JP4518233B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、広く、半導体装置の製造方法に関する。より具体的には、化合物半導体への不純物拡散方法に関し、特に、Znの拡散工程を必要とする半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
化合物半導体を用いた素子、例えば、半導体受光素子を作製する場合、制御性に優れかつ結晶性を損なうことのない不純物拡散技術が要求され研究が進んでいる。InP系へのp型不純物Znの拡散においては、拡散源(Zn3P2等)と被拡散試料を石英封入管に入れ熱処理をする封管拡散方法、またはMOCVD等を用いた開管拡散法、あるいはZnO膜を用いた固相拡散方法が知られている。
【0003】
特に、長波系受光素子におては、図5(a)に示すように、n−InP基板506にクロライドVPE法を用いてn+−InP505、i−InGaAs504、n−−InP503を成長する。その後、受光領域にのみZnを拡散することによりPIN構造を形成する。
【0004】
このとき、特性および信頼性に優れた素子を得るためには、Zn拡散深さの制御が必要であると同時に、拡散エッジ部で生じるエッジ・ブレークダウン(edge breakdown)を抑制することが必要である。
【0005】
例えば、図5(a)に示すように、拡散周辺部に不純物拡散濃度勾配が小さく、曲率半径の大きな拡散領域を設けるガードリング構造を採用する。
【0006】
上述した拡散フロント形状を作製するための従来の作製方法を図6を用いて説明する。 まず、図6(a)に示すように、n−InP基板605上に、n+−InP604、i−InGaAs光吸収層603、n−−InP602を成長する。次に、半導体表面に拡散防止膜SiO2601をパターニングする。
【0007】
続いて、イオン注入を行い十分高温で熱処理を行うことにより、pn接合部の濃度勾配を小さくする。以上の工程により、ガードリング部を形成する。
【0008】
その後、図6(b)に示すように、受光部領域にP−I−N構造を形成するため拡散防止膜SiO2606を形成し、封管拡散または固相拡散を用いてZnを拡散する。
【0009】
また、同じ目的で、図5(b)に示すように、2度の拡散工程を用いて、拡散エッジ部での拡散を受光中央部になだらかに深くなる形状を形成することにより、拡散エッジ部での曲率半径を大きくしたガードリング構造を形成する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、拡散深さが面内で2段階になっている拡散形状を得るためには、イオン注入工程と熱拡散工程の2工程、または2回の拡散工程を必要とするため、良好な再現性を得ることが困難であると同時に、デバイスの低コスト化への妨げとなっていた。
【0011】
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、1回の熱拡散工程で任意の拡散フロント形状を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明では、第1の化合物半導体から成る半導体基板に不純物を拡散することにより半導体装置を製造する方法において、上記第1の化合物半導体と組成の異なる第2の化合物半導体を、上記半導体基板としての第1の化合物半導体上に部分的に形成し、上記第1の化合物半導体と第2の化合物半導体の上部に不純物を含む膜を形成し、この不純物を上記半導体基板中に熱拡散させ、上記第2の化合物半導体の有無により、不純物の拡散深さを面内で任意に制御する。
【0013】
ここで、好ましくは、前記不純物を含んだ膜は、スパッタにより半導体基板上に形成されたスパッタ膜であり、このスパッタ膜に対して熱処理を施すことにより不純物を半導体基板中に熱拡散させる。
【0014】
また、前記不純物はZnであり、前記スパッタ膜はZnOスパッタ膜であることが望ましい。
【0015】
この場合、前記ZnOスパッタ膜は、前記半導体基板の表面にダメージを与えないような条件下で形成されるようにする。
【0016】
好ましくは、前記第1の化合物半導体はInPであり、前記第2の化合物半導体は、InGaAs、InGaAsP、AlGaInAsあるいはAlInAsから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料である。
【0017】
また、前記第2の化合物半導体を前記半導体基板上にメッシュ状に形成し、面内で任意にメッシュ密度を変化させることにより、前記不純物の拡散深さを段階的にに制御するようにしても良い。
【0018】
【作用】
本発明では、不純物を第1の化合物半導体に拡散させる工程において、化合物半導体と組成の異なる第2の化合物半導体を、第1の化合物半導体上に部分的に形成する工程を有することを特徴とし、不純物拡散深さを浅くする領域は第2の化合物半導体がない領域とする。ここで、第1の化合物半導体の構成元素の一部が、第2の化合物半導体の構成元素に比べて、不純物と熱処理により合金化反応を起こしやすいことを特徴とする。
【0019】
その後、拡散不純物を含んだスパッタ膜を上記基板上にスパッタし、続いて、SiO2スパッタ膜を形成する。その後、熱拡散を施して上記不純物を拡散させる。
【0020】
第2の化合物半導体の有無により、上記不純物の拡散深さを面内で任意に制御することを特徴とする。特に、不純物をZnとすることを特徴とし、不純物を含んだスパッタ膜をZnOスパッタ膜とすることを特徴とする。
【0021】
ここで、ZnOスパッタ膜の形成条件として、半導体表面にダメージが少ない条件で行う。また、化合物半導体がInPであり、第2の化合物半導体がInGaAs、もしくはInGaAsP、もしくはAlInAsしくはであることを特徴とする。
【0022】
また、第2の化合物半導体を、二次元(2D)的にメッシュ状に形成し、面内でメッシュ密度を変化させることにより、任意の拡散フロント形状を得ることを特徴とする。
【0023】
【発明の実施の形態】
図1を参照して、本発明によるZn拡散方法を説明する。
【0024】
まず、図1(a)に示すように、拡散を深くしたい領域AのみInGaAs拡散バッファ層101(500A〜2000A)を形成する。領域BにはInGaAs拡散バッファ層を形成しない。このInGaAs拡散バッファ層101は素子を形成する各層を成長するときに同時に形成すれば良い。
【0025】
次に、図1(b)に示すように、ZnO104、SiO2103を上記基板102の上にスパッタする。スパッタ条件は半導体表面ダメージを最小限に抑え、InGaAs拡散バッファ層101の形成された領域Aと、形成していない領域BでのZnの拡散速度の差が大きくなる条件で行う。
【0026】
ここで、図2は拡散深さのスパッタパワー依存性に関する実験結果である。
【0027】
本実験においては、InP基板上にInGaAs拡散バッファ層を形成した基板および形成していない基板の2種類を用意する。
【0028】
その後、ZnOスパッタ膜を300〜900Wのスパッタパワーで形成する。続いて、520℃で25分熱処理を行い各々の拡散深さを評価した。グラフに示されるように、スパッタパワーが低いほど拡散深さの差が大きく取れることが分かる。例えば、スパッタパワー300Wを用いて、図1(b)に示すスパッタを行い、その後、熱拡散を行う。
【0029】
図1(c)は、拡散形状105を模式的に示す図である。領域Aでの拡散深さは領域Bに比べ深くなり、InGaAs拡散バッファ層101の有無により拡散フロントの形状を制御することができる。
【0030】
520℃で25分熱拡散を行った場合、InGaAs拡散バッファ層101が形成されている領域Aでは表面から約2.0μmの深さまでZnが拡散するが、領域Bでは1.0μmと約半分の深さになる。
【0031】
これは、InPとZnO膜の界面では、ZnとPの合金化反応が生じやすく、半導体中へのZnの供給が律速されるが、ZnO膜とInGaAs拡散バッファ層101の界面ではP原子が存在しないため、合金化反応が生じないためである。
【0032】
その後、図1(d)に示すように、HF及び硫酸系エッチングすることにより、スパッタ膜(ZnO膜104およぶSiO2膜103)、およびInGaAs拡散バッファ層101を除去する。
【0033】
図3は本発明の一実施例の受光素子を作製するための断面模式図である。
【0034】
PINホトダイオードやアバランシュホトダイオードでは、受光中央部より拡散エッジ部のpn接合部でブレークダウン(エッジブレークダウン)が先に生じてしまう。そこで、エッジ部でのブレークダウン電圧を高くするために、拡散エッジ部での曲率半径を大きくするガードリング構造が用いられる。
【0035】
本実施例では、エッジブレークダウンを抑制し、耐圧を向上するガードリング構造形成に本発明のZn拡散方法を用いた。
【0036】
まず、図3(a)に示すように、n+−InP基板上301にクロライドVPE法を用いて、n+−InPバッファ層(厚さ1.5μm)302、i−InGaAs光吸収層(厚さ2.0μm)303、n−−InPキャップ層(厚さ1.2μm)304、InGaAs拡散バッファ層(厚さ1μm)305を連続に成長する。 その後、Zn拡散を深くする領域(受光中央部領域)のみをレジスト306をパターニングする。
【0037】
続いて、図3(b)に示すように、InGaAs選択エッチャント(硫酸系)またはドライエッチングを用いてInGaAs拡散バッファ層305のみを選択的にエッチングする。この工程により、受光中央部表面にのみInGaAs拡散バッファ層305が形成される。
【0038】
次に、図3(c)に示すように、拡散防止膜SiO2(厚さ2000A)307をCVDを用いて形成しパターニングする。
【0039】
続いて、図3(d)に示すように、ZnO膜(厚さ1500A)308、SiO2膜(厚さ1000A)309をスパッタにより形成する。その後、520度で25分熱処理を行うことによりZnを拡散させる。
【0040】
以上の工程により、図3(e)に示すように、InGaAs拡散バッファ層305の無い拡散エッジ部でのZn拡散深さが1.0μm、受光部中央部での拡散深さが2.0μmとなり、拡散エッジ部の曲率半径が大きくなる。
【0041】
次に、図3(f)に示すように、HF系エッチングでSiO2膜307、ZnO膜308、SiO2膜309をエッチングする。
【0042】
その後、図5(b)に示すように表面保護膜としてSiN膜502を形成し、さらにp側電極501をガードリング形成領域の上部に形成する。続いて、基板研磨を行いn側電極507を形成する。
【0043】
上記実施例では、ガードリング領域でInGaAsバッファ層305なし、受光中央部でInGaAsバッファ層305有りと2段階に変化させたが、エッジ領域での拡散深さをよりなだらか(段階的)に変化させる場合について、図4を用いて説明する。
【0044】
図4は、InP401上に、InGaAs拡散バッファ層402を形成した模式図である。拡散防止膜としてSiO2膜403を形成している。ここで、InGaAs拡散バッファ層402を二次元(2D)的にメッシュ状にパターニングを行い、メッシュ密度を変化させることにより、なだらかに(段階的)拡散深さを制御する。
【0045】
上記実施例では、拡散バッファ層としてInGaAsを使用したが、InGaAs の代わりに、InGaAsP、AlGaInAsあるいはAlInAs等を使用しても良い。
【0046】
本実施例では、半導体受光素子におけるガードリング構造の形成について説明したが、他の化合物デバイスの作製に利用できる。例えば、半導体レーザにおいては、波長チャーピングを抑制するため、共振器方向において電流の不均一注入を行う。このためには、Zn拡散深さを共振記方向で任意に制御する必要がある。
【0047】
また、FET作製プロセスでは、必要とするZn拡散を深さが異なるオーミックコンタクト部とゲート部の一括形成が可能となる。上記の例以外においても、拡散フロントの形状を、制御する必要があるプロセスで使用可能である。
【0048】
【発明の効果】
本発明によれば、1回の熱拡散工程で任意の拡散フロント形状を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図2】拡散深さのスパッタパワー依存性を示すための図である。
【図3】半導体受光素子を作製する際における、Zn拡散工程を説明するための図である。
【図4】Zn拡散方法を説明するための図である。
【図5】半導体受光素子のガードリング構造を説明するための図である。
【図6】従来のZn拡散工程を説明するための図である。
【符号の説明】
101 InGaAs
102 InP
103 SiO2スパッタ膜
104 ZnOスパッタ膜
105 Zn拡散形状
301 n−InP基板
302 n+−InPバッファ層
303 i−InGaAs光吸収層
304 n−−InPキャップ層
305 InGaAs拡散バッファ層
306 レジスト
307 SiO2膜
308 ZnOスパッタ膜
309 SiO2スパッタ膜
401 InP
402 InGaAs拡散バッファ層
403 SiO2拡散防止膜
404 ZnOスパッタ膜
405 SiO2スパッタ膜
501 p側電極
502 SiN膜
503 n−−InP
504 i−InGaAs光吸収層
505 n+−InPバッファ層
506 n−InP基板
507 n側電極
601 SiO2拡散防止膜
602 n−−InP
603 i−InGaAs光吸収層
604 n+−InP
605 n−InP基板
606 SiO2拡散防止膜
Claims (5)
- 第1の化合物半導体から成る半導体基板に不純物を拡散することにより半導体装置を製造する方法において、
上記第1の化合物半導体と組成の異なる第2の化合物半導体を、上記半導体基板としての第1の化合物半導体上に部分的に形成し、
上記第1の化合物半導体と第2の化合物半導体の上部に不純物を含む膜を形成し、
この不純物を上記半導体基板中に熱拡散させ、
上記第2の化合物半導体の形成された領域での拡散深さを、上記第2の化合物半導体の形成されていない領域での拡散深さより深くし、
上記不純物はZnであり、上記第1の化合物半導体はInPであり、上記第2の化合物半導体は、InGaAs、InGaAsP、AlGaInAsあるいはAlInAsから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不純物を含んだ膜は、スパッタにより半導体基板上に形成されたスパッタ膜であり、このスパッタ膜に対して熱処理を施すことにより不純物を半導体基板中に熱拡散させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記スパッタ膜はZnOスパッタ膜であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ZnOスパッタ膜は、前記半導体基板の表面にダメージを与えないような条件下で形成されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の化合物半導体を前記半導体基板上にメッシュ状に形成し、面内で任意にメッシュ密度を変化させることにより、前記不純物の拡散深さを段階的に制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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- 2001-07-26 JP JP2001226335A patent/JP4518233B2/ja not_active Expired - Fee Related
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