JP4433686B2

JP4433686B2 - HOLDER FOR SEMICONDUCTOR OR LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR OR LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE WITH THE SAME

Info

Publication number: JP4433686B2
Application number: JP2003105927A
Authority: JP
Inventors: 啓柊平; 益宏夏原; 博彦仲田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2003-04-10
Filing date: 2003-04-10
Publication date: 2010-03-17
Anticipated expiration: 2023-04-10
Also published as: JP2004311850A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、メタルＣＶＤ、絶縁膜ＣＶＤ、イオン注入、エッチング、Ｌｏｗ−Ｋ成膜、ＤＥＧＡＳ装置などの半導体製造装置あるいは、液晶製造装置に使用される保持体、更にはそれを搭載した処理チャンバー、半導体あるいは液晶製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体あるいは液晶の製造工程では、被処理物である半導体基板あるいは液晶用ガラスに対して成膜処理やエッチング処理など様々な処理が行われる。このような半導体基板あるいは液晶用ガラスに対する処理を行う処理装置では、半導体基板あるいは液晶用ガラスを保持し、半導体基板あるいは液晶用ガラスを加熱するためのセラミックスヒータが用いられている。
【０００３】
このような従来のセラミックスヒータは、例えば特開平４−７８１３８号公報に開示されている。特開平４−７８１３８号公報に開示されたセラミックスヒータは、抵抗発熱体が埋設され、容器内に設置され、ウェハー加熱面が設けられたセラミックス製のヒータ部と、このヒータ部のウェハー加熱面以外の面に設けられ、前記容器との間で気密性シールを形成する凸状支持部と、抵抗発熱体へと接続され、容器の内部空間へと実質的に露出しないように容器外へ取り出された電極とを有する。
【０００４】
この発明では、それ以前のヒータである金属製のヒータで見られた汚染や、熱効率の悪さの改善が図られているが、半導体基板の温度分布については触れられていない。しかし、半導体基板の温度分布は、前記様々な処理を行う場合に、歩留りに密接な関係が生じるので重要である。そこで、例えば特開２００１−１１８６６４号公報では、セラミック基板の温度を均一化することができるセラミックヒータが開示されている。この発明では、セラミック基板面の最高温度と最低温度の温度差は、数％以内であれば、実用に耐えるとされている。
【０００５】
しかし、近年の半導体基板あるいは液晶用ガラスは大型化が進められている。例えば、半導体基板であるシリコン（Ｓｉ）ウェハでは８インチから１２インチへと移行が進められている。また、液晶用ガラスでは、例えば１０００ｍｍｘ１５００ｍｍという非常に大型化が進められている。この半導体基板あるいは液晶用ガラスの大口径化に伴って、セラミックスヒータの半導体基板の保持面（加熱面）の温度分布は、±１．０％以内が必要とされるようになり、更には、±０．５％以内が望まれるようになってきた。
【０００６】
セラミックスヒータの保持面の均熱性を向上させる方法として、熱伝導率の高いセラミックスを用いることがある。セラミックスの熱伝導率が高ければ、抵抗発熱体で発熱した熱が、セラミックスの内部を拡散しやすく、保持面の均熱性を高めることができる。
【０００７】
抵抗発熱体を発熱させるには、通電するので、セラミックスは、電気的に絶縁体である必要がある。しかし、絶縁性のセラミックスで、熱伝導率の高いものは、限られており、例えば、熱伝導率２０００Ｗ／ｍＫのダイヤモンドや５００Ｗ／ｍＫのｃ−ＢＮ（立方晶型窒化ホウ素）等があるが、いずれも超高圧高温の条件でしか得られない材料であり、非常に高価で、製造可能な大きさにも限界があるので、本発明の目的とするセラミックスヒータには用いることができない。
【０００８】
また、一般的に用いられるＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ等のセラミックスでは、均熱性を向上させるために、その厚みを厚くすればよいが、厚みを厚くすると昇温や降温の速度が遅くなり、いわゆるスループットを上げることができないので、生産性が悪くなる。また、厚みを厚くしたり、直径を大きくすれば、セラミックスのコストが飛躍的に上昇してしまうという問題もあった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平０４−０７８１３８号公報
【特許文献２】
特開２００１−１１８６６４号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、半導体ウェハあるいは液晶用ガラスの表面の均熱性を高め、安価で生産効率の良い半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体あるいは液晶製造装置用保持体は、被処理物を保持する保持面を有する金属板の、保持面とは反対側の面に形成された絶縁層上に、導電層が形成されており、前記導電層は少なくともヒータ回路を含み、前記絶縁層と金属板との熱膨張係数の差が４．０×１０ ^−６／℃以下であり、前記金属板の熱伝導率が、５０Ｗ／ｍＫ以上であり、吸水率０．０１％以下であることを特徴とする。
【００１２】
前記金属板は、Ａｌ−ＳｉＣあるいは、鉄、ステンレス、アルミニウム、又は、銅であることが好ましい。更に、前記金属板と絶縁層との間に、１層以上の中間層を有することが好ましい。
【００１３】
また、前記絶縁層は、アルマイトであることが好ましく、また、溶射膜であることが好ましい。溶射膜としては、Ａｌ_２Ｏ_３膜であることが好ましい。また、前記絶縁層は、琺瑯であってもかまわない。更に、前記導電層の表面を絶縁層で被覆していることが好ましい。
【００１４】
前記金属板の保持面の平面度は、５００μｍ以下であることが好ましく、また、その面粗さは、Ｒａで３μｍ以下であることが好ましい。また、前記金属板は、その直径が２００ｍｍ以上であり、その厚みは５０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
また本発明の保持体は、半導体製造装置においては、ウェハを加熱し、液晶製造装置においては、ガラス基板を加熱することが好ましい。
【００１６】
このような保持体を搭載された半導体製造装置や液晶製造装置は、被処理物であるウェハあるいは液晶用ガラス表面の温度が従来のものより均一になるので、歩留り良く半導体あるいは液晶表示装置を製造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
一般的に量産されている金属は、大型にしても比較的コストは安く、同一のサイズのセラミックスに比べると、そのコストは格段に安価である。しかも、金属の熱伝導率は、比較的高いものが多いので、保持面の均熱性を得ることが容易である。しかし、金属は、導電性であるため、金属に直接導電層を形成することができない。そこで、図１に示すように、金属板１の保持面とは反対側の面に、絶縁層２を形成し、該絶縁層の上に導電層３を形成した保持体とすれば、被処理物６の表面の均熱性を大幅に向上することができ、しかも保持体のコストを安価にできることを見出した。
【００１８】
前記導電層は、ヒータ回路、ＲＦ電極回路、静電チャック電極回路等があり、そのうちの１種類を含む単層であっても、２種類以上を含む多層であってもよい。その中でも本発明の目的の一つである被処理物を均一に加熱するためには、導電層には、少なくともヒータ回路を含むことが好ましい。また、導電層の形成は、溶射や蒸着など既知の方法で行うことができる。
【００１９】
金属板は、高熱伝導率であるほど好ましいが、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有しておれば、本発明の効果が得られるので好ましい。そのような材料としては、Ａｌ−ＳｉＣが好ましい。また、鋼やステンレスのような鉄系金属やアルミニウムあるいは銅であっても、耐食性や耐熱性に優れ、安価であるので好ましい。
【００２０】
金属板に形成する絶縁層は、熱膨張係数が金属板と大きく異なると、加熱時に熱膨張係数の差に起因する熱応力が過大になって、剥離やクラックが発生することがあるので、金属板と絶縁層との熱膨張係数の差は、４.０ｘ１０^−６／℃以下であることが好ましい。
【００２１】
また、図２に示すように、金属板１と絶縁層２との間に、熱膨張係数が金属板と絶縁層の熱膨張係数の間である材料からなる中間層４を１層以上形成すれば、金属板と絶縁層との熱膨張係数の差を緩和し、熱応力を低減することができるので、耐久性の観点から好ましい。該中間層は、導電性であっても絶縁性であってもかまわない。
【００２２】
絶縁層は、アルマイトが絶縁性、耐熱性、耐食性、コストの観点から好ましい。また、絶縁層は溶射膜としてもよい。溶射は、安価に大型の金属板上に絶縁層を形成できる手法であるからである。溶射膜としては、絶縁性、耐熱性、耐食性、コストの観点から、Ａｌ_２Ｏ_３が好ましい。
【００２３】
また、絶縁層は、琺瑯であっても、絶縁性、耐熱性、耐食性、コストの観点から好ましい。特に、金属板を鋼やステンレスなどの鉄系金属とする場合、熱膨張率や濡れ性の観点から好ましい。
【００２４】
また図３に示すように、前記導電層３の表面は、絶縁層５で被覆した方が、導電層の劣化を防ぐ観点から好ましい。特に、導電層がヒータ回路である場合、前記劣化の防止の他に、ヒータ回路で発熱した熱が、金属板とは反対側への放散されるのを抑制することができるので、均熱性や省エネルギーの観点からも好ましい。
【００２５】
また、金属板の被処理物保持面の平面度は５００μｍ以下、面粗さはＲａで３μｍ以下であれば、被処理物を均一に加熱することができ、被処理物表面の温度分布を±１．０％以下にすることができるので、好ましい。
【００２６】
また、金属板の直径が２００ｍｍ以上であれば、本発明の効果が顕著になり、大型の半導体ウェハや液晶用ガラスを処理することができるので、好ましい。更に、金属板の厚みは、５０ｍｍ以下であれば、急速な昇温や降温が可能になるので好ましい。
【００２７】
また、本発明の保持体を設置した装置内を一度真空引きしてから使用する場合は、該保持体からのガスの発生により、真空引きの時間が長くなることを防ぐために、金属板の吸水率は０．０１％以下であることが好ましい。吸水率が０．０１％を超えると、真空引きに要する時間が長くなり、設備の稼動率が低下し、生産効率が悪くなる。
【００２８】
また、本発明の保持体を半導体装置に組み込んで、半導体ウェハを処理することができる。本発明の保持体は、ウェハ保持面の温度が均一であるので、ウェハの温度分布も従来より均一になるので、形成される膜や熱処理等に対して、安定した特性を得ることができる。
【００２９】
また、本発明の保持体を液晶製造装置に組み込んで、液晶用ガラスを処理することができる。本発明の保持体は、液晶用ガラスの保持面の温度が均一であるので、液晶用ガラス表面の温度分布も従来より均一になるので、形成される膜や熱処理等に対して、安定した特性を得ることができる。
【００３０】
【実施例】
実施例１
市販の直径４００ｍｍ、厚み１０ｍｍのＡｌ−ＳｉＣ製の金属板を用意した。このＡｌ−ＳｉＣの熱伝導率は２２０Ｗ／ｍＫであり、熱膨張係数は、４．５ｘ１０^−６／℃、吸水率は０．００％である。この金属板の片方の面にＡｌ_２Ｏ_３膜を溶射により形成した。Ａｌ_２Ｏ_３を溶射した面と反対側の面を研磨して、平面度３０μｍ、面粗さＲａ０．７μｍに仕上げた。Ａｌ_２Ｏ_３膜の熱膨張係数は、６．７ｘ１０^−６／℃である。
【００３１】
前記Ａｌ_２Ｏ_３膜の上に、ヒータ回路パターンを抜いたマスクを置いて、ＡｇとＰｄを同時に溶射することにより、Ａｇ−Ｐｄからなるヒータ回路をＡｌ_２Ｏ_３膜上に形成した。このヒータ回路の両端部にＷ端子を半田接合し、更に系外へ電気的に接続されるＮｉ製の引出線を接合した。
【００３２】
この保持体を真空装置のチャンバー内に設置して、チャンバー内を真空にした。真空引きは、５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。更に真空引きを行いながら，Ａｒを流してチャンバー内を１３．３ｋＰａ（１００ｔｏｒｒ）の減圧にして、前記Ｎｉ引出線を介して２００Ｖの電力を供給して、保持面を２５０℃に加熱した。
【００３３】
保持面の均熱性をウェハ温度計を用いて測定したところ、２５０℃±０．３５％であった。また、この保持体を室温から２５０℃まで昇降温を５００回繰り返すヒートサイクル試験したところ、１０個の保持体を試験して、１０個とも剥離やクラック発生などの問題はなかった。
【００３４】
実施例２
実施例１と同じ金属板を用いた。この金属板をアルマイト処理用の電解液に浸積して、陽極酸化することにより、金属板の表面にγ−Ａｌ_２Ｏ_３を被覆した。これを沸騰水処理、加熱蒸気処理を行ってγ−Ａｌ_２Ｏ_３表面の気孔を封孔して、Ａｌ−ＳｉＣのアルマイト処理を行った。その後、該金属板の一面を研磨加工して、平面度３０μｍで、面粗さ０．７μｍ（Ｒａ）に仕上げ、保持面とした。形成したアルマイト処理層の熱膨張係数は、６．７ｘ１０^−６／℃である。
【００３５】
実施例１と同様に、金属板の保持面とは反対側の面に、溶射により、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子およびＮｉ引出線を接合した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３５％であった。また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全て剥離やクラックの発生はなかった。
【００３６】
実施例３
実施例１と同様の金属板を用い、その表面に琺瑯処理を施した。琺瑯の熱膨張係数は、３０．５ｘ１０^−６／℃であった。琺瑯処理を施した金属板の一面を研磨加工して、平面度３０μｍ、面粗さ０．７μｍ（Ｒａ）の保持面を仕上げた。その後、実施例１と同様にヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。
【００３７】
この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３５％であった。また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中６個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、２６ｘ１０^−６／℃と大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。
【００３８】
実施例４
市販の直径４００ｍｍ、厚み１０ｍｍの鋼製の金属板を用意した。この鋼の熱伝導率は５０Ｗ／ｍＫであり、熱膨張係数は、４１ｘ１０^−６／℃、吸水率は０．００％である。この金属板に琺瑯処理を施した。琺瑯の熱膨張係数は、３５ｘ１０^−６／℃である。実施例１と同様に研磨加工して、平面度３０μｍ、面粗さＲａ０．７μｍの保持面を仕上げた。その後、実施例１と同様にして、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。
【００３９】
この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．６５％であった。また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中８個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、６ｘ１０^−６／℃と実施例３よりは小さいが、４．０ｘ１０^−６／℃より大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。また、金属板の熱伝導率が、Ａｌ−ＳｉＣよりも低いので、均熱性は実施例１よりは劣っていた。
【００４０】
実施例５
実施例４と同様にして、鋼製保持体を作成した。ただし、実施例４の琺瑯処理の前に、熱膨張係数３８．５ｘ１０^−６／℃の琺瑯処理を施した。実施例４と同様に、保持面を仕上げ、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。
【００４１】
この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．６５％であった。
【００４２】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。実施例４とは異なり、中間層を挟んだことにより、熱膨張係数の差が緩和された効果があらわれたことが判る。
【００４３】
実施例６
鋼板の代わりに、熱伝導率４０３Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数２０ｘ１０^−６／℃の銅板を用いた以外は、実施例４と同様にして、保持体を作製した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．２５％であった。熱伝導率の良い銅板を用いたことにより、均熱性が向上したことが判る。
【００４４】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中７個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、１５ｘ１０^−６／℃と実施例３よりは小さいが、４．０ｘ１０^−６／℃より大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。
【００４５】
実施例７
Ａｌ−ＳｉＣ板の代わりに、熱伝導率２３６Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数２３ｘ１０^−６／℃のＡｌ板を用いた以外は、実施例１と同様にして、保持体を作製した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３０％であった。熱伝導率の良い銅板を用いたことにより、均熱性が向上したことが判る。
【００４６】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中５個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、１６．３ｘ１０^−６／℃と４．０ｘ１０^−６／℃より大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。
【００４７】
実施例８
実施例１と同様の保持体を作製した後、ヒータ回路側の面上に、Ａｌ_２Ｏ_３を溶射し、ヒータ回路を絶縁層で被覆した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３０％であった。ヒータ回路を絶縁層で被覆したことにより、均熱性が向上したことが判る。
【００４８】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックは発生しなかった。
【００４９】
実施例９、１０
実施例２と同様の保持体を作製した。ただし、保持面の研磨加工を調整して、平面度を４００μｍと６００μｍとした。これらの保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、いずれの保持体でも実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、平面度が４００μｍでは、２５０℃±０．３５％であり、平面度が６００μｍでは、２５０℃±０．５５％であった。
【００５０】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックは発生しなかった。
【００５１】
実施例１１
吸水率０．０１５％のＡｌ−ＳｉＣ板を用いた以外は、実施例１と同様にして、保持体を作製した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、６０分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３５％であった。吸水率の大きいＡｌ−ＳｉＣ板を用いたことにより、真空引き中に気孔に吸着したガスがでてくるので、真空引きの時間が長くなったことが判る。
【００５２】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。
【００５３】
実施例１２〜１４
ヒータ回路を、Ｗを蒸着することにより、形成した以外は、実施例１と同様にして、保持体を作製した。なお、保持面の平面度は、実施例１とおなじ３０μｍとしたが、面粗さを実施例１と同じ０．７μｍ（Ｒａ）と、２．５μｍ（Ｒａ）および３．２μｍ（Ｒａ）の３種類とした。
【００５４】
これらの保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、いずれの保持体も実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、Ｒａ０．７μｍで２５０℃±０．３５％、Ｒａ２．５μｍで２５０℃±０．４０％、Ｒａ３．２μｍで２５０℃±０．７０％であった。
【００５５】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、いずれの保持体でも１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。
【００５６】
比較例１
市販の直径４００ｍｍ、厚み１０ｍｍのＡｌ_２Ｏ_３の板を用意した。このＡｌ_２Ｏ_３の熱伝導率は２５Ｗ／ｍＫであり、熱膨張係数は、６．７ｘ１０^−６／℃、吸水率は０．００％である。Ａｌ_２Ｏ_３板の一面を研磨して、平面度３０μｍ、面粗さＲａ０．７μｍに仕上げた。
【００５７】
実施例１と同様にして、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±１．２％であった。熱伝導率が低いため、均熱性が非常に悪くなったことが判る。
【００５８】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。熱伝導率が悪くても、耐久性に差はなかった。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、金属板の保持面とは反対側の面に絶縁層を形成し、該絶縁層の上に導電層を形成すれば、保持面の均熱性を高めることができる。前記導電層はヒータ回路であることが好ましい。更に、金属板と絶縁層との熱膨張係数の差を４．０ｘ１０^−６／℃以下にすれば、耐久性を向上させることができる。このような保持体を半導体製造装置や液晶製造装置に搭載することにより、生産性や歩留りの良い半導体あるいは液晶製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の保持体の断面構造の一例を示す。
【図２】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【図３】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【符号の説明】
１金属板
２絶縁層
３ヒータ回路
４中間層
５被覆絶縁層
６被処理物[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma CVD, low pressure CVD, metal CVD, insulating film CVD, ion implantation, etching, Low-K film formation, a holder used in a liquid crystal manufacturing apparatus, such as a semiconductor manufacturing apparatus such as a DEGAS apparatus, The present invention relates to a processing chamber, a semiconductor or a liquid crystal manufacturing apparatus.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor or liquid crystal manufacturing process, various processes such as a film forming process and an etching process are performed on a semiconductor substrate or liquid crystal glass that is an object to be processed. In such a processing apparatus for processing a semiconductor substrate or liquid crystal glass, a ceramic heater for holding the semiconductor substrate or liquid crystal glass and heating the semiconductor substrate or liquid crystal glass is used.
[0003]
Such a conventional ceramic heater is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-78138. A ceramic heater disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-78138 is a ceramic heater portion in which a resistance heating element is embedded, installed in a container, and provided with a wafer heating surface, and the heater portion other than the wafer heating surface. And is connected to a resistance heating element and taken out of the container so as not to be substantially exposed to the internal space of the container. Electrode.
[0004]
In the present invention, the contamination and the poor thermal efficiency observed in the metal heater which is the previous heater are improved, but the temperature distribution of the semiconductor substrate is not mentioned. However, the temperature distribution of the semiconductor substrate is important because it has a close relationship with the yield when the various processes are performed. Therefore, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-118664 discloses a ceramic heater that can make the temperature of the ceramic substrate uniform. In the present invention, it is said that the temperature difference between the maximum temperature and the minimum temperature on the ceramic substrate surface is within practical use within a few percent.
[0005]
However, recent semiconductor substrates or glass for liquid crystals have been increased in size. For example, a silicon (Si) wafer that is a semiconductor substrate is moving from 8 inches to 12 inches. In addition, the size of glass for liquid crystal has been greatly increased, for example, 1000 mm × 1500 mm. With the increase in the diameter of the semiconductor substrate or glass for liquid crystal, the temperature distribution on the holding surface (heating surface) of the semiconductor substrate of the ceramic heater is required to be within ± 1.0%. Within ± 0.5% has come to be desired.
[0006]
As a method for improving the thermal uniformity of the holding surface of the ceramic heater, a ceramic having high thermal conductivity may be used. If the thermal conductivity of the ceramic is high, the heat generated by the resistance heating element can easily diffuse inside the ceramic, and the heat uniformity of the holding surface can be enhanced.
[0007]
In order to generate heat from the resistance heating element, since current is supplied, the ceramic needs to be electrically insulating. However, insulating ceramics having a high thermal conductivity are limited, and examples thereof include diamond having a thermal conductivity of 2000 W / mK and c-BN (cubic boron nitride) having a thermal conductivity of 500 W / mK. These are materials that can be obtained only under conditions of ultra-high pressure and high temperature, are extremely expensive, and have a limit in the size that can be manufactured, and therefore cannot be used in the ceramic heater that is the object of the present invention.
[0008]
Further, the generally _Al 2 _O 3, _AlN used, _Si 3 N 4, SiC and the like ceramics, in order to improve the temperature uniformity, but may be thicker the thickness, Atsushi Nobori when increasing the thickness and cooling This slows down the speed, and so-called throughput cannot be increased, resulting in poor productivity. In addition, if the thickness is increased or the diameter is increased, there has been a problem that the cost of ceramics increases dramatically.
[0009]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 04-078138 [Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-118664
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made to solve the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus holding body and a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus on which the semiconductor wafer or liquid crystal manufacturing apparatus is mounted that is inexpensive and has high production efficiency by improving the thermal uniformity of the surface of the semiconductor wafer or liquid crystal glass. And
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In the holding body for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus of the present invention, a conductive layer is formed on an insulating layer formed on a surface opposite to the holding surface of a metal plate having a holding surface for holding an object to be processed. The conductive layer includes at least a heater circuit, a difference in thermal expansion coefficient between the insulating layer and the metal plate is 4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C. or less, and a thermal conductivity of the metal plate is 50 W / and at mK or more, you wherein the water absorption of 0.01% or less.
[0012]
Before Symbol metal plate, Al-SiC or iron, stainless steel, aluminum, or is preferably copper. Further, in between the metal plate and the insulating layer, it is preferable to have a single layer or more intermediate layers.
[0013]
The insulating layer is preferably anodized and is preferably a sprayed film. The sprayed film is preferably an Al ₂ O ₃ film. The insulating layer may be a ridge. Furthermore, it is preferable that the surface of the conductive layer is covered with an insulating layer.
[0014]
The flatness of the holding surface of the metal plate is preferably 500 μm or less, and the surface roughness is preferably 3 μm or less in terms of Ra. The metal plate has a diameter not less than 200 mm, the thickness is not preferable to be at 50mm or less.
[0015]
The holding body of the present invention preferably heats a wafer in a semiconductor manufacturing apparatus and heats a glass substrate in a liquid crystal manufacturing apparatus.
[0016]
Semiconductor manufacturing equipment and liquid crystal manufacturing equipment equipped with such holders produce semiconductors or liquid crystal display devices with a high yield because the temperature of the wafer or liquid crystal glass surface to be processed is more uniform than the conventional one. can do.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In general, a mass-produced metal is relatively cheap even if it is large, and the cost is much lower than that of ceramics of the same size. In addition, since the metal has a relatively high thermal conductivity, it is easy to obtain a uniform temperature on the holding surface. However, since a metal is conductive, a conductive layer cannot be formed directly on the metal. Therefore, as shown in FIG. 1, if the insulating layer 2 is formed on the surface opposite to the holding surface of the metal plate 1 and the conductive layer 3 is formed on the insulating layer, the object to be processed is formed. It has been found that the temperature uniformity of the surface of the object 6 can be greatly improved and the cost of the holding body can be reduced.
[0018]
The conductive layer includes a heater circuit, an RF electrode circuit, an electrostatic chuck electrode circuit, and the like, and may be a single layer including one type or a multilayer including two or more types. Among these, in order to uniformly heat the object to be processed which is one of the objects of the present invention, it is preferable that the conductive layer includes at least a heater circuit. The conductive layer can be formed by a known method such as thermal spraying or vapor deposition.
[0019]
The metal plate is preferably as high as possible in terms of thermal conductivity, but if it has a thermal conductivity of 50 W / mK or more, the effect of the present invention can be obtained. As such a material, Al-SiC is preferable. Further, iron-based metals such as steel and stainless steel, aluminum or copper are preferable because they are excellent in corrosion resistance and heat resistance and are inexpensive.
[0020]
If the thermal expansion coefficient of the insulating layer formed on the metal plate is significantly different from that of the metal plate, the thermal stress due to the difference in the thermal expansion coefficient will be excessive during heating, and peeling or cracking may occur. The difference in thermal expansion coefficient between the plate and the insulating layer is preferably 4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C. or less.
[0021]
In addition, as shown in FIG. 2, one or more intermediate layers 4 made of a material having a thermal expansion coefficient between the metal plate 1 and the insulating layer 2 are between the metal plate and the insulating layer. For example, the difference in thermal expansion coefficient between the metal plate and the insulating layer can be relaxed and the thermal stress can be reduced, which is preferable from the viewpoint of durability. The intermediate layer may be conductive or insulating.
[0022]
The insulating layer is preferably anodized from the viewpoints of insulation, heat resistance, corrosion resistance, and cost. The insulating layer may be a sprayed film. This is because thermal spraying is a technique that can form an insulating layer on a large metal plate at low cost. The sprayed film is preferably Al ₂ O ₃ from the viewpoints of insulation, heat resistance, corrosion resistance, and cost.
[0023]
Moreover, even if an insulating layer is a soot, it is preferable from a viewpoint of insulation, heat resistance, corrosion resistance, and cost. In particular, when the metal plate is an iron-based metal such as steel or stainless steel, it is preferable from the viewpoint of thermal expansion coefficient and wettability.
[0024]
Further, as shown in FIG. 3, it is preferable that the surface of the conductive layer 3 is covered with the insulating layer 5 from the viewpoint of preventing the deterioration of the conductive layer. In particular, when the conductive layer is a heater circuit, in addition to preventing the deterioration, the heat generated by the heater circuit can be prevented from being dissipated to the side opposite to the metal plate. It is also preferable from the viewpoint of energy saving.
[0025]
Further, if the flatness of the workpiece holding surface of the metal plate is 500 μm or less and the surface roughness is 3 μm or less in Ra, the workpiece can be heated uniformly, and the temperature distribution on the surface of the workpiece is ± Since it can be 1.0% or less, it is preferable.
[0026]
Moreover, if the diameter of a metal plate is 200 mm or more, the effect of this invention will become remarkable and a large-sized semiconductor wafer and glass for liquid crystals can be processed, and it is preferable. Furthermore, if the thickness of the metal plate is 50 mm or less, it is preferable because rapid temperature rise and fall are possible.
[0027]
In addition, when the apparatus in which the holder of the present invention is installed is evacuated once, in order to prevent the time for evacuation from being prolonged due to the generation of gas from the holder, water absorption of the metal plate is performed. The rate is preferably 0.01% or less. If the water absorption exceeds 0.01%, the time required for evacuation becomes longer, the operating rate of the equipment is lowered, and the production efficiency is deteriorated.
[0028]
Moreover, a semiconductor wafer can be processed by incorporating the holding body of the present invention into a semiconductor device. Since the temperature of the wafer holding surface is uniform in the holder of the present invention, the temperature distribution of the wafer is also more uniform than before, so that stable characteristics can be obtained with respect to the formed film, heat treatment, and the like.
[0029]
Moreover, the glass for liquid crystals can be processed by incorporating the holding body of the present invention into a liquid crystal production apparatus. Since the temperature of the holding surface of the glass for liquid crystal is uniform, the temperature distribution on the surface of the glass for liquid crystal is more uniform than that of the conventional holding body. Can be obtained.
[0030]
【Example】
Example 1
A commercially available metal plate made of Al—SiC having a diameter of 400 mm and a thickness of 10 mm was prepared. This Al—SiC has a thermal conductivity of 220 W / mK, a thermal expansion coefficient of 4.5 × 10 ⁻⁶ / ° C., and a water absorption rate of 0.00%. On one surface of the metal plate is formed by spraying an Al ₂ O ₃ film. The surface opposite to the surface sprayed with Al ₂ O ₃ was polished to finish with a flatness of 30 μm and a surface roughness Ra of 0.7 μm. The thermal expansion coefficient of the Al ₂ O ₃ film is 6.7 × 10 ⁻⁶ / ° C.
[0031]
A heater circuit pattern was placed on the Al ₂ O ₃ film, and Ag and Pd were simultaneously sprayed to form a heater circuit made of Ag—Pd on the Al ₂ O ₃ film. W terminals were soldered to both ends of the heater circuit, and Ni lead wires that were electrically connected to the outside of the system were joined.
[0032]
This holding body was placed in a chamber of a vacuum apparatus, and the inside of the chamber was evacuated. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes. Further, while evacuating, Ar was flowed to reduce the pressure in the chamber to 13.3 kPa (100 torr), power of 200 V was supplied through the Ni lead wire, and the holding surface was heated to 250 ° C.
[0033]
When the thermal uniformity of the holding surface was measured using a wafer thermometer, it was 250 ° C. ± 0.35%. Further, when this holder was subjected to a heat cycle test in which the temperature was raised and lowered 500 times from room temperature to 250 ° C., ten holders were tested, and there were no problems such as peeling or cracking in all ten holders.
[0034]
Example 2
The same metal plate as in Example 1 was used. The surface of the metal plate was coated with γ-Al ₂ O ₃ by immersing this metal plate in an electrolytic solution for anodizing and anodizing. This was subjected to boiling water treatment and heating steam treatment to seal pores on the surface of γ-Al ₂ O ₃ , and an alumite treatment of Al—SiC was performed. Thereafter, one surface of the metal plate was polished and finished to a flatness of 30 μm and a surface roughness of 0.7 μm (Ra) to form a holding surface. The thermal expansion coefficient of the formed anodized layer is 6.7 × 10 ⁻⁶ / ° C.
[0035]
Similarly to Example 1, an Ag—Pd heater circuit was formed on the surface opposite to the holding surface of the metal plate by thermal spraying, and the W terminal and the Ni lead wire were joined. This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.35%. Moreover, when the heat cycle test was done like Example 1, ten holders were tested and all ten pieces did not have peeling or a crack.
[0036]
Example 3
The same metal plate as in Example 1 was used, and its surface was subjected to wrinkle treatment. The thermal expansion coefficient of the soot was 30.5 × 10 ⁻⁶ / ° C. One surface of the metal plate subjected to the wrinkle treatment was polished to finish a holding surface having a flatness of 30 μm and a surface roughness of 0.7 μm (Ra). Thereafter, a heater circuit was formed in the same manner as in Example 1, and the W terminal and the Ni lead wire were joined.
[0037]
This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.35%. Moreover, when the heat cycle test was done like Example 1, ten holders were tested and peeling and a crack generate | occur | produced in six holders out of ten. It can be seen that when the difference in thermal expansion coefficient is as large as 26 × 10 ⁻⁶ / ° C., the probability of occurrence of peeling or cracking increases.
[0038]
Example 4
A commercially available steel metal plate having a diameter of 400 mm and a thickness of 10 mm was prepared. This steel has a thermal conductivity of 50 W / mK, a thermal expansion coefficient of 41 × 10 ⁻⁶ / ° C., and a water absorption rate of 0.00%. The metal plate was subjected to a wrinkle treatment. Thermal expansion coefficient of the enamel is 35x10 ^-6 / ℃. The holding surface having a flatness of 30 μm and a surface roughness Ra of 0.7 μm was finished by polishing in the same manner as in Example 1. Thereafter, in the same manner as in Example 1, an Ag—Pd heater circuit was formed, and the W terminal and the Ni lead wire were joined.
[0039]
This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.65%. Moreover, when the heat cycle test was done like Example 1, ten holders were tested and peeling and a crack generate | occur | produced in eight of ten holders. Although the difference in thermal expansion coefficient is ⁶ × 10 ⁻⁶ / ° C., which is smaller than that in Example 3, it can be seen that when the thermal expansion coefficient is greater than 4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C., the probability of occurrence of peeling or cracking increases. Moreover, since the thermal conductivity of the metal plate was lower than that of Al—SiC, the thermal uniformity was inferior to that of Example 1.
[0040]
Example 5
In the same manner as in Example 4, a steel holder was prepared. However, before the soot treatment of Example 4, the soot treatment with a thermal expansion coefficient of 38.5 × 10 ⁻⁶ / ° C. was performed. As in Example 4, the holding surface was finished to form an Ag-Pd heater circuit, and the W terminal and the Ni lead wire were joined.
[0041]
This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.65%.
[0042]
Further, when a heat cycle test was performed in the same manner as in Example 1, 10 holders were tested, and no peeling or cracking occurred in all 10 holders. Unlike Example 4, it can be seen that the effect of reducing the difference in thermal expansion coefficient was exhibited by sandwiching the intermediate layer.
[0043]
Example 6
A holding body was produced in the same manner as in Example 4 except that a copper plate having a thermal conductivity of 403 W / mK and a thermal expansion coefficient of 20 × 10 ⁻⁶ / ° C. was used instead of the steel plate. This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.25%. It can be seen that soaking was improved by using a copper plate with good thermal conductivity.
[0044]
Moreover, when the heat cycle test was done like Example 1, ten holders were tested and peeling and a crack generate | occur | produced in seven holders out of ten. It can be seen that the difference in thermal expansion coefficient is 15 × 10 ⁻⁶ / ° C., which is smaller than that of Example 3, but when it is greater than 4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C., the probability of occurrence of peeling or cracking increases.
[0045]
Example 7
A holding body was produced in the same manner as in Example 1 except that an Al plate having a thermal conductivity of 236 W / mK and a thermal expansion coefficient of 23 × 10 ⁻⁶ / ° C. was used instead of the Al—SiC plate. This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.30%. It can be seen that soaking was improved by using a copper plate with good thermal conductivity.
[0046]
Moreover, when the heat cycle test was done like Example 1, ten holders were tested and peeling and a crack generate | occur | produced in five of ten holders. It can be seen that when the difference in thermal expansion coefficient is larger than 16.3 × 10 ⁻⁶ / ° C. and 4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C., the probability of occurrence of peeling or cracking increases.
[0047]
Example 8
After producing a holding body similar to that in Example 1, Al ₂ O ₃ was sprayed onto the surface on the heater circuit side, and the heater circuit was covered with an insulating layer. This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.30%. It can be seen that the thermal uniformity was improved by covering the heater circuit with the insulating layer.
[0048]
Moreover, when the heat cycle test was done like Example 1, ten holders were tested and peeling and a crack did not generate | occur | produce in all ten holders.
[0049]
Examples 9, 10
A holding body similar to that of Example 2 was produced. However, the holding surface was polished to adjust the flatness to 400 μm and 600 μm. These holding bodies were installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. Note that the evacuation reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1 for any holder. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.35% when the flatness was 400 μm, and 250 ° C. ± 0.55% when the flatness was 600 μm.
[0050]
Moreover, when the heat cycle test was done like Example 1, ten holders were tested and peeling and a crack did not generate | occur | produce in all ten holders.
[0051]
Example 11
A holding body was produced in the same manner as in Example 1 except that an Al—SiC plate having a water absorption of 0.015% was used. This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 60 minutes. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.35%. By using an Al—SiC plate having a large water absorption rate, gas adsorbed in the pores is generated during evacuation, and it can be seen that the evacuation time is prolonged.
[0052]
Further, when a heat cycle test was performed in the same manner as in Example 1, ten holders were tested, and no peeling or cracking occurred in all ten holders.
[0053]
Examples 12-14
A holding body was produced in the same manner as in Example 1 except that the heater circuit was formed by evaporating W. The flatness of the holding surface was set to 30 μm, which was the same as in Example 1. However, the surface roughness was 0.7 μm (Ra), 2.5 μm (Ra), and 3.2 μm (Ra), the same as in Example 1. There were three types.
[0054]
These holding bodies were installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. Note that the vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes in the same manner as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 0.35% at Ra 0.7 μm, 250 ° C. ± 0.40% at Ra 2.5 μm, and 250 ° C. ± 0.70% at Ra 3.2 μm.
[0055]
In addition, when a heat cycle test was performed in the same manner as in Example 1, 10 holders were tested in any holder, and no peeling or cracking occurred in all 10 holders.
[0056]
Comparative Example 1
A commercially available Al ₂ O ₃ plate having a diameter of 400 mm and a thickness of 10 mm was prepared. This Al ₂ O _{3 has} a thermal conductivity of 25 W / mK, a thermal expansion coefficient of 6.7 × 10 ⁻⁶ / ° C., and a water absorption rate of 0.00%. One surface of the Al ₂ O ₃ plate was polished to give a flatness of 30 μm and a surface roughness Ra of 0.7 μm.
[0057]
In the same manner as in Example 1, an Ag—Pd heater circuit was formed, and the W terminal and the Ni lead wire were joined. This holding body was installed in a vacuum apparatus in the same manner as in Example 1, and the thermal uniformity at 250 ° C. was measured. The vacuuming reached 1.3 Pa (0.01 torr) in 5 minutes as in Example 1. As a result, the thermal uniformity was 250 ° C. ± 1.2%. It can be seen that the thermal uniformity is very poor because of the low thermal conductivity.
[0058]
Further, when a heat cycle test was performed in the same manner as in Example 1, 10 holders were tested, and no peeling or cracking occurred in all 10 holders. Even if the thermal conductivity was poor, there was no difference in durability.
[0059]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, if the insulating layer is formed on the surface opposite to the holding surface of the metal plate and the conductive layer is formed on the insulating layer, the thermal uniformity of the holding surface can be improved. Can do. The conductive layer is preferably a heater circuit. Furthermore, if the difference in thermal expansion coefficient between the metal plate and the insulating layer is 4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C. or less, the durability can be improved. By mounting such a holder on a semiconductor manufacturing apparatus or a liquid crystal manufacturing apparatus, it is possible to provide a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus with good productivity and yield.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows an example of a cross-sectional structure of a holder according to the present invention.
FIG. 2 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
FIG. 3 shows another example of the cross-sectional structure of the holding body of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Metal plate 2 Insulating layer 3 Heater circuit 4 Intermediate layer 5 Covering insulating layer 6

Claims

A conductive layer is formed on an insulating layer formed on a surface opposite to the holding surface of a metal plate having a holding surface for holding an object to be processed, and the conductive layer includes at least a heater circuit, The difference in thermal expansion coefficient between the insulating layer and the metal plate is 4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C. or less, the thermal conductivity of the metal plate is 50 W / mK or more, and the water absorption is 0.01% or less. semiconductor or liquid crystal manufacturing device supporting, characterized in that.

Wherein the metal plate, a semiconductor or liquid crystal manufacturing equipment holder according to claim 1, characterized in that the Al-SiC.

Wherein the metal plate, iron, stainless steel, aluminum, or a semiconductor or a liquid crystal manufacturing equipment holder according to claim 1, characterized in that the copper.

Semiconductor or liquid crystal manufacturing device supporting according to to any of claims 1 to 3, characterized in that it has one or more intermediate layers between the metal plate and the insulating layer.

The insulating layer, a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is anodized.

The insulating layer, a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a sprayed film.

The insulating layer, a semiconductor or liquid crystal manufacturing equipment holder according to claim 6, characterized in that the the Al ₂ O ₃ film.

The insulating layer, a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is enamel.

Semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the surface of the conductive layer is covered with an insulating layer.

Semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 9 flatness of the holding surface of the metal plate, characterized in that at 500μm or less.

Semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 10 surface roughness of the holding surface of the metal plate, characterized in that it is 3μm or less in Ra.

Wherein the metal plate, a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 11, characterized in that at least a diameter of 200 mm.

Wherein the metal plate, a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus for holding body according to any one of claims 1 to 12, characterized in that a thickness less than 50mm.

Semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus characterized by any of the holding member according to claim 1 to 13 is mounted.