JP4535754B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図中9で示された排気手段はアーム5の排気管と接続しているので、外部から流入した外気30はアーム内で循環することなく、アーム5内の排気管を通って、炉芯管の外部へ抜けていく。外気の流れは実線で示されている。
2、12 炉の蓋
3、13 バルブ
4、14 マスフローコントローラ
5、15 アーム
6、16 ボート
7、17 基板
8、8’、8’’ 整流板
9 排気手段
10、10’ 整流板に設けられた開口部
Claims (2)
- 基板導入部分とガス導入口を持つ炉芯管内で基板を加熱し、材料ガスと基板を反応させることによって、基板に成膜を行う拡散炉を用いた半導体装置の製造方法において、
前記基板を搭載したボートを前記炉心管内部へ導入するためのアームに排気口を設け、前記排気口に排気手段を接続し、
前記炉心管内部のガス導入部付近に、千鳥格子状に配置された複数の開口部を有する整流板を、前後の整流板で開口部の位置が異なるように配置し、
前記基板を前記炉芯管内に導入する際に、ガスを前記ガス導入口から前記炉芯管内に流す際に、前記整流板を通過して流れるようにし、
炉心管外部から炉心管内へ入る外気と、前記炉心管内に流されたガスを、前記アームに設けられた排気管を通じて外部へ排出させ、
前記基板を前記炉心管内に設置後、アームを炉心管から抜き、前記整流板を介して反応性ガスを基板に当てることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記拡散路は、横型拡散炉であることを特徴とする請求項1に記載した半導体装置の製造方法。
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