JP4542731B2 - スルーレート制御手段を有するレベルコンバータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、第1の電圧範囲の第1のデジタル信号を、第2の電圧範囲の第2のデジタル信号に変換するための、レベルコンバータに関する。
【0002】
このレベルコンバータは、
前記第1のデジタル信号を受信するための入力と、前記第2のデジタル信号を供給するための出力とを有する、増幅器と、
前記第2のデジタル信号のスルーレートを制御するための直列配置部であって、少なくとも、第1のキャパシタと第2のキャパシタとを有し、前記増幅器の前記出力と前記入力との間を接続する、直列配置部と、
少なくとも前記第1及び第2のキャパシタを横切る電圧を制御するための電圧制御手段と、を備えている。
【0003】
【従来の技術】
そのようなレベルコンバータは、図1に示すような技術の一般的な状態から、既知である。ここでは、「信号のレベル」という言葉が用いられていると、述べなければならない。「レベル」という言葉は、信号の可能な最大電圧値から、信号の可能な最小電圧値を、差し引いたものとして、解釈しなければならない。(可能な最小電圧レベルは、通常、ゼロボルトに近接している)。既知のレベルコンバータは、第1のデジタル信号U1を受信するゲートと、基準電源端子GNDに接続するソースと、第2のデジタル信号U2を送出する出力端子2に接続するドレインとを有する電界効果トランジスタT0を、備えている。出力端子2は、負荷ZLを介して、レベルコンバータの供給電圧源SPLLVにより供給された供給電圧へ、接続されている。負荷ZLは、例えば電流源のような、様々な種類の回路に置き換えてもよい。第1及び第2のキャパシタC1、C2の直列配置部は、電界効果トランジスタT0のドレインとゲートの間に接続されている。第1及び第2のキャパシタC1、C2は、第1及び第2のシャント抵抗R1、R2により、それぞれシャントされている。既知のレベルコンバータは、さらに、基準電源端子GNDに接続する第1の基準電源を有するプレドライブ回路PDCと、プレドライブ供給電圧源SPLPDCへ直列抵抗RPDCを介して接続される第2の基準電源と、レベルコンバータの入力端子1に接続する入力と、電界効果トランジスタT0のゲートに接続する出力とを、備えている。
【0004】
既知のレベルコンバータの動作原理は、次の通りである。入力1は何れかのデジタル回路に接続されており、このデジタル回路は、デジタル信号を供給する。デジタル信号の電圧レベルは、通常、高い電圧レベルに適合していなければならない。このデジタル信号は、プレドライブ回路PDCによりバッファされ、プレドライブ回路PDCは、レベルコンバータの第1のデジタル信号U1を、送出する。第1のデジタル信号U1のレベルは、プレドライブ供給電圧源SPLPDCにより供給される供給電圧の値により、決定される。負荷ZLと結合する電界効果トランジスタT0は、第1のデジタル信号U1を、第2のデジタル信号U2に変換する。第2のデジタル信号U2のレベルは、レベルコンバータの供給電圧源SPLLVにより供給される供給電圧の値により、決定される。
【0005】
多くの既知のレベルコンバータは、集積回路に適用した場合に、他のデジタル回路とにおける電磁障害(electromagnetic interference)及び/又はグランドバウンス(groundbounce)を生じさせるという、欠点を有している。これは、図1に示すような既知のレベルコンバータにおいては、ある程度は解決されていた。実際には、2つの手段が、通常、実施されていた。第1の手段は、プレドライブ回路PDCの出力が供給することのできる電流を制限するための直列抵抗RPDCの適用である。第2の手段は、電界効果トランジスタT0のドレインとゲートとの間に接続される容量パスの適用である。そうすることによって、第2のデジタル信号信号U2のスルーレートが制御され、制限された電流の値と、容量パスにより形成されるキャパシタンスの値との商とにおよそ等しくなる。直列抵抗RPDCの適用は、任意である。なぜなら、電流はプレドライブ回路自体によっても制限されるからである。しかし、直列抵抗RPDCの省略は、制限された電流の値は、一般に、極めて正確には予測することができない。容量パスの最も簡単な実現方法は、電界効果トランジスタT0のドレインとゲートの間に接続される単一のキャパシタであろう。しかし、集積回路に適用された場合、これは、単一のキャパシタを横切る電圧が、許容よりも高いという問題を、もたらすことがある。図1に示すような既知のレベルコンバータは、この問題を、第1及び第2のキャパシタC1、C2の直列配置部により容量パスを形成することにより、解決している。第1及び第2のキャパシタの共通ノードはDCフローティングノードでないので、第1及び第2のキャパシタは、第1及び第2のシャント抵抗R1、R2により、それぞれシャントされる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
既知のレベルコンバータの問題は、シャント抵抗R1、R2がレベルコンバータの静的な電力消費が増大することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
静的な電力消費の削減を図ったレベルコンバータを提供することが、本発明の1つの目的である。
【0008】
この目的のため、本発明においては、冒頭で述べたタイプのレベルコンバータが、電圧制御手段は、直列配置部の各内部ノードに、個別バイアス電圧を供給する、少なくとも1つの電圧源を備え、個別バイアス電圧の値、又は、複数の個別バイアス電圧の値は、第1及び第2のデジタル信号の値に、依存している、ことを特徴とする。
【0009】
本発明は、図1に示す既知のレベルコンバータにおいて、第1及び第2の抵抗が互いに電界効果トランジスタT0のドレインとゲートとの間のDCパスを形成することにより、静的な電力消費を増大させるという見識に基づいている。原理的には、これは必要なものではない。1又は複数の内部ノード(図1においては、1つだけの内部ノードN1)だけが、バイアスされていなければならない。なぜなら、さもなければ、これ/これらの内部ノードが、DCフローティングノードとなるからである。明確化のために、第2のデジタル信号U2のスルーレートを制御する直列配置部の外部ノードは、この直列配置部の内部ノードと解釈されないであろうと、明言する。
【0010】
第1及び第2のデジタル信号の状態が変化した場合、内部ノードの電圧も同様に変化しなければならない。既知のレベルコンバータにおいては、これは、第1及び第2の抵抗の直列配置部が電圧ディバイダーを構成することによって、自動的に生じる。本発明に係るレベルコンバータは、そのような電圧ディバイダーを備えていないため、内部ノードの電圧は、異なるやり方で適合させなければならない。この理由により、内部ノードにバイアス電圧を供給する、又は、各内部ノードに個別バイアス電圧を供給する、少なくとも1つの電圧源は、第1及び第2のデジタル信号の値に依存するように形成されていなければならない。
【0011】
本発明の1つの実施形態においては、バイアス抵抗が、少なくとも1つの電圧源の少なくとも1つが直列的に配置されていることを、特徴としても良い。上述した少なくとも1つの電圧源の依存性が最適化されていない場合(これは、実際には、かなりあり得るケースである)、レベルコンバータの動的な電力消費は増大するであろう。この動的な電力消費の増大は、第2のデジタル信号のスルーレートを制御する直列配置部の各内部ノードへのバイアス抵抗の適用により、減少する。しかし、バイアス抵抗の値は、任意の大きさに設定できない。なぜなら、バイアス抵抗の値が大きすぎると、内部ノードの電圧の制御が不正確になりすぎるからである。バイアス抵抗を物理的に実現することは、必ずしも必要ではない。なぜなら、内部ノードへ1又は複数のバイアス電圧を供給する1又は複数の電圧源の内部抵抗も同様に、バイアス抵抗として用いてもよい。
【0012】
本発明のさらなる実施形態においては、スイッチング手段が、少なくとも1つの電圧源に、直列的に配置されている、ことを特徴としてもよい。そうすることにより、各内部ノードのクラスCバイアスのタイプが、このスイッチの適切な機能により、達成することができる。すなわち、接続している対応する内部ノードがある電圧範囲にある限り、各スイッチが開いている(非導通状態)。この結果、対応する内部ノードの電圧が前記電圧範囲内にある限り、充電又は放電が発生しない。電圧源により送出される(個々の)バイアス電圧がそれほど正確でない場合でも、これは、レベルコンバータの動的な電力消費が低減されるという効果がある。
【0013】
本発明のさらなる実施形態においては、スイッチング手段がダイオードで形成されるということを、特徴としても良い。これにより、極めて簡単に、上述したスイッチの実現を達成できる。
【0014】
本発明のさらなる有利な実施形態は、請求項5及び6に特定されている。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明は、添付した図面を参照してより詳細に記述されるであろう。
【0016】
図2は、本発明に係るレベルコンバータの第1実施形態の回路図である。レベルコンバータは、電界効果トランジスタT0を備えている。電界効果トランジスタT0は、第1のデジタル信号U1を受信するゲートと、供給基準端子GNDに接続するソースと、第2のデジタル信号U2を送出するレベルコンバータの出力端子2に接続するドレインとを、有している。出力端子2は、負荷ZLを介して、レベルコンバータの供給電圧源SPLLVにより供給される供給電圧に、接続されている。負荷ZLは、例えば電流源のような、様々な種類の回路に置き換えてもよい。第1及び第2のキャパシタC1、C2の直列的な配置は、電界効果トランジスタT0のドレインとゲートとの間に接続されている。レベルコンバータは、さらに、プレドライブ回路PDCを備えている。このプレドライブ回路PDCは、電源基準端子GNDに接続された第1供給基準と、直列抵抗RPDCを介してプレドライブ供給電圧源SPLPDCに接続された第2供給基準と、レベルコンバータの入力端子1に接続された入力と、電界効果トランジスタT0のゲートに接続された出力とを、有している。レベルコンバータは、さらに電圧源Vls1を備えている。これは、出力端子2と、バイアス抵抗RBを介して、第1及び第2のキャパシタC1、C2の直列的な配置の内部ノードN1との間に、接続されている。
【0017】
レベルコンバータの動作原理は、次の通りである。入力1は何らかのデジタル回路に接続されており、デジタル信号V1を供給する。このデジタル信号の電圧レベルを、通常、より高い電圧レベルに変更しなければならない。このデジタル信号V1は、プレドライブ回路PDCでバッファされ、このプレドライブ回路PDCがレベルコンバータの第1のデジタル信号U1を送出する。第1のデジタル信号U1のレベルは、プレドライブ供給電圧源SPLPDCにより供給された供給電圧の値により、決定される。負荷ZLに結合した電界効果トランジスタT0は、第1のデジタル信号U1を、第2のデジタル信号U2に、変換する。第2のデジタル信号U2のレベルは、レベルコンバータの供給電圧源SPLLVにより供給される供給電圧の値により、決定される。直列抵抗RPDCは、プレドライブ回路PDCの出力により供給することのできる電流を制限する。第2のデジタル信号U2のスルーレートは、制限された電流の値と、第1及び第2のキャパシタC1、C2の直列的な配置により形成されたキャパシタンスの値との、商におよそ等しい。
【0018】
図2におけるレベルコンバータの動作は、図5に示す信号図I〜VIIとともに、さらに説明される。一例として、第1のキャパシタC1のキャパシタンスは、第2のキャパシタC2のキャパシタンスと、等しいと仮定する。さらに一例として、第1のデジタル信号U1のレベルが2.5ボルトであり、第2のデジタル信号U2のレベルが5.0ボルトであると、仮定する。この状態において、バイアス電圧Vls1の最適な依存状態は、図II、III、VIIに示されている。図2における回路の動作をよりよく説明するために、1つにはまず、次のような理論上の状態を考えなければならない。内部ノードN1はDCフローティングであり、第1及び第2のキャパシタC1、C2は理想的なキャパシタであって、チャージがされておらず、V1が0ボルトであり、U1が0ボルトであり、U2が5.0ボルトである。時刻t1で、V1が0ボルトから2.5ボルトに変化する。その結果、U1が0ボルトから2.5Vに変化し、U2が5.0ボルトから0ボルトに変化する。第1のキャパシタC1を横切る電圧UC1と、第2のキャパシタC2を横切る電圧UC2と、内部ノードN1の電圧UN1とは、信号U1とU2から直接決定され(キルヒホッフの法則)、図IV、V及びVIに示されている。ここで、実際の状態が、第1及び第2のキャパシタC1及びC2が理想的なキャパシタでなく、且つ、寄生DCリークパスが生じてしまうと考えると、電圧UC1、UC2及びUN1は、図IV、V及びVIに示されているように、理想的な状態から逸脱することは、明らかである。この問題を回避するため、内部ノードN1が、バイアス抵抗RBと電圧源Vls1との直列配置部により、DC−バイアスされる。そうすることにより、レベルコンバータの静的な電力消費が、ほとんど増加しなくなる。なぜなら、第1及び第2のキャパシタの寄生DCリークパスは、実質上無限であり、それゆえ、電界効果トランジスタT0のドレインとゲートの間の重要なDCパスは存在しないからである。しかし、動的な電力消費の重大な増加を回避するために、図VIIに示すように電圧Vls1は、図IVに示すように理想的な電圧UC1に、およそ等しくなければならない。なぜなら、バイアス抵抗RBを通る(動的な)電流は、無視できるからである。この理由により、バイアス電圧Vls1の精度は、比較的高くなければならない。
【0019】
図3は、本発明に係るレベルコンバータの第2実施形態の回路図を示す。図2と比較した図3の実施形態の差異は、バイアス抵抗RBが第1のダイオードD1により置き換えられていることである。もう1つの差異は、第2の電圧源Vls2と第2のダイオードD2の直列的な配置が、第1の電圧源Vls1(これまでは電圧源Vls1として示された)と第1のダイオードD1との直列的な配置と、並列に配置されていることである。さらにもう1つの差異は、第1のバイアス電圧Vls1が、もはや依存性のある信号ではなく、一定のDC値を有することである。第2のバイアス電圧Vls2も依存性のある信号ではなく、通常、第1のバイアス電圧Vls1の一定のDC値と異なる一定のDC値を有している。第1及び第2のダイオードD1及びD2は、実際は、スイッチであり、内部ノードN1に第1の電圧源Vls1を結合するか、内部ノードN1に第2の電圧源Vls2を結合するかを、自動的に選択する。そうすることにより、単一の、しかし、信号依存電圧源Vls1(図5の図VII参照)の機能が、第1の電圧源Vls1と、第2の電圧源Vls2と、第1のダイオードD1と、第2のダイオードD2とにより、より簡単に実現される。第1及び第2のダイオードD1及びD2のさらなる適用により、内部ノードN1の望ましい電圧近傍のある電圧範囲が、生成される。この結果、内部ノードN1の電圧が前記電圧範囲にある限り、第1及び第2のキャパシタの充電や放電が発生しない。これは、第1及び第2の電圧源Vls1及びVls2によりそれぞれ送出される別々のバイアス電圧Vls1及びVls2がそれほど精度の高いものでなくとも、レベルコンバータの動的な電力消費を削減するという効果を有する。1つの例において、第1及び第2のキャパシタC1及びC2のキャパシタンスが等しいと仮定し、さらに、第1のデジタル信号U1のレベルは2.5ボルトであり、第2のデジタル信号U2のレベルは2.5ボルトであり、第1及び第2のダイオードのしきい値電圧が0.5ボルトと仮定すると、Vls1及びVls2として適切な一定のDC値は、それぞれ、+1.75ボルトと、−1.0ボルトである。
【0020】
図4は、本発明に係るレベルコンバータの第3実施形態の回路図を示す。
【0021】
第2実施形態と比較した差異は、第2のデジタル信号U2のスルーレートを制御する直列配置部が、第1キャパシタC1と、第2キャパシタC2と、第3キャパシタC3とを、備えていることである。この結果、前記直列配置部は、第1の内部ノードN1と第2の内部ノードN2の、2つの内部ノードを備えることになる。
【0022】
電圧制御手段は、第1乃至第7のN型電界効果トランジスタT1〜T7と、第8乃至第11のP型電界効果トランジスタT8〜T11とを、備えている。第1の電界効果トランジスタT1は、第1のキャパシタC1と第2のキャパシタC2の共通ノードN1に接続するソースと、トランジスタT0のドレインDに接続するドレインと、ゲートとを、備えている。第2の電界効果トランジスタT2は、第1の電界効果トランジスタT1のゲートに接続するソースと、第1の電界効果トランジスタT1のソースに共に接続されるドレイン及びゲートとを、備えている。第3の電界効果トランジスタT3は、ソースと、トランジスタT0のドレインDに接続されるドレインと、ゲートとを、備えている。第4の電界効果トランジスタT4は、第1の電界効果トランジスタT1のゲートに接続されるソースと、第3の電界効果トランジスタT3のソースに接続されるドレインと、ゲートとを、備えている。第5の電界効果トランジスタT5は、第2のキャパシタC2と第3のキャパシタC3との共通ノードN2に接続されるソースと、第1の電界効果トランジスタT1のソースに接続されるドレインと、ゲートとを、備えている。第6の電界効果トランジスタT6は、バイアス電圧VBIASが入力されるバイアス基準端子BIASに接続されるソースと、第5の電界効果トランジスタT5のソースに共に接続されるドレイン及びゲートとを、備えている。第7の電界効果トランジスタT7は、第5の電界効果トランジスタT5のゲートに接続するソースと、第4の電界効果トランジスタT4のソースに接続するドレインと、バイアス基準端子BIASに接続されるゲートとを、備えている。第8の電界効果トランジスタT8は、第3の電界効果トランジスタT3のゲートに接続されるソースと、トランジスタT0のドレインに接続されるドレインと、ゲートとを、備えている。第9の電界効果トランジスタT9は、第3の電界効果トランジスタT3のゲートに接続されるソースと、第8の電界効果トランジスタT8のゲートに接続されるドレインと、トランジスタT0のドレインに接続されるゲートとを、備えている。第10の電界効果トランジスタT10は、第4の電界効果トランジスタT4のゲートと第8の電界効果トランジスタT8のゲートとに接続されるソースと、第4の電界効果トランジスタT4のドレインに接続されるドレインと、第7の電界効果トランジスタT7のゲートに接続されるゲートとを、備えている。第11の電界効果トランジスタT11は、第4の電界効果トランジスタT4のゲートに接続されるソースと、第10の電界効果トランジスタT10のゲートに接続されるドレインと、第10の電界効果トランジスタT10のドレインに接続されるゲートとを、備えている。
【0023】
第1及び第5の電界効果トランジスタT1、T5はそれぞれ、第2実施形態の第1ダイオードD1と同様の機能を有しており、第2及び第5の電界効果トランジスタT2、T6はそれぞれ、第2実施形態の第2のダイオードD2と同様の機能を有している。他の電界効果トランジスタ(T0を除く)は、実際は、電圧源Vls1、Vls2などのための装置である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、既知のレベルコンバータの回路図である。
【図2】 本発明に係るレベルコンバータの第1実施形態の回路図である。
【図3】 本発明に係るレベルコンバータの第2実施形態の回路図である。
【図4】 本発明に係るレベルコンバータの第3実施形態の回路図である。
【図5】 図2の実施形態をさらに説明するための信号図I〜VIIのセットである。
【符号の説明】
これらの図において、同様の機能又は目的を持つパーツやエレメントは、同じ参照符号が付されている。
Claims (6)
- 第1の電圧範囲の第1のデジタル信号を、第2の電圧範囲の第2のデジタル信号に変換する、レベルコンバータであって、
前記第1のデジタル信号を受信する入力と、前記第2のデジタル信号を供給する出力とを有する、増幅器と、
前記第2のデジタル信号のスルーレートを制御する直列配置部であって、少なくとも第1のキャパシタと第2のキャパシタとを有し、前記増幅器の前記出力と前記入力との間を接続する、直列配置部と、
前記少なくとも第1及び第2のキャパシタを横切る電圧を制御する、電圧制御手段と、
を備えるとともに、
前記電圧制御手段は、前記直列配置部の各内部ノードに、個別バイアス電圧を供給する、少なくとも1つの電圧源を備え、
前記個別バイアス電圧の値、又は、複数の前記個別バイアス電圧の値は、前記第1及び第2のデジタル信号の値に、依存している、
ことを特徴とするレベルコンバータ。 - バイアス抵抗が、前記少なくとも1つの電圧源のうちの少なくとも1つに、直列的に配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載のレベルコンバータ。
- スイッチング手段が、前記少なくとも1つの電圧源に、直列的に配置されている、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のレベルコンバータ。
- 前記スイッチング手段は、ダイオードにより形成されている、請求項3に記載のレベルコンバータ。
- 第1の電圧範囲の第1のデジタル信号を、第2の電圧範囲の第2のデジタル信号に変換する、レベルコンバータであって、
制御端子と第1のメイン端子と第2のメイン端子とを有するトランジスタであって、前記制御端子と前記第1のメイン端子とが共に前記第1のデジタル信号を受信する入力を形成し、前記第2のメイン端子と前記第1のメイン端子とが共に前記第2のデジタル信号を供給する出力を形成する、トランジスタと、
前記第2のデジタル信号のスルーレートを制御する直列配置部であって、少なくとも第1のキャパシタと第2のキャパシタとを有し、前記トランジスタの前記第2のメイン端子と前記制御端子との間を接続する、直列配置部と、
前記少なくとも第1及び第2のキャパシタを横切る電圧を制御する、電圧制御手段と、
を備えるとともに、
前記電圧制御手段は、第1の電圧源と、前記第1の電圧源に直列的に配置された第1のダイオードと、第2の電圧源と、前記第2の電圧源に直列的に配置された第2のダイオードとを備え、
前記第1の電圧源と前記第1のダイオードとの直列的な配置は、前記第1のキャパシタと並列的に配置されており、前記第2の電圧源と前記第2のダイオードとの直列的な配置は、前記第1のキャパシタと並列的に配置されている、
ことを特徴とするレベルコンバータ。 - 第1の電圧範囲の第1のデジタル信号を、第2の電圧範囲の第2のデジタル信号に変換する、レベルコンバータであって、
制御端子と供給基準端子に接続された第1のメイン端子と第2のメイン端子とを有するトランジスタであって、前記制御端子と前記供給基準端子とが共に前記第1のデジタル信号を受信する入力を形成し、前記第2のメイン端子と前記供給基準端子とが共に前記第2のデジタル信号を供給する出力を形成する、トランジスタと、
前記第2のデジタル信号のスルーレートを制御する直列配置部であって、第1のキャパシタと第2のキャパシタと第3のキャパシタを有し、前記トランジスタの前記第2のメイン端子と前記制御端子との間を接続する、直列配置部と、
前記第1、第2及び第3のキャパシタを横切る電圧を制御する、電圧制御手段と、
を備えるとともに、
前記電圧制御手段は、第1の伝導型の第1乃至第7の電界効果トランジスタと、第2の伝導型の第8乃至第11の電界効果トランジスタとを備え、
前記第1の電界効果トランジスタは、前記第1のキャパシタと前記第2のキャパシタの共通ノードに接続された第1のメイン端子と、前記トランジスタの前記第2のメイン端子に接続された第2のメイン端子と、ゲートとを、備え、
前記第2の電界効果トランジスタは、前記第1の電界効果トランジスタのゲートに接続された第1のメイン端子と、前記第1の電界効果トランジスタの前記第1のメイン端子にともに接続された第2のメイン端子及びゲートと、を備え、
前記第3の電界効果トランジスタは、第1のメイン端子と、前記トランジスタの前記第2のメイン端子に接続された第2のメイン端子と、ゲートとを、備え、
前記第4の電界効果トランジスタは、前記第1の電界効果トランジスタのゲートに接続された第1のメイン端子と、前記第3の電界効果トランジスタの前記第1のメイン端子に接続された第2のメイン端子と、ゲートとを、備え、
前記第5の電界効果トランジスタは、前記第2のキャパシタと前記第3のキャパシタとの共通ノードに接続された第1のメイン端子と、前記第1の電界効果トランジスタの前記第1のメイン端子に接続された第2のメイン端子と、ゲートとを、備え、
前記第6の電界効果トランジスタは、バイアス電圧を受信するバイアス基準端子に接続された第1のメイン端子と、前記第5の電界効果トランジスタの前記第1のメイン端子に共に接続された第2のメイン端子及びゲートとを、備え、
前記第7の電界効果トランジスタは、前記第5の電界効果トランジスタの前記ゲートに接続された第1のメイン端子と、前記第4の電界効果トランジスタの前記第1のメイン端子に接続された第2のメイン端子と、前記バイアス基準端子に接続されたゲートとを、備え、
前記第8の電界効果トランジスタは、前記第3の電界効果トランジスタの前記ゲートに接続された第1のメイン端子と、前記トランジスタの前記第2のメイン端子に接続された第2のメイン端子と、ゲートとを、備え、
前記第9の電界効果トランジスタは、前記第3の電界効果トランジスタのゲートに接続された第1のメイン端子と、前記第8の電界効果トランジスタのゲートに接続された第2のメイン端子と、前記トランジスタの前記第2のメイン端子に接続されたゲートとを、備え、
前記第10の電界効果トランジスタは、前記第4の電界効果トランジスタの前記ゲート及び前記第8の電界効果トランジスタの前記ゲートに接続された第1のメイン端子と、前記第4の電界効果トランジスタの前記第2のメイン端子に接続された第2のメイン端子と、前記第7の電界効果トランジスタの前記ゲートに接続されたゲートとを、備え
前記第11の電界効果トランジスタは、前記第4の電界効果トランジスタのゲートに接続された第1のメイン端子と、前記第10の電界効果トランジスタの前記ゲートに接続された第2のメイン端子と、前記第10の電界効果トランジスタの前記第2のメイン端子に接続されたゲートとを、備える、
ことを特徴とするレベルコンバータ。
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