JP4522154B2 - 電気吸収型光変調器 - Google Patents
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Description
このため、特許文献1では、光変調器の構造を光吸収層の積層方向と電圧の印加方向との間に一定の角度を付けるようにすることによって、エネルギバンドダイヤグラムを傾斜させ、この傾斜に伴い電子と正孔とが互いに逆方向に移動し、内部電界強度を小さくして消光特性の劣化を防止するという技術が開示されている。
この発明は、上述の問題を回避するために発明されたもので、特許文献1に示すようなエネルギバンドの傾斜構造を採らないで光吸収層の積層面内方向の電圧の発生を防止し、一方光吸収層の積層方向と外部電界の印加方向とを同一方向とした場合の内部電界の発生をもたらすキャリアの蓄積を除去して消光特性の向上を図るようにした電気吸収型光変調器の提供を目的とする。
前記変調層の光進行方向に対して直交する断面の積層面方向に沿うエネルギギャップを、変調層の積層面方向に沿う中央部は大きく両端部は小さく変化させた構造を有することを特徴とする。
図1は、この実施形態の電気吸収型光変調素子(光変調素子と称する)の断面を示し、図2は、図1に示す構造にあってエネルギバンド構造を示し、図3は、光変調素子の製造工程の概略を示す。
図1において、光変調素子は、n型InPクラッド層1,パイルアップ防止層を場合により含むInGaAsP変調層2、p型InPクラッド層3、このp型InPクラッド層に場合により積層されたInGaAsPコンタクト層(図示省略)、導波路の幅方向両側に形成された絶縁性の埋め込み層4、上下両側にあるn側電極5、及びp側電極6を有する。
更に、図2(b)に示すようなエネルギバンド構造を得る方法として、実効的なバンドギャップを得る方法がある。すなわち、図3(c)のように変調層2上にp型InPクラッド層3を形成するのであるが、このp型InPクラッド層3を形成する前に、変調層2の幅より狭いi型InP層を形成し、この変調層2の中央部でのi層膜の存在により中央部での実効的な電界強度が両端部のそれに比べて小さくして、中央部の実効的なバンドギャップを大きくするものである。
なお、この実施形態では、従来技術にて挙げた特許文献1のようにエッチングにて傾斜角度を形成することがないので、傾斜角度の再現性が得られにくいというような欠点がなく、また、この実施形態では、特許文献1のように傾斜した光吸収層の上下両側に傾斜したiクラッド層を有しているのでこのiクラッド層の膜厚が大きくなり、このため印加できる電圧とiクラッド層にて決定される実効的な電界強度が制限される、という欠点もない。
Claims (3)
- 光導波路層の積層方向に電界を印加して光に対する吸収係数を変化させる変調層を備えた電気吸収型光変調器において、
前記変調層の光進行方向に対して直交する断面の積層面方向に沿うエネルギギャップが、中央部は両端部より大きい構造を有することを特徴とする電気吸収型光変調器。 - 前記変調層のエネルギギャップを変化させる構造は、元素の違いによる拡散距離の違いを利用した選択成長にて形成したことを特徴とする請求項1に記載の電気吸収型光変調器。
- 前記変調層のエネルギギャップを変化させる構造は、変調層の幅より狭いi型InP層を変調層上に形成したことを特徴とする請求項1に記載の電気吸収型光変調器。
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---|---|---|---|---|
JPS63313888A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光学電子素子 |
JPH07202334A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体光集積回路の製造方法 |
JPH0961763A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-07 | Fujitsu Ltd | 半導体光変調装置 |
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2004
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