JP4537061B2 - Method and apparatus for mechanically masking a workpiece - Google Patents
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Description
(関連出願の相互参照)
本願は、本願と同日に出願された「感光性ワークピース上の露光除外領域を光学的に定めるための方法および装置(METHOD AND APPARATUS FOR OPTICALLY DEFINING AN EXPOSURE EXCLUSION REGION ON A PHOTOSENSITIVE WORKPIECE)」と題する出願と、「ワークピースをインクでマスクするための方法および装置(METHOD AND APPARATUS FOR MASKING A WORKPIECE WITH INK)」と題する係属中の米国特許出願第09/923,755号と関連する。
(Cross-reference of related applications)
The present application is entitled “METHOD AND APPARATUS FOR OPTICALLY DEFINING AN EXPOSURE EXCLUSION REGION ON A PHOTOSENSITIVE WORLD PIECE WORKING” filed on the same day as the present application. And a pending US patent application Ser. No. 09 / 923,755 entitled “METHOD AND APPARATUS FOR MASKING A WORKPIECE WITH INK”.
本発明は、ワークピースのリソグラフィー露光およびパターニングに関する。特に、本発明は、選択的にワークピースをマスクすることによってワークピース上の選択領域への露光を防ぐための機械的な方法および装置に関する。 The present invention relates to lithographic exposure and patterning of workpieces. In particular, the present invention relates to a mechanical method and apparatus for preventing exposure of selected areas on a workpiece by selectively masking the workpiece.
リソグラフィー技術は、集積回路(IC)、フラットパネルディスプレイ、微小電気機械システム(MEMS)、フリップチップ配線技術のためのバンプIC配線の形成などといった微細デバイスの製造に使用されている。リソグラフィープロセスは、感光性ワークピース(ウェハ)を使用し、ワークピースに放射線(紫外線など)を選択的に露光する。ワークピースの感光性は、ワークピースの表面にフォトレジストと呼ばれる感光性材料の層をコーティングまたは塗布することによって得られる。フォトレジストは、露光されたレジストが現像によって除去される「ポジ型」、あるいは露光されないレジストが現像によって除去される「ネガ型」のいずれでもよい。 Lithographic techniques are used in the manufacture of micro devices such as integrated circuit (IC), flat panel displays, microelectromechanical systems (MEMS), bump IC wiring formation for flip chip wiring technology, and the like. The lithography process uses a photosensitive workpiece (wafer) and selectively exposes the workpiece with radiation (such as ultraviolet light). The photosensitivity of the workpiece is obtained by coating or applying a layer of a photosensitive material called photoresist on the surface of the workpiece. The photoresist may be either “positive type” in which the exposed resist is removed by development, or “negative type” in which the unexposed resist is removed by development.
一般に、リソグラフィープロセスは、ワークピースにフォトレジストをコーティングする工程と、フォトレジストをマスクイメージを介して露光することによってフォトレジストに潜像を形成する工程と、フォトレジストを現像することによって三次元イメージを形成する工程と、フォトレジストをエッチングして対応する三次元パターンをワークピースに形成する工程と、余分なフォトレジストを除去する工程とを含む。これらの工程を必要な回数繰り返し、ワークピースに所定のデバイス構造を形成する。 In general, a lithographic process involves coating a workpiece with a photoresist, exposing the photoresist through a mask image to form a latent image in the photoresist, and developing the photoresist to produce a three-dimensional image. , Forming a corresponding three-dimensional pattern on the workpiece, and removing excess photoresist. These steps are repeated as many times as necessary to form a predetermined device structure on the workpiece.
ネガ型フォトレジストを使用するリソグラフィーでは、個々の露光フィールドの外側にあるワークピースの選択領域は、現像時に選択領域のレジストが除去されるように、完全に露光されないことが好ましい。 In lithography using negative photoresist, selected areas of the workpiece that are outside the individual exposure fields are preferably not fully exposed so that the resist in the selected areas is removed during development.
バンプ配線リソグラフィーはその一例であり、バンプ配線リソグラフィーは、回路基板上の回路配線と接続するために使用される導電性(例えば、金、ハンダ合金、その他の適切な金属)バンプをワークピース(ウェハ)上に形成することを含む。バンプリソグラフィーは、導電性バンプを形成するための電気化学めっき工程を含む。この工程では、ウェハの端部の大部分を電極と接触させる必要がある。さらに、バンプリソグラフィーに使用されるレジスト層は、いわゆるフロントエンド(front−end)リソグラフィーの場合と比較して相対的に厚い(例えば、50μm)。バンプリソグラフィーでは、均一な電気的接触を確保するために、ウェハの端部全体が実質的にフォトレジストに覆われていてはならない。 Bump wiring lithography is one example, and bump wiring lithography uses conductive (eg, gold, solder alloy, or other suitable metal) bumps that are used to connect circuit wiring on a circuit board to a workpiece (wafer). ) Forming on. Bump lithography includes an electrochemical plating process for forming conductive bumps. In this step, most of the edge of the wafer needs to be in contact with the electrode. Further, the resist layer used for bump lithography is relatively thick (for example, 50 μm) as compared to so-called front-end lithography. In bump lithography, the entire edge of the wafer must not be substantially covered with photoresist in order to ensure uniform electrical contact.
1対1コンタクトフォトリソグラフィーあるいはニアコンタクトフォトリソグラフィーを行う場合には、ウェハ全体を同時に露光し、レチクルに所望の除外領域を組み込むことによって端部が露光されないようにしている。200mmあるいは300mmウェハのコンタクトリソグラフィーまたはニアコンタクトリソグラフィーは、欠陥、大型で高額なマスク、マスクの汚染によって制約を受ける。ステップ・アンド・リピートリソグラフィーによってこれらの欠点を解消することができるが、ウェハの端部やその近傍を露光することが好ましくない場合に露光がウェハの端部と重なることが多い。ところが、ステップ・アンド・リピートフォトリソグラフィーではステップパターンがパターンサイズとステップサイズに依存するため、レチクルに除外領域を定めることは不可能である。したがって、フォトリソグラフィープロセスにおいてワークピース上の露光除外領域を定めるための方法および装置が求められている。本発明はそのような方法および装置を提供するものである。 When one-to-one contact photolithography or near-contact photolithography is performed, the entire wafer is exposed at the same time, and a desired exclusion region is incorporated into the reticle so that the end portion is not exposed. 200 mm or 300 mm wafer contact lithography or near contact lithography is limited by defects, large and expensive masks, and mask contamination. Although step-and-repeat lithography can eliminate these drawbacks, the exposure often overlaps the wafer edge when it is not desirable to expose the wafer edge or its vicinity. However, in step-and-repeat photolithography, the step pattern depends on the pattern size and the step size, so that it is impossible to define an exclusion area on the reticle. Accordingly, there is a need for a method and apparatus for defining an exposure exclusion region on a workpiece in a photolithography process. The present invention provides such a method and apparatus.
本発明は、縮小リソグラフィーまたは1Xステップ・アンド・リピートリソグラフィーを使用するワークピースのリソグラフィー露光およびパターニングに関する。特に、本発明は、ワークピースを選択的にマスクすることによってワークピースの選択領域が露光されるのを防ぐための機械的な方法および装置に関する。 The present invention relates to lithographic exposure and patterning of workpieces using reduced lithography or 1X step-and-repeat lithography. In particular, the present invention relates to a mechanical method and apparatus for preventing selected areas of a workpiece from being exposed by selectively masking the workpiece.
本発明の第一の態様は、ワークピースにミクロ形状を印刷することができる描画装置によって露光される感光性ワークピースに、1以上の露光除外領域を形成するための方法である。この方法は、感光性ワークピースの1以上の非露光領域を選択する工程と、ワークピースの1以上の選択されたマクロ領域をマスクする工程とを含む。これは、感光性ワークピースを活性化させる放射線の波長に対して不透明なマスクを、ワークピースの表面に近接して(すなわち、表面上またはその近傍に)配置することによって達成される。ワークピースの露光後、マスクを取り外し、ワークピースを処理する。ネガ型フォトレジストを使用する場合には、フォトレジストの露光除外領域に対応する部分が現像時に除去され、ワークピースの表面が露出する。 A first aspect of the present invention is a method for forming one or more exposure exclusion regions on a photosensitive workpiece that is exposed by a drawing apparatus capable of printing a micro shape on the workpiece. The method includes selecting one or more unexposed areas of the photosensitive workpiece and masking one or more selected macro areas of the workpiece. This is accomplished by placing a mask that is opaque to the wavelength of radiation that activates the photosensitive workpiece in proximity to (ie, on or near) the surface of the workpiece. After the workpiece is exposed, the mask is removed and the workpiece is processed. In the case of using a negative type photoresist, a portion corresponding to an exposure exclusion area of the photoresist is removed during development, and the surface of the workpiece is exposed.
本発明の第二の態様は、感光性ワークピースに1以上の露光除外領域を形成するための装置である。この装置は、感光性ワークピースを活性化させる放射線の波長に対して不透明なマスクを含む。マスクは、ワークピースの選択されたマクロ領域を覆うように感光性ワークピースに近接して配置される。好ましい実施形態では、マスクはワークピースの端部に隣接する(環状)領域を覆うサイズを有するリングである。この装置は、マスクをワークピースへ搬送するように構成されたマスクハンドリング装置をさらに含んでもよい。 A second aspect of the present invention is an apparatus for forming one or more exposure exclusion regions on a photosensitive workpiece. The apparatus includes a mask that is opaque to the wavelength of radiation that activates the photosensitive workpiece. A mask is placed proximate to the photosensitive workpiece so as to cover a selected macro area of the workpiece. In a preferred embodiment, the mask is a ring having a size that covers the (annular) region adjacent to the end of the workpiece. The apparatus may further include a mask handling apparatus configured to transport the mask to the workpiece.
本発明は、ワークピースのリソグラフィー露光およびパターニングに関する。特に、本発明は、ワークピースを選択的にマスクすることによってワークピースの選択領域が露光されるのを防ぐための機械的な方法および装置に関する。 The present invention relates to lithographic exposure and patterning of workpieces. In particular, the present invention relates to a mechanical method and apparatus for preventing selected areas of a workpiece from being exposed by selectively masking the workpiece.
本発明において、「マスク」という用語は、本発明の機械的マスク装置と、投影レンズの上方に位置し、フロントエンドリソグラフィー露光(例えば、半導体デバイスの限界レベルを定義する露光)を行う場合にワークピース上に描画される小さなパターンを含むレチクル(「マスク」とも呼ばれる)とを区別するために使用する。 In the present invention, the term “mask” refers to the mechanical mask apparatus of the present invention and a workpiece that is located above the projection lens and performs front-end lithography exposure (for example, exposure that defines the limit level of a semiconductor device). Used to distinguish from a reticle (also called a “mask”) that contains a small pattern drawn on a piece.
図1に示すように、標準的なリソグラフィーツール10は、軸A0に沿って順に、照明系12、レチクルステージRSに支持されたレチクルR、投影レンズ14、レチクルRのイメージで露光されるワークピース30を可動的に支持するワークピースステージ16を含む。ワークピース30は、上部表面32と端部34とを含む。ワークピースステージ16は、投影レンズ14の下のワークピース30を可動的に支持するように設計されている。ワークピース30は、ワークピースステージの動作を開始させる前に、真空によってワークピースステージに固定される。
As shown in FIG. 1, a
ワークピース30は、複数の露光フィールド36(図2)をリソグラフィーによってワークピースに形成(露光)できるように、ワークピースステージ16によって投影レンズの下を移動させる。本発明の一実施形態では、ワークピース30の上部表面32は感光性を有し、通常は薄膜の保護コーティング(図示せず)を有するネガ型フォトレジスト層40を含む。本発明で使用する好適なネガ型フォトレジストの例としては、デュポン社(DuPont)製のリストン(RISTON:登録商標)が挙げられる。リストンは、露光放射線波長に対して透明な薄いマイラー(MYLAR:登録商標)コーティングを含む。
The
リソグラフィーツール10は、リソグラフィーツールの動作を制御し、ワークピースステージ16と動作的に接続されてワークピースのワークピースステージ16への初期アライメントと搬送とを制御するメインコントローラ44を含む。また、露光フィールド36を形成するリソグラフィー露光プロセスと関連して、メインコントローラ44は、1以上の露光除外領域をワークピース上に形成するための機械的マスク方法(詳細は後述する)を任意に制御および調整する。
The
図3に示すように、本発明の露光除外方法を行うために使用するワークピースマスク70を操作(係合、移動、係合解除)するように設計されたマスクハンドリング装置60が、ワークピースステージ16と動作的に連結されている。本発明において、マスク70が定める露光除外領域はミクロ(すなわち、10μm以下のオーダー)ではなくマクロ(すなわち、1mm以上のオーダー)である。好ましくは、マスクは主にミクロ形状をワークピースに印刷するために使用されるレチクルおよび描画装置(例えば、ツール10)と組み合わせて使用される。本発明は、リソグラフィー印刷時に、ワークピース上の選択されたマクロ領域が露光されることを防ぐことを含む。
As shown in FIG. 3, a
ワークピースマスク(以下、「マスク」という)70は不透明な部材であり、少なくともその一部がワークピース30の感光面32上またはその近傍(例えば、フォトレジスト層40上)に位置する。ここで、「不透明」とは、ワークピース30の感光面32(例えば、フォトレジスト)を活性化させる波長の光をマスクが実質的に透過させないことを意味する。ネガ型フォトレジスト層40にリストンあるいは他の適切な乾燥膜フォトレジストを使用する場合には、レジストを被覆しているマイラー層にマスク70を直接配置することができる。
A workpiece mask (hereinafter referred to as “mask”) 70 is an opaque member, and at least a part thereof is located on or near the photosensitive surface 32 of the workpiece 30 (for example, on the photoresist layer 40). Here, “opaque” means that the mask does not substantially transmit light having a wavelength that activates the photosensitive surface 32 (eg, photoresist) of the
マスク70は、不透明材料であればどのようなものでもよく、軽量のプラスチックまたは金属が好ましい。マスク70を磁石によるハンドリング装置60を使用して取り扱う場合には、磁石による取り扱いができるように、マスク70は金属であることが好ましい。マスク70を真空式のハンドリング装置60を使用して取り扱う場合には、プラスチックまたは紙などの非導電性材料を使用することができる。
The
図4および図5に示すように、好ましい実施形態では、マスク70は下面73と上面74を有する本体72を含むリング形状を有する。リングマスク70は、上面74またはその近傍で本体72から内部に向かって延びる縁(lip)76を含む。一実施形態では、縁76の幅は約1〜5mmである。一実施形態では、リングマスク70の縁76は、全ての部分において約5〜15ミルの厚さと約50〜150mmの半径を有する。マスク70の形状は、ワークピース30のサイズと形成する所望の露光除外領域の形状とに依存する。異なるワークピースに使用できるようにリングの在庫があることが好ましい。バンプリソグラフィーなどの多くの用途では、一つまたは少数のマスク(例えば、半径と幅が異なる数種類のリングマスク)で済むように、標準サイズ(例えば、100〜300mm)のウェハをワークピースとして使用する。
As shown in FIGS. 4 and 5, in a preferred embodiment, the
図3に示すように、一実施形態では、マスクハンドリング装置60はモータで駆動される台100を含み、台100からは末端部110を有するビーム104が延びている。ビーム104は、台100において上昇あるいは下降し、軸A1の周りを回転することができる。アーム120が末端部110に搭載され、外側に向かって延びている。各アーム120は、マスク70と接触し、選択的に係合するように設計された接触部材140を端部に有する。例えば、接触部材140は、マスクを持ち上げるために十分な真空によってマスク70と係合する真空パッドであってもよい。別の例では、接触部材140は、マスク70と係合し、マスク70を持ち上げるように励磁することができる電磁石であってもよい。さらに別の例では、接触部材140は、マスク70と係合し、マスク70を持ち上げることができる格納可能なクリップであってもよい。このように、接触部材140は、マスク70と係合し、マスク70を持ち上げるために適切な公知の装置のいずれであってもよい。アーム120と接触部材140は、マスク70をワークピース上に正確に配置し、マスクと係合してマスクをワークピースから持ち上げるために上昇および下降するマスク持上部材142を構成する。
As shown in FIG. 3, in one embodiment, the
マスクハンドリング装置60は、好ましくは、台100に接続され、メインコントローラ44とも接続されたマスクハンドリング制御部200を含む。制御部200は、ワークピースのマスク時およびマスク除去時におけるマスク70の係合、正確な搬送、係合解除を制御する。制御部200は、フォトリソグラフィー露光プロセスがワークピースのマスキングと整合するように、独立にプログラム可能であってもよいし、メインコントローラ44によって制御してもよい。
The
図5および図6に示すように、リングの下面73に取り付けられ、ワークピースステージ16上に配置された対応する拘束部材204に押し付けられた2以上のボール202によってワークピース面に拘束されるように、マスク70はウェハチャックに対して動的に位置決めされる。拘束部材204は、好ましくは、ボール202と係合する大きさを有するv溝206を有する。拘束部材204は、マスク70がワークピースに近接して配置された際に、マスク70が水平方向に動いたり、垂直軸の周りを回転することを防ぐように設計されている。垂直方向の動きが自由であるため、リングマスクはレジスト層40の上面に直接接触することができる。
動作方法
露光除外領域をワークピース30に形成する方法を、図3を参照して説明する。まず、図3に示すように、好ましくは投影レンズ14の下からワークピースの搭載位置まで移動させたワークピースステージ16上に、ワークピース30を載せる。次に、感光性ワークピースの表面を露光させない1以上の領域(すなわち、露光除外領域)を決定し、それに応じたマスク70を選択する。
As shown in FIGS. 5 and 6, it is constrained to the workpiece surface by two or
Method of Operation A method of forming the exposure exclusion region on the
最初のワークピース30がワークピースステージ16に正しく配置されると、マスクハンドリング装置60が作動し、適切なマスク70をワークピースに向けて搬送するように制御部200を介して指示が与えられる。通常はマスクライブラリ(図示せず)にあるマスクとマスク持上部材142を係合させる。次に、マスクは近接するワークピースの上面32に置かれ、露光から除外される領域がマスクによって覆われるようにワークピースと相対的に位置合わせされる。マスク70がワークピースの上面32と接触するか否かは、本体部72および/またはボール202のサイズによって決まる。
When the
上述したように、マスク70の位置合わせは、マスクに固定された1以上のボール202とワークピースステージに固定された拘束部材204とを係合させることによって行ってもよい(図6)。例えば、図7に示すように、マスク70がリングマスクであり、所望の露光除外領域210がワークピースの環状の隣接端部34である場合には、マスクの縁76がワークピース30の端部34近傍のワークピース表面32の部分を覆うようにマスクを配置および位置決めする。
As described above, the alignment of the
図3に示すように、マスク70が位置決めされると、ワークピースステージ16は投影レンズ14の下の露光位置まで戻される。この際に、露光のためのワークピースの位置合わせと焦点合わせが行なわれる。マスク70をワークピースへ装着したことによってリソグラフィーツール10の焦点系および/またはアライメント系(図示せず)と干渉する場合には、これらのプロセスを適切に変更する必要がある場合がある。また、メインコントローラ44は、マスクを収容するためにリソグラフィーツール10の動作を変更できるように、マスク70の有無を認識する必要がある場合がある。
As shown in FIG. 3, when the
マスクされたワークピース30が投影レンズ14の下の所定の位置に配置されると、マスクされたワークピースはリソグラフィーによって1回以上露光され、1以上の露光フィールド36が形成される(図2)。この露光プロセスは、例えば、バンプリソグラフィーのバンプ配線の形成を含んでもよい。マスクされたワークピースが露光されると、ワークピースステージ16はワークピースの搭載位置まで移動する。制御部200は、マスク持上部材142がマスク70と係合し、マスク70をワークピース30から持ち上げることができるように、マスクハンドリング装置60を作動させる。
When the
図8に示すように、リングマスク70でワークピース30をマスクすると、処理(例えば、現像)時にネガ型フォトレジスト層40の露光除外領域210に対応する部分218(破線部)がワークピースから除去される。このため、端部34またはその近傍でワークピース上面32との直接的な電気的接触が得られる。上述したように、このような接触はバンプリソグラフィーなどのフォトリソグラフィーで必要とされる。
As shown in FIG. 8, when the
マスク70がマスクハンドリング装置60によって取り除かれると、最初のワークピースをワークピースステージ16から取り除くことができ、新しい(第2の)ワークピースがマスキングとリソグラフィープロセスのためにワークピースステージに搬送される。
When the
本発明の多くの特徴および利点は詳細な明細書から明らかであり、したがって、本発明の精神と範囲に従って説明した装置に関するすべての特徴および利点を添付の請求の範囲によって網羅するものである。また、種々の変形や変更は当業者に容易に想到されるであろうため、本発明を本明細書で説明した構成と実施形態のみに限定すべきではない。したがって、他の実施形態は請求の範囲に含まれるものとする。 Many features and advantages of the present invention will be apparent from the detailed description, and therefore, all features and advantages relating to the apparatus described in accordance with the spirit and scope of the present invention will be covered by the appended claims. Further, since various modifications and changes will be readily conceived by those skilled in the art, the present invention should not be limited only to the configurations and embodiments described in this specification. Accordingly, other embodiments are intended to be within the scope of the claims.
Claims (16)
搭載位置における可動なワークピースステージの上に、前記ワークピースを搭載する工程(a)と、
前記工程(a)の後に、マスクを前記ワークピース上に配置し、前記選択領域を完全に覆う工程(b)と、
前記工程(b)の後に、前記ワークピースステージを、前記搭載位置から、投影レンズを含むリソグラフィーツールの一部が上方に配置されている露光位置に移動する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記マスクに覆われた前記選択領域を露光させずに、前記ワークピースと前記マスクを前記露光装置からの放射線によって露光し、前記ワークピース上の前記マスクに覆われていない表面上にミクロ形状を描画する工程(d)と、
前記工程(d)の後に、前記ワークピースステージを、前記露光位置から前記搭載位置に移動する工程(e)と、
前記工程(e)の後に、前記ワークピースステージ上の前記マスクを取り外す工程(f)と、
を含み、
前記マスクは、感光性の前記ワークピースを活性化させる前記放射線の波長を透過させない不透明な部材であり、
前記ワークピースの露光されなかった前記選択領域を、露光除外領域とする方法。 A method of forming an exposure exclusion region in a selected region of a photosensitive workpiece, comprising:
A step (a) of mounting the workpiece on a movable workpiece stage at a mounting position;
(B) after the step (a), placing a mask on the workpiece and completely covering the selected area;
(C) after the step (b), moving the workpiece stage from the mounting position to an exposure position where a part of the lithography tool including the projection lens is disposed above;
After the step (c), the workpiece and the mask are exposed by radiation from the exposure apparatus without exposing the selected area covered by the mask, and are covered with the mask on the workpiece. A step (d) of drawing a micro-shape on a non-surface,
A step (e) of moving the workpiece stage from the exposure position to the mounting position after the step (d);
(F) removing the mask on the workpiece stage after the step (e);
Including
The mask is an opaque member that does not transmit the wavelength of the radiation that activates the photosensitive workpiece;
A method in which the selected area of the workpiece that has not been exposed is set as an exposure exclusion area .
前記マスクは、リング状の形状を有し、かつ、前記工程(b)において、前記ワークピースの表面に近接して配置される、方法。In claim 1,
The mask has a ring shape, and wherein In the step (b), the are arranged in contact close to the surface of the workpiece, the method.
前記マスクを配置する前記工程(b)、および前記マスクを取り外す前記工程(f)は、それぞれ、真空接触子を有するマスクハンドリング装置によって行われる、方法。In claim 1,
The method in which the step (b) of disposing the mask and the step (f) of removing the mask are each performed by a mask handling apparatus having a vacuum contact.
前記マスクは導電性であり、
前記工程(a)の前に、前記マスクを前記搭載位置に配置する工程(g)を含み、
前記工程(f)と、前記工程(g)は、磁石接触子を有するマスクハンドリング装置によって行われる、方法。In claim 1,
The mask is conductive;
Before the step (a), including the step (g) of arranging the mask at the mounting position,
The step (f) and the step (g) are performed by a mask handling apparatus having a magnetic contact.
前記工程(d)におけるミクロ形状を描画する工程は、リソグラフィー露光装置によって行われる、方法。In claim 1,
The method of drawing the micro shape in the step (d) is performed by a lithography exposure apparatus .
前記工程(a)の前に、感光性の前記ワークピースを形成するために、前記ワークピースをネガ型のフォトレジストによってコーティングする工程(h)と、
前記工程(f)の後に、前記選択領域から前記ネガ型のフォトレジストを除去する処理を行う工程(i)と、
を含む、方法。In claim 1,
Before the step (a), coating the workpiece with a negative photoresist to form the photosensitive workpiece (h);
(I) performing a process of removing the negative photoresist from the selected region after the step (f);
Including a method.
前記工程(a)の前に、前記ワークピースステージを前記搭載位置に移動する工程(j)を含む、方法。In claim 1,
A method comprising the step (j) of moving the workpiece stage to the mounting position before the step (a) .
前記ワークピースステージは、少なくとも1以上の拘束部材を有し、
前記マスクを配置する前記工程(b)において、前記ワークピースの表面と相対的に位置合わせされた位置に前記マスクを固定するために、前記拘束部材と、前記マスクを係合させる工程(k)を含む、方法。In claim 1,
The workpiece stage has at least one restraining member,
In the step (b) of arranging the mask, the step (k) of engaging the restraint member and the mask in order to fix the mask at a position relatively aligned with the surface of the workpiece. Including a method.
搭載位置と、露光位置との間を移動可能なワークピースステージと、
前記感光性のワークピースを活性化させる放射線の波長を透過させないマスクと、
前記ワークピースステージが前記露光位置にある場合、前記ワークピースと前記マスクに対して前記放射線を照射し、ミクロ形状を描画するリソグラフィーツールの一部である照明投影装置と、
を含み、
前記ワークピースは、前記搭載位置において前記ワークピースステージ上に搭載され、
前記ワークピースステージは、前記搭載位置において前記ワークピースを保持し、
前記マスクは、前記搭載位置において前記ワークピースステージ上に、前記ワークピースの表面に近接して配置され、前記選択領域を覆い、さらには、前記ステージ上に保持され、
前記マスクによって、露光を除外される前記選択領域は、前記露光除外領域であり、
前記搭載位置と、前記露光位置は、離れている装置。 An apparatus for forming an exposure exclusion region in a selected region of a photosensitive workpiece,
A workpiece stage movable between a mounting position and an exposure position;
A mask that does not transmit wavelengths of radiation that activate the photosensitive workpiece;
An illumination projection device that is part of a lithography tool that irradiates the workpiece and the mask with the radiation and draws a micro-shape when the workpiece stage is in the exposure position;
Including
The workpiece is mounted on the workpiece stage at the mounting position;
The workpiece stage holds the workpiece at the mounting position,
The mask is disposed on the workpiece stage in the mounting position, in proximity to the surface of the workpiece, covers the selection area, and is further held on the stage,
The selected area excluded from exposure by the mask is the exposure excluded area;
The mounting position is separated from the exposure position .
前記マスクは、前記ワークピースの環状の領域である前記選択領域を覆うように構成されたリングである、装置。In claim 9 ,
The apparatus, wherein the mask is a ring configured to cover the selected area, which is an annular area of the workpiece.
前記リングは、内側に突出する縁を有する環状体を含む、装置。In claim 10 ,
The apparatus includes an annulus having an inwardly projecting edge.
前記搭載位置において、前記マスクを前記ワークピースに係合させ、前記マスクを前記ワークピースから取り外すように構成されたマスクハンドリング装置を含む、装置。In claim 9 ,
An apparatus comprising: a mask handling device configured to engage the mask with the workpiece and remove the mask from the workpiece in the loading position .
前記マスクは導電性材料からなる、装置。In claim 12 ,
The apparatus, wherein the mask is made of a conductive material .
前記ワークピースの前記環状領域は1〜5mmの幅を有する、装置。In claim 10 ,
It said ring-like region of the workpiece has a width of 1 to 5 mm, device.
前記リングは50〜150mmの半径を有する、装置。In claim 10 ,
The device, wherein the ring has a radius of 50-150 mm.
前記縁は0.1〜0.4mmの厚さを有する、装置。In claim 11 ,
The device, wherein the edge has a thickness of 0.1 to 0.4 mm.
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