JP4539312B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。特に、駆動用回路に対して、高周波信
号を精度良くかつ安定的に高速伝送できる電気光学装置、及びそのような電気光学装置を
備えた電子機器に関する。
The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus. In particular, the present invention relates to an electro-optical device that can transmit a high-frequency signal accurately and stably at high speed to a drive circuit, and an electronic apparatus including such an electro-optical device.

近年、画像表示装置として液晶表示装置が広く用いられている。このような液晶表示装
置は一般に、一対のガラス基板の間に液晶材料を封入し、周囲をシール材により貼り合わ
せることで得られる画像表示部と、その画像表示部に画像を表示させるための信号をコン
トロールする駆動用回路と、この駆動用回路と外部機器との電気的接続をとるための配線
基板および接続部と、を含むインタフェース手段からなる。
従来、このインタフェース手段として、主に、フレキシブル配線基板(FPC)を異方
性導電フィルム(ACF)によって接続する接続方法が用いられている。ところが、近年
の高画質化や、伝送信号のシリアル化が進む中で、外部機器と、駆動用回路との間の伝送
速度の高速化が必要となってきている。
しかしながら、従来のFPC基板をACFによって接続する方法では、数百MHz〜数
GHzの高周波信号を伝送した場合、電磁波放射に起因するノイズの影響が顕在化し、正
常な信号処理を行うことが困難であるという問題が見られた。
In recent years, liquid crystal display devices have been widely used as image display devices. Such a liquid crystal display device generally includes an image display unit obtained by enclosing a liquid crystal material between a pair of glass substrates and bonding the periphery together with a sealant, and a signal for causing the image display unit to display an image. And interface means including a circuit board for connecting the driving circuit and an external device, and a connection portion.
Conventionally, as the interface means, a connection method in which a flexible wiring board (FPC) is connected by an anisotropic conductive film (ACF) is mainly used. However, with the recent progress of high image quality and serialization of transmission signals, it is necessary to increase the transmission speed between the external device and the driving circuit.
However, in the conventional method of connecting FPC boards by ACF, when a high frequency signal of several hundred MHz to several GHz is transmitted, the influence of noise due to electromagnetic radiation becomes obvious and it is difficult to perform normal signal processing. There was a problem.

そこで、駆動用回路と、外部機器とのインタフェース手段ではないものの、画像表示装
置におけるノイズ対策として、液晶表示装置の回路基板内のリペア配線に対して、マイク
ロストリップラインを用いた方法が提案されている。(例えば特許文献1参照)
より具体的には、図16に示すように、リペア配線502において、接地面端部からの
面方向距離H、接地面との垂直方向距離D、幅Wおよび厚さhのうち少なくとも一つを調
整することにより、マイクロストリップラインとしてのリペア配線の電磁波放射を最適化
した液晶表示装置が開示されている。
特開2001−249355号公報(特許請求の範囲、図1)
Therefore, although it is not an interface means between the driving circuit and the external device, as a countermeasure against noise in the image display device, a method using a microstrip line is proposed for repair wiring in the circuit board of the liquid crystal display device. Yes. (For example, see Patent Document 1)
More specifically, as shown in FIG. 16, in the repair wiring 502, at least one of a surface direction distance H from the end of the ground plane, a vertical direction distance D from the ground plane, a width W, and a thickness h is set. A liquid crystal display device is disclosed in which the electromagnetic wave radiation of the repair wiring as a microstrip line is optimized by adjusting.
JP 2001-249355 A (Claims, FIG. 1)

しかしながら、特許文献1は、液晶表示装置の回路基板内に形成された電気配線の修復
用のリペア配線として、マイクロストリップラインを用いており、かかるマイクロストリ
ップラインを長くする必要が生じていた。
すなわち、液晶表示装置の大画面化に伴って電気配線も長くなり、そのためリペア配線
としてのマイクロストリップラインを長くする必要が生じ、同時に配線容量の増加および
電磁波障害という新たな問題を生じさせていた。
又、マイクロストリップラインの配線容量と電磁波放射との関係を最適化する方法も提
案されているものの、液晶表示装置の大画面に対応するものであって、携帯電話などの小
型電子機器には、そのまま適用できないという問題が見られた。
さらに、リペア配線は、実質的に単機能であって、シールド線としてのマイクロストリ
ップラインと、非シールド線としての普通の配線と、を併用するものでなかった。したが
って、駆動用回路に対して、通常の低周波信号はもちろんのこと、高周波信号であっても
精度良くかつ安定的に高速伝送できる電気光学装置を提供することはできなかった。
However, Patent Document 1 uses a microstrip line as a repair wiring for repairing an electrical wiring formed in a circuit board of a liquid crystal display device, and it is necessary to lengthen the microstrip line.
That is, with the increase in the screen size of the liquid crystal display device, the electrical wiring becomes longer, which necessitates a longer microstrip line as the repair wiring, and at the same time, causes new problems of increased wiring capacity and electromagnetic interference. .
Although a method for optimizing the relationship between the wiring capacity of the microstrip line and the electromagnetic radiation has been proposed, it corresponds to the large screen of a liquid crystal display device. There was a problem that it could not be applied as it was.
Further, the repair wiring is substantially a single function and does not use a microstrip line as a shielded line and a normal wiring as a non-shielded line. Therefore, it has not been possible to provide an electro-optical device that can accurately and stably transmit a high-frequency signal to a driving circuit, not only a normal low-frequency signal but also a high-frequency signal.

そこで、本発明の発明者らは、以上の問題を鋭意検討した結果、外部機器と、駆動用回
路の間のインタフェース手段に対して、電磁波放射の影響を抑制したシールド線あるいは
シールド線相当の伝送線を適用することにより、駆動用回路に対して、通常の低周波信号
はもちろんのこと、高周波信号であっても精度良くかつ安定的に高速伝送することができ
、かつ省電力化のための配線設計が容易になることを見出したものである。
すなわち、本発明は、駆動用回路に信号を入力するためのインタフェース手段の一部に
シールド線あるいはシールド線相当の伝送線が設けることにより、高周波信号を精度良く
かつ安定的に高速伝送することができ、その結果、画像特性の向上や省電力化にも優れた
電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とし
ている。
Accordingly, the inventors of the present invention have made extensive studies on the above problems, and as a result, transmitted to the interface means between the external device and the drive circuit with a shielded wire or a shielded wire corresponding to the influence of electromagnetic radiation. By applying the line, not only the normal low frequency signal but also the high frequency signal can be accurately and stably transmitted at high speed to the driving circuit, and power saving can be achieved. It has been found that the wiring design becomes easy.
That is, according to the present invention, a high-frequency signal can be accurately and stably transmitted at high speed by providing a shield line or a transmission line corresponding to the shield line in a part of the interface means for inputting a signal to the driving circuit. As a result, it is an object of the present invention to provide an electro-optical device excellent in improving image characteristics and power saving, and an electronic apparatus including such an electro-optical device.

本発明によれば、基板と、基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、駆動用回
路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置に
おいて、インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するためのシールド線を含む電
気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、このように電気光学装置を構成することにより、電磁波放射の影響を抑制し
たシールド線を使用して、駆動用回路に対して、通常の低周波信号はもちろんのこと、高
周波信号についても精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。したがって、高
周波信号の高速伝送化に伴い、電気光学装置の画像特性の向上や省電力化にも資すること
ができる。
According to the present invention, in an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside, the interface An electro-optical device including a shield line for transmitting a high-frequency signal is provided as part of the means, and the above-described problems can be solved.
That is, by configuring the electro-optical device in this way, using shielded wires that suppress the influence of electromagnetic radiation, the drive circuit is accurate not only for normal low-frequency signals but also for high-frequency signals. Good and stable high-speed transmission. Accordingly, with the high-speed transmission of high-frequency signals, it is possible to contribute to improvement of image characteristics and power saving of the electro-optical device.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線として、マイクロストリッ
プライン、コプレナーラインおよび同軸ラインの少なくとも一つを含んでいることが好ま
しい。
すなわち、このような汎用型シールド線を用いることにより、配線設計を低コストかつ
容易に行うことができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that the shield line includes at least one of a microstrip line, a coplanar line, and a coaxial line.
That is, by using such a general-purpose shield wire, wiring design can be easily performed at low cost.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線が複数本設けてあり、それ
らのインピーダンスが等しくしてあることが好ましい。
すなわち、インピーダンスマッチングを図ることにより、インピーダンスの不整合から
生じる高周波信号の伝送損失を最小限に抑えることができ、駆動用回路に対して、高周波
信号をさらに高速かつ安定的に伝送することができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a plurality of shield wires are provided and their impedances are equal.
In other words, impedance matching can minimize transmission loss of a high-frequency signal caused by impedance mismatch, and can transmit a high-frequency signal to a driving circuit at a higher speed and more stably. .

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の主要素として、
フレキシブル基板を備え、その表面にシールド線を配線してあることが好ましい。
すなわち、このような電気光学装置の構成とすることにより、インタフェース手段の形
状を使用状態に容易に適合させることができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, as a main element of the interface means,
It is preferable that a flexible substrate is provided and a shield wire is provided on the surface thereof.
That is, by adopting such a configuration of the electro-optical device, the shape of the interface means can be easily adapted to the usage state.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線とともに、非シールド線が
所定領域に配置してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、例えば、電磁波放射の影響が大きい高周波信号に対
してはシールド線を用い、一方、電磁波放射の影響が少ない低周波信号に対しては、非シ
ールド線を用いることができる。すなわち、高速通信が必要となる信号、例えば画像表示
系信号に対してはシールド線を使用し、低速通信であっても問題ない信号、例えば電源系
信号や設定系信号に対しては非シールド線を使用するといった使い分けが可能となる。そ
の結果、駆動用印加電圧を最小限に抑えることが可能となり、消費電力を下げることがで
きる。
In constructing the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a non-shielded wire is arranged in a predetermined region together with the shielded wire.
By adopting such a configuration, for example, a shielded wire is used for a high-frequency signal that is greatly affected by electromagnetic radiation, while an unshielded wire is used for a low-frequency signal that is less affected by electromagnetic radiation. Can do. In other words, shielded lines are used for signals that require high-speed communication, such as image display system signals, and unshielded lines for signals that do not pose a problem even in low-speed communication, such as power system signals and setting system signals. It is possible to use properly, such as using. As a result, the applied voltage for driving can be minimized and power consumption can be reduced.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線と、非シールド線と、が平
面方向において交互に配置してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、電磁波放射の影響を最小限に抑えることが可能とな
り、高周波信号を精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。又、隣接するシー
ルド線の間隔を広げることができることから、より優れたシールド効果を得ることができ
る。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that shielded wires and non-shielded wires are alternately arranged in the planar direction.
By adopting such a configuration, it becomes possible to minimize the influence of electromagnetic radiation, and high-frequency signals can be transmitted with high accuracy and stability at high speed. Moreover, since the space | interval of an adjacent shield wire can be expanded, the more excellent shielding effect can be acquired.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線と、非シールド線と、が上
下方向に多層配置してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、シールド線と、非シールド線との配置設計が容易に
なるとともに、外部装置との電気接続についても容易となる。又、隣接するシールド線の
間隔を拡大できることから、より優れたシールド効果を得ることができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that shielded wires and non-shielded wires are arranged in multiple layers in the vertical direction.
With this configuration, the layout design of the shielded wire and the non-shielded wire is facilitated, and electrical connection with an external device is facilitated. Moreover, since the space | interval of an adjacent shield wire can be expanded, the more excellent shielding effect can be acquired.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、フレキシブル基板の一部に、同軸ライ
ン用コネクタが形成してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、同軸ラインと、外部装置との接続位置を、用途に合
わせて適宜選択することができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a coaxial line connector is formed on a part of the flexible substrate.
By setting it as such a structure, the connection position of a coaxial line and an external device can be suitably selected according to a use.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、フレキシブル基板あるいは駆動用回路
に、温度補償回路が設けてあることが好ましい。
このような構成とすることにより、周囲温度が変化した場合であっても、高周波信号を
精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a temperature compensation circuit is provided on the flexible substrate or the driving circuit.
With such a configuration, a high-frequency signal can be accurately and stably transmitted at high speed even when the ambient temperature changes.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の一部に、シール
ド線のアースが形成してあることが好ましい。
このような構成とすることにより、基板上に特別なアースを設けることなく、シールド
線におけるシールド効果を効果的に発揮することができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a ground of the shield wire is formed in a part of the interface means.
With such a configuration, the shielding effect of the shield wire can be effectively exhibited without providing a special ground on the substrate.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線を介して信号を伝送する通
信速度を、180Mbps以上の値とすることが好ましい。
このような構成とすることにより、所定の高速通信が可能となるばかりか、駆動用印加
電圧を抑制し、電気光学装置の消費電力を低下することができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable to set the communication speed for transmitting a signal via a shielded wire to a value of 180 Mbps or more.
With such a configuration, not only predetermined high-speed communication is possible, but also the drive applied voltage can be suppressed and the power consumption of the electro-optical device can be reduced.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の一部に、高周波
信号を送信するための伝送線として、UTP(Unshielded Twist Pair)ラインを含むこ
とが好ましい。
このような構成とすることにより、駆動用回路に対して、通常の低周波信号はもちろん
のこと、高周波信号についても精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。
したがって、高周波信号の高速伝送化に伴い、電気光学装置の画像特性の向上や省電力
化にも資することができる。
又、基板上に特別なアース配線を設ける必要がないことから、配線設計を容易に実施す
ることができる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a part of the interface means includes a UTP (Unshielded Twist Pair) line as a transmission line for transmitting a high-frequency signal.
By adopting such a configuration, a high-frequency signal can be accurately and stably transmitted at high speed with respect to the driving circuit as well as a normal low-frequency signal.
Accordingly, with the high-speed transmission of high-frequency signals, it is possible to contribute to improvement of image characteristics and power saving of the electro-optical device.
Further, since it is not necessary to provide a special ground wiring on the substrate, the wiring design can be easily performed.

又、本発明の別の態様は、上述したいずれか一つの電気光学装置を備えることを特徴と
する電子機器である。
すなわち、駆動用回路に信号を入力するためのインタフェース手段の一部に、高周波信
号を伝送するためのシールド線あるいはシールド線相当の伝送線を設けることにより、駆
動用回路に対して、したがって、電気光学装置における画像特性の向上や少電力化に資す
ることができ、そのような電気光学装置を備えた電子機器の適応性を向上させることがで
きる。
Another aspect of the present invention is an electronic apparatus including any one of the above-described electro-optical devices.
That is, by providing a shield line for transmitting a high-frequency signal or a transmission line corresponding to the shield line in a part of the interface means for inputting a signal to the drive circuit, the drive circuit can be electrically connected. It is possible to contribute to improvement of image characteristics and power reduction in the optical device, and it is possible to improve the adaptability of an electronic apparatus including such an electro-optical device.

以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、およびそのような電気光学装置を備え
た電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本
発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任
意に限定することが可能である。
Hereinafter, embodiments of the electro-optical device of the present invention and an electronic apparatus including such an electro-optical device will be described in detail with reference to the drawings. However, this embodiment shows one aspect of the present invention and does not limit the present invention, and can be arbitrarily limited within the scope of the present invention.

[第1実施形態]
第1実施形態は、基板と、基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動
用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装
置において、インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するためのシールド線ある
いはシールド線相当の伝送線を含むことを特徴とする。
以下、図1〜15を適宜参照しながら、本発明の第1実施形態の電気光学装置について
、所定のインタフェース手段4を備えた液晶表示装置100を例にとって説明する。
[First Embodiment]
The first embodiment is an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside. A part of the interface means includes a shield line for transmitting a high-frequency signal or a transmission line corresponding to the shield line.
Hereinafter, the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention will be described taking the liquid crystal display device 100 including the predetermined interface unit 4 as an example with reference to FIGS. 1 to 15 as appropriate.

1.液晶表示装置の基本構造
まず、図1を参照して、本発明にかかる第1実施形態の液晶表示装置100の基本構造
について具体的に説明する。ここで、図1は本実施形態に係る液晶表示装置100の概略
図である。
かかる液晶表示装置100は、画像を表示するための液晶パネル220を備えている。
この液晶パネル220は、主に、後述する画素基板14と、カラーフィルタ基板12と、
液晶材料232と、から構成されており、液晶材料232を電気的に制御することにより
文字、図形等の画像を表示することができる。
又、液晶表示装置100の側面には、外形よりも外側に張り出してなる基板張り出し部
14Tを備えている。この基板張り出し部14T上には、主に出力側電気配線65、入力
側電気配線67と駆動用回路を含む半導体素子91とが形成されている。
1. First, the basic structure of the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. Here, FIG. 1 is a schematic view of a liquid crystal display device 100 according to the present embodiment.
The liquid crystal display device 100 includes a liquid crystal panel 220 for displaying an image.
The liquid crystal panel 220 mainly includes a pixel substrate 14 described later, a color filter substrate 12,
The liquid crystal material 232 and the liquid crystal material 232 can be electrically controlled to display images such as characters and figures.
The side surface of the liquid crystal display device 100 is provided with a substrate overhanging portion 14T that projects outward from the outer shape. On the substrate overhanging portion 14T, an output side electric wiring 65, an input side electric wiring 67, and a semiconductor element 91 including a driving circuit are mainly formed.

又、インタフェース手段4は、駆動用回路を含む半導体素子91に対して信号を外部か
ら入力するための部材であるが、主要素としてフレキシブル基板93を備えている。そし
て、そのフレキシブル基板93の表面上に、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線
50と、非シールド線51と、が配線してある。
更に、フレキシブル基板93の端部と、張り出し部14Tの端部とは、上下に重なるよ
うに接触しており、接続部8を形成している。そして、かかる接続部8において、図示し
ないものの、電気配線67と、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線50および非
シールド線51とは、例えば、異方性導電フィルム(ACF)やバンプを介して電気的に
接続されている。
したがって、インタフェース手段4を介して、駆動用回路に対して、高速信号として、
駆動用信号等が外部から入力されると、それに応じて、液晶表示装置100において所定
の画像表示を行うことができるように構成されている。
The interface means 4 is a member for inputting a signal from the outside to the semiconductor element 91 including the driving circuit, and includes a flexible substrate 93 as a main element. On the surface of the flexible substrate 93, a shielded wire or a transmission line 50 corresponding to the shielded wire and a non-shielded wire 51 are wired.
Further, the end portion of the flexible substrate 93 and the end portion of the overhanging portion 14T are in contact with each other so as to overlap each other and form the connection portion 8. In the connection portion 8, although not shown, the electrical wiring 67, the transmission line 50 corresponding to the shield line or the shield line, and the non-shield line 51 are, for example, via an anisotropic conductive film (ACF) or a bump. Electrically connected.
Therefore, as a high-speed signal to the driving circuit via the interface means 4,
When a driving signal or the like is input from the outside, the liquid crystal display device 100 can perform a predetermined image display accordingly.

2.液晶表示装置の具体的構造
次に、図2〜図3を参照して、本発明の第1実施形態に係る液晶パネルの具体的構造、
すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板及び偏光板について説明する。なお、図2
は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル200を示す概略斜
視図であり、図3は、液晶パネル200の模式的な概略断面図である。
又、図2に示される液晶パネル200は、パッシブマトリクス型構造を有する液晶パネ
ル200であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケー
ス体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
なお、本実施形態においてはTFD素子(Thin Film Diode)を備えたアクティブマト
リクス型構造を有する液晶パネルを例にとって説明するが、TFT素子(Thin Film Tran
sistor)等の非線形素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルやパッ
シブマトリクス型構造を有する液晶パネルであっても良い。
2. Specific Structure of Liquid Crystal Display Device Next, with reference to FIGS. 2 to 3, a specific structure of the liquid crystal panel according to the first embodiment of the present invention,
That is, the cell structure, wiring, retardation plate and polarizing plate will be described. Note that FIG.
These are the schematic perspective views which show the liquid crystal panel 200 which comprises the liquid crystal display device which concerns on 1st Embodiment of this invention, FIG. 3: is a typical schematic sectional drawing of the liquid crystal panel 200. FIG.
The liquid crystal panel 200 shown in FIG. 2 is a liquid crystal panel 200 having a passive matrix structure, and an illuminating device such as a backlight or a front light, a case body, and the like (not shown) are appropriately attached as necessary. As a result, a liquid crystal display device is obtained.
In the present embodiment, a liquid crystal panel having an active matrix structure including a TFD element (Thin Film Diode) will be described as an example. However, a TFT element (Thin Film Tran
A liquid crystal panel having an active matrix structure using a non-linear element such as a sistor) or a liquid crystal panel having a passive matrix structure may be used.

(1)セル構造
図2に示すように、液晶パネル200は、ガラス板や合成樹脂板等を基体13とする第
1の基板(カラーフィルタ基板)12と、これに対向配置され、同様にガラス板や合成樹
脂板等を基体27とする第2の基板(素子基板)14とが、接着剤等のシール材230を
介して貼り合わせられている。そして、カラーフィルタ基板12と、素子基板14とが形
成する空間であって、シール材230の内側部分に対して、注入口230aを介して液晶
を注入した後、封止材231にて封止されてなるセル構造を備えている。
すなわち、図3に示すように、カラーフィルタ基板12と素子基板14との間に液晶2
32が充填されるとともに、密封されていることが好ましい。
なお、以下の説明においては、第1の基板の基体として第1のガラス基板を使用し、又
、第2の基板の基体として第2のガラス基板を使用した例について説明する。
(1) Cell Structure As shown in FIG. 2, a liquid crystal panel 200 is disposed opposite to a first substrate (color filter substrate) 12 having a glass plate, a synthetic resin plate or the like as a base 13, and similarly glass. A second substrate (element substrate) 14 having a base plate 27, a synthetic resin plate, or the like as a base 27 is bonded through a sealing material 230 such as an adhesive. The liquid crystal is injected into the space formed by the color filter substrate 12 and the element substrate 14 into the inner portion of the sealing material 230 through the injection port 230a, and then sealed with the sealing material 231. The cell structure is formed.
That is, as shown in FIG. 3, the liquid crystal 2 is interposed between the color filter substrate 12 and the element substrate 14.
32 is preferably filled and sealed.
In the following description, an example will be described in which the first glass substrate is used as the base of the first substrate, and the second glass substrate is used as the base of the second substrate.

(2)配線
又、図2に示すように、第2のガラス基板27の内面(第1のガラス基板13に対向す
る表面)上に、複数のストライプ状のデータ電極(第2の電極パターン)26を形成し、
第1のガラス基板13の内面(第2のガラス基板27に対向する表面)上には、複数のス
トライプ状の走査電極(第1の電極パターン)19を形成することが好ましい。
又、データ電極26は、表示領域外において、電気配線29に対して接続することが好
ましい。さらに、もう一方の走査電極19を、第2のガラス基板27上の電気配線28に
対して、導電性粒子を含むシール材230を介して電気接続することが好ましい。
又、データ電極と走査電極との交差領域がマトリクス状に配列されて多数の画素を構成
し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Aを構成することになる。
なお、以下の説明においては、第2の電極パターンには、データ電極及び電気配線を含
むものとする。
(2) Wiring Also, as shown in FIG. 2, a plurality of striped data electrodes (second electrode pattern) are formed on the inner surface of the second glass substrate 27 (the surface facing the first glass substrate 13). 26,
A plurality of stripe-shaped scanning electrodes (first electrode patterns) 19 are preferably formed on the inner surface of the first glass substrate 13 (the surface facing the second glass substrate 27).
The data electrode 26 is preferably connected to the electrical wiring 29 outside the display area. Furthermore, it is preferable that the other scanning electrode 19 is electrically connected to the electric wiring 28 on the second glass substrate 27 through a sealing material 230 containing conductive particles.
Further, the intersecting regions of the data electrodes and the scanning electrodes are arranged in a matrix to form a large number of pixels, and the array of the large number of pixels constitutes the liquid crystal display region A as a whole.
In the following description, the second electrode pattern includes data electrodes and electrical wiring.

又、図2に示すように、第2のガラス基板27は、第1のガラス基板13の外形よりも
外側に張り出してなる基板張出部14Tを有し、この基板張出部14T上には、データ電
極26、電気配線28、29及び、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力
端子部(外部接続用端子)219が形成されていることが好ましい。
又、基板張出部14T上には、これらデータ電極26、電気配線28、29及び入力端
子部(外部接続用端子)219に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵し
た半導体素子(IC)91が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部14Tの端部には、入力端子部(外部接続用端子)219に導電接
続されるように、フレキシブル配線基板93が実装されていることが好ましい。
In addition, as shown in FIG. 2, the second glass substrate 27 has a substrate overhanging portion 14T that protrudes outward from the outer shape of the first glass substrate 13, and on the substrate overhanging portion 14T, The data electrode 26, the electrical wirings 28 and 29, and the input terminal portion (external connection terminal) 219 made of a plurality of wiring patterns formed independently are preferably formed.
Further, on the substrate overhanging portion 14T, a semiconductor incorporating a liquid crystal driving circuit and the like so as to be conductively connected to the data electrode 26, the electric wirings 28 and 29, and the input terminal portion (external connection terminal) 219. An element (IC) 91 is preferably mounted.
Furthermore, it is preferable that a flexible wiring board 93 is mounted on the end portion of the board extension part 14T so as to be conductively connected to the input terminal part (external connection terminal) 219.

(3)位相差板及び偏光板
図2に示される液晶パネル200において、図3に示すように、第1のガラス基板13
の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板(1/4波長板)250及
び偏光板251が配置されていることが好ましい。
そして、第2のガラス基板27の外面においても、位相差板(1/4波長板)240及
び偏光板241が配置されていることが好ましい。
(3) Phase difference plate and polarizing plate In the liquid crystal panel 200 shown in FIG. 2, as shown in FIG. 3, the first glass substrate 13.
It is preferable that a phase difference plate (¼ wavelength plate) 250 and a polarizing plate 251 are disposed at a predetermined position so that a clear image display can be recognized.
Also on the outer surface of the second glass substrate 27, it is preferable that a retardation plate (¼ wavelength plate) 240 and a polarizing plate 241 are disposed.

(4)第1の基板(カラーフィルタ基板)の基本的構成
カラーフィルタ基板12は、図3に示すように、基本的に、第1のガラス基板13と、
着色層16と、遮光層18と、走査電極(第1の電極パターン)19と、から構成してあ
ることが好ましい。
又、カラーフィルタ基板12において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に
使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板13と、着色層16との
間に、図3に示すように、反射層212a及び開口部212rを備えた半透過反射板21
2を設けることが好ましい。
さらに、カラーフィルタ基板12において、図3に示すように、画素毎に着色層16が
形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層(表面
保護層あるいはオーバーコート層)215により、被覆してあることが好ましい。このよ
うにして、着色層16と平坦化層(表面保護層)215とによってカラーフィルタが形成
されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層(図示せず。)を設け
ることも好ましい。
(4) Basic Configuration of First Substrate (Color Filter Substrate) As shown in FIG. 3, the color filter substrate 12 basically includes a first glass substrate 13,
The coloring layer 16, the light shielding layer 18, and the scanning electrode (first electrode pattern) 19 are preferably used.
Further, when the color filter substrate 12 needs a reflection function, for example, in a transflective liquid crystal display device used for a mobile phone or the like, a gap between the glass substrate 13 and the colored layer 16 is shown in FIG. As shown, the transflective plate 21 having a reflective layer 212a and an opening 212r.
2 is preferably provided.
Furthermore, in the color filter substrate 12, as shown in FIG. 3, a colored layer 16 is formed for each pixel, and a planarizing layer (surface protective layer or overcoat layer) made of a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin is formed thereon. ) 215. In this way, a color filter is formed by the colored layer 16 and the planarization layer (surface protective layer) 215. It is also preferable to provide an insulating layer (not shown) for improving electrical insulation.

(5)着色層
又、図3に示す着色層16は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて
所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとし
てR(赤)、G(緑)、B(青)の3色の組合せからなるものがあるが、これに限定され
るものではなく、Y(イエロー)、M(マゼンダ)、C(シアン)等の補色系や、その他
の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる
着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術(エッチング法)によって不要部分を欠
落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。
そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
又、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このス
トライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用す
ることができる。
(5) Colored Layer The colored layer 16 shown in FIG. 3 is usually made to exhibit a predetermined color tone by dispersing colorants such as pigments and dyes in a transparent resin. An example of the color tone of the colored layer is a primary color filter composed of a combination of three colors R (red), G (green), and B (blue), but is not limited to this. ), M (magenta), C (cyan), and other various color tones.
Such a colored layer usually has a predetermined color by applying a colored resist made of a photosensitive resin containing a coloring material such as a pigment or a dye on the surface of the substrate, and removing unnecessary portions by a photolithography technique (etching method). A colored layer having a pattern can be formed.
And when forming the colored layer of a some color tone, the said process is repeated.
Further, as the arrangement pattern of the colored layers, a stripe arrangement is often adopted. In addition to the stripe arrangement, various pattern shapes such as an oblique mosaic arrangement and a delta arrangement can be adopted.

(6)遮光層
又、図3に示すように、画素毎に形成された着色層16の間の画素間領域に、画像表示
の際のコントラストを向上させるために、遮光層(ブラックマトリクス、あるいはブラッ
クマスクと称する場合もある。)18を形成することが好ましい。
このようなブラックマトリクス18としては、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の
3色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色
材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。又、カーボン等の
黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用し
て、R(赤)層、G(緑)層、B(青)層の三層構造とすることも好ましい。
(6) Light-shielding layer As shown in FIG. 3, a light-shielding layer (black matrix or black matrix) is used to improve the contrast at the time of image display in the inter-pixel region between the colored layers 16 formed for each pixel. It may be referred to as a black mask.) 18 is preferably formed.
Examples of such a black matrix 18 include those in which three colorants of R (red), G (green), and B (blue) are dispersed in a resin or other base material, or black pigments or dyes. A material in which a coloring material such as a resin is dispersed in a resin or other base material can be used. In addition, since an excellent shielding effect can be obtained without using a black material such as carbon, an R (red) layer, a G (green) layer, and a B (blue) layer can be obtained using an additive color method. A layer structure is also preferable.

(7)反射層
又、図3に示すように、第1のガラス基板13の表面には、外光を利用して画像表示す
べく、反射層212aが形成されている。この反射層212aは、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成されて
いる。
又、反射層212aには、画素毎に、反射面を有する反射部と、開口部212rとが設
けられており、反射部においては外光を利用して画像表示を行い、開口部212rにおい
ては透過光を利用して画像表示を行うことができる。
(7) Reflective Layer As shown in FIG. 3, a reflective layer 212a is formed on the surface of the first glass substrate 13 to display an image using external light. The reflective layer 212a is composed of a metal thin film made of aluminum, aluminum alloy, chromium, chromium alloy, silver, silver alloy, or the like.
The reflective layer 212a is provided with a reflective portion having a reflective surface and an opening 212r for each pixel. The reflective portion 212a displays an image using external light, and the opening 212r has an image display. An image can be displayed using transmitted light.

(8)第1の電極パターン(走査電極)
又、図3に示すように、平坦化層215の上に、ITO(インジウムスズ酸化物)等の
透明導電体からなる走査電極(第1の電極パターン)19が形成されている。かかる走査
電極(第1の電極パターン)19は、通常、複数の透明電極を並列させたストライプ状に
構成されていることが好ましい。
(8) First electrode pattern (scanning electrode)
As shown in FIG. 3, a scanning electrode (first electrode pattern) 19 made of a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide) is formed on the planarization layer 215. The scanning electrode (first electrode pattern) 19 is usually preferably configured in a stripe shape in which a plurality of transparent electrodes are arranged in parallel.

(9)配向膜(第1の配向膜)
又、図3に示すように、第1の電極パターン(走査電極)19の上には、ポリイミド樹
脂等からなる第1の配向膜217が形成されている。
このように配向膜217を設けることにより、カラーフィルタ基板12を液晶表示装置
等に使用した場合に、電気光学物質(液晶材料)の配向制御を容易に実施することができ
る。
(9) Alignment film (first alignment film)
Further, as shown in FIG. 3, a first alignment film 217 made of polyimide resin or the like is formed on the first electrode pattern (scanning electrode) 19.
By providing the alignment film 217 as described above, when the color filter substrate 12 is used in a liquid crystal display device or the like, the alignment control of the electro-optical material (liquid crystal material) can be easily performed.

(10)第2の基板(素子基板)基本構造
図2及び図3に示すように、カラーフィルタ基板12と対向するもう一方の素子基板(
第2の基板)14は、基本的に、第2のガラス基板27と、データ電極26と、当該デー
タ電極26と電気接続されるTFD(Thin Film Diode)等の非線形素子と、当該非線形
素子と電気接続される画素電極20と、外部接続するための電気配線28、29と、から
構成してある。
又、図3に示すように、データ電極26上には、第1の基板12における第1の配向膜
と同様のポリイミド樹脂等からなる第2の配向膜224が形成されている。
さらに、素子基板においても、カラーフィルタ基板と同様に、第2の電極パターンが形
成されていない領域に対して、セルギャップを均一に調整するためのダミー電極が形成さ
れている。
なお、第1実施形態の液晶表示装置の例では、着色層が第1のガラス基板13上に設け
てあるが、着色層を、かかる素子基板14の第2のガラス基板27上に設けることもでき
る。さらに又、素子基板上に、非線形素子として、二端子型のTFDの代わりに、三端子
型のTFT(Thin Film Transistor)を用いることもできる。
(10) Basic Structure of Second Substrate (Element Substrate) As shown in FIGS. 2 and 3, the other element substrate facing the color filter substrate 12 (
The second substrate) 14 basically includes a second glass substrate 27, a data electrode 26, a non-linear element such as a TFD (Thin Film Diode) electrically connected to the data electrode 26, and the non-linear element. The pixel electrode 20 is electrically connected and the electrical wirings 28 and 29 for external connection are configured.
As shown in FIG. 3, a second alignment film 224 made of the same polyimide resin or the like as the first alignment film on the first substrate 12 is formed on the data electrode 26.
Further, in the element substrate, similarly to the color filter substrate, a dummy electrode for uniformly adjusting the cell gap is formed in a region where the second electrode pattern is not formed.
In the example of the liquid crystal display device of the first embodiment, the colored layer is provided on the first glass substrate 13. However, the colored layer may be provided on the second glass substrate 27 of the element substrate 14. it can. Furthermore, a three-terminal TFT (Thin Film Transistor) can be used on the element substrate as a nonlinear element instead of the two-terminal TFD.

(11)第2の電極パターン
又、素子基板には、図2に示すように、第2の電極パターンの一つであるデータ電極2
6が設けてある。かかるデータ電極26は、図2に示すように、複数の透明電極が、並列
したストライプ状に構成されている。
又、データ電極は、図2に示すように、一端側が外部接続用端子219となる電気配線
29に接続されるとともに、シール材230の外側であって、第2のガラス基板27にお
ける基板張出し部14Tまで延設されている。なお、隣接するデータ電極等の間の距離や
、データ電極の高さについては、上述の第1の電極パターンと同様とすることが可能であ
る。したがって、ここでの説明は省略する。
又、素子基板には、図2に示すように、第2の電極パターンの一つである電気配線28
、29が設けてある。通常、かかる電気配線28も、複数の金属膜が並列したストライプ
状に構成されている。
(11) Second Electrode Pattern As shown in FIG. 2, the data electrode 2 which is one of the second electrode patterns is provided on the element substrate.
6 is provided. As shown in FIG. 2, the data electrode 26 has a plurality of transparent electrodes arranged in a stripe shape.
Further, as shown in FIG. 2, the data electrode is connected to the electrical wiring 29 that has one end side serving as the external connection terminal 219, and is outside the sealing material 230, on the substrate overhanging portion of the second glass substrate 27. It is extended to 14T. Note that the distance between adjacent data electrodes and the height of the data electrodes can be the same as those of the first electrode pattern described above. Therefore, the description here is omitted.
Further, as shown in FIG. 2, the element substrate has an electric wiring 28 which is one of the second electrode patterns.
29 are provided. Usually, the electrical wiring 28 is also configured in a stripe shape in which a plurality of metal films are arranged in parallel.

3.インタフェース手段
(1)基本構成
次に、図1、図4及び図5を参照しながら、インタフェース手段4の基本構成について
説明する。
すなわち、かかるインタフェース手段4は、駆動用回路に対して信号を外部から入力す
るための部材である。したがって、その一部に、高周波信号を送信するためのシールド線
あるいはシールド線相当の伝送線を含むものであれば特に制限されるものではないが、図
1に示すように、主要素としてフレキシブル基板93を備え、その表面にシールド線ある
いはシールド線相当の伝送線が配線してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、インタフェース手段の形状を使用環境に
適合させることが容易となり、又外部装置との接続部分についての配線設計も又容易にな
るためである。
3. Interface Unit (1) Basic Configuration Next, the basic configuration of the interface unit 4 will be described with reference to FIG. 1, FIG. 4 and FIG.
That is, the interface means 4 is a member for inputting a signal from the outside to the driving circuit. Accordingly, there is no particular limitation as long as a part thereof includes a shield line for transmitting a high-frequency signal or a transmission line corresponding to the shield line. However, as shown in FIG. 93, and a shield wire or a transmission line corresponding to the shield wire is preferably provided on the surface thereof.
This is because the configuration makes it easy to adapt the shape of the interface means to the usage environment, and also facilitates the wiring design for the connection portion with the external device.

又、インタフェース手段4の基本構成に関し、シールド線あるいはシールド線相当の伝
送線50と、非シールド線51とがそれぞれフレキシブル基板93の表面の所定領域に形
成してあることが好ましい。
この理由は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線50と、非シールド線51と
を併設することにより、電磁波放射の影響が大きい高速信号に対してはシールド線あるい
はシールド線相当の伝送線を用い、一方、電磁波放射の影響が少ない低速信号に対しては
、非シールド線を用いることができるためである。
すなわち、高速通信が必要となる信号、例えば画像表示系信号に対してはシールド線あ
るいはシールド線相当の伝送線を使用し、低速通信であっても問題ない信号、例えば電源
系信号や設定系信号に対しては非シールド線を使用するといった使い分けができる。した
がって、所定場所にシールド線あるいはシールド線相当の伝送線50と、非シールド線5
1とを併設することにより、駆動用印加電圧を最小限に抑えることが可能となり、消費電
力を下げることができる。
Further, regarding the basic configuration of the interface means 4, it is preferable that a shielded wire or a transmission line 50 corresponding to the shielded wire and a non-shielded wire 51 are formed in a predetermined region on the surface of the flexible substrate 93.
This is because a shielded wire or a transmission line equivalent to a shielded wire and a non-shielded wire 51 are provided side by side, and a shielded wire or a transmission wire equivalent to a shielded wire is used for a high-speed signal that is greatly affected by electromagnetic radiation. On the other hand, unshielded wires can be used for low-speed signals that are less affected by electromagnetic radiation.
That is, for signals that require high-speed communication, such as image display system signals, use shielded lines or transmission lines equivalent to shielded lines. Can be used properly, such as using unshielded wires. Therefore, a shielded wire or a transmission line 50 corresponding to the shielded wire and a non-shielded wire 5 at a predetermined place.
1 can be used to minimize the applied voltage for driving, and the power consumption can be reduced.

又、インタフェース手段4の基本構成に関し、フレキシブル基板93の端部に、シール
ド線50につながる同軸ライン用コネクタ52が形成してあることが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、同軸ラインと外部装置との接続位置を
、使用用途に合わせて適宜選択することが可能となるためである。したがって、コネクタ
箇所の配置設計を容易に実施することができる。
なお、同軸ライン用コネクタ52の構成についても特に制限されるものでなく、機械式
コネクタであっても、光方式コネクタであっても良い。
Regarding the basic configuration of the interface means 4, it is preferable that a coaxial line connector 52 connected to the shield wire 50 is formed at the end of the flexible substrate 93.
This is because the connection position between the coaxial line and the external device can be appropriately selected according to the intended use by adopting such a configuration. Therefore, the arrangement design of the connector portion can be easily performed.
The configuration of the coaxial line connector 52 is not particularly limited, and may be a mechanical connector or an optical connector.

(2)シールド線あるいはシールド線相当の伝送線
次いで、インタフェース手段4に配線されるシールド線の内容について具体的に説明す
る。
まず、シールド線の種類に関して特に制限されるものではないが、例えば、マイクロス
トリップライン、コプレナーラインおよび同軸ラインの少なくとも一つを含んでいること
が好ましい。
この理由は、このような使用実績のある汎用型シールド線を用いることにより、配線設
計を低コストかつ確実に行うことができるためである。
(2) Shielded wire or transmission line equivalent to shielded wire Next, the content of the shielded wire wired to the interface means 4 will be specifically described.
First, although it does not restrict | limit especially regarding the kind of shield wire, For example, it is preferable that at least one of a microstrip line, a coplanar line, and a coaxial line is included.
This is because the wiring design can be reliably performed at low cost by using such a general-purpose shield wire that has been used.

ここで、図4(a)は、シールド線にマイクロストリップラインを用いた場合の、図1
におけるAA断面図を表している。かかるマイクロストリップライン50aは、フレキシ
ブル基板93aの表面上に形成され、その反対側の表面にアース配線53aが、マイクロ
ストリップライン50aと上下位置が揃うように形成されている。
したがって、マイクロストリップライン50aの線厚、線幅、線間隔、フレキシブル基
板の厚さ、アース配線の形態及びフレキシブル基板を構成する樹脂の誘電率等を適宜調整
することにより、後述する特性インピーダンスZを考慮して、インピーダンスマッチング
をとることができる。
Here, FIG. 4 (a) shows a case where a microstrip line is used as the shield line.
The AA sectional view in is shown. The microstrip line 50a is formed on the surface of the flexible substrate 93a, and the ground wiring 53a is formed on the surface on the opposite side so as to be aligned with the microstrip line 50a.
Therefore, the characteristic impedance Z, which will be described later, is adjusted by appropriately adjusting the line thickness, line width, line interval, thickness of the flexible substrate, the form of the ground wiring, the dielectric constant of the resin constituting the flexible substrate, and the like. Considering this, impedance matching can be taken.

又、図4(b)は、コプレナーラインを用いた場合の、図1におけるAA断面図を表し
ている。かかるコプレナーライン50bは、フレキシブル基板93bの同一表面上に形成
され、コプレナーライン50bと、アース配線53bと、が平面方向において交互に配置
されている。
したがって、コプレナーライン50bの線厚、線幅、線間隔、フレキシブル基板厚、及
びフレキシブル基板の構成樹脂の誘電率等を適宜調整することにより、インピーダンスマ
ッチングをとることができる。又、同一表面上に配線できることから、全体として薄型化
が可能となる。
FIG. 4B shows a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1 when a coplanar line is used. The coplanar lines 50b are formed on the same surface of the flexible substrate 93b, and the coplanar lines 50b and the ground wirings 53b are alternately arranged in the planar direction.
Therefore, impedance matching can be achieved by appropriately adjusting the line thickness, line width, line interval, flexible board thickness, dielectric constant of the constituent resin of the flexible board, and the like of the coplanar line 50b. Moreover, since wiring can be performed on the same surface, the overall thickness can be reduced.

又、図4(c)は、同軸ライン50cを用いた場合の、図1におけるAA断面図を表し
ている。かかる同軸ライン50cは、導線の周囲に同軸状にシールド部が設けてある。
したがって、同軸ライン50cの場合には、導線の直径、シールド部の直径、導線とシ
ールド部との間隔、フレキシブル基板の厚さ、フレキシブル基板の構成樹脂の誘電率、隣
接する同軸ライン間の距離等を適宜調整することにより、インピーダンスマッチングをと
ることができる。又、導線の回りをシールド部で覆う構造を有していることから、特に高
周波信号の伝送に適している。
なお、図示しないが、板状の導線の回りをシールド部で覆い、全体として平板形状を有
している同軸ラインとすることもできる。このような構成とすることにより、基板全体と
して薄型化が可能となる。
FIG. 4C is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1 when the coaxial line 50c is used. The coaxial line 50c is provided with a shield portion coaxially around the conducting wire.
Therefore, in the case of the coaxial line 50c, the diameter of the conductive wire, the diameter of the shield portion, the distance between the conductive wire and the shield portion, the thickness of the flexible substrate, the dielectric constant of the resin constituting the flexible substrate, the distance between adjacent coaxial lines, etc. By appropriately adjusting the impedance, impedance matching can be achieved. Further, since it has a structure in which the periphery of the conducting wire is covered with a shield part, it is particularly suitable for transmission of a high-frequency signal.
In addition, although not shown in figure, it can also be set as the coaxial line which covers the circumference | surroundings of a plate-shaped conducting wire with a shield part, and has a flat plate shape as a whole. With such a configuration, the entire substrate can be thinned.

又、図4(d)は、同軸ライン50dと、マイクロストリップライン50d´を併用し
た場合の、図1におけるAA断面図を表している。すなわち、同軸ライン50dと、マイ
クロストリップライン50d´とは、フレキシブル基板93dの表面上に併用して形成す
ることができる。又、このとき、同軸ラインとマイクロストリップラインとの平面方向に
おける配置は任意に選ぶことができる。なお、一例として、図4(d)では、両端に同軸
ライン50dを配置し、その間にマイクロストリップライン50d´を配置した構成を図
示してある。
FIG. 4D is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1 when the coaxial line 50d and the microstrip line 50d ′ are used in combination. In other words, the coaxial line 50d and the microstrip line 50d ′ can be formed in combination on the surface of the flexible substrate 93d. At this time, the arrangement of the coaxial line and the microstrip line in the plane direction can be arbitrarily selected. As an example, FIG. 4D shows a configuration in which coaxial lines 50d are arranged at both ends and a microstrip line 50d ′ is arranged therebetween.

又、図5(a)は、UTPライン50rを、フレキシブル基板93r上に配置した場合
の平面図を表しており、図5(b)は、図5(a)におけるAA断面図を表している。
かかるUTPライン50rは、導線(+側)51rと、導線(−側)52rと、絶縁性
被膜53rと、から構成されており、これら一対の導線を互いにらせん状に組み合わせて
、フレキシブル基板93rの表面上に形成されている。ここでUTPラインとは、らせん
状に組み合わせた一対の導線からなる、シールド部を備えていない伝送線であって、フレ
キシブル基板上に特別なアース配線を設けることなく用いることができる伝送線である。
したがって、UTPライン50rの場合には、導線直径、らせんピッチ等を適宜調整す
ることにより、インピーダンスマッチングをとることができる。又、らせん状に組み合わ
された構造を有していることから、各々の導線から生じる電磁波放射の影響を最小限に抑
えることが可能となるため、特に高周波信号の伝送に適している。
FIG. 5A shows a plan view when the UTP line 50r is arranged on the flexible substrate 93r, and FIG. 5B shows a cross-sectional view along AA in FIG. 5A. .
The UTP line 50r is composed of a conducting wire (+ side) 51r, a conducting wire (− side) 52r, and an insulating film 53r. The pair of conducting wires are combined in a spiral shape to form a flexible substrate 93r. It is formed on the surface. Here, the UTP line is a transmission line that includes a pair of conductors combined in a spiral shape and does not include a shield part, and can be used without providing a special ground wiring on the flexible substrate. .
Therefore, in the case of the UTP line 50r, impedance matching can be achieved by appropriately adjusting the lead wire diameter, the helical pitch, and the like. In addition, since it has a spirally combined structure, it is possible to minimize the influence of electromagnetic wave radiation generated from each conductor, which is particularly suitable for transmission of high-frequency signals.

又、インタフェース手段4にシールド線あるいはシールド線相当の伝送線を複数配線す
る場合、それらのインピーダンスを等しくし、いわゆるインピーダンスマッチングをとる
ことが好ましい。
この理由は、インピーダンスマッチングをとることにより、インピーダンスの不整合か
ら生じる高周波信号の伝送損失を最小限に抑えることができるためである。したがって、
インピーダンスマッチングをとることにより、高周波信号を精度よく、かつ安定的に伝送
することができる。
Further, when a plurality of shielded wires or transmission lines corresponding to the shielded wires are wired on the interface means 4, it is preferable to equalize their impedances and take so-called impedance matching.
This is because by taking impedance matching, transmission loss of a high frequency signal resulting from impedance mismatch can be minimized. Therefore,
By taking impedance matching, a high-frequency signal can be transmitted accurately and stably.

又、インピーダンスマッチングをとるにあたり、各々のシールド線あるいはシールド線
相当の伝送線の有する特性インピーダンスZを算出し、かかる値をもとに配線設計されて
いることが好ましい。
より具体的には、下式(1)から算出される特性インピーダンスZを、フレキシブル基
板上に配置された全てのシールド線あるいはシールド線相当の伝送線に対して算出し、調
整する。すなわち、かかる算出値の最大値と最小値の差が、所望の範囲内の値となるよう
配線設計することにより、インピーダンスマッチングをとることができる。
Z=377/[(w/h)×εr1/2[1+(1.735εr-0.0724)×(w/h)-0.836]] (1)
ここで、wはシールド線あるいはシールド線相当の伝送線の線幅(mm)であり、hは
フレキシブル基板厚(mm)であり、εrは、フレキシブル基板の構成樹脂の比誘電率(
−)であり、さらに、hはシールド線あるいはシールド線相当の伝送線の厚さに比べて十
分大きい値である。
In addition, when impedance matching is performed, it is preferable that the characteristic impedance Z of each shield line or transmission line corresponding to the shield line is calculated, and the wiring is designed based on such value.
More specifically, the characteristic impedance Z calculated from the following equation (1) is calculated and adjusted for all shield wires arranged on the flexible substrate or transmission lines corresponding to the shield wires. That is, impedance matching can be achieved by designing the wiring so that the difference between the maximum value and the minimum value of the calculated values is within a desired range.
Z = 377 / [(w / h) × εr 1/2 [1+ (1.735εr −0.0724 ) × (w / h) −0.836 ]] (1)
Here, w is a line width (mm) of a shielded wire or a transmission line corresponding to the shielded wire, h is a flexible substrate thickness (mm), and εr is a relative dielectric constant of a constituent resin of the flexible substrate (
In addition, h is a value sufficiently larger than the thickness of the shielded wire or the transmission line corresponding to the shielded wire.

又、図6に、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップラ
インを用いた場合に、上記式(1)を用いて特性インピーダンスを調整する方法の一例を
示してある。
図6(a)は、厚さh1のフレキシブル基板93nの基板上に、幅w1のマイクロスト
リップライン50nが配置された場合を表している。ここで、マイクロストリップライン
50nの特性インピーダンスを所望の値に変化させたい場合、図6(b)に示すように、
フレキシブル基板の厚さを固定したままで、マイクロストリップラインの幅w1を狭くす
ることにより、幅w2のマイクロストリップライン50pに変化させることができる。一
方、図6(c)に示すように、マイクロストリップラインの幅w1を固定したままで、フ
レキシブル基板の厚さh1を拡げることにより、厚さh2のフレキシブル基板93qに変
化させることもできる。したがって、このような構成の変更を行うことにより、式(1)
における変数w/hの値が変化し、特性インピーダンスの値を所望の値に合わせ込むこと
ができる。
又、図7は、式(1)で表される変数w/hと特性インピーダンスZとの関係のグラフ
を表している。かかるグラフから理解できるように、変数w/hの増加に伴い、特性イン
ピーダンスZは減少する傾向にあることが分かる。よって、本発明においてもインピーダ
ンスマッチングをとる際に、かかる関係を利用することができる。
FIG. 6 shows an example of a method of adjusting the characteristic impedance using the above formula (1) when a microstrip line is used as a shield line or a transmission line corresponding to the shield line.
FIG. 6A shows a case where the microstrip line 50n having the width w1 is arranged on the substrate of the flexible substrate 93n having the thickness h1. Here, when it is desired to change the characteristic impedance of the microstrip line 50n to a desired value, as shown in FIG.
By reducing the width w1 of the microstrip line while keeping the thickness of the flexible substrate fixed, the microstrip line 50p having the width w2 can be changed. On the other hand, as shown in FIG. 6C, by changing the thickness h1 of the flexible substrate while the width w1 of the microstrip line is fixed, it can be changed to the flexible substrate 93q having the thickness h2. Therefore, by making such a configuration change, equation (1)
The value of the variable w / h at, changes, and the value of the characteristic impedance can be adjusted to a desired value.
FIG. 7 shows a graph of the relationship between the variable w / h and the characteristic impedance Z expressed by equation (1). As can be understood from the graph, it can be seen that the characteristic impedance Z tends to decrease as the variable w / h increases. Therefore, in the present invention, this relationship can be used when impedance matching is performed.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、インタフェース手段の一部に、シール
ド線あるいはシールド線相当の伝送線のアース配線が形成してあることが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、フレキシブル基板上にアース接続を備
えることなく、シールド線の短絡を容易に行うことが可能となるためである。その結果、
高周波信号を精度よく、かつ安定的に伝送することができる。すなわち、図1に示すよう
に、フレキシブル基板93と、張り出し部14Tの端部と、が接続している接続界面にア
ース配線54を設けることで、フレキシブル基板上にアース配線を配置することなくシー
ルド線あるいはシールド線相当の伝送線を短絡させることが可能となる。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a ground wire for a shielded wire or a transmission wire corresponding to the shielded wire is formed in a part of the interface means.
This is because, by adopting such a configuration, it is possible to easily perform a short circuit of the shield wire without providing a ground connection on the flexible substrate. as a result,
High-frequency signals can be transmitted accurately and stably. That is, as shown in FIG. 1, by providing the ground wiring 54 at the connection interface where the flexible substrate 93 and the end of the overhanging portion 14T are connected, the shield can be provided without arranging the ground wiring on the flexible substrate. It becomes possible to short-circuit a transmission line corresponding to a wire or a shielded wire.

又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シールド線あるいはシールド線相当の
伝送線を介して信号を伝送する通信速度を、180Mbps以上の値とすることが好まし
い。
この理由は、このような構成とすることにより、所定の高速通信が可能となるばかりか
、駆動用印加電圧を抑制して、電気光学装置の消電力化を図ることができる。
又、このような構成とすることにより、必要な通信速度に合わせた伝送線を好適に選ぶ
ことができる。したがって、駆動用印加電圧を最小限に抑えることが可能となり、消費電
力をさらに下げることができる。
なお、通信速度を大きくする程、単位時間当たりの信号伝送量が多くなるものの、18
0Mbps以上の値であれば、画像表示系信号として好適に使用できることが判明してい
る。又、このような通信速度であれば、過度にシールド処理を施す必要が無いという利点
もある。一方、通信速度が1Gbps以上の値となると、さらに優れた画像表示ができる
ものの、所定のシールド処理を施す必要が生じることが判明している。
In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable to set the communication speed for transmitting a signal via a shielded wire or a transmission line corresponding to the shielded wire to a value of 180 Mbps or more.
The reason for this is not only that predetermined high-speed communication is possible, but also that the applied voltage for driving can be suppressed to reduce the power consumption of the electro-optical device.
Further, with such a configuration, it is possible to suitably select a transmission line that matches the required communication speed. Accordingly, the applied voltage for driving can be minimized, and the power consumption can be further reduced.
As the communication speed increases, the amount of signal transmission per unit time increases.
It has been found that a value of 0 Mbps or more can be suitably used as an image display system signal. In addition, with such a communication speed, there is an advantage that it is not necessary to perform an excessive shielding process. On the other hand, it has been found that when the communication speed becomes a value of 1 Gbps or more, it is possible to perform a predetermined shielding process, although a better image display can be performed.

(3)非シールド線
次いで、インタフェース手段4に配線される非シールド線について具体的に説明する。
一部上述したが、インタフェース手段には、シールド線あるいはシールド線相当の伝送
線と、非シールド線とを併用することが好ましく、その態様に合わせて、シールド線ある
いはシールド線相当の伝送線とともに所定領域にのみ非シールド線を配置することがさら
に好ましい。
ここで、図8(a)は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線50eと、非シー
ルド線51eとが、フレキシブル基板93eの表面上に形成され、非シールド線51eが
、平面方向において片側領域にブロック的に集めて配置してある構成を示している。
このような構成とすることにより、電磁波耐性の低い非シールド線であっても、電磁障
害を最小限に抑えることが可能となる。又、同じ種類の線を集合させることにより、イン
ピーダンスマッチングを容易にとることもできる。
なお、ここではシールド線としてマイクロストリップラインを用いた例を図示してある
。よって、フレキシブル基板93eの表面上の、マイクロスストリップライン50eが配
置されている側と対向する側に、アース配線53eがマイクロストリップラインと上下位
置が揃うように、配置されている。又、非シールド線の種類に関しては、特に制限される
ものではないが、特別に電磁障害対策を講じていない導線を意味している。
(3) Unshielded line Next, the unshielded line wired to the interface means 4 will be described in detail.
Although partly described above, it is preferable to use a shielded wire or a transmission line equivalent to a shielded wire and a non-shielded wire for the interface means. More preferably, the unshielded wire is disposed only in the region.
Here, FIG. 8A shows a shielded line or a transmission line 50e corresponding to the shielded line and a non-shielded line 51e formed on the surface of the flexible substrate 93e, and the non-shielded line 51e is a one-side region in the plane direction. Fig. 1 shows a configuration in which blocks are collected and arranged.
By adopting such a configuration, it is possible to minimize electromagnetic interference even with a non-shielded wire having low electromagnetic wave resistance. Impedance matching can be easily achieved by collecting the same type of lines.
Here, an example in which a microstrip line is used as a shield line is shown. Therefore, the ground wiring 53e is arranged on the surface of the flexible substrate 93e on the side opposite to the side where the microstrip line 50e is arranged so that the vertical position is aligned with the microstrip line. In addition, the type of unshielded wire is not particularly limited, but it means a lead wire that has not taken any special countermeasure against electromagnetic interference.

又、図8(b)は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線50fと、非シールド
線51fとが、フレキシブル基板93fの表面上に形成され、非シールド線51fが、平
面方向において中央領域にブロック的に配置してある構成を示している。
このような構成とすることにより、電磁波耐性の低い非シールド線であっても、電磁障
害を最小限に抑えることが可能となる。又、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線
を両端に配置することができるため、シールド線からの電磁波放射の影響を最小限に抑え
ることが可能となる。
なお、ここではシールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップ
ラインを用いた例を図示してある。よって、図8(b)下方に示すように、フレキシブル
基板93fの表面上の、マイクロスストリップライン50fが配置されている側と対向す
る側に、アース配線53fがマイクロストリップラインと上下位置が揃うように、配置さ
れている。
In FIG. 8B, a shielded line or a transmission line 50f corresponding to the shielded line and a non-shielded line 51f are formed on the surface of the flexible substrate 93f, and the non-shielded line 51f is formed in the central region in the planar direction. A configuration arranged in a block form is shown.
By adopting such a configuration, it is possible to minimize electromagnetic interference even with a non-shielded wire having low electromagnetic wave resistance. In addition, since shielded wires or transmission lines corresponding to shielded wires can be arranged at both ends, the influence of electromagnetic wave radiation from the shielded wires can be minimized.
Here, an example in which a microstrip line is used as a shield line or a transmission line corresponding to the shield line is shown. Therefore, as shown in the lower part of FIG. 8B, the ground wiring 53f is aligned with the microstrip line on the surface of the flexible substrate 93f opposite to the side where the microstrip line 50f is arranged. So that it is arranged.

又、図8(c)は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線50gと、非シールド
線51gとが、フレキシブル基板93gの表面上に形成され、非シールド線51gが、平
面方向において両側領域に配置してある構成を示している。
このような構成とすることにより、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線を一箇
所に集中して配置することが可能となることから、電磁障害を最小限に抑えることが可能
となる。
なお、ここではシールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップ
ラインを用いた例を図示してある。よって、図8(c)下方に示すように、フレキシブル
基板93fの表面上の、マイクロスストリップライン50fが配置されている側と対向す
る側に、アース配線53fがマイクロストリップラインと上下位置が揃うように、配置さ
れている。
Further, in FIG. 8C, a shielded line or a transmission line 50g corresponding to the shielded line and an unshielded line 51g are formed on the surface of the flexible substrate 93g, and the unshielded line 51g is formed in both side regions in the plane direction. The arrangement is shown.
By adopting such a configuration, it becomes possible to concentrate and arrange shielded wires or transmission lines corresponding to shielded wires in one place, so that electromagnetic interference can be minimized.
Here, an example in which a microstrip line is used as a shield line or a transmission line corresponding to the shield line is shown. Therefore, as shown in the lower part of FIG. 8C, the ground wiring 53f is aligned with the microstrip line on the surface of the flexible substrate 93f opposite to the side where the microstrip line 50f is arranged. So that it is arranged.

又、図8(d)は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線50hと、非シールド
線51hとが、フレキシブル基板93hの表面上に形成され、シールド線あるいはシール
ド線相当の伝送線50hと、非シールド線51hとが平面方向において交互に配置してあ
る構成を示している。
このような構成とすることにより、高周波信号による電磁波放射の影響を最小限に抑え
ることが可能となり、高周波信号の高精度、かつ安定的な伝送ができるためである。又、
同じ種類の線の間隔を広く設けることができるようになることから、設計精度が緩やかに
なり、配線加工についても容易となるためである。
なお、ここではシールド線あるいはシールド線相当の伝送線としてマイクロストリップ
ラインを用いた例を図示してある。よって、図8(d)下方に示すように、フレキシブル
基板93hの表面上の、マイクロスストリップライン50hが配置されている側と対向す
る側に、アース配線53hがマイクロストリップラインと上下位置が揃うように、配置さ
れている。
In FIG. 8D, a shielded line or transmission line 50h corresponding to the shielded line and a non-shielded line 51h are formed on the surface of the flexible substrate 93h, and a transmission line 50h equivalent to the shielded line or shielded line is formed. A configuration in which the non-shielded wires 51h are alternately arranged in the planar direction is shown.
This is because, by adopting such a configuration, it is possible to minimize the influence of electromagnetic wave radiation due to the high-frequency signal, and high-precision and stable transmission of the high-frequency signal can be performed. or,
This is because it is possible to provide a wide interval between the same type of lines, so that the design accuracy is moderated and wiring processing is facilitated.
Here, an example in which a microstrip line is used as a shield line or a transmission line corresponding to the shield line is shown. Therefore, as shown in the lower part of FIG. 8D, the ground wiring 53h is aligned with the microstrip line on the surface of the flexible substrate 93h opposite to the side where the microstrip line 50h is arranged. So that it is arranged.

又、インタフェース手段4において、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線及び
非シールド線の形状や配置を、フレキシブル基板93の形態に対応して定めることが好ま
しい。
この理由は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線を、その配線長が最短になる
よう配置することにより、電磁障害の原因となる高周波信号の伝送距離を短縮するためで
ある。つまり、そのような構成にすることにより、低周波信号はもちろんのこと、高周波
信号であっても精度良く、かつ安定的に高速伝送することができる。
ここで、図9(a)は、L字型形状のフレキシブル基板上に、マイクロストリップライ
ンを配置した場合の平面図およびAA断面図を表している。かかるフレキシブル基板93
i上には、同一表面上に、マイクロストリップライン50iおよび非シールド線51iが
形成されている。又、フレキシブル基板において、入力側端部と出力側端部の間を最短距
離で結んだ直線上に、マイクロストリップラインが位置するように形成されている。すな
わち、図9(a)に示す構成の場合、フレキシブル基板の平面形状をL字型とした場合、
マイクロストリップラインの長さが比較的短くなるように配置されている。
Further, in the interface means 4, it is preferable to determine the shape and arrangement of the shielded wire or the transmission line corresponding to the shielded wire and the non-shielded wire corresponding to the form of the flexible substrate 93.
This is because the transmission distance of the high-frequency signal that causes electromagnetic interference is shortened by arranging the shield line or the transmission line corresponding to the shield line so that the wiring length is the shortest. That is, with such a configuration, not only low-frequency signals but also high-frequency signals can be accurately and stably transmitted at high speed.
Here, FIG. 9A shows a plan view and a cross-sectional view taken along line AA when a microstrip line is arranged on an L-shaped flexible substrate. Such a flexible substrate 93
On i, a microstrip line 50i and an unshielded line 51i are formed on the same surface. In the flexible substrate, the microstrip line is formed on a straight line connecting the input side end and the output side end with the shortest distance. That is, in the case of the configuration shown in FIG. 9A, when the planar shape of the flexible substrate is L-shaped,
It arrange | positions so that the length of a microstrip line may become comparatively short.

又、図9(b)は、T字型形状のフレキシブル基板の基板上に、マイクロストリップラ
インを用いた場合の平面図およびBB断面図を表している。かかるフレキシブル基板93
j上には、同一表面上に、マイクロストリップライン50jおよび非シールド線51jが
形成されている。又、フレキシブル基板において、入力側端部と出力側端部の間を最短距
離で結んだ直線上に、マイクロストリップラインが位置するように形成されている。すな
わち、図8(b)に示す構成の場合、フレキシブル基板の平面形状をT字型とした場合、
マイクロストリップラインの長さが比較的短くなるように、左右方向に2本均等に配置さ
れている。
FIG. 9B shows a plan view and a BB cross-sectional view when a microstrip line is used on a T-shaped flexible substrate. Such a flexible substrate 93
On j, a microstrip line 50j and a non-shielded line 51j are formed on the same surface. In the flexible substrate, the microstrip line is formed on a straight line connecting the input side end and the output side end with the shortest distance. That is, in the case of the configuration shown in FIG. 8B, when the planar shape of the flexible substrate is T-shaped,
Two microstrip lines are equally arranged in the left-right direction so that the length of the microstrip line is relatively short.

又、図9(c)は、十字型形状のフレキシブル基板の基板上に、マイクロストリップラ
インを用いた場合の平面図およびCC断面図を表している。かかるフレキシブル基板93
k上には、同一表面上に、マイクロストリップライン50kおよび非シールド線51kが
形成されている。又、フレキシブル基板において、入力側端部と出力側端部の間を最短距
離で結んだ直線上に、マイクロストリップラインが位置するように形成されている。すな
わち、図9(c)に示す構成の場合、フレキシブル基板の平面形状を十字型とした場合、
マイクロストリップラインの長さが比較的短くなるように、3方向に配置されている。
FIG. 9C shows a plan view and a CC cross-sectional view when a microstrip line is used on a cross-shaped flexible substrate. Such a flexible substrate 93
On k, a microstrip line 50k and an unshielded line 51k are formed on the same surface. In the flexible substrate, the microstrip line is formed on a straight line connecting the input side end and the output side end with the shortest distance. That is, in the case of the configuration shown in FIG. 9C, when the planar shape of the flexible substrate is a cross shape,
The microstrip lines are arranged in three directions so that the length of the microstrip line is relatively short.

又、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線と、非シールド線とを併用するにあた
り、図10(a)〜(b)に示すように、インタフェース手段4において、シールド線あ
るいはシールド線相当の伝送線と、非シールド線と、が上下方向に多層配置されているこ
とが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、電磁波放射の影響を最小限に抑えるこ
とが可能となり、高周波信号の高精度、かつ安定的な伝送ができるためである。又、外部
装置との接続部分について、ワイヤボンディングなどの接続手段を用いることが可能とな
り、接続部分の形状の制約が緩やかになることから配線設計が容易となる。
Further, when a shielded wire or a transmission line equivalent to a shielded wire and a non-shielded wire are used in combination, as shown in FIGS. 10A to 10B, the interface means 4 uses a shielded wire or a transmission wire equivalent to a shielded wire. And the non-shielded wires are preferably arranged in multiple layers in the vertical direction.
The reason for this is that by adopting such a configuration, it is possible to minimize the influence of electromagnetic radiation, and high-frequency signals can be transmitted with high accuracy and stability. In addition, connection means such as wire bonding can be used for the connection portion with the external device, and the shape of the connection portion becomes less restrictive so that wiring design is facilitated.

ここで、図10(a)は、フレキシブル基板93Lの内部にシールド線あるいはシール
ド線相当の伝送線50Lを備え、表面に非シールド線51Lをそれぞれ備えている状態を
表している。なお、図10(a)は、シールド線あるいはシールド線相当の伝送線として
マイクロストリップラインを用いた例を図示してある。よって、フレキシブル基板93L
の表面上には、非シールド線が配置されていない側に、アース配線53Lがシールド線5
0Lと上下位置が揃うように、配置されている。このような配置とすることにより、シー
ルド線と非シールド線との間隔を開けることが容易になる。その結果、電磁波放射の影響
を受けやすい非シールド線を、影響の受けにくい位置にのみ設計するなど、配線設計の過
程で電磁障害対策を講じやすくなる。
Here, FIG. 10A shows a state in which the flexible substrate 93L includes a shielded wire or a transmission line 50L corresponding to the shielded wire, and a non-shielded wire 51L on the surface. FIG. 10A shows an example in which a microstrip line is used as a shield line or a transmission line corresponding to the shield line. Therefore, flexible substrate 93L
On the surface of the wire, the ground wire 53L is connected to the shield wire 5 on the side where the non-shield wire is not disposed.
It is arranged so that the vertical position is aligned with 0L. With this arrangement, it is easy to leave a gap between the shielded wire and the non-shielded wire. As a result, it is easy to take countermeasures against electromagnetic interference in the process of wiring design, such as designing non-shielded wires that are easily affected by electromagnetic radiation only at positions where they are not easily affected.

又、図10(b)は、フレキシブル基板として93mと93m´の2枚を有している状
態を表している。そして、フレキシブル基板93mの表面上にはシールド線あるいはシー
ルド線相当の伝送線50mが配線されており、フレキシブル基板93m´の表面上には、
非シールド線51mが配線されている。更に、図10(b)はシールド線あるいはシール
ド線相当の伝送線としてマイクロストリップラインを用いた例を図示してある。したがっ
て、フレキシブル基板93mと93m´との間に挟まれるようにアース配線53mが、シ
ールド線あるいはシールド線相当の伝送線50mと上下位置が揃うように、配置されてい
る。このような配置とすることにより、シールド線と非シールド線との間に設けられたア
ース線が、電磁波遮蔽効果をもたらすことから、電磁波放射の影響を最小限に抑えること
が可能となる。更に、非シールド線についても、所定のノイズ低減効果を得ることができ
る。
FIG. 10B shows a state in which two flexible substrates 93m and 93m ′ are provided. A shielded wire or a transmission line 50m corresponding to the shielded wire is wired on the surface of the flexible substrate 93m, and on the surface of the flexible substrate 93m ′,
A non-shielded wire 51m is wired. Further, FIG. 10B shows an example in which a microstrip line is used as a shield line or a transmission line corresponding to the shield line. Therefore, the ground wiring 53m is arranged so that the vertical position is aligned with the shield line or the transmission line 50m corresponding to the shield line so as to be sandwiched between the flexible boards 93m and 93m ′. With such an arrangement, the ground wire provided between the shielded wire and the non-shielded wire provides an electromagnetic wave shielding effect, so that the influence of electromagnetic wave radiation can be minimized. Furthermore, a predetermined noise reduction effect can be obtained for the unshielded wire.

(4)コネクタ
又、インタフェース手段4において、図1に示すように、シールド線あるいはシールド
線相当の伝送線50の末端部には、外部装置との接続のためのコネクタ52が配置されて
いる。このコネクタ52は、フレキシブル基板93上に配置されており、任意に配置場所
を選択することができる。更には、張り出し部14T上に直接COGにより実装すること
もできる。よって、外部装置との接続箇所を合わせ込む配線設計を、容易に行うことが可
能となる。
又、フレキシブル基板と、外部装置とを接続するにあたり、図11に示すように、フレ
キシブル基板93の端部に外部接続のための機械的コネクタ93Tを備えることが好まし
い。又、かかる機械的コネクタ93Tと、外部装置270に設けられたコネクタ挿入部2
70Tと、が機械的および電気的に接続されていることも好ましい。例えば、機械的コネ
クタ93Tを、コネクタ挿入部270T内に設けられた空隙275に挿入することにより
、機械的コネクタ93Tと、コネクタ挿入部270Tとが固定治具274により固定され
る。したがって、コネクタ挿入部270T内部に設けられた上側端子272と、下側端子
273とが、フレキシブル基板93上に配置されたシールド線50もしくは非シールド線
51と、それぞれ接触して電気的に接続することが可能となる。すなわち、このような構
成とすることにより、かかる接続部の接触抵抗が減少し、より高精度かつ安定的な信号伝
送が可能となる。又、コネクタの着脱が容易になることから、着脱を繰り返した場合の機
械的劣化を防ぐこともできる。
(4) Connector In the interface means 4, as shown in FIG. 1, a connector 52 for connection with an external device is disposed at the end of the shielded wire or the transmission line 50 corresponding to the shielded wire. The connector 52 is arranged on the flexible substrate 93, and the arrangement location can be arbitrarily selected. Further, it can be mounted directly on the overhanging portion 14T by COG. Therefore, it is possible to easily perform a wiring design that matches the connection location with the external device.
In connecting the flexible board and the external device, it is preferable to provide a mechanical connector 93T for external connection at the end of the flexible board 93 as shown in FIG. Further, the mechanical connector 93T and the connector insertion portion 2 provided in the external device 270
It is also preferable that 70T is mechanically and electrically connected. For example, the mechanical connector 93T and the connector insertion portion 270T are fixed by the fixing jig 274 by inserting the mechanical connector 93T into the gap 275 provided in the connector insertion portion 270T. Therefore, the upper terminal 272 and the lower terminal 273 provided in the connector insertion portion 270T are in contact with and electrically connected to the shielded wire 50 or the non-shielded wire 51 disposed on the flexible substrate 93, respectively. It becomes possible. That is, by adopting such a configuration, the contact resistance of the connection portion is reduced, and more accurate and stable signal transmission is possible. In addition, since the connector can be easily attached and detached, it is possible to prevent mechanical deterioration when the attachment and detachment are repeated.

(5)外部装置
又、図12に示すように、フレキシブル基板93は、その端部において外部装置400
と接続されている。かかる外部装置400は、入力された命令を解釈し実行するCPU4
01と、かかるCPU401からの信号を駆動用回路91へ伝える信号処理回路402と
、電源403を備えている。すなわち、外部からの命令として、例えば表示ON/OFF
や、画面切り替え等の信号が入力されることにより、CPU401によりデジタル信号化
され、信号処理回路402に転送される。そして、信号処理回路402では、内蔵する記
憶手段と照合するなどして具体的な表示情報に変換される。その後、インタフェース手段
4を経由して、液晶表示装置100に設けられた駆動用回路91に送信されるように構成
してある。
ここで、信号処理回路402は、更に高速信号処理回路404と、低速信号処理回路4
05と、から構成されていることが好ましい。この理由は、このような構成とすることに
より、動作モードを適宜切り替えることができるためである。すなわち、CPU401は
、高速信号及び低速信号に適した駆動電圧および動作周波数になるように、動作モードを
切り替え、より少ない消費電力で動作することが可能となる。
(5) External Device As shown in FIG. 12, the flexible substrate 93 has an external device 400 at its end.
Connected with. The external device 400 is a CPU 4 that interprets and executes an input command.
01, a signal processing circuit 402 for transmitting a signal from the CPU 401 to the driving circuit 91, and a power source 403. That is, as an external command, for example, display ON / OFF
When a signal for screen switching or the like is input, it is converted into a digital signal by the CPU 401 and transferred to the signal processing circuit 402. Then, in the signal processing circuit 402, it is converted into specific display information, for example, by collating with a built-in storage means. Thereafter, the signal is transmitted to the driving circuit 91 provided in the liquid crystal display device 100 via the interface unit 4.
Here, the signal processing circuit 402 further includes a high-speed signal processing circuit 404 and a low-speed signal processing circuit 4.
05 is preferable. This is because the operation mode can be switched as appropriate by adopting such a configuration. That is, the CPU 401 can operate with less power consumption by switching the operation mode so that the driving voltage and the operating frequency are suitable for the high-speed signal and the low-speed signal.

(6)温度補償回路
又、図1に示すように、フレキシブル基板の一部、あるいは駆動用回路の一部に、温度
補償回路が設けてあることが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、周囲温度が変化した場合であっても、
高周波信号を用いて、精度良く、かつ安定的に高速伝送することができるためである。
ここで、かかる温度補償回路300は、例えば図13に示すような回路を構成すること
が好ましい。より具体的には、温度依存性抵抗356の温度特性を利用し、温度依存性抵
抗356および抵抗357で分圧された第一の電圧V1と、抵抗358および抵抗359
で分圧された第二の電圧V2と、を第一のトランジスタ361および第二のトランジスタ
362から構成される比較回路367において比較する。次に、その出力を電圧V3とし
てCPU365に送り、CPU365で判断処理して、環境温度が所定温度以上か否かを
判断し、その結果を駆動用回路91に送ることで、温度変化に対応した表示情報を伝送す
ることが可能となる。
(6) Temperature Compensation Circuit As shown in FIG. 1, it is preferable that a temperature compensation circuit is provided on a part of the flexible substrate or a part of the driving circuit.
The reason for this is that even if the ambient temperature has changed due to such a configuration,
This is because high-frequency signals can be accurately and stably transmitted at high speed.
Here, it is preferable that the temperature compensation circuit 300 constitutes a circuit as shown in FIG. 13, for example. More specifically, using the temperature characteristic of the temperature-dependent resistor 356, the first voltage V1 divided by the temperature-dependent resistor 356 and the resistor 357, the resistor 358, and the resistor 359 are used.
The second voltage V <b> 2 that has been divided by is compared in the comparison circuit 367 including the first transistor 361 and the second transistor 362. Next, the output is sent to the CPU 365 as the voltage V3, and the CPU 365 performs a determination process to determine whether or not the environmental temperature is equal to or higher than a predetermined temperature, and the result is sent to the drive circuit 91 to cope with the temperature change. Display information can be transmitted.

又、図14(a)〜(c)は、温度変化が生じた場合に、その変化に追随するように駆
動信号の印加電圧、印加時間を変化させる機構の一例を示している。
例えば、図14(a)に示すように、環境温度が30℃以下になった場合には、高温側
の場合と比較して、印加電圧の値を大きくしたり、図14(b)に示すように、温度が下
がるにつれて印加時間を長くしたりすることが好ましい。さらに、図14(c)に示すよ
うに、環境温度に対して印加電圧と印加時間の積を変化させることも好ましい。
14A to 14C show an example of a mechanism for changing the application voltage and application time of the drive signal so as to follow the change when the temperature change occurs.
For example, as shown in FIG. 14 (a), when the environmental temperature is 30 ° C. or lower, the value of the applied voltage is increased or the value shown in FIG. Thus, it is preferable to lengthen the application time as the temperature decreases. Furthermore, as shown in FIG. 14C, it is also preferable to change the product of the applied voltage and the applied time with respect to the environmental temperature.

[第2実施形態]
図15は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は
、電気光学装置としての液晶パネル20と、これを制御するための制御手段200とを有
している。又、図14中では、液晶パネル20を、パネル構造体20aと、半導体素子(
IC)等で構成される駆動回路20bと、に概念的に分けて描いてある。又、制御手段2
00は、表示情報出力源201と、表示処理回路202と、電源回路203と、タイミン
グジェネレータ204とを有することが好ましい。
又、表示情報出力源201は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access
Memory)等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージ
ユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレー
タ204によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信
号等の形で表示情報を表示処理回路202に供給するように構成されていることが好まし
い。
[Second Embodiment]
FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing the overall configuration of the electronic apparatus of the present embodiment. The electronic apparatus includes a liquid crystal panel 20 as an electro-optical device and a control unit 200 for controlling the liquid crystal panel 20. In FIG. 14, the liquid crystal panel 20 includes a panel structure 20 a and a semiconductor element (
IC) or the like, and is divided conceptually into a drive circuit 20b. Control means 2
00 preferably includes a display information output source 201, a display processing circuit 202, a power supply circuit 203, and a timing generator 204.
The display information output source 201 includes a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access).
Memory), a storage unit composed of a magnetic recording disk, an optical recording disk, and the like, and a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal. Based on various clock signals generated by the timing generator 204, It is preferable that the display information is supplied to the display processing circuit 202 in the form of a predetermined format image signal or the like.

又、表示処理回路202は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテー
ション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情
報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKと共に駆動回路20bへ供給す
ることが好ましい。さらに、駆動回路20bは、第1の電極駆動回路、第2の電極駆動回
路及び検査回路を含むことが好ましい。又、電源回路203は、上述の各構成要素にそれ
ぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、インタフェース手段の一部に、高周波信号を
送信するためのシールド線あるいはシールド線相当の伝送線を含んでいることから、駆動
用回路に対して、高周波信号を高速伝送することができる電気光学装置を備えており、明
るく、優れた画像表示を、少電力化に実現できる電子機器とすることができる。
The display processing circuit 202 includes various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and executes processing of input display information to display the image. Information is preferably supplied to the drive circuit 20b together with the clock signal CLK. Furthermore, the drive circuit 20b preferably includes a first electrode drive circuit, a second electrode drive circuit, and an inspection circuit. The power supply circuit 203 has a function of supplying a predetermined voltage to each of the above-described components.
In the electronic apparatus according to the present embodiment, a part of the interface unit includes a shielded line for transmitting a high-frequency signal or a transmission line corresponding to the shielded line. An electro-optical device capable of transmitting a signal at high speed is provided, and a bright and excellent image display can be obtained as an electronic device that can realize low power consumption.

本発明によれば、インタフェース手段の一部に、高周波信号を送信するためのシールド
線あるいはシールド線相当の伝送線を含んでいることから、駆動用回路に対して、高周波
信号を高速伝送することができるようになった。したがって、高周波信号の高速伝送化に
伴い、電気光学装置の画像特性の向上や少電力化に資することができるようになった。
よって、TFD素子やTFT素子を備えた液晶表示装置等の電気光学装置や電子機器、
例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューフ
ァインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ
、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話
、POS端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置(FED:Fie
ld Emission DisplayやSCEED:Surface-Conduction Electron-Emitter Display)な
どに幅広く適用することができる。
According to the present invention, since a part of the interface means includes a shielded line for transmitting a high-frequency signal or a transmission line corresponding to the shielded line, the high-frequency signal can be transmitted to the drive circuit at a high speed. Can now. Accordingly, with the increase in the transmission speed of high-frequency signals, it has become possible to contribute to the improvement of image characteristics and the reduction of power consumption of the electro-optical device.
Therefore, an electro-optical device such as a liquid crystal display device provided with a TFD element or a TFT element, an electronic device,
For example, mobile phones and personal computers, liquid crystal televisions, viewfinder type / monitor direct view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electrophoresis devices, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, electronic devices with touch panels, devices with electron-emitting devices (FED: Fie
It can be widely applied to ld Emission Display and SCEED (Surface-Conduction Electron-Emitter Display).

所定のインタフェース手段を備えた液晶表示装置の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the liquid crystal display device provided with the predetermined | prescribed interface means. 液晶表示装置を構成する液晶パネルの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the liquid crystal panel which comprises a liquid crystal display device. 液晶表示装置を模式的に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a liquid crystal display device typically. インタフェース手段におけるシールド線の配置構成を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the arrangement configuration of the shield line in an interface means. インタフェース手段におけるUTPラインの配置構成を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the arrangement structure of the UTP line in an interface means. マイクロストリップラインにおけるシールド線の線幅と、フレキシブル基板の厚さとの関係を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the relationship between the line | wire width of the shield line in a microstrip line, and the thickness of a flexible substrate. マイクロストリップラインにおけるシールド線の線幅と、フレキシブル基板の厚さとの比と、特性インピーダンスとの関係を説明するために供する特性図である。It is a characteristic view provided in order to demonstrate the relationship between the line width of the shield line in a microstrip line, the ratio of the thickness of a flexible substrate, and characteristic impedance. インタフェース手段におけるシールド線と、非シールド線との配置構成を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the arrangement configuration of the shielded wire and the non-shielded wire in the interface means. インタフェース手段における平面形状と、シールド線の配線との関係を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the relationship between the planar shape in an interface means, and the wiring of a shield wire. インタフェース手段におけるシールド線と、非シールド線と、フレキシブル基板との配置構成を説明するために供する断面図である。It is sectional drawing with which it uses in order to demonstrate the arrangement configuration of the shield wire in an interface means, a non-shield wire, and a flexible substrate. インタフェース手段と、外部装置との接続を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the connection of an interface means and an external device. 液晶表示装置と、外部装置との関係を説明するために供するブロック図である。It is a block diagram provided in order to demonstrate the relationship between a liquid crystal display device and an external device. 温度補償回路の構成を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the structure of a temperature compensation circuit. 温度補償機構における温度と、電圧と、時間との関係を説明するために供する特性図である。It is a characteristic view provided in order to demonstrate the relationship in temperature in a temperature compensation mechanism, a voltage, and time. 本発明の電子光学装置を備えた電子機器の概略構成を説明するために供するブロック図である。1 is a block diagram provided for explaining a schematic configuration of an electronic apparatus including an electro-optical device according to the invention. 従来のシールド線を備えた液晶表示装置を説明するために供する図である。It is a figure provided in order to demonstrate the liquid crystal display device provided with the conventional shield wire.

符号の説明Explanation of symbols

4:インタフェース手段、12:第1の基板、13:第1のガラス基板、14:第2の基
板、27:第2のガラス基板、19:第1の配線パターン(走査電極)、20:第2の配
線パターン(画素電極)、26:データ線、28:引回し配線、50:シールド線あるい
はシールド線相当の伝送線、51:非シールド線、53:コネクタ、53:アース配線、
93:フレキシブル基板、91:駆動用回路、100:液晶表示装置、200:液晶パネ
ル、230:シール材、232:液晶材料、300:温度補償回路
4: interface means, 12: first substrate, 13: first glass substrate, 14: second substrate, 27: second glass substrate, 19: first wiring pattern (scanning electrode), 20: first 2 wiring pattern (pixel electrode), 26: data line, 28: lead-out wiring, 50: shielded line or transmission line equivalent to shielded line, 51: unshielded line, 53: connector, 53: ground wiring,
93: Flexible substrate, 91: Driving circuit, 100: Liquid crystal display device, 200: Liquid crystal panel, 230: Seal material, 232: Liquid crystal material, 300: Temperature compensation circuit

Claims (8)

基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
前記インタフェースは、フレキシブル基板を有し、
前記フレキシブル基板は、その表面に高周波信号を送信するためのシールド線と、非シールド線とがそれぞれ複数形成されており、
前記シールド線は、平面視した状態で、前記フレキシブル基板の幅方向における一端側に集中して配置されることを特徴とする電気光学装置。
In an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside,
The interface has a flexible substrate,
The flexible substrate is formed with a plurality of shield wires and non-shield wires for transmitting high-frequency signals on the surface thereof,
The shielded wire, in plan view, the electro-optical apparatus characterized by being arranged to concentrate on one end side in the width direction of the flexible substrate.
基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
前記インタフェースはフレキシブル基板を有し、
前記フレキシブル基板は、その表面に高周波信号を送信するためのシールド線と、非シールド線とがそれぞれ複数形成されており、
前記シールド線は、平面視した状態で、前記フレキシブル基板の幅方向における両端部に配置されることを特徴とする電気光学装置。
In an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside,
The interface has a flexible substrate;
The flexible substrate is formed with a plurality of shield wires and non-shield wires for transmitting high-frequency signals on the surface thereof,
The shielded wire, in plan view, the electro-optical device, characterized in that arranged at both ends in the width direction of the flexible substrate.
基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
前記インタフェースはフレキシブル基板を有し、
前記フレキシブル基板は、その表面に高周波信号を送信するためのシールド線と、非シールド線とがそれぞれ複数形成されており、
前記シールド線は、平面視した状態で、前記フレキシブル基板の幅方向における中央部に配置されることを特徴とする電気光学装置。
In an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside,
The interface has a flexible substrate;
The flexible substrate is formed with a plurality of shield wires and non-shield wires for transmitting high-frequency signals on the surface thereof,
The shielded wire, in plan view, the electro-optical apparatus characterized by being arranged in the central portion in the width direction of the flexible substrate.
基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
前記インタフェースはフレキシブル基板を有し、
前記フレキシブル基板は、その表面に高周波信号を送信するためのシールド線と、非シールド線とがそれぞれ複数形成されており、
前記シールド線は、平面視した状態で、前記フレキシブル基板の幅方向において前記非シールド線と交互に配置されることを特徴とする電気光学装置。
In an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside,
The interface has a flexible substrate;
The flexible substrate is formed with a plurality of shield wires and non-shield wires for transmitting high-frequency signals on the surface thereof,
The shielded wire, in plan view, the electro-optical apparatus characterized by being arranged alternately with the non-shielded wire in the width direction of the flexible substrate.
基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
前記インタフェースは、少なくとも一部に折曲部を含むフレキシブル基板を有し、
前記フレキシブル基板は、その表面に高周波信号を送信するためのシールド線と、該シールド線に沿って配置される複数の非シールド線とが形成されており、
前記シールド線は、平面視した状態で、前記折曲部の内側に配置されており、前記非シールド線は、前記シールド線に対して前記折曲部の外側に配置されることを特徴とする電気光学装置。
In an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside,
The interface has a flexible substrate including a bent portion at least in part,
The flexible substrate has a shield wire for transmitting a high-frequency signal on its surface and a plurality of unshielded wires arranged along the shield wire,
The shielded wire, in plan view, the is disposed inside the bent portion, the non-shielded lines, to be placed on the outside of the bent portion with respect to the shielded wire Electro-optical device characterized.
基板と、当該基板に保持された電気光学材料と、駆動用回路と、当該駆動用回路に対して信号を外部から入力するためのインタフェース手段と、を含む電気光学装置において、
前記インタフェースは、第1フレキシブル基板及び第2フレキシブル基板を備え、
前記第1フレキシブル基板及び前記第2フレキシブル基板は、アース線を挟持した状態に配置されており、
前記第1フレキシブル基板は、前記アース線を挟持する面と反対の面に、高周波信号を送信するためのシールド線が平面視した状態で前記アース線と重なるように形成されており、
前記第2フレキシブル基板は、前記アース線を挟持する面と反対の面に、非シールド線が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
In an electro-optical device including a substrate, an electro-optical material held on the substrate, a driving circuit, and interface means for inputting a signal to the driving circuit from the outside,
The interface includes a first flexible substrate and a second flexible substrate,
The first flexible substrate and the second flexible substrate are arranged in a state of sandwiching a ground wire,
The first flexible substrate is formed on a surface opposite to a surface sandwiching the ground wire so that a shield wire for transmitting a high-frequency signal overlaps the ground wire in a plan view.
The electro-optical device, wherein the second flexible substrate has a non-shielded wire formed on a surface opposite to a surface sandwiching the ground wire.
前記非シールド線は、平面視した状態で前記シールド線及びアース線と重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 6, wherein the non-shielded wire is disposed at a position that does not overlap the shielded wire and the ground wire in a plan view. 請求項1〜7に記載されたいずれか一つの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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