JP4559760B2 - マルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置 - Google Patents
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Description
200 データバッファバス部
300 リード/ライトデータレジスタアレイ部
302 データレジスタ
303 データレジスタアレイ部
310 リードバスプルアップ部
320 リードバススイッチング部
330 データラッチ部
340 データ入力スイッチング部
350 データレジスタスイッチング部
360 データ出力スイッチング部
370 ディコーダ
371 インコーダ
380 D/A(Digital/Analog)変換器
381 レファレンスレベル発生部
382 スイッチング部
383 キャパシタ調整部
384 プリチャージ制御部
385 ライトデータバス駆動部
386 バッファ
387 駆動部
400 リードデータバス部
500 セルアレイブロック
510 センスアンプアレイ部
511 レベルセンシング部
512 センシング出力部
520 メインビットラインプルアップ制御部
530 サブセルアレイ
540 ライトスイッチ部
600 ライトデータバス部
700 リードロック制御信号発生部
710〜730 ロック遅延制御部
711〜713 ロック遅延部
714〜716 伝送スイッチング部
717〜719 FeRAMレジスタ
740〜760 ロック駆動バッファ部
Claims (19)
- 不揮発性強誘電体メモリをそれぞれ備え、レファレンスタイミングストローブ区間でメインビットラインに誘導されたセンシングデータレベルを増幅して出力する複数のセルアレイブロック、
前記複数のセルアレイブロックと共通に連結されて前記センシングデータレベルを伝送するリードデータバス部、
前記リードデータバス部から伝送された前記センシングデータレベルの状態が変化する時間を感知して対応する複数のビットのデータを出力し、入力される複数のビットのデータ又は前記センシングデータレベルをアナログレファレンスレベル信号に変換して出力するリード/ライトデータレジスタアレイ部、及び
前記複数のセルアレイブロックと共通に連結され、前記アナログレファレンスレベル信号を前記複数のセルアレイブロックにそれぞれ出力するライトデータバス部を備えることを特徴とするマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記複数のセルアレイブロックのそれぞれは、センシング感知臨界電圧の臨界値で前記センシングデータレベルを感知して前記リードデータバス部に出力するセンスアンプアレイ部、
メインビットラインプルアップ制御信号の状態に従い前記メインビットラインをプルアップさせるメインビットラインプルアップ制御部、
前記不揮発性強誘電体メモリをそれぞれ備える複数のサブセルアレイ、及び
ライトスイッチ制御信号の状態に従い、前記メインビットラインと前記ライトデータバス部を選択的に連結するライトスイッチ部を備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記センスアンプアレイ部は、センシングイネーブル信号の活性化時に前記メインビットラインの電圧レベルと前記臨界値を比べ、その結果に従いセルデータの電圧レベルをセンシングするレベルセンシング部、及び
センシング出力イネーブル信号の活性化時に前記レベルセンシング部の出力電圧レベルに従い、前記リードデータバス部の電圧レベルを決めるセンシング出力部を備えることを特徴とする請求項2に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記レベルセンシング部は、メインビットライン制御信号の活性化時に前記メインビットラインを電源電圧にプリチャージさせる第1の駆動素子、
前記センシングイネーブル信号のディスエーブル時に第1のノードに電源電圧を出力する第2の駆動素子、
前記メインビットラインの電圧がローレベルの場合、前記第1のノードの電圧を出力ノードに出力する第3の駆動素子、及び
前記メインビットラインの電圧がハイレベルの場合、前記出力ノードに接地電圧を出力する第4の駆動素子を備えることを特徴とする請求項3に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記センシング出力部は、前記センシング出力イネーブル信号の活性化時にグラウンド電圧を出力する第5の駆動素子、及び
前記レベルセンシング部の出力電圧に従って前記リードデータバス部の電圧レベルを決める第6の駆動素子を備えることを特徴とする請求項4に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記リード/ライトデータレジスタアレイ部は、一定の時間差を有する複数のリードロック制御信号の活性化時に前記リードデータバス部から印加される前記センシングデータレベルを複数のデータレジスタにそれぞれ格納し、レジスタイネーブル信号の活性化時に複数のデータレジスタ信号を出力するデータレジスタアレイ部、
データバッファバス部を介してリード/ライトデータバッファ部から印加される入力データをディコーディングし、複数のコーディング信号を前記データレジスタアレイ部に出力するディコーダ、
前記データレジスタアレイ部から印加される前記複数のコーディング信号をインコーディングして前記データバッファバス部に出力するインコーダ、及び
前記複数のデータレジスタ信号を前記アナログレファレンスレベル信号に変換するD/A変換器を備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記複数のデータレジスタのそれぞれは、バスプルアップ制御信号に応答して初期状態で前記リードデータバス部をプルアップさせるリードバスプルアップ部、
リードロック制御信号に応答して前記リードデータバス部から印加されるセンシングデータレベルを選択的に出力するリードバススイッチング部、
ライトロック制御信号に応答して前記データバッファバス部から印加されるコーディング信号を選択的に出力するデータ入力スイッチング部、
前記センシングデータレベル及び前記コーディング信号を格納するデータラッチ部、
前記レジスタイネーブル信号に応答し、前記データラッチ部に格納された前記センシングデータレベルをデータレジスタ信号として前記D/A変換器に出力するデータレジスタスイッチング部、及び
出力イネーブル信号に応答し、前記データラッチ部に格納された前記コーディング信号を前記データバッファバス部に出力するデータ出力スイッチング部を備えることを特徴とする請求項6に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記D/A変換器は、前記複数のデータレジスタ信号の電圧レベル状態に従って不揮発性強誘電体キャパシタのサイズを調整し、前記レファレンスレベル信号の電圧レベルを制御するレファレンスレベル発生部、及び
ライトモード時に前記レファレンスレベル信号をバッファリング及び駆動して前記ライトデータバス部に出力するライトデータバス駆動部を備えることを特徴とする請求項6に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記レファレンスレベル発生部は、前記複数のデータレジスタ信号の電圧レベル状態に従いプレートライン制御信号を選択的に出力する前記スイッチング部、
複数の不揮発性強誘電体キャパシタを備え、前記プレートライン制御信号に応答してキャパシタのサイズを選択的に調整し、前記レファレンスレベル信号のデータ電圧レベルを制御するキャパシタ調整部、及び
プリチャージ区間のあいだイコライジング信号がハイにイネーブルされる場合、前記レファレンスレベル信号をローレベルにプリチャージさせるプリチャージ制御部を備えることを特徴とする請求項8に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記スイッチング部は、前記複数のデータレジスタ信号がハイレベルで入力される場合前記プレートライン制御信号を出力し、前記複数のデータレジスタ信号の個数と対応する複数の伝送ゲートを備えることを特徴とする請求項9に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。
- 前記ライトデータバス駆動部は、前記レファレンスレベル信号の電流を増幅及び駆動して出力するバッファ、及び
ライト区間のあいだ活性化される駆動イネーブル信号のイネーブル時に、前記バッファの出力を前記ライトデータバス部に出力する駆動部を備えることを特徴とする請求項8に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記バッファは、共通ソース端子を介し電源電圧が印加されてゲート端子が共通に連結された第1及び第2のPMOSトランジスタ、
前記第1及び第2のPMOSトランジスタの共通ゲート端子とドレイン端子が連結され、ゲート端子を介して前記レファレンスレベル信号が印加される第1のNMOSトランジスタ、
前記第2のPMOSトランジスタのドレイン端子とゲートが共通に連結された第2のNMOSトランジスタ、及び
前記第1及び第2のNMOSトランジスタの共通ソース端子と接地電圧端との間に連結され、前記駆動イネーブル信号が印加される第3のNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項11に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記一定の時間差を有する複数のリードロック制御信号を発生するリードロック制御信号発生部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。
- 前記リードロック制御信号発生部は、リードロック制御信号を一定の時間差を有するよう互いに異なる遅延時間で遅延して複数の出力信号をそれぞれ出力する複数のロック遅延制御部、及び
前記複数の出力信号をそれぞれ駆動して前記一定の時間差を有する複数のリードロック制御信号をそれぞれ出力する複数のロック駆動バッファ部を備えることを特徴とする請求項13に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記複数のロック遅延制御部のそれぞれは、前記リードロック制御信号を一定の時間差を有するよう遅延して出力信号を出力する複数のロック遅延部、
不揮発性強誘電体キャパシタに既に設けられた命令信号に関するコードをプログラムし、プログラムコードに従いスイッチング状態を制御するための複数の制御信号を選択的に出力する複数のFeRAMレジスタ、及び
前記複数の制御信号に応答して前記複数のロック遅延部との間の連結を選択的に制御する複数の伝送スイッチング部を備えることを特徴とする請求項14に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - メインビットラインと、同メインビットラインと連結された複数のサブビットラインを備える複数のセルアレイブロック、及び
前記複数のセルアレイブロックから伝送された複数のセンシングデータレベルの状態が変化する時間を感知して対応する複数のビットのデータを出力し、入力される複数のビットのデータ又は前記センシングデータレベルをアナログレファレンスレベル信号に変換して出力するリード/ライトデータレジスタアレイ部を備え、
前記複数のセルアレイブロックのそれぞれは、レファレンスタイミングストローブ区間でセルデータのセルフセンシング電圧を一定の時間軸を基準に変換し、ロジックしきい電圧の臨界値で複数のセルデータの電圧レベルを増幅し、前記複数のセンシングデータレベルを出力するセンスアンプアレイ部を備えることを特徴とするマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記複数のセルアレイブロックと共通に連結され、前記複数のセンシングデータレベルを前記リード/ライトデータレジスタアレイ部にそれぞれ出力するリードデータバス部、及び
前記複数のセルアレイブロックと共通に連結され、前記アナログレファレンスレベル信号を前記複数のセルアレイブロックにそれぞれ出力するライトデータバス部をさらに備えることを特徴とする請求項16に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記センスアンプアレイ部は、センシングイネーブル信号の活性化時にメインビットラインの電圧レベルが前記臨界値以下の場合、セルデータの電圧レベルをセンシングして出力するレベルセンシング部、及び
センシング出力イネーブル信号の活性化時に前記レベルセンシング部の出力電圧レベルに従い、前記リードデータバス部の電圧レベルを決めるセンシング出力部を備えることを特徴とする請求項17に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。 - 前記リード/ライトデータレジスタアレイ部は、前記複数のリードロック制御信号の活性化時に前記リードデータバス部から印加される前記複数のセンシングデータレベルを複数のデータレジスタにそれぞれ格納し、レジスタイネーブル信号の活性化時に複数のデータレジスタ信号を出力するデータレジスタアレイ部、
データバッファバス部を介してリード/ライトデータバッファ部から印加される入力データをディコーディングし、複数のコーディング信号を前記データレジスタアレイ部に出力するディコーダ、
前記データレジスタアレイ部から印加される前記複数のコーディング信号をインコーディングして前記データバッファバス部に出力するインコーダ、及び
前記複数のデータレジスタ信号をアナログレファレンスレベル信号に変換するD/A変換器を備えることを特徴とする請求項17に記載のマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。
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