図で、(a)は平
面図、(b)は断面図である。
面図、(b)は断面図である。
【図３】 マイクロストリップ線路に搭載してガンダイ
オード発振器を構成した従来のガンダイオード発振器の
断面図である。
オード発振器を構成した従来のガンダイオード発振器の
断面図である。
【図４】 マイクロストリップ線路に搭載してガンダイ
オード発振器を構成した従来のガンダイオード発振器の
斜視図である。
オード発振器を構成した従来のガンダイオード発振器の
斜視図である。
【図５】 マイクロストリップ線路に搭載してガンダイ
オード発振器を構成した従来のガンダイオード発振器の
一部切り欠きの斜視図である。
オード発振器を構成した従来のガンダイオード発振器の
一部切り欠きの斜視図である。
【図６】(a)はアノードバンプの合計面積に対するカソ
ードバンプの合計面積の面積比と発振周波数の３σとの
特性図、(b)は同面積比と最大発振出力の３σとの特性
図である。
ードバンプの合計面積の面積比と発振周波数の３σとの
特性図、(b)は同面積比と最大発振出力の３σとの特性
図である。
【図７】 (a)は本実施形態のガンダイオード発振器の
発振周波数のヒストグラム、(b)は従来のガンダイオー
ド発振器の発振周波数のヒストグラムである。
発振周波数のヒストグラム、(b)は従来のガンダイオー
ド発振器の発振周波数のヒストグラムである。
【図８】 (a)は本実施形態のガンダイオード発振器の
最大発振出力のヒストグラム、(b)は従来のガンダイオ
ード発振器の最大発振出力のヒストグラムである。
最大発振出力のヒストグラム、(b)は従来のガンダイオ
ード発振器の最大発振出力のヒストグラムである。
１０：本実施形態のガンダイオード、１１：半導体基
板、１２：第１の半導体層、１３：活性層、１４：第２
の半導体層、１５：絶縁体、１６：カソード電極、１
７：アノード電極、１８：カソードバンプ、１９：アノ
ードバンプ ２０：従来のガンダイオード、２１：半導体基板、２
２：第１の半導体層、２３：活性層、２４：第２の半導
体層、２５：絶縁体、２６：カソード電極、２７：アノ
ード電極、２８：カソードバンプ、２９：アノードバン
プ ３０：マイクロストリップ線路、３１：信号線路、３１
Ａ：バイアス電極、３１Ｂ：オープンスタブ電極、３１
Ｃ：出力部、３２：表面接地電極、３３：裏面接地電
極、３４：ヴィアホール
板、１２：第１の半導体層、１３：活性層、１４：第２
の半導体層、１５：絶縁体、１６：カソード電極、１
７：アノード電極、１８：カソードバンプ、１９：アノ
ードバンプ ２０：従来のガンダイオード、２１：半導体基板、２
２：第１の半導体層、２３：活性層、２４：第２の半導
体層、２５：絶縁体、２６：カソード電極、２７：アノ
ード電極、２８：カソードバンプ、２９：アノードバン
プ ３０：マイクロストリップ線路、３１：信号線路、３１
Ａ：バイアス電極、３１Ｂ：オープンスタブ電極、３１
Ｃ：出力部、３２：表面接地電極、３３：裏面接地電
極、３４：ヴィアホール
フロントページの続き
(72)発明者 出口 忠義
埼玉県上福岡市福岡２丁目１番１号 新日
本無線株式会社川越製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】片面のほぼ中央部分に１又は複数個形成さ
れた第１の電極、該第１の電極の周囲にガンダイオード
機能部を区画するよう形成された凹部又は絶縁体、前記
片面における前記第１の電極と前記凹部又は前記絶縁体
を除く面に形成された第２の電極、前記第１の電極に形
成された導電性突起による第１のバンプ、及び前記第２
の電極に前記第１のバンプを挟むように形成された導電
性突起による複数の第２のバンプを有するガンダイオー
ドにおいて、 前記第１のバンプの合計面積を、前記第２のバンプの合
計面積に対して０．７％〜２０％に設定したことを特徴
とするガンダイオード。 - 【請求項２】半絶縁性の平板基板、該平板基板の表面に
形成された信号電極、該信号電極の片端にオープンスタ
ブが残る位置を跨ぐように形成された２個の表面接地電
極、前記平板基板の裏面に形成された裏面接地電極、及
び前記各表面接地電極と前記裏面接地電極とを導通させ
るヴィアホールを有するマイクロストリップ線路と、 該マイクロストリップ線路の前記信号電極に前記第１の
バンプが接着され、前記マイクロストリップ線路の前記
各表面接地電極に前記第２のバンプが接着された前記請
求項１に記載のガンダイオードとからなることを特徴と
するガンダイオード発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346992A JP4160747B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | ガンダイオード及びガンダイオード発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346992A JP4160747B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | ガンダイオード及びガンダイオード発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152246A true JP2003152246A (ja) | 2003-05-23 |
| JP4160747B2 JP4160747B2 (ja) | 2008-10-08 |
Family
ID=19160061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001346992A Expired - Fee Related JP4160747B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | ガンダイオード及びガンダイオード発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4160747B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019728A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Kyocera Corp | ミリ波発振器 |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001346992A patent/JP4160747B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019728A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Kyocera Corp | ミリ波発振器 |
| JP4578071B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2010-11-10 | 京セラ株式会社 | ミリ波発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4160747B2 (ja) | 2008-10-08 |
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