JP4539035B2

JP4539035B2 - HOLDER FOR SEMICONDUCTOR OR LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR OR LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE WITH THE SAME

Info

Publication number: JP4539035B2
Application number: JP2003160162A
Authority: JP
Inventors: 学橋倉; 博彦仲田; 啓柊平; 益宏夏原
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2003-06-05
Filing date: 2003-06-05
Publication date: 2010-09-08
Anticipated expiration: 2023-06-05
Also published as: JP2004363335A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、メタルＣＶＤ、絶縁膜ＣＶＤ、イオン注入、エッチング、Ｌｏｗ−Ｋ成膜、ＤＥＧＡＳ装置などの半導体製造装置あるいは、液晶製造装置に使用される保持体、更にはそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体あるいは液晶の製造工程では、被処理物である半導体基板あるいは液晶用ガラスに対して成膜処理やエッチング処理など様々な処理が行われる。このような半導体基板あるいは液晶用ガラスに対する処理を行う処理装置では、半導体基板あるいは液晶用ガラスを保持し、半導体基板あるいは液晶用ガラスを加熱するためのセラミックスヒータが用いられている。
【０００３】
このような従来のセラミックスヒータは、例えば特開平４−７８１３８号公報に開示されている。特開平４−７８１３８号公報に開示されたセラミックスヒータは、抵抗発熱体が埋設され、容器内に設置され、ウェハー加熱面が設けられたセラミックス製のヒータ部と、このヒータ部のウェハー加熱面以外の面に設けられ、前記容器との間で気密性シールを形成する凸状支持部と、抵抗発熱体へと接続され、容器の内部空間へと実質的に露出しないように容器外へ取り出された電極とを有する。
【０００４】
この発明では、それ以前のヒータである金属製のヒータで見られた汚染や、熱効率の悪さの改善が図られているが、半導体基板の温度分布については触れられていない。しかし、半導体基板の温度分布は、前記様々な処理を行う場合に、歩留りに密接な関係が生じるので重要である。そこで、例えば特開２００１−１１８６６４号公報では、セラミック基板の温度を均一化することができるセラミックヒータが開示されている。この発明では、セラミック基板面の最高温度と最低温度の温度差は、数％以内であれば、実用に耐えるとされている。
【０００５】
しかし、近年の半導体基板あるいは液晶用ガラスは大型化が進められている。
例えば、半導体基板であるシリコン（Ｓｉ）ウェハでは、その直径が８インチから１２インチへと移行が進められている。また、液晶用ガラスでは、例えば１５００ｍｍｘ１８００ｍｍという非常に大型化が進められている。この半導体基板あるいは液晶用ガラスの大口径化に伴って、セラミックスヒータの被処理物保持面（加熱面）の温度分布は、±１．０％以内が必要とされるようになり、更には、±０．５％以内が望まれるようになってきた。
【０００６】
セラミックスヒータの保持面の均熱性を向上させる方法として、熱伝導率の高いセラミックスを用いることがある。セラミックスの熱伝導率が高ければ、抵抗発熱体で発熱した熱が、セラミックスの内部を拡散しやすく、保持面の均熱性を高めることができる。
【０００７】
抵抗発熱体を発熱させるには、通電するので、セラミックスは、電気的に絶縁体である必要がある。しかし、絶縁性のセラミックスで、熱伝導率の高いものは、限られており、例えば、熱伝導率２０００Ｗ／ｍＫのダイヤモンドや５００Ｗ／ｍＫのｃ−ＢＮ（立方晶型窒化ホウ素）等があるが、いずれも超高圧高温の条件でしか得られない材料であり、非常に高価で、製造可能な大きさにも限界があるので、本発明の目的とするセラミックスヒータには用いることができない。
【０００８】
また、一般的に用いられるＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ等のセラミックスでは、均熱性を向上させるために、その厚みを厚くすればよいが、厚みを厚くすると昇温や降温の速度が遅くなり、いわゆるスループットを上げることができないので、生産性が悪くなるという問題があった。
【０００９】
また、セラミックスは、融点が非常に高いか融点を有さない材料もあるので、金属のように融解して鋳込んだり、ブロックを灼熱して圧延したりすることが困難である。従って、厚みを厚くしたり、直径を２００ｍｍ以上と大きくしようとすれば、セラミックスのコストが飛躍的に上昇してしまうという問題もあった。更に、これらセラミックスは、脆性材料であるので、局所的に熱応力が加わると破壊するという問題もあった。
【００１０】
更に、前記均熱性の他に、半導体あるいは液晶製造装置では、前記各種処理を行う際に、金属不純物のコンタミや粒子状のゴミ（パーティクル）が発生すれば、製造する半導体や液晶の品質に重大な悪影響をおよぼすので、前記コンタミやパーティクルの発生は極力抑えなければならないという問題もあった。
【００１１】
【特許文献１】
特開平０４−０７８１３８号公報
【特許文献２】
特開２００１−１１８６６４号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、半導体ウェハあるいは液晶用ガラスの表面の均熱性を高め、コンタミやパーティクルの発生がほとんどなく、安価で生産効率の良い半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体あるいは液晶製造装置用保持体は、セラミックスヒータの上に、被処理物保持面を研磨したシリコン（Ｓｉ）を主成分とする保持部を載置したことを特徴とする。また、本発明の半導体あるいは液晶製造装置用保持体は、前記Ｓｉを主成分とする保持部あるいは前記セラミックスヒータのいずれかまたは両方を支持する支持部を有することが好ましい。更に、少なくとも被処理物保持面がコーティングされていることが好ましい。更に、前記Ｓｉを主成分とする保持部を、電極として機能させてもよい。
【００１４】
以上のような保持体が搭載された半導体あるいは液晶製造装置であることが好ましい。このような半導体あるいは液晶製造装置は、被処理物であるウェハや液晶用ガラスの表面の温度が従来のものより均一になり、コンタミやパーティクルの発生もほとんどないので、歩留りよく、品質の高い半導体あるいは液晶表示装置を製造することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
Ｓｉを主成分とする保持部（以後、Ｓｉ保持部）は、Ｓｉを溶解して鋳込むことにより製造することができるので、大型化が容易であり、セラミックスなどに比べてコストも安価である。従って、Ｓｉを半導体あるいは液晶製造装置の保持体とすれば、保持面の均熱性を得ることが容易である。しかし、Ｓｉは、導電性であるため、Ｓｉの上に導電層を形成することができない。
【００１６】
そこで、図１に示すように、セラミックスヒータ２の上に、Ｓｉ保持部１を載置したものを前記保持体とすれば、被処理物ｗの表面の均熱性を大幅に向上することができ、しかも保持体のコストを安価にできることを見出した。更に、３００℃以上の高温での耐熱性に優れている。特に、Ｓｉウェハーを処理する場合は、被処理物を汚染する心配がなくなる。
【００１７】
Ｓｉ保持部の被処理物保持面の平面度は５００μｍ以下、面粗さはＲａで３μｍ以下であれば、被処理物を均一に加熱することができ、被処理物表面の温度分布を±１．０％以下にすることができるので、好ましい。
【００１８】
また、Ｓｉ保持部の直径は、２００ｍｍ以上であれば、大型の半導体ウェハや液晶用ガラスに対応でき、本発明の効果が顕著であるので好ましい。更に、厚みは、５０ｍｍ以下にすることが望ましい。厚みを５０ｍｍ以下にすれば、急速な昇温や降温が可能となり、また保持面の均熱性も向上するからである。
【００１９】
また、本発明の保持体を設置した装置内を一度真空引きしてから使用する場合は、該保持体からのガスの発生により、真空引きの時間が長くなることを防ぐために、Ｓｉ保持体の吸水率は０．０１％以下であることが好ましい。吸水率が０．０１％を超えると、真空引きに要する時間が長くなり、設備の稼動率が低下し、生産効率が悪くなる。
【００２０】
Ｓｉ保持部は、単結晶Ｓｉを用いれば、不純物が少ないものや熱伝導率が高いものが得られやすいので好ましい。また、多結晶Ｓｉを用いれば、劈開による破損の恐れが少なくなるので、信頼性の観点からは好ましく、引き上げ法等による単結晶化の工程が省略できるので、コストの観点からも多結晶の方が好ましい。
【００２１】
Ｓｉ保持部の下に用いるセラミックスヒータは、導電性のセラミックスの場合には、電極を取り付けてセラミックス自体を発熱させてもよい。絶縁性のセラミックスの場合には、図１（ａ）に示すように、抵抗発熱体回路３をセラミックス中に埋設したものでもよいし、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉ保持部を載置する面とは反対側の面５に抵抗発熱体回路３を形成してもよい。図１（ｂ）のように表面に抵抗発熱体を形成する場合は、抵抗発熱体の保護と劣化防止のために、その上に絶縁性コーティングを施すことが好ましい。
【００２２】
セラミックスヒータのセラミックスとしては、耐熱性の観点から、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、サイアロンのうち少なくとも１種であることが望ましい。特に、ＡｌＮあるいはＳｉＣは熱伝導率や耐食性に優れているので好ましい。中でもＡｌＮは特に耐食性に優れているので好ましい。
【００２３】
抵抗発熱体の材質は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ，Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種類を主成分とすることが望ましい。耐熱性の観点からは、ＷあるいはＭｏから選ばれる少なくとも１種類を主成分とすることが好ましく、Ｗは融点が高いので特に好ましい。また、耐食性の観点からは、Ｐｔ、Ｐｄ，Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種類を主成分とすることが好ましく、ＰｔあるいはＰｄは特に耐食性に優れているので好ましい。
【００２４】
このようなセラミックスヒータの上に、Ｓｉ保持部を備えることにより、均熱性に優れ、コンタミやパーティクルの発生の少ない半導体あるいは液晶製造装置用保持体とすることができる。
【００２５】
しかし、セラミックスヒータとＳｉ保持部との間に、隙間が存在すると、セラミックスヒータで発生した熱が、Ｓｉ保持部へ、有効に伝達できなくなる。そこで、セラミックスヒータをＳｉ保持部に機械的に結合することが望ましい。機械的結合としては、ネジが簡便であるが、嵌め合せやバネを用いることもできる。バネの場合は、高温でのバネ定数が低下しにくいセラミックス製であることが好ましい。また、セラミックスヒータとＳｉ保持部の熱膨張係数を合わせることにより、化学的に接着することもできる。接着すれば、セラミックスヒータとＳｉ保持部との間の密着性が向上するので、セラミックスヒータで発生した熱が効率良くＳｉ保持部へ伝達され、Ｓｉ保持部の被処理物保持面の均熱性が向上する。
【００２６】
以上のように、セラミックスヒータの上にＳｉ保持部を備えた構造の保持体を、半導体あるいは液晶製造装置のチャンバー２０内に直接搭載してもよい。しかし、該保持体をチャンバー２０内に直接搭載すると、セラミックスヒータで発生した熱が、チャンバーにも伝わるので、熱効率が悪くなったり、チャンバーが過度に加熱されて不具合が発生することがあるので、支持部を設けることが好ましい。
【００２７】
支持部は、Ｓｉ保持部あるいはセラミックスヒータのいずれかの少なくとも一部を支持してもよいし、両方の少なくとも一部を支持してもよい。支持部６の具体的な一例を図２から図７に示す。図２に示すように、Ｓｉ保持部１を支持部６で支持し、チャンバー２０内に設置する。支持部６の内部に、給電用電極７や熱電対８を設置する。支持部６とチャンバー２０は、図３や図４に示すようにＯ−リング９を介して気密封止してもよい。また、ボルト等で固定してもよい。
【００２８】
支持部の半導体あるいは液晶製造装置と接する部分の温度は、セラミックスヒータの温度より低いことが望ましい。支持部と、Ｓｉ保持部あるいはセラミックスヒータとは、必ずしも固定する必要はなく、支持部の上に、Ｓｉ保持部あるいはセラミックスヒータを載置するだけでもよい。しかし、支持の信頼性を高めるためには、固定することが望ましい。
【００２９】
固定する方法としては、ネジ、圧入、かしめ、埋込、バネあるいは弾性ボードなどによる機械的圧接を用いることができる。
【００３０】
特に、腐食性ガスを使用する場合には、支持部内に設置される給電用電極７や熱電対８などを腐食性ガスによる腐食から防止するために、Ｓｉ保持部あるいはセラミックスヒータと支持部とを気密シールすることが望ましい。気密シールの方法としては、部分溶着、ガラス接合、ロウ付け、嵌め合わせ、拡散接合、摩擦圧接、溶接などを用いれば、気密性の信頼性が向上する。特に部分溶着、ガラス接合、ロウ付け、嵌め合わせ、拡散接合の方法を用いれば、接合部の気密性は、Ｈｅリーク試験で、１．０ｘ１０^−９Ｐａ・ｍ^３／ｓ以下にできるので好ましい。
【００３１】
気密シールを行う場合は、Ｓｉ保持部あるいはセラミックスヒータの熱膨張係数と、支持部の熱膨張係数は、近いほど良いが、熱膨張係数の差が、６ｘ１０^−６／℃以下である材質が好ましい。
【００３２】
熱膨張係数の差が、６ｘ１０^−６／℃を超えると、Ｓｉ保持部あるいはセラミックスヒータと支持部の接合部付近にクラックなどが発生したり、接合時にクラックが発生しなくても、繰り返し使用しているうちに接合部に熱サイクルが加わり、割れやクラックが発生することがある。例えば、セラミックスヒータがＡｌＮの場合、支持部の材質は、ＡｌＮが最も好適であるが、窒化珪素や炭化珪素あるいはムライト等が使用できる。Ｓｉ保持部と接合する場合は、支持部の材質はＳｉが最適である。
【００３３】
また、腐食性ガスを使用する場合は、Ｓｉ保持部や支持部やこれらの接合部が、腐食性ガスに曝されるので、腐食する可能性がある。この腐食を防止するために、図６に示すように、少なくとも被処理物保持面を腐食性ガスに対する耐食性に優れたコーティング１０を施すことが好ましい。コーティングとしては、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、ダイヤモンド、サファイヤ（Ａｌ_２Ｏ_３）、フッ化アルミニウム、グラファイトが好ましい。
【００３４】
また、図７に示すように、腐食性ガスに対する耐食性の高い部材１１によって、Ｓｉ保持部１とセラミックスヒータ２を覆ってもよい。このような部材としては、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＣ、ＡｌＮ、サファイヤ（Ａｌ_２Ｏ_３）、フッ化アルミニウム、グラファイトの他に、ガラス状カーボンを用いることができる。
【００３５】
また、本発明のＳｉ保持部は、導電性であるので、Ｓｉ保持部を電極として用いることができる。例えば、プラズマを発生させるための高周波電極とすれば、従来の保持体のようにセラミックス基体の内部に抵抗発熱体とは別の高周波電極を設ける必要がなくなるので、保持体のコストを低減することができる。また、Ｓｉ保持部を電極とした場合、給電用端子の取付位置の制約がないので、装置設計の自由度が上がるという利点もある。また、前記支持部を有する場合は、支持部もＳｉにすれば、支持部のチャンバー側の端部付近に給電用端子を設ければ、給電用のリード線を設ける必要がなくなるので、コスト低減を図ることができる。
【００３６】
また、本発明の保持体を半導体装置に組み込んで、半導体ウェハを処理することができる。本発明の保持体は、ウェハ保持面の温度が均一であるので、ウェハの温度分布も従来より均一になるので、形成される膜や熱処理等に対して、安定した特性を得ることができる。
【００３７】
また、本発明の保持体を液晶製造装置に組み込んで、液晶用ガラスを処理することができる。本発明の保持体は、液晶用ガラスの保持面の温度が均一であるので、液晶用ガラス表面の温度分布も従来より均一になるので、形成される膜や熱処理等に対して、安定した特性を得ることができる。
【００３８】
【実施例】
実施例１
市販の直径４００ｍｍ、厚み１０ｍｍの多結晶Ｓｉ製のＳｉ保持部を用意した。このＳｉ保持部の被処理物保持面を研磨して、保持面の平面度を０．０３ｍｍ、面粗度をＲａ０．１μｍに仕上げた。このＳｉ保持部の吸水率は、０．００％であった。また、このＳｉ保持部のヤング率は１５９ＧＰａであり、熱膨張係数（α）は２．６ｘ１０^−６／℃、熱伝導率（κ）は１６８Ｗ／ｍＫであった。
【００３９】
また、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ製のセラミックスヒータを用意した。各セラミックス焼結体にＷ製の発熱回路パターンを作製し、別のセラミックス焼結体を積層し、ホットプレスを用いて接合することにより、抵抗発熱体が埋設されたセラミックスヒータを得た。セラミックスヒータの外径は、３５０ｍｍで、厚みは１０ｍｍに仕上げた。
【００４０】
なお、前記各セラミックスのグリーンシートを作製し、Ｗペーストを用いて発熱体回路パターンをグリーンシート上に形成した後、他のグリーンシートを積層し、焼結する方法でも、抵抗発熱体が埋設されたセラミックスヒータを得ることができる。各セラミックスヒータの熱膨張係数（α）と熱伝導率（κ）を表１に示す。
【００４１】
このセラミックスヒータ２を前記Ｓｉ保持部１にセラミックス製のネジ（図示せず）を用いて固定した。更に、図３に示すように、Ｓｉ保持部にＳｉ多結晶製の支持部６をガラス接合した。このような保持体及び支持部を、半導体製造装置のチャンバー２０内にボルトで固定した。支持部の底面とチャンバーとの間はＯ−リングを用いて気密シールした。
【００４２】
このように設置した後、チャンバー内を真空にした。真空引きは、５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。更に真空引きを行いながら，Ａｒを流してチャンバー内を１３．３ｋＰａ（１００ｔｏｒｒ）の減圧にして、前記抵抗発熱体に２００Ｖの電力を供給して、保持面を８００℃に加熱した。
【００４３】
保持面の均熱性をウェハ温度計を用いて測定した。また、この保持体を室温から８００℃まで昇降温を５００回繰り返すヒートサイクル試験した。均熱性の測定結果と１０個の保持体を用いたヒートサイクル試験でクラックやパーティクルの発生などの問題があった保持体の数を表１に示す。
【００４４】
【表１】

【００４５】
表１から、いずれのセラミックスヒータを用いても、均熱性が±０．５％以内であり、ヒートサイクル試験で１０個中１０個ともクラックやパーティクルの発生がないことが判る。また、比較として、円盤状のステンレスヒータを用いた場合は、ヒートサイクル試験で、１０個中８個の保持体で、Ｓｉ保持体とステンレスヒータの連結部分においてＳｉ保持部にクラックが発生した。また、均熱性も±３．０％と極端に悪かった。これらのことより、Ｓｉ保持部あるいはセラミックスヒータと支持部との熱膨張係数の差は、６ｘ１０^−６／℃以下であると、ヒートサイクル試験でクラックなどの問題の発生が抑えられることが判る。
【００４６】
実施例２
抵抗発熱体の材質をＭｏにしたこと以外は、実施例１と同様に保持体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表２に示す。なお、真空引きの時間は、実施例１と同じ５分間であった。
【００４７】
【表２】

【００４８】
実施例３
実施例１と同じＳｉ保持体とセラミックスヒータを用いた。実施例１と同様に支持部を接合した後、被処理物保持面及び接合部を含む全面に、ＳｉＯ_２を３０μｍの厚さに溶射によりコーティングした。これを実施例１と同様にチャンバー内に設置し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表３に示す。なお、真空引きの時間は、実施例１と同じ５分間であった。
【００４９】
【表３】

【００５０】
実施例４
Ｓｉ保持部の大きさを表４に示す直径で、厚さ２０ｍｍとし、セラミックスヒータの外径をＳｉ保持部の直径より５０ｍｍ小さくした以外は、実施例３と同様にして、図６に示す形状の保持体を作成した。実施例１と同様に８００℃での均熱性評価とヒートサイクル試験を行った。その結果を表４に示す。なお、１．３Ｐａまでの真空引きに要した時間は、５分間であった。
【００５１】
【表４】

【００５２】
保持体の直径が小さくなれば、均熱性が向上することが判る。
【００５３】
実施例５
Ｓｉ保持部の大きさを直径４００ｍｍで、表５に示す厚さとした以外は、実施例３と同様にして、図６に示す形状の保持体を作成した。実施例１と同様に８００℃での均熱性評価とヒートサイクル試験を行った。また、８００℃に到達するまでの時間も測定した。その結果を表５に示す。なお、１．３Ｐａまでの真空引きに要した時間は、５分間であった。
【００５４】
【表５】

【００５５】
表５より、Ｓｉ保持部の厚みが厚くなると、均熱性は向上するが、投入電力が同じであれば、８００℃に到達するまでの時間が、長くなるので、生産性が悪くなる。従って、Ｓｉ保持部の厚みは、５０ｍｍ以下が好ましいことが判る。
【００５６】
実施例６
実施例１で用いたのと同じＳｉ保持部ならびにＡｌＮセラミックスヒータを用意した。Ｓｉ保持部の保持面の平面度及び面粗度を表６に示すように仕上げた。これらのＳｉ保持部とＡｌＮセラミックスヒータを用いて、実施例３と同様に図６の形状に仕上げた。これらの保持体を実施例１と同様に、８００℃での均熱性評価とヒートサイクル試験を行った。その結果を表６に示す。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。
【００５７】
【表６】

【００５８】
表６より、保持面の平面度を０．５ｍｍ以下にすれば、保持面の均熱性を±０．５％以下にすることができることが判る。また、保持面の面粗さを３μｍ（Ｒａ）にすれば、保持面の均熱性を±１．０％以下にすることができることが判る。
【００５９】
実施例７
表面の面粗度（Ｒｍａｘ）を変えることにより、吸水率が０．０１％と０．０３％で、直径４００ｍｍ、厚さ１０ｍｍのＳｉ保持部を得た。これらのＳｉ保持部とＡｌＮセラミックスヒータを用いて、実施例３と同様に図６の形状の保持体を作製した。実施例３と同様に８００℃での均熱性評価とヒートサイクル試験を行った。
【００６０】
その結果、吸水率０．０１％のＳｉ保持部を用いたサンプル（Ｎｏ．２４）では、１．３Ｐａまで真空引きするのに３０分必要であった。また、吸水率０．０３％のもの（Ｎｏ．２５）では、１時間必要であった。吸水率が大きくなるほど、Ｓｉ保持部からガスが発生しやすくなるので、真空引きに要する時間が長くなることが判った。
【００６１】
また、８００℃での均熱性は、どちらも±０．６％であり、吸水率０．００％の場合よりは、均熱性に劣っていた。ヒートサイクル試験では、どちらも、１０個中１０個にクラックやパーティクルの発生はなかった。
【００６２】
実施例８
実施例３で用いたのと同じＳｉ保持部とＡｌＮセラミックスヒータを用いて、図６の形状に仕上げた。ただし、コーティング材質を表７に示すものにした。コーティング手段は全て溶射で行った。
【００６３】
これらの保持体を、チャンバー内に設置し、保持体を５００℃に加熱した状態で、腐食性ガス（ＣＨＦ_３：Ｏ_２＝４：１）を１時間供給した。その結果、Ｓｉ保持部と支持部とのガラス接合部が、腐食（エッチング）されていた。そのエッチング深さを表７に示す。なお、表７において、コーティング欄が“−”は、コーティングしていないことを示す。
【００６４】
【表７】

【００６５】
表７から判るように、コーティングを施すことによって、エッチングされにくくなるが、ＡｌＦ_３やＤＬＣ（ダイヤモンド状カーボン）やダイヤモンドのように耐食性の高い材質をコーティングした方が、耐食性は向上する。また、実施例３と同様に、８００℃での均熱性評価とヒートサイクル試験を行ったところ、均熱性は、いずれも±０．５％以下であり、１０個の保持体をヒートサイクル試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックは発生しなかった。
【００６６】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、セラミックスヒータの上に、Ｓｉを主成分とする保持部を備えた構造の保持体にすれば、保持面の均熱性を高め、パーティクルなどの発生を抑制することができる。前記セラミックスヒータあるいはＳｉ保持部を支持する支持部を有することが好ましい。更に、少なくとも被処理物保持面をコーティングすれば、耐久性を向上させることができる。このような保持体を半導体製造装置や液晶製造装置に搭載することにより、生産性や歩留りの良い半導体あるいは液晶製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の保持体の断面構造の一例を示す。
【図２】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【図３】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【図４】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【図５】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【図６】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【図７】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【符号の説明】
１Ｓｉ保持部
２セラミックスヒータ
３発熱体回路
４被処理物保持面
５ヒータ面
６支持部
７電極
８熱電対
９Ｏ−リング
１０コーティング
２０チャンバー[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma CVD, low pressure CVD, metal CVD, insulating film CVD, ion implantation, etching, Low-K film formation, a holder used in a liquid crystal manufacturing apparatus, such as a semiconductor manufacturing apparatus such as a DEGAS apparatus, The present invention relates to a semiconductor or a liquid crystal manufacturing apparatus on which is mounted.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor or liquid crystal manufacturing process, various processes such as a film forming process and an etching process are performed on a semiconductor substrate or liquid crystal glass that is an object to be processed. In such a processing apparatus for processing a semiconductor substrate or liquid crystal glass, a ceramic heater for holding the semiconductor substrate or liquid crystal glass and heating the semiconductor substrate or liquid crystal glass is used.
[0003]
Such a conventional ceramic heater is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-78138. A ceramic heater disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-78138 is a ceramic heater portion in which a resistance heating element is embedded, installed in a container, and provided with a wafer heating surface, and the heater portion other than the wafer heating surface. And is connected to a resistance heating element and taken out of the container so as not to be substantially exposed to the internal space of the container. Electrode.
[0004]
In the present invention, the contamination and the poor thermal efficiency observed in the metal heater which is the previous heater are improved, but the temperature distribution of the semiconductor substrate is not mentioned. However, the temperature distribution of the semiconductor substrate is important because it has a close relationship with the yield when the various processes are performed. Therefore, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-118664 discloses a ceramic heater that can make the temperature of the ceramic substrate uniform. In the present invention, it is said that the temperature difference between the maximum temperature and the minimum temperature on the ceramic substrate surface is within practical use within a few percent.
[0005]
However, recent semiconductor substrates or glass for liquid crystals have been increased in size.
For example, in the case of a silicon (Si) wafer that is a semiconductor substrate, the diameter is moving from 8 inches to 12 inches. In addition, the size of liquid crystal glass has been greatly increased, for example, 1500 mm × 1800 mm. With the increase in the diameter of the semiconductor substrate or glass for liquid crystal, the temperature distribution of the workpiece holding surface (heating surface) of the ceramic heater is required to be within ± 1.0%. Within ± 0.5% has come to be desired.
[0006]
As a method for improving the thermal uniformity of the holding surface of the ceramic heater, a ceramic having high thermal conductivity may be used. If the thermal conductivity of the ceramic is high, the heat generated by the resistance heating element can easily diffuse inside the ceramic, and the heat uniformity of the holding surface can be enhanced.
[0007]
In order to generate heat from the resistance heating element, since current is supplied, the ceramic needs to be electrically insulating. However, insulating ceramics having a high thermal conductivity are limited, and examples thereof include diamond having a thermal conductivity of 2000 W / mK and c-BN (cubic boron nitride) having a thermal conductivity of 500 W / mK. These are materials that can be obtained only under conditions of ultra-high pressure and high temperature, are extremely expensive, and have a limit in the size that can be manufactured, and therefore cannot be used in the ceramic heater that is the object of the present invention.
[0008]
Further, in general ceramics such as Al ₂ O ₃ , AlN, Si ₃ N ₄ , and SiC, the thickness may be increased in order to improve the thermal uniformity, but when the thickness is increased, the temperature is increased or decreased. As a result, the speed of the process becomes slower and the so-called throughput cannot be increased, which results in a problem that productivity is deteriorated.
[0009]
In addition, since ceramics have a material having a very high melting point or no melting point, it is difficult to melt and cast like a metal, or to heat a block and roll it. Therefore, if the thickness is increased or the diameter is increased to 200 mm or more, there has been a problem that the cost of the ceramics increases dramatically. Further, since these ceramics are brittle materials, there is a problem that they are broken when a local thermal stress is applied.
[0010]
Furthermore, in addition to the thermal uniformity, in semiconductor or liquid crystal manufacturing equipment, if metal impurities are contaminated or particulate dust (particles) is generated during the various processes, the quality of the semiconductor or liquid crystal to be manufactured is serious. Therefore, there is also a problem that the generation of the contamination and particles must be suppressed as much as possible.
[0011]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 04-078138 [Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-118664
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made to solve the above problems. That is, the present invention enhances the thermal uniformity of the surface of a semiconductor wafer or liquid crystal glass, is almost free of contamination and particles, is inexpensive and has a high production efficiency, and a semiconductor mounted with a liquid crystal manufacturing apparatus holder or a semiconductor mounted thereon. An object is to provide a liquid crystal manufacturing apparatus.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus of the present invention is characterized in that a holding portion mainly composed of silicon (Si) whose polished surface is polished is placed on a ceramic heater. Moreover, it is preferable that the holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus of the present invention has a supporting portion that supports either or both of the holding portion mainly containing Si and the ceramic heater. Furthermore, it is preferable that at least the workpiece holding surface is coated. Further, the holding part mainly composed of Si may function as an electrode.
[0014]
A semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus in which the above-described holding body is mounted is preferable. Such semiconductor or liquid crystal manufacturing equipment has a higher yield and quality semiconductor because the surface temperature of the wafer or liquid crystal glass to be processed is more uniform than the conventional one, and there is almost no contamination or particles. Alternatively, a liquid crystal display device can be manufactured.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The holding part mainly composed of Si (hereinafter referred to as “Si holding part”) can be manufactured by melting and casting Si, so that it can be easily increased in size and is less expensive than ceramics. . Therefore, if Si is used as a holding body of a semiconductor or a liquid crystal manufacturing apparatus, it is easy to obtain the heat uniformity of the holding surface. However, since Si is conductive, a conductive layer cannot be formed on Si.
[0016]
Therefore, as shown in FIG. 1, if the holding body is the one in which the Si holding portion 1 is placed on the ceramic heater 2, the heat uniformity on the surface of the workpiece w can be greatly improved. And it discovered that the cost of a holding body can be made cheap. Furthermore, it is excellent in heat resistance at a high temperature of 300 ° C. or higher. In particular, when processing a Si wafer, there is no risk of contaminating the workpiece.
[0017]
If the flatness of the workpiece holding surface of the Si holding part is 500 μm or less and the surface roughness is 3 μm or less in Ra, the workpiece can be heated uniformly, and the temperature distribution on the surface of the workpiece is ± 1. 0.0% or less, which is preferable.
[0018]
Moreover, if the diameter of Si holding | maintenance part is 200 mm or more, it can respond to a large sized semiconductor wafer and glass for liquid crystals, and since the effect of this invention is remarkable, it is preferable. Furthermore, the thickness is desirably 50 mm or less. This is because if the thickness is 50 mm or less, rapid temperature rise and fall is possible, and the temperature uniformity of the holding surface is improved.
[0019]
In addition, when the apparatus in which the holding body of the present invention is installed is used after being evacuated once, in order to prevent the time for evacuation from being prolonged due to the generation of gas from the holding body, The water absorption rate is preferably 0.01% or less. If the water absorption exceeds 0.01%, the time required for evacuation becomes longer, the operating rate of the equipment is lowered, and the production efficiency is deteriorated.
[0020]
As the Si holding portion, it is preferable to use single crystal Si because it is easy to obtain a material with few impurities or a material with high thermal conductivity. In addition, if polycrystalline Si is used, the risk of breakage due to cleavage is reduced, which is preferable from the viewpoint of reliability, and the step of single crystallization by a pulling method or the like can be omitted. Is preferred.
[0021]
When the ceramic heater used under the Si holding portion is conductive ceramic, an electrode may be attached to cause the ceramic itself to generate heat. In the case of insulating ceramics, the resistance heating element circuit 3 may be embedded in the ceramics as shown in FIG. 1 (a), or the Si holding part is mounted as shown in FIG. 1 (b). The resistance heating element circuit 3 may be formed on the surface 5 opposite to the surface to be placed. When a resistance heating element is formed on the surface as shown in FIG. 1B, it is preferable to provide an insulating coating thereon to protect the resistance heating element and prevent deterioration.
[0022]
The ceramic of the ceramic heater is preferably at least one of Al ₂ O ₃ , AlN, SiC, BN, Si ₃ N ₄ and sialon from the viewpoint of heat resistance. In particular, AlN or SiC is preferable because it has excellent thermal conductivity and corrosion resistance. Among these, AlN is preferable because it is particularly excellent in corrosion resistance.
[0023]
The material of the resistance heating element is preferably composed mainly of at least one selected from W, Mo, Pt, Pd, Ag, Ni, and Cr. From the viewpoint of heat resistance, it is preferable that at least one selected from W or Mo is a main component, and W is particularly preferable because of its high melting point. From the viewpoint of corrosion resistance, it is preferable that at least one selected from Pt, Pd, Ag, Ni, and Cr is a main component, and Pt or Pd is particularly preferable because it has excellent corrosion resistance.
[0024]
By providing the Si holding portion on such a ceramic heater, it is possible to provide a holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus that has excellent thermal uniformity and generates less contamination and particles.
[0025]
However, if there is a gap between the ceramic heater and the Si holding part, the heat generated by the ceramic heater cannot be effectively transferred to the Si holding part. Therefore, it is desirable to mechanically couple the ceramic heater to the Si holding part. As the mechanical coupling, a screw is simple, but a fitting or a spring can also be used. In the case of a spring, it is preferable that the spring is made of a ceramic in which the spring constant at a high temperature does not easily decrease. Moreover, it can also bond chemically by match | combining the thermal expansion coefficient of a ceramic heater and Si holding | maintenance part. Adhesion improves the adhesion between the ceramic heater and the Si holding part, so that the heat generated by the ceramic heater is efficiently transferred to the Si holding part, and the temperature uniformity of the workpiece holding surface of the Si holding part is improved. improves.
[0026]
As described above, the holding body having the Si holding portion on the ceramic heater may be directly mounted in the chamber 20 of the semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus. However, if the holder is directly mounted in the chamber 20, the heat generated by the ceramic heater is also transmitted to the chamber, so that the thermal efficiency may be deteriorated, or the chamber may be heated excessively, causing problems. It is preferable to provide a support part.
[0027]
The support part may support at least a part of either the Si holding part or the ceramic heater, or may support at least a part of both. A specific example of the support 6 is shown in FIGS. As shown in FIG. 2, the Si holding unit 1 is supported by the support unit 6 and installed in the chamber 20. A power supply electrode 7 and a thermocouple 8 are installed inside the support portion 6. The support 6 and the chamber 20 may be hermetically sealed via an O-ring 9 as shown in FIGS. Moreover, you may fix with a volt | bolt etc.
[0028]
It is desirable that the temperature of the portion of the support portion in contact with the semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus is lower than the temperature of the ceramic heater. The support part and the Si holding part or the ceramic heater are not necessarily fixed, and the Si holding part or the ceramic heater may be simply placed on the support part. However, in order to increase the reliability of support, it is desirable to fix.
[0029]
As a method of fixing, mechanical press contact using a screw, press-fitting, caulking, embedding, a spring, an elastic board, or the like can be used.
[0030]
In particular, when a corrosive gas is used, in order to prevent the feeding electrode 7 and the thermocouple 8 installed in the support portion from being corroded by the corrosive gas, the Si holding portion or the ceramic heater and the support portion are connected. It is desirable to have a hermetic seal. As a method of hermetic sealing, reliability of hermeticity can be improved by using partial welding, glass bonding, brazing, fitting, diffusion bonding, friction welding, welding, or the like. In particular, if a method of partial welding, glass bonding, brazing, fitting, and diffusion bonding is used, the airtightness of the bonded portion can be reduced to 1.0 × 10 ⁻⁹ Pa · m ³ / s or less in the He leak test.
[0031]
When performing an airtight seal, the closer the thermal expansion coefficient of the Si holding part or the ceramic heater and the thermal expansion coefficient of the support part are, the better. However, a material having a difference in thermal expansion coefficient of ⁶ × 10 ⁻⁶ / ° C. or less is preferable. .
[0032]
If the difference in thermal expansion coefficient exceeds ⁶ × 10 ⁻⁶ / ° C., cracks or the like occur near the joint between the Si holding part or ceramic heater and the support part, or even if no cracks occur during joining, they are used repeatedly. In the meantime, a thermal cycle is applied to the joint, and cracks and cracks may occur. For example, when the ceramic heater is AlN, the support portion is most preferably AlN, but silicon nitride, silicon carbide, mullite, or the like can be used. In the case of joining with the Si holding part, Si is the optimum material for the support part.
[0033]
Moreover, when using corrosive gas, since Si holding | maintenance part, a support part, and these junction parts are exposed to corrosive gas, there exists a possibility of corroding. In order to prevent this corrosion, as shown in FIG. 6, it is preferable to apply a coating 10 having excellent corrosion resistance against a corrosive gas on at least the workpiece holding surface. As the coating, Si, SiO ₂ , SiC, AlN, diamond-like carbon (DLC), diamond, sapphire (Al ₂ O ₃ ), aluminum fluoride, and graphite are preferable.
[0034]
Further, as shown in FIG. 7, the Si holding portion 1 and the ceramic heater 2 may be covered with a member 11 having high corrosion resistance against corrosive gas. As such a member, glassy carbon can be used in addition to Si, SiO ₂ , SiC, AlN, sapphire (Al ₂ O ₃ ), aluminum fluoride, and graphite.
[0035]
Moreover, since the Si holding part of the present invention is conductive, the Si holding part can be used as an electrode. For example, if a high-frequency electrode for generating plasma is used, it is not necessary to provide a high-frequency electrode separate from the resistance heating element inside the ceramic substrate as in the case of a conventional holding body, thereby reducing the cost of the holding body. Can do. Further, when the Si holding part is an electrode, there is no restriction on the mounting position of the power supply terminal, and there is an advantage that the degree of freedom in device design is increased. In addition, when the support portion is provided, if the support portion is also made of Si, if a power supply terminal is provided near the end of the support portion on the chamber side, there is no need to provide a power supply lead wire, thereby reducing costs. Can be achieved.
[0036]
Moreover, a semiconductor wafer can be processed by incorporating the holding body of the present invention into a semiconductor device. Since the temperature of the wafer holding surface is uniform in the holder of the present invention, the temperature distribution of the wafer is also more uniform than before, so that stable characteristics can be obtained with respect to the formed film, heat treatment, and the like.
[0037]
Moreover, the glass for liquid crystals can be processed by incorporating the holding body of the present invention into a liquid crystal production apparatus. Since the temperature of the holding surface of the glass for liquid crystal is uniform, the temperature distribution on the surface of the glass for liquid crystal is more uniform than that of the conventional holding body. Can be obtained.
[0038]
【Example】
Example 1
A commercially available Si holding part made of polycrystalline Si having a diameter of 400 mm and a thickness of 10 mm was prepared. The workpiece holding surface of the Si holding portion was polished to finish the holding surface with a flatness of 0.03 mm and a surface roughness of Ra of 0.1 μm. The water absorption rate of this Si holding part was 0.00%. The Si holding portion had a Young's modulus of 159 GPa, a thermal expansion coefficient (α) of 2.6 × 10 ⁻⁶ / ° C., and a thermal conductivity (κ) of 168 W / mK.
[0039]
In addition, ceramic heaters made of Al ₂ O ₃ , AlN, and SiC were prepared. A heating circuit pattern made of W was prepared on each ceramic sintered body, another ceramic sintered body was laminated, and bonded using a hot press, thereby obtaining a ceramic heater in which the resistance heating element was embedded. The outer diameter of the ceramic heater was 350 mm and the thickness was finished to 10 mm.
[0040]
In addition, the resistance heating element is embedded also in a method in which a green sheet of each ceramic is prepared, a heating element circuit pattern is formed on the green sheet using W paste, and another green sheet is laminated and sintered. A ceramic heater can be obtained. Table 1 shows the thermal expansion coefficient (α) and thermal conductivity (κ) of each ceramic heater.
[0041]
The ceramic heater 2 was fixed to the Si holding portion 1 using a ceramic screw (not shown). Further, as shown in FIG. 3, a Si polycrystalline support 6 was glass bonded to the Si holding part. Such a holding body and a support part were fixed with bolts in the chamber 20 of the semiconductor manufacturing apparatus. The bottom surface of the support part and the chamber were hermetically sealed using an O-ring.
[0042]
After the installation, the chamber was evacuated. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes. Further, while evacuating, Ar was flowed to reduce the pressure in the chamber to 13.3 kPa (100 torr), power of 200 V was supplied to the resistance heating element, and the holding surface was heated to 800 ° C.
[0043]
The thermal uniformity of the holding surface was measured using a wafer thermometer. Further, this holding body was subjected to a heat cycle test in which the temperature was raised and lowered 500 times from room temperature to 800 ° C. Table 1 shows the number of holders that had problems such as generation of cracks and particles in the heat cycle test using the uniform heat measurement results and ten holders.
[0044]
[Table 1]

[0045]
From Table 1, it can be seen that, regardless of which ceramic heater is used, the thermal uniformity is within ± 0.5%, and no cracks or particles are generated in 10 out of 10 in the heat cycle test. Further, as a comparison, when a disk-shaped stainless steel heater was used, cracks occurred in the Si holding portion at the connecting portion between the Si holding body and the stainless steel heater in 8 of the 10 holding bodies in the heat cycle test. Further, the soaking property was extremely poor at ± 3.0%. From these facts, it is understood that the occurrence of problems such as cracks can be suppressed in the heat cycle test when the difference in thermal expansion coefficient between the Si holding part or the ceramic heater and the support part is ⁶ × 10 ⁻⁶ / ° C. or less.
[0046]
Example 2
A holding body was prepared in the same manner as in Example 1 except that the resistance heating element was made of Mo, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 2. The evacuation time was the same 5 minutes as in Example 1.
[0047]
[Table 2]

[0048]
Example 3
The same Si support and ceramic heater as in Example 1 were used. After bonding the support portion in the same manner as in Example 1, the entire surface including the workpiece holding surface and the bonding portion was coated with SiO ₂ to a thickness of 30 μm by thermal spraying. This was installed in the chamber in the same manner as in Example 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 3. The evacuation time was the same 5 minutes as in Example 1.
[0049]
[Table 3]

[0050]
Example 4
The shape shown in FIG. 6 is the same as that shown in FIG. 6 except that the Si holding portion has the diameter shown in Table 4 and a thickness of 20 mm, and the outer diameter of the ceramic heater is 50 mm smaller than the diameter of the Si holding portion. A holding body was created. In the same manner as in Example 1, the thermal uniformity evaluation at 800 ° C. and the heat cycle test were performed. The results are shown in Table 4. The time required for evacuation to 1.3 Pa was 5 minutes.
[0051]
[Table 4]

[0052]
It can be seen that the heat uniformity improves if the diameter of the holding body is reduced.
[0053]
Example 5
A holding body having the shape shown in FIG. 6 was prepared in the same manner as in Example 3 except that the Si holding portion had a diameter of 400 mm and a thickness shown in Table 5. In the same manner as in Example 1, the thermal uniformity evaluation at 800 ° C. and the heat cycle test were performed. The time until reaching 800 ° C. was also measured. The results are shown in Table 5. The time required for evacuation to 1.3 Pa was 5 minutes.
[0054]
[Table 5]

[0055]
From Table 5, when the thickness of the Si holding portion is increased, the thermal uniformity is improved. However, if the input power is the same, the time until the temperature reaches 800 ° C. is increased, and thus the productivity is deteriorated. Therefore, it can be seen that the thickness of the Si holding portion is preferably 50 mm or less.
[0056]
Example 6
The same Si holding part and AlN ceramic heater as used in Example 1 were prepared. The flatness and surface roughness of the holding surface of the Si holding part were finished as shown in Table 6. Using these Si holding part and AlN ceramic heater, the shape shown in FIG. These holders were subjected to a thermal uniformity evaluation at 800 ° C. and a heat cycle test in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 6. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1.
[0057]
[Table 6]

[0058]
From Table 6, it can be seen that if the flatness of the holding surface is 0.5 mm or less, the thermal uniformity of the holding surface can be ± 0.5% or less. It can also be seen that if the surface roughness of the holding surface is 3 μm (Ra), the heat uniformity of the holding surface can be reduced to ± 1.0% or less.
[0059]
Example 7
By changing the surface roughness (Rmax) of the surface, Si holding portions having a water absorption of 0.01% and 0.03%, a diameter of 400 mm, and a thickness of 10 mm were obtained. Using these Si holding part and AlN ceramic heater, a holding body having the shape shown in FIG. In the same manner as in Example 3, a thermal uniformity evaluation at 800 ° C. and a heat cycle test were performed.
[0060]
As a result, in the sample (No. 24) using the Si holding part having a water absorption rate of 0.01%, it took 30 minutes to evacuate to 1.3 Pa. Moreover, in the thing (No. 25) with a water absorption of 0.03%, 1 hour was required. It has been found that the greater the water absorption rate, the easier it is for gas to be generated from the Si holding part and the longer the time required for evacuation.
[0061]
Further, the thermal uniformity at 800 ° C. was both ± 0.6%, which was inferior to the thermal uniformity compared to the case of a water absorption rate of 0.00%. In both of the heat cycle tests, 10 out of 10 cracks and particles were not generated.
[0062]
Example 8
The same Si holding part and AlN ceramic heater as used in Example 3 were used to finish the shape shown in FIG. However, the coating materials shown in Table 7 were used. All coating means were performed by thermal spraying.
[0063]
These holders were placed in a chamber, and a corrosive gas (CHF ₃ : O ₂ = 4: 1) was supplied for 1 hour with the holder heated to 500 ° C. As a result, the glass joint portion between the Si holding portion and the support portion was corroded (etched). The etching depth is shown in Table 7. In Table 7, “-” in the coating column indicates that coating is not performed.
[0064]
[Table 7]

[0065]
As can be seen from Table 7, the coating makes it difficult to etch, but the corrosion resistance is improved by coating a material having high corrosion resistance such as AlF ₃ , DLC (diamond-like carbon), and diamond. In addition, as in Example 3, the thermal uniformity evaluation at 800 ° C. and the heat cycle test were conducted. The thermal uniformity was ± 0.5% or less, and 10 holders were subjected to the heat cycle test. No peeling or cracking occurred on all 10 holders.
[0066]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, if a holding body having a holding part mainly composed of Si is provided on the ceramic heater, the heat uniformity of the holding surface is improved and the generation of particles and the like is suppressed. can do. It is preferable to have a support part for supporting the ceramic heater or the Si holding part. Furthermore, durability can be improved by coating at least the workpiece holding surface. By mounting such a holder on a semiconductor manufacturing apparatus or a liquid crystal manufacturing apparatus, it is possible to provide a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus with good productivity and yield.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows an example of a cross-sectional structure of a holder according to the present invention.
FIG. 2 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
FIG. 3 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
FIG. 4 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
FIG. 5 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
FIG. 6 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
FIG. 7 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Si holding | maintenance part 2 Ceramic heater 3 Heat generating body circuit 4 To-be-processed object holding surface 5 Heater surface 6 Support part 7 Electrode 8 Thermocouple 9 O-ring 10 Coating 20 Chamber

Claims

A holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus, comprising a holding portion mainly composed of silicon whose polished surface is polished on a ceramic heater.

2. The holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a supporting section that supports either or both of the holding section mainly composed of silicon and the ceramic heater.

The holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus according to claim 1, wherein at least a workpiece holding surface is coated.

The holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the holding portion containing silicon as a main component functions as an electrode.

5. A semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus, wherein the holder according to claim 1 is mounted.