JP4532957B2 - 雰囲気制御された接合装置、接合方法および電子装置 - Google Patents
雰囲気制御された接合装置、接合方法および電子装置 Download PDFInfo
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Description
11 基板導入室
12 基板表面吸着水分除去室
13 乾燥不活性ガス
20 実装されるべき素子
21 素子導入室
22 素子表面吸着水分除去室
23 乾燥不活性ガス
31 圧接室
34 圧接アーム
35 圧接ステージ
36 軟X線照射装置
Claims (8)
- 基板上に形成された接合金属端子と素子上に形成された被接合金属端子とを圧接し電気的に接合する接合装置において、圧接部雰囲気の水分濃度を装置外部雰囲気の水分濃度に比べて小さくした状態で、前記接合金属端子と前記被接合金属端子とを圧接する圧接部と、前記基板及び前記素子から、それぞれ、乾燥不活性ガスにより水分を個別に除去する第1及び第2の水分除去室とを備え、前記個別に設けられた水分除去室で水分を除去した前記基板及び前記素子が前記圧接部に供給されることを特徴とする接合装置。
- 請求項1に記載の接合装置において、前記圧接部は、不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を有し、接合金属端子表面および被接合金属端子表面の吸着水分量を1×10 14 分子/cm2にすることを特徴とする接合装置。
- 請求項1または2に記載の接合装置において、前記圧接部雰囲気の水分濃度を0.1体積ppm以下にしたことを特徴とする接合装置。
- 請求項3に記載の接合装置において、前記圧接部雰囲気の水分濃度を10体積ppbであることを特徴とする接合装置。
- 請求項1乃至4のうちの一つに記載の接合装置において、前記圧接部雰囲気の酸素濃度を0.1ppm以下にしたことを特徴とする接合装置。
- 請求項1に記載の接合装置において、前記接合装置内表面の吸着水分量が2×10 15 分子/cm2以下であることを特徴とする接合装置。
- 請求項2乃至6のうちの一つに記載の接合装置において、前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンのうちの少なくとも一つと、前記不活性ガスに水素を4%以下添加することを特徴とする接合装置。
- 請求項1乃至7のうちの一つに記載の接合装置において、前記基板上の前記接合金属端子、前記素子上の前記被接合金属端子に発生する静電気を中和する軟X線発生手段が、前記第1及び第2の水分除去室に設けられていることを特徴とする接合装置。
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