JP4554419B2 - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Description
2を接着剤によって貼着する。保護部材2は、例えばガラス、セラミックス等により構成
される。
して固化させ、レジスト膜を被覆する。図3に示すように、レジスト膜4は、表面側のデ
バイスDに相当する部分に被覆し、分離予定ライン10aに対応する部分は露出させて分
離対応領域11aを形成する。レジスト膜4としては、例えばポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂、アクリル樹脂等を使用することができる。
を遂行した。
(1)ガス:SF6(76ml/分)+He(15ml/分)+O2(27ml/分) (2)圧力:80[Pa]
(3)出力:2000[W]
(4)ガス供給時間: 3[分]
0.1T≦W2・・・・・( 関係式2)
(7.9≦20≦79)
となる。また、関係式2については、
5≦20となり、
いずれの関係も成立する。
10:表面
10a:分離予定ライン 10b:デバイス
11:裏面
11a:分離対応領域
12:分離溝
T:ウェーハの厚み
W1:分離溝の最大許容幅 W2:分離対応領域の幅
2:保護部材
3:液状樹脂
4:レジスト膜
t:レジスト膜の厚み
5:プラズマエッチング装置
51:ガス供給部 52:エッチング処理部 53…チャンバ
54:エッチングガス供給手段 55:チャックテーブル 56:軸受け
57:ガス流通孔 57a:噴出部 58:モータ 59:ボールネジ
60:昇降部 61:軸受け 62:吸引源 63:吸引路 64:冷却部
65:冷却路 66:開口部 67:シャッター 68:シリンダ 69:ピストン
70:ガス排出部 71:排気口 72:高周波電源
Claims (1)
- 分離予定ラインによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面のうち該デバイスに相当する部分にマスキングを施して該分離予定ラインに対応する分離対応領域を露出させるレジスト膜被覆工程と、
プラズマエッチングによって該裏面側から該分離予定ラインをエッチングして分離溝を形成し、個々のデバイスに分割するエッチング工程とから少なくとも構成されるウェーハの分割方法であって、
該レジスト膜被覆工程では、該表面側における分離溝の許容最大幅をW1とし、該分離対応領域の幅をW2とし、該ウェーハの厚みをTとした場合、
(W1≦W2≦10W1)及び(0.1T≦W2)
の関係を有すると共に、該マスキングの厚みをtとした場合に、0.05T≦t≦2W 2 の関係を成立させ該マスキングの厚さが該エッチング工程によって完全に除去されない厚さであると共にエッチングガスの進入を阻害しない厚さを有するようにマスキングを施して該分離対応領域を露出させ、
該エッチング工程では、該分離対応領域から該分離予定ラインをエッチングし、該表面において該分離対応領域の幅より狭く、該ウェーハの表面に形成された複数のデバイスを損傷させない溝幅を有する分離溝を形成するウェーハの分割方法。
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JP2004172364A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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