JP4518020B2 - 窒化ケイ素質焼結体およびそれを用いた回路基板。 - Google Patents

Description

本発明は、半導体用基板や発熱素子用ヒ−トシンク等の電子部品用部材、あるいは一般機械器具用部材、溶融金属用部材、または熱機関用部材等の構造用部材として好適な高強度・高熱伝導性に富んだ窒化ケイ素質焼結体および前記窒化ケイ素質焼結体を用いて構成される回路基板に関する。

窒化ケイ素質焼結体は、高温強度特性および耐摩耗性等の機械的特性に加え、耐熱性、低熱膨張性、耐熱衝撃性、および金属に対する耐食性に優れているので、従来からガスタ−ビン用部材、エンジン用部材、製鋼用機械部材、あるいは溶融金属の耐溶部材等の各種構造用部材に用いられている。また、高い絶縁性を利用して電気絶縁材料として使用されている。

近年、高周波トランジスタ、パワーＩＣ等の発熱量の大きい半導体素子の発展に伴い、電気絶縁性に加えて良好な放熱特性を得るために高い熱伝導率を有するセラミックス基板の需要が増加している。このようなセラミックス基板として、窒化アルミニウム基板が用いられているが、機械的強度や破壊靭性等が低く、基板ユニットの組立て工程での締め付けによって割れを生じるという問題がある。また、Ｓｉ半導体素子を窒化アルミニウム基板に実装した回路基板では、Ｓｉと窒化アルミニウム基板との熱膨張差が大きいため、熱サイクルにより窒化アルミニウム基板にクラックや割れを発生し実装信頼性が低下するという問題がある。

そこで、窒化アルミニウム基板より熱伝導率は劣るものの、熱膨張率がＳｉに近く、かつ機械的強度、破壊靭性および耐熱疲労特性に優れる高熱伝導窒化ケイ素質焼結体からなる基板が注目され、種々の提案が行われている。

例えば、特許文献１には、実質的に窒化ケイ素からなり、不純物として含有されるＡｌおよび酸素が共に３．５重量％以下であり、密度が３．１５Ｍｇ／ｍ^３（３．１５ｇ／ｃｍ^３）以上であり、４０Ｗ／（ｍ・Ｋ） 以上の熱伝導率を有する窒化ケイ素質焼結体が記載されている。

また、特許文献２には、８５〜９９重量％のβ型窒化ケイ素粒と残部が酸化物または酸窒化物の粒界相とから構成され、粒界相中にＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂのうちから選ばれる少なくとも１種の元素を０．５〜１０重量％含有し、粒界相中のＡｌ元素含有量が１重量％以下であり、気孔率が５％以下であり、かつβ型窒化ケイ素粒のうちで短軸径５μｍ以上を持つものの割合が１０〜６０体積％である窒化ケイ素質焼結体が記載されている。

また、非特許文献１、２および特許文献３には、原料粉末に柱状の窒化ケイ素粒子またはウイスカーを予め添加し、ドクターブレード法あるいは押出成形法を用いて、この粒子を２次元的に配向させた成形体を形成し、焼結することにより熱伝導に異方性を付与して特定方向の熱伝導率を高めた窒化ケイ素質焼結体が記載されている。

また、特許文献４には、窒化ケイ素質粒内の酸素、Ａｌ、Ｃａ、Ｆｅの不純物量の合計を１５００ｐｐｍ以下、かつ短軸径が２μｍ以上に制御することで、熱伝導率と機械特性を向上させた窒化ケイ素質焼結体ならびにその製造方法が記載されている。

さらに、特許文献５には、原料粉末に柱状のウイスカーを予め添加し、焼成過程において当該ウイスカーを核として選択的に粒成長させたミクロ組織を構築することで、熱伝導率を向上させた窒化ケイ素質焼結体ならびに当該ウイスカーの製造方法が記載されている。

非特許文献３には、窒化ケイ素粉末の成形体を１．０ＭＰａの窒素ガス中で２０００℃×４ｈｒで焼結した後に、さらに３０ＭＰａの窒素ガス中で２２００℃×４ｈｒの高温高圧での熱処理を行うことにより、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導率を有する窒化ケイ素質焼結体が製造できることを記載している。これには、高熱伝導化の発現は焼結体中の窒化ケイ素粒子の成長に加えて、高温熱処理による窒化ケイ素粒子内での六角形の析出相が関与していると記載されている。
特開平４−１７５２６８号公報 特開平９−３０８６６号公報 安藤元英、秋宗淑雄、宗像文男、岡本裕介、広崎尚登、平尾喜代司著、日本セラミックス協会１９９６年年会講演予稿集、１Ｇ１１ 平尾喜代司、マヌエル・ブリト、渡利広司、鳥山素弘、神崎修三著、日本セラミックス協会１９９６年年会講演予稿集、１Ｇ１２ 特開平１０−１９４８４２号公報 特開２００１−１９５５７号公報 特開２００２−２９８４８号公報 廣崎尚登、宗像文男、秋宗淑雄、佐藤誓、谷村誠、幾原雄一著、日本セラミックス協会１９９８年年会講演予稿集、２Ｂ０４

以下、上記した従来技術の問題点について順を追って説明する。まず、特許文献１では４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率が得られているが、昨今ではさらに熱伝導率を高めた、機械的強度に優れる材料が望まれている。また、特許文献２、特許文献３に記載の方法では、窒化ケイ素質焼結体中に巨大な柱状粒子を得るために、成長核となる種結晶あるいはウィスカ−を予め添加し、２０００℃以上および１０．１ＭＰａ（１００気圧）以上の窒素雰囲気下での焼成が不可欠である。したがって、ホットプレスあるいはＨＩＰ等の特殊な高温・高圧設備が必要となりコストアップを招来する。また、窒化ケイ素粒子を配向させた成形体を得るための成形プロセスが複雑であるため、生産性が著しく低下するという問題がある。

また、特許文献４に記載される窒化ケイ素質焼結体は、窒化ケイ素粒内の不純物量を低減する（純化効果と表記）ことで、粒子自身の熱伝導率を向上させ、これにより焼結体の熱伝導率を向上させることを特徴としている。また、この純化効果の助長に役立つ添加物として、Ｚｒおよび／または、Ｈｆを選定し、これらを酸化物換算として０．５ｗｔ％〜３．０ｗｔ％添加するとしている。しかしながら、ＺｒおよびＨｆの酸化物を添加すると、焼結過程でＳｉ_３Ｎ_４中のＮと容易に反応して粒界相中に電気伝導性のあるＺｒＮおよびＨｆＮが生成される。よって、本来、セラミックス基板に必須とされる電気絶縁性が保持できず、高周波で作動するパワー半導体モジュール用の絶縁基板として使用し難いという問題がある。

さらに、特許文献５に記載される製造方法は、構成する窒化ケイ素粒子の平均円形度が、０．８以上あり、β化率が１０％以上８０％未満、酸素量が０．５〜１．８質量％、比表面積が１２〜２２ｍ^２／ｇである窒化ケイ素粉末に、希土類酸化物、酸化珪素、および酸化マグネシウムよりなる群から選ればれる１種以上を、合計が２．５〜１４質量％となるように添加し、更に、窒化珪素ウィスカ−を０．１〜８．５質量％添加した後、混合し、成形し、窒化雰囲気下で焼結させるものである。更に、焼結性向上のために窒化珪素ウィスカ−に対して、水沸点以上（例えば、１１０℃〜１４０℃の温度範囲下）で予め水熱処理することを特徴としている。しかしながら、この例で使用される窒化ケイ素ウィスカーの水熱処理は、表面を酸化させ助剤として作用するＳｉＯ_２成分を増加させることで焼結性が改善できるが、その反面、実施例に記載がある様に緻密な焼結体を得るための水熱処理は、１２０℃で９６ｈの処理が必要となりプロセスが煩雑になる。また、水熱処理により焼結性は改善できるものの、焼結体の酸素量、しいては窒化ケイ素粒子内の酸素量を低減することができず、高熱伝導材が得られ難いと言う難点がある。

次に、非特許文献３に記載の焼結体は、１ＭＰａ窒素ガス中２０００℃での焼成後に、さらに３０ＭＰａ窒素ガス中２２００℃での高温高圧の熱処理を行うことにより１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導率が得られる利点がある。更に、高熱伝導化の発現のメカニズムを、焼結体中の窒化ケイ素粒子の成長に加えて、高温熱処理によって窒化ケイ素粒子内の六角形の析出相が関与していると説明している。すなわち、焼結および粒成長時にＹ−Ｎｄ−Ｓｉ−Ｏから構成される助剤成分が窒化ケイ素粒子内に取り込まれて固溶し、高温での熱処理および冷却時にＹ−Ｎｄ−Ｓｉ−Ｏ組成のアモルファス相として、窒化ケイ素粒子内に析出し、析出物の一部は結晶化したものと考え、窒化ケイ素粒子の高純度化作用の１つとして考えられている。以上のことから上記の焼結体を得るには、特殊な高温・高圧設備が必要となりコストアップを招来する。更に焼結した上に熱処理を加えるため生産性が著しく低下するという問題がある。また、上記焼結体中の窒化ケイ素粒子内の析出相について詳細な組成分析ならびに観察がなされておらず、熱伝導率向上との関連性が明確にはなっていない。

本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、２０００℃以上でかつ１０．１ＭＰａ（１００気圧）以上の高温・高圧焼成といったコストの高い焼成法を必要とせず、機械的強度に優れ、熱伝導の方向に異方性を持たずに従来に比べて熱伝導率を高めた高熱伝導型窒化ケイ素質焼結体を提供することを目的とする。また本発明は、窒化ケイ素粒子内に析出する微細粒子の組成と形態を詳細に調査することにより熱伝導率を高めた高熱伝導型窒化ケイ素質焼結体を提供することを目的とする。また本発明は、窒化ケイ素質粉末のβ分率、含有酸素量、不純物量およびα型窒化ケイ素質粉末との混合比及び保持過程を含む焼結工程等を規定することにより、高い熱伝導率と高い強度を有する窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、上記した高強度・高熱伝導性に富んだ窒化ケイ素質焼結体用いて構成される放熱性の良好な回路基板を提供することを目的とする。

本発明者らは上記課題を達成するため、窒化ケイ素粒子内に少なくとも酸素および焼結助剤成分を組成に含む微細粒子を意識的に析出させることで、窒化ケイ素粒子自身の熱伝導率を向上させ、安定して１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率と十分な曲げ強度を有する窒化ケイ素質焼結体が得られることを知見した。また、このとき焼結助剤成分はＭｇＯ基とすることで焼結性が向上し、かつＭｇＯと（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）が特定量と特定比を持って含有していることが有効なことを知見した。また、上記窒化ケイ素質焼結体の製造方法においては、用いる窒化ケイ素質粉末のβ分率、含有酸素量、不純物およびα粉末との混合比等の粉末の特性及び保持過程を含む焼結工程等を規定することが肝要であることを知見した。以上により本発明に至ったものである。

即ち、本発明の窒化ケイ素質焼結体は、窒化ケイ素粒子内に、ＭｇあるいはＹ及び希土類元素（ＲＥ）からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素と、Ｏ元素を含む粒径１００ｎｍ以下の微細粒子が存在することを特徴とする。また、本発明の窒化ケイ素質焼結体は、Ｍｇと、Ｙ及び希土類元素（ＲＥ）からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を焼結助剤として添加する窒化ケイ素質焼結体であって、窒化ケイ素粒子内に、ＭｇあるいはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＹｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の希土類元素と、Ｏ元素を含む粒径１００ｎｍ以下の微細粒子が存在することを特徴としている。当該微細粒子は、焼成過程で窒化ケイ素粒子の粒成長とともに極微量ではあるが粒内に取り込まれた助剤成分が、窒化ケイ素粒子内に再析出したものであり、窒化ケイ素粒子自身の高熱伝導化に寄与する。このとき、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による直接倍率１００００倍以上の観察像において、窒化ケイ素粒子内に粒径１００ｎｍ以下の前記微細粒子が５個／μｍ^２以上存在することが望ましく、この微細粒子の析出現象と割合により焼結体の熱伝導率は向上する。

また、本発明の窒化ケイ素質焼結体は、前記微細粒子が少なくともＳｉ−Ｎ−Ｏ−Ｍｇ−ＲＥ組成を有し、当該組成割合が異なる核と周辺部とから構成されることを特徴としている。この核部分についてはシリコン成分濃度が高く、かつ助剤成分として添加する（例えば、Ｍｇおよび希土類元素）成分濃度が低い。一方周辺部分は、逆にシリコン成分濃度が低く、助剤成分濃度が高いという構成が望ましい。また当該微細粒子は、全体に非晶質相であることが望ましい。

本発明の窒化ケイ素質焼結体は、前記窒化ケイ素質焼結体が含有するＭｇを酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算し、同じく含有するＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＹｂを含む希土類元素を希土類酸化物（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）に換算したとき、これら酸化物に換算した酸化物含有量の合計が０．６〜１０ｗｔ％で、かつ（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）／（ＭｇＯ）＞１であることを特徴とする。前記酸化物換算含有量の合計が０．６ｗｔ％未満では焼結時の緻密化作用が不十分で相対密度が９５％未満となり好ましくなく、１０ｗｔ％超では窒化ケイ素質焼結体の第２のミクロ組織成分である熱伝導率の低い粒界相の量が過剰となり焼結体の熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満になる。これら酸化物含有量の合計は０．６〜６ｗｔ％がより好ましい。尚且つ、（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）／（ＭｇＯ）＞１であることが望ましく、この場合に特に高強度・高熱伝導性が向上する。これについては後述するが、希土類酸化物（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）のイオン半径が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のイオン半径より大きく、窒化ケイ素粒子内に固溶するよりも析出した方が安定となることが新に知見されたことによる。また、本発明の窒化ケイ素質焼結体は、常温における熱伝導率が１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、常温における３点曲げ強度が６００〜１５００ＭＰａであり高強度・高熱伝導性に富んでいる。

また、本発明の窒化ケイ素質焼結体の製造方法は、β分率が３０〜１００％であり、酸素含有量が０．５ｗｔ％以下であり、平均粒子径が０．２〜１０μｍであり、アスペクト比が１０以下である第一の窒化ケイ素質粉末１〜５０重量部と、平均粒子径が０．２〜４μｍの第ニのα型窒化ケイ素粉末９９〜５０重量部と、Ｍｇと、Ｙ及び希土類元素（ＲＥ）からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素とを含む焼結助剤とを配合し、１８００℃以上の温度及び０．５ＭＰａ以上の窒素加圧雰囲気にて焼結することを特徴とする。ここで、前記焼結工程において、昇温時１４００℃〜１６００℃の温度で１〜１０時間にわたる保持工程を少なくとも１回有し、かつこの保持温度から前記焼結温度までの昇温速度を５．０℃／ｍｉｎ以下とすることが好ましく、さらに好ましくは２．５℃／ｍｉｎ以下である。

前記窒化ケイ素質粉末のβ分率が３０％未満では成長核としての効果はあるものの部分的に核として作用するため、異常粒成長が起こり、最終的に得られる窒化ケイ素質焼結体のミクロ組織中に大きな粒子を均一分散できなくなり曲げ強度が低下する。したがって、窒化ケイ素質粉末のβ分率は３０％以上が望ましい。また前記窒化ケイ素質粉末の平均粒子径が０．２μｍ未満では前記同様に柱状粒子が均一に発達したミクロ組織を呈する窒化ケイ素質焼結体を得られず、熱伝導率および曲げ強度を高めることが困難である。また前記窒化ケイ素質粉末の平均粒子径が１０μｍより大きいと焼結体の窒化ケイ素質の緻密化が阻害される。したがって、窒化ケイ素質粉末の平均粒子径は０．２〜１０μｍが好ましい。さらに、アスペクト比が１０超の場合は窒化ケイ素質焼結体の緻密化が阻害され、結果として、常温における３点曲げ強度は６００ＭＰａ未満になる。したがって、窒化ケイ素質粉末のアスペクト比を１０以下とすることが好ましい。

前記焼結工程において、昇温時１４００℃〜１６００℃の温度で１〜１０時間にわたる保持工程を入れること、およびこの保持温度から前記焼結温度までの昇温速度を５．０℃／ｍｉｎ以下にすることは、焼結体の密度（焼結性）と最終ミクロ組織および窒化ケイ素粒子内への助剤成分および酸素成分の固溶量に影響を与える。すなわち１４００℃〜１６００℃の温度領域では、助剤成分とＳｉ_３Ｎ_４粉末表面のＳｉＯ_２成分が反応して液相を形成し、αからβへの相転位が起こり、続いて、粒成長が開始する。この温度領域で保持することにより成長核となるβ粒子の形状を均質化させる効果があり、この後の昇温工程における異常粒成長を抑制することができる。また、助剤成分として、希土類酸化物とともにＭｇ成分を添加する利点は、液相生成温度を低下させ、焼結性を改善できることにある。しかしながら、Ｍｇ成分は蒸気圧が高いため、焼結過程において焼結体の内部から表面部へのＭｇ成分の拡散が進行する。このため、内部と表面部との組成差が生じ、とりわけ肉厚品を焼結する場合には両者間で色調差を呈し、さらには焼結体内部の密度ならびに強度が著しく低下するといった難点がある。この点１４００℃〜１６００℃の温度領域における保持工程を追加することで、この傾向を抑制する効果があり、緻密質かつ高強度の焼結体を得るために望ましい工程である。

次に、この保持温度から焼結温度への昇温速度を５．０℃／ｍｉｎ以下とすると、Ｍｇ成分の急激な系外への揮発を抑制することができる。特に２．５℃／ｍｉｎ以下とすると、最終焼結体中のＭｇ量を制御することが容易となり、とりわけ、薄物シート焼結体に対して、各試料間でのＭｇ量の組成差がなく、しいては、密度、強度等の諸特性において差が無くなり、製品歩留りならびに品質を安定させることができる。このため、焼結体中に気孔を生成させることなく、低熱伝導の粒界相を効率よく低減することができ、焼結体の熱伝導率向上に寄与する。また、溶解・再析出を繰り返す粒成長過程で、窒化ケイ素粒子内に取り込まれる助剤成分量ならびに酸素量を低減することができ、この効果も焼結体の熱伝導率向上に繋がる。したがって、昇温時の工程で保持すること、かつ保持温度から焼結温度までの昇温速度を５．０℃／ｍｉｎ以下にすることは、焼結体の熱伝導率および強度を両立させるために望ましい工程である。

また、予め１６５０〜１８５０℃の焼結温度で成形体を予備焼成し、次いで１８５０〜１９００℃の熱処理を行うと高熱伝導化が顕著になり１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）を超える窒化ケイ素質焼結体を得られ特に好ましい。この熱処理による高熱伝導化は窒化ケイ粒子の成長と、蒸気圧の高いＭｇＯ基とした粒界相成分が効率よく窒化ケイ素質焼結体外へ揮発することの複合効果による。尚、１８５０℃〜１９５０℃の焼成温度にて、焼成時間を延長することで、上記同様の高熱伝導化の効果が達成できる。

以上の通り、本発明の窒化ケイ素質焼結体は、窒化ケイ素粒子内にＭｇあるいはＹ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙｂ等の希土類元素の内の少なくとも１種の元素と、酸素元素とを含む粒径１００ｎｍ以下の微細粒子の存在により、本来有する高強度／高靭性に加えて高い熱伝導率を具備したものとなる。これは、高温・高圧焼結といったコストの高い焼成法、焼成装置を必要とせずに製造することが出来る。また、これを半導体素子用基板として用いた場合に半導体素子の作動に伴う繰り返しの熱サイクルによって基板にクラックが発生することが少なく、耐熱衝撃性ならびに耐熱サイクル性を著しく向上することができる。

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の窒化ケイ素質焼結体において、高温熱処理および焼成時間の延長により焼結体の熱伝導率は向上するが、これは、窒化ケイ素粒子の粒成長および焼結助剤成分の揮発による複合効果に加えて、窒化ケイ素粒子内に微細粒子が析出することが窒化ケイ素粒子自身の熱伝導率の上昇に影響を与えている。したがって、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を得るためには、窒化ケイ素粒子内の微細粒子析出効果は有効である。更に、強度と熱伝導率を両立するためには、破壊の起点として作用する窒化ケイ素粒子の寸法を一定にし、この粒子内の高純度化作用を適用することが肝要である。

焼結助剤としてはＭｇおよびＹは有用であり、窒化ケイ素質原料粉末の緻密化に有効である。これらの元素は窒化ケイ素質焼結体を構成する第１ミクロ組織成分である窒化ケイ素質粒子に対する固溶度が小さいので、窒化ケイ素粒子、ひいては窒化ケイ素質焼結体の熱伝導率を高い水準に保つことができる。また、Ｙと同様に窒化ケイ素質粒子に対する固溶度が小さく、焼結助剤として有用な元素として、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕの群から選択される少なくとも１種の希土類元素が挙げられる。そのうち、温度および圧力が高くなり過ぎずに焼成ができる点でＬａ、Ｃｅ、Ｇｄ、ＤｙおよびＹｂの群から選択される少なくとも１種の希土類元素が好ましい。前記、微細粒子は、イオン半径の大きい元素が主で構成されており、焼結助剤として添加するＭｇを酸化マグネシウム（ＭｇＯ）換算し、また含有するＬａ、Ｙ、ＧｄおよびＹｂを含む希土類元素（ＲＥ）から選択される少なくとも１種の元素を酸化物（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）換算した場合、ＲＥ_ｘＯ_ｙ／ＭｇＯ＞１である場合に、微細粒子が析出し易くなる。換言すれば焼結助剤として添加するＭｇＯ量が多い場合にこの微細粒子が析出し難たくなる。

この理由は、前述の様にこの微細粒子は、助剤成分とＳｉ、ＯおよびＮから構成されるが、Ｍｇ元素のイオン半径（Ｍｇ^２＋）半径：０．０７ｎｍは、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を構成するＳｉ元素のイオン半径：０．０４ｎｍに比較的近く、酸素と共に窒化ケイ素粒子内に固溶する形態が安定である。一方、希土類元素酸化物（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）量が多い場合には、Ｙｂ以上の希土類元素のイオン半径（ＲＥ^ｘ＋）は、０．０９ｎｍでありＳｉ元素のイオン半径：０．０４ｎｍの２倍以上であり、またＭｇ元素のイオン半径（Ｍｇ^２＋）半径：０．０７ｎｍと比較して大きく、窒化ケイ素粒子内に固溶するよりも析出した形が安定となる。したがって、微細粒子を析出させるためには、焼結体の緻密化が達成できる範囲においては、希土類元素酸化物（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）基であることが望ましい。ここで、微細粒子の粒子径が１００ｎｍ超となると、それに伴い、窒化ケイ素粒子内に析出する１００ｎｍ超の微細粒子の数が著しく増加する。微細粒子は、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ−Ｍｇ−ＲＥからなるガラス相で構成されており、これ自身の熱伝導率は低い。このため、１００ｎｍ超の微細粒子の存在が多くなると、逆に目的とする窒化ケイ素粒子自身の熱伝導率向上が達成できない。したがって、微細粒子は粒径１００ｎｍ以下に制御することが肝要である。

窒化ケイ素焼結体の熱伝導率は、ミクロ組織と密接な関係にあり、これらを構成する窒化ケイ素粒子と粒界相の熱伝導率に支配される。後者は、主にガラス相として存在し、それらの熱伝導率は高々３Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。また、所定の熱処理あるいは、焼結後の冷却速度を緩やかにすることで粒界ガラス相を結晶化させた場合でも３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。前者の熱伝導率は、理論値でＡｌＮの３１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）に近い３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）と推定されており、また実測値でも１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）が得られている。したがって、焼結体の高熱伝導化は、窒化ケイ素粒子自身の熱伝導率が多く関与している。ここで、窒化ケイ素粒子自身の熱伝導率を低下させる阻害要因として、粒内転位ならびに固溶元素がある。これらの阻害要因は、熱媒体であるフォノンの散乱を引き起こし熱伝達を著しく低減させる。このため、窒化ケイ素粒子の熱伝導率向上のため、しいては焼結体の熱伝導率向上のためには、これらの阻害因子を抑制することが肝要である。これら阻害要因のうち、粒内の固溶元素は焼結過程における液相生成段階でＳｉ、Ｎおよび助剤成分からなるＳｉ−Ｎ−Ｏ−Ｍｇ−ＲＥを生成し、更に粒成長段階で比較的小さな粒子がこの液相に溶解して、続いてＳｉ、Ｎが大きな粒子の表面に再析出して粒成長が進行する。この際にＳｉ、Ｎに混じってＭｇ、ＲＥの助剤成分および酸素（Ｏ）も粒子表面に取り込まれる。上述した様に、元素のイオン半径が小さい程、この傾向は大きくなる。

よって、焼結後の最終のミクロ組織を構成する窒化ケイ素粒子内には、極微量の助剤成分および酸素が微細粒子に存在する。この固溶元素は例えばＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙｂ等の希土類元素であり、これらを粒子内に微細に析出させれば、微細粒子の周りは高純度化され、粒子自身の熱伝導率は上昇する。このような固溶元素の存在が本発明の特徴的な点であり、これにより焼結体の高熱伝導化が達成できる。固溶元素の析出は上記した保持過程を含む焼結や焼結時間の延長また熱処理にて調整できる。しかしながら、焼結後の窒化ケイ素粒子内に固溶元素量が多い場合には、微細粒子析出による粒子の高純度化作用は起こらないため、適切な焼結助剤の選定ならびに焼結方法の適用が肝要である。

次に、窒化ケイ素焼結体の製造方法において、β分率が３０〜１００％の第一の窒化ケイ素質粉末と第二のα型窒化ケイ素質粉末との比率は１〜５０ｗｔ％：９９〜５０ｗｔ％が好ましい。前記β分率が３０〜１００％の窒化ケイ素質粉末の比率が１ｗｔ％未満では成長核としての効果はあるものの、添加量が少ないために作用する成長核の数が少なく、異常粒成長が起こりミクロ組織中に大きな粒子を均一分散できなくなり、曲げ強度が低下する。また、５０ｗｔ％超では成長核の数が多くなり、粒成長の過程で、粒子同士が互いに衝突するため成長阻害が起こり、強度は維持できるが、発達した柱状粒子からなる窒化ケイ素質焼結体のミクロ組織を得られず、従来に比べて高い熱伝導率を実現困難になる。前記窒化ケイ素質粉末の酸素量を０．５ｗｔ％以下としたのは、前記窒化ケイ素質粉末を成長核として作用させて窒化ケイ素質焼結体を形成する場合、窒化ケイ素質焼結体を構成する窒化ケイ素質粒子内に固溶する酸素量は、成長核として用いる窒化ケイ素質粉末の酸素量に強く依存し、この窒化ケイ素質粉末の酸素量が高いほど窒化ケイ素質粒子内に固溶する酸素量が高くなる。そして窒化ケイ素質粒子中に含有される酸素により熱伝導媒体であるフォノンの散乱が発生し、窒化ケイ素質焼結体の熱伝導率が低下する。１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上という従来の窒化ケイ素質焼結体では得られなかった高い熱伝導率を発現するには、窒化ケイ素質粉末の含有酸素量を０．５ｗｔ％以下に抑えて、最終的に得られる窒化ケイ素質焼結体の酸素量を低減することが必要不可欠である。

窒化ケイ素質粉末中のＦｅ含有量およびＡｌ含有量がそれぞれ１００ｐｐｍ超では窒化ケイ素粒子内にＦｅまたはＡｌが顕著に固溶し、この固溶部分で熱伝導媒体であるフォノンの散乱を生じ、窒化ケイ素質焼結体の熱伝導率を低下させる。したがって１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を得るには窒化ケイ素質粉末中のＦｅ含有量およびＡｌ含有量をそれぞれ１００ｐｐｍ以下に制御することが肝要である。

本発明の窒化ケイ素質焼結体からなる基板は高強度、高靭性ならびに高熱伝導率の特性を生かして、パワ−半導体用基板またはマルチチップモジュ−ル用基板などの各種基板、あるいはペルチェ素子用熱伝板、または各種発熱素子用ヒ−トシンクなどの電子部品用部材に好適である。例えば窒化ケイ素質焼結体を半導体素子用基板として用いた場合、半導体素子の作動に伴う繰り返しの熱サイクルを受けたときの基板のクラックの発生が抑えられ、耐熱衝撃性ならびに耐熱サイクル性が著しく向上し、信頼性に優れたものとなる。また、高出力化および高集積化を指向する半導体素子を搭載した場合でも、熱抵抗特性の劣化が少なく、優れた放熱特性を発揮する。さらに、優れた機械的特性により本来の基板材料としての機能だけでなく、それ自体が構造部材を兼ねることができるため、基板ユニット自体の構造を簡略化できる。

また、あるいは本発明の窒化ケイ素質焼結体をペルチェ素子用熱伝板として用いた場合、ペルチェ素子の印加電圧の極性の入れ替えに伴う繰り返し熱サイクルを受けたときの前記基板のクラックの発生が抑えられ、耐熱サイクル性が著しく向上し、信頼性に優れたものとなる。また、ゼーベック素子熱伝板として用いる場合、吸熱側では６００℃前後の高温になるため、ここでも耐熱サイクル性かつ耐熱衝撃性が要求されるが、これに本発明の窒化ケイ素質焼結体を用いた場合には、これらの寿命特性が大幅に向上し、信頼性の優れたものとなる。

また、本発明の窒化ケイ素質焼結体は、上述の電子部品用部材以外に熱衝撃および熱疲労の耐熱抵抗特性が要求される材料に幅広く利用できる。構造用部材として、各種の熱交換器部品や熱機関用部品、アルミニウムや亜鉛等の金属溶解の分野で用いられるヒーターチューブ、ストークス、ダイカストスリーブ、溶湯攪拌用プロペラ、ラドル、あるいは熱電対保護管等に適用できる。また、アルミニウム、亜鉛等の溶融金属めっきラインで用いられるシンクロール、サポートロール、軸受、あるいは軸等に適用することにより、急激な加熱や冷却に対して耐割れ性に富んだ部材となり得る。また、鉄鋼あるいは非鉄の加工分野では、圧延ロール、スキーズロール、ガイドローラ、線引きダイス、あるいは工具用チップ等に用いれば、被加工物との接触時の放熱性が良好なため、耐熱疲労性および耐熱衝撃性を改善することができ、これにより摩耗が少なく、熱応力割れを生じにくくできる。

さらに、スパッタターゲット部材にも適用でき、例えば磁気記録装置のＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド、またはＴＭＲヘッドなどに用いられる電気絶縁膜の形成や、熱転写プリンターのサーマルヘッドなどに用いられる耐摩耗性皮膜の形成に好適である。スパッタして得られる被膜は、本質的に高熱伝導特性を持つとともに、スパッタレートも十分高くでき、被膜の電気的絶縁耐圧が高いものとなる。このため、このスパッタターゲットで形成したＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド、またはＴＭＲヘッド用の電気絶縁性被膜は高熱伝導ならびに高耐電圧の特性を有するので、素子の高発熱密度化や絶縁性被膜の薄膜化が図れる。また、このスパッタターゲットで形成したサ−マルヘッド用の耐摩耗性被膜は、窒化ケイ素本来の特性により耐摩耗性が良好であることはもとより、高熱伝導性のため熱抵抗が小さくできるので印字速度を高めることができる。

以下、実施例により本発明を説明するが、それら実施例により本発明が限定されるものではない。

（実施例１）
β化率が３０％以上の第一の窒化ケイ素質粉末１〜５０ｗｔ％と、平均粒径が０．７〜１．２μｍ、酸素量が０．５〜２．０ｗｔ％のα型の第二の窒化ケイ素質粉末を、１．０ｗｔ％または２．０ｗｔ％のＭｇＯと、３ｗｔ％または６．０ｗｔ％のＧｄ_２Ｏ_３あるいは表１に示す焼結助剤を添加した混合粉末を作製した。なお、第ニの窒化ケイ素粉末の割合は、第一の窒化ケイ素粉末と焼結助剤粉末のバランスとした。さらに２ｗｔ％の分散剤（商品名：レオガードＧＰ）を配合し、エタノールを満たしたボ−ルミル容器中に投入し、次いで混合した。得られた混合物を真空乾燥し、次いで目開き１５０μｍの篩を通して造粒した。次に、プレス機により直径２０ｍｍ×厚さ１０ｍｍおよび直径１００ｍｍ×厚さ１５ｍｍのディスク状の成形体を圧力３ｔｏｎのＣＩＰ成形により得た。次いで１８５０℃〜１９５０℃、０．７〜０．９ＭＰａ（７〜９気圧）の窒素ガス雰囲気中で５〜４０時間焼成した。なお、焼結工程において、昇温時１４００℃〜１６００℃の温度で１〜１０時間にわたる保持工程を設け、かつこの保持温度から前記焼結温度までの昇温速度を５．０℃／ｍｉｎ以下にした。個々の試料の製造条件は表１の試料Ｎｏ．１〜１５の欄に示す。

また、得られた窒化ケイ素質焼結体の窒化ケイ素粒子内の微細粒子の観察は、透過型電子顕微鏡（日立製作所製ＨＦ２０００）にて観察倍率×１００００倍から６０００００倍で行った。更に、微細粒子の組成分析は付属のエネルギー分散型分析装置にて評価した。図１〜図４は、本発明の窒化ケイ素焼結体（表１中のＮｏ．１からＮｏ．４の試料）のＴＥＭ観察像の写真である。また、図５は比較例のＴＥＭ観察像（表１中のＮｏ．３１の試料）の写真である。図６〜図９は、微細粒子の高分解能観察像（表１中のＮｏ．１からＮｏ．４の試料）の写真、図１０（表１中のＮｏ．１試料）及び図１１（表１中のＮｏ．２試料）は、微細粒子の核および周辺部のＳＴＥＭ観察像の写真である。

次に得られた窒化ケイ素質焼結体から、直径１０ｍｍ×厚さ３ｍｍの熱伝導率および密度測定用の試験片、ならびに縦３ｍｍ×横４ｍｍ×長さ４０ｍｍの曲げ試験片を採取した。密度はマイクロメ−タにより寸法を測定し、また重量を測定し、算出した。熱伝導率はレーザーフラッシュ法により常温での比熱および熱拡散率を測定し熱伝導率を算出した。３点曲げ強度は常温にてＪＩＳ Ｒ１６０１に準拠して測定を行った。以上の製造条件の概略および評価結果を、表１および表２の試料Ｎｏ．１〜１５に示す。

（比較例１）
表１記載の試料Ｎｏ．３１〜４２の製造条件とした以外は実施例１と同様にして評価した。以上の製造条件の概略および評価結果を、表１および表２の試料Ｎｏ．３１〜４２に示す。

表１および表２に示したように、窒化ケイ素粒子内に微細粒子が認めれた焼結体については、いずれも１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率と６００ＭＰａ以上の曲げ強度が得られた。しかも微細粒子の存在割合が増すほど熱伝導率が向上する傾向が確認できた。微細粒子が認められた焼結体について用いた焼結助剤成分のＲＥ_ｘＯ_ｙ／ＭｇＯ比は１以上であった。一方、窒化ケイ素粒子内に微細粒子が認められない焼結体については、いずれも１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率となった。これに加えて、試料Ｎｏ．３７〜４２については、焼結工程において昇温時１４００℃〜１６００℃の温度で保持しない場合、あるいはこの保持温度から焼結温度までの昇温速度を５．０℃／ｍｉｎ超とした場合には、熱伝導率および強度ともに著しく低下した。

図１〜図５のＴＥＭ観察像、図６〜図９の微細粒子の高分解能電子顕微鏡（ＨＲＥＭ）観察像及び図１０、図１１の微細粒子の核および周辺部のＳＴＥＭ観察像について考察する。図１〜図４に、焼結助剤としてＧｄ_２Ｏ_３（図１）、Ｙｂ_２Ｏ_３（図２）、Ｙ_２Ｏ_３（図３）およびＬａ_２Ｏ_３（図４）を用いた本発明例の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を示す。また、図５に比較例のＴＥＭ観察像を示す。図１〜図４より、いずれにおいても窒化ケイ素粒子内に微細粒子が存在する。図１では右下部に８〜４５ｎｍの範囲で点在、図２では中央右部に１０〜６０ｎｍの範囲で点在、図３では中央左右部に８〜６０ｎｍの範囲で点在、図４では右上部に４〜８５ｎｍの範囲で点在していることが分かり、これらの微細粒子の粒径はいずれも１００ｎｍ以下であった。一方、図５の比較例については、この様な微細粒子は観察されなかった。なお、別の観察視野においても確認されなかった。ここで、微細粒子の粒子径が１００ｎｍ超となると、それに伴い、窒化ケイ素粒子内に析出する１００ｎｍ超の微細粒子の数が著しく増加し、所望の窒化ケイ素粒子自身の熱伝導率向上に寄与しない。

次に図６〜図９に、焼結助剤としてＧｄ_２Ｏ_３（図６）、Ｙｂ_２Ｏ_３（図７）、Ｙ_２Ｏ_３（図８）およびＬａ_２Ｏ_３（図９）を用いた本発明例の高分解能観察（ＨＲＥＭ）像を示す。図６〜図９はそれぞれ図１〜図４で観察された微細粒子についての観察像である。図６〜図９から、窒化ケイ素粒子内に析出する微細粒子は、ランダムな格子像および電子回折像がガラス相特有のハローパターンを示したことから非晶質相からなることが判明した。更に、図７のＨＲＥＭ像においては、組成の異なる核７と周辺部８からなることを確認した。ＴＥＭ−ＥＤＸ分析の結果から、核はシリコン成分濃度が高く、Ｍｇ濃度とＲＥ（本発明ではＹｂが該当）濃度とが低く、また周辺部の組成は、これと逆の評価結果であった。なお、ＨＲＥＭ像においては極微小領域を長時間観察した場合には、電子線によるダメージのため核と周辺部を分離して観察することは困難であるが、このＨＲＥＭ像は微細粒子の構成要素の分離、さらに組成の定量化まで言及できた点で非常に優れている。図１０および図１１は、焼結助剤としてＧｄ_２Ｏ_３（図１０）およびＹｂ_２Ｏ_３（図１１）を用いた本発明例の走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）像を示す。これらの図は、それぞれ、図１および図２にて観察された微細粒子についてのＳＴＥＭ像である。ＳＴＥＭ像は、ナノレベルの微小領域を観察する場合、特に、組成や成分量の僅かな差を画像コントラストとして表現するのに有効な観察方法である。図１０および図１１に示した様に、個々の微細粒子は、核と周辺部から構成されることが確認でき、核はシリコン成分濃度が高く、かつＭｇ濃度とＲＥ（本発明ではＧｄ、Ｙｂが該当）濃度とが低く、一方、周辺部はこれとは逆の組成であることが判明した。

（実施例２）
β化率が３０％以上、酸素含有量が０．５ｗｔ％以下、平均粒子径が１μｍ〜１０μｍ、アスペクト比が１０以下の第一の窒化ケイ素質粉末を１〜５０ｗｔ％と平均粒径が０．７〜１．２μｍ、酸素量が０．５〜２．０ｗｔ％のα型の第二の窒化ケイ素質粉末に１ｗｔ％のＭｇＯ、３ｗｔ％Ｇｄ_２Ｏ_３の焼結助剤を添加した混合粉末を作製した。次いで、アミン系の分散剤を２ｗｔ％添加したトルエン・ブタノール溶液を満たしたボールミルの樹脂製ポット中に作製した混合粉末および粉砕媒体の窒化ケイ素製ボールを投入し、４８時間湿式混合した。次いで、前記ポット中の混合粉末１００重量部に対しポリビニル系の有機バインダーを１５重量部および可塑剤（ジメチルフタレ−ト）を５重量部添加し、次いで４８時間湿式混合しシート成形用スラリーを得た。この成形用スラリーを調整後、ドクターブレード法によりグリーンシート成形した。次いで、成形したグリーンシートを空気中４００〜６００℃で２〜５時間加熱することにより、予め添加し有機バインダー成分を十分に脱脂（除去）した。次いで脱脂体を０．９ＭＰａ（９気圧）の窒素雰囲気中で１９００℃×１０時間の焼成を行い、その後室温に冷却した。焼結工程においては、昇温時１４００℃〜１６００℃の温度で１〜１０時間にわたる保持工程を設け、かつこの保持温度から前記焼結温度までの昇温速度を２．０℃／ｍｉｎとした。得られた窒化ケイ素質焼結体シートに機械加工を施し縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの半導体モジュール用の基板を製造した。

この窒化ケイ素質焼結体製基板を用いて図１２に示す回路基板を作製した。図１２において、回路基板１１は作製した前記縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの寸法の窒化ケイ素質焼結体製基板１２の表面に銅製回路板１３を設け、前記基板１２の裏面に銅板１４をろう材１５により接合して構成されている。この回路基板１１に対し、３点曲げ強度の評価および耐熱サイクル試験を行った。その結果、曲げ強度が６００ＭＰａ以上と大きく、回路基板１１の実装工程における締め付け割れおよびはんだ付け工程時の熱応力に起因するクラックの発生する頻度がほぼ見られなくなり、回路基板を使用した半導体装置の製造歩留まりを大幅に改善できることが実証された。また、耐熱サイクル試験は、−４０℃での冷却を２０分、室温での保持を１０分および１８０℃における加熱を２０分とする昇温/降温サイクルを１サイクルとし、これを繰り返し付与し、基板部にクラック等が発生するまでのサイクル数を測定した。その結果、１０００サイクル経過後においても窒化ケイ素質焼結体製基板１２の割れや銅製回路板１３の剥離はなく、優れた耐久性と信頼性を兼備することが確認された。また、１０００サイクル経過後においても耐電圧特性の低下は発生しなかった。

最後に実施例１および２で用いたβ分率が３０％以上の窒化ケイ素粉末について述べておく、含有酸素量がＳｉＯ_２換算で２．０ｗｔ％未満、平均粒子径０．２〜２．０μｍのイミド分解法による窒化ケイ素質粉末をＢＮ製るつぼに充填し、次いで常圧〜１．０ＭＰａ（１０気圧）のＮ_２雰囲気中にて１４００℃〜１９５０℃で１〜２０時間加熱する熱処理を施し、次いで室温まで冷却した。得られた窒化ケイ素質粉末のβ分率は９０〜１００％であり、酸素含有量は０．２〜０．４ｗｔ％であった。図１３に得られた窒化ケイ素質粉末例のＳＥＭ観察像を示す。当該粉末のβ分率は１００％、酸素量は０．２ｗｔ％、ＦｅおよびＡｌ量はそれぞれ、５０ｐｐｍおよび４０ｐｐｍであった。当該粉末には粒子の長軸方向と平行に溝部が形成されており、これは気相を介して粒成長が起こる場合の特徴で、特に酸素量が微量であるほど顕著となる。得られた窒化ケイ素質粉末のＦｅ、Ａｌの不純物分析はプラズマ発光分析（ＩＣＰ）法により行った。また、酸素含有量は赤外線加熱吸収法により測定した。

また得られた窒化ケイ素質粉末のβ分率はＣｕ―Ｋα線を用いたＸ線回折強度比から式(1)により求めた。
β分率（％）＝{(I_{β（１０１）}+I_{β（２１０）})/(I_{β（１０１）}+I_{β（２１０）}+I_{α（１０２）}+I_{α（２１０）})}×100 (1)
I_{β（１０１）} ：β型Ｓｉ_３Ｎ_４の(101)面回折ピーク強度、
I_{β（２１０）} ：β型Ｓｉ_３Ｎ_４の(210)面回折ピーク強度、
I_{α（１０２）} ：α型Ｓｉ_３Ｎ_４の(102)面回折ピーク強度、
I_{α（２１０）} ：α型Ｓｉ_３Ｎ_４の(210)面回折ピーク強度。

また、得られた窒化ケイ素質粉末の平均粒子径および平均アスペクト比は、ＳＥＭ観察にて観察倍率×２０００倍で得られたＳＥＭ写真を用い、２００μｍ×５００μｍ視野面積内にある計５００個の窒化ケイ素質粒子を無作為に選定して画像解析装置により最小径と最大径を測定し、その平均値を求めて評価した。得られた窒化ケイ素質粉末は、β分率が３０％以上、平均粒子径が０．５〜１０μｍ、アスペクト比が１０以下、ＦｅおよびＡｌの含有量が、いずれも１００ｐｐｍ以下、また、酸素含有量は、０．５ｗｔ％以下であった。

本発明例の希土類酸化物にＧｄ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真を示す。 本発明例の希土類酸化物にＹｂ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真を示す。 本発明例の希土類酸化物にＹ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真を示す。 本発明例の希土類酸化物にＬａ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真を示す。 比較例の窒化ケイ焼結体の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真を示す。 本発明例の希土類酸化物にＧｄ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体において、窒化ケイ素粒子内に析出した微細粒子の高分解能観察写真（ＨＲＥＭ）を示す。 本発明例の希土類酸化物にＹｂ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体において、窒化ケイ素粒子内に析出した微細粒子の高分解能観察写真（ＨＲＥＭ）を示す。 本発明例の希土類酸化物にＹ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体において、窒化ケイ素粒子内に析出した微細粒子の高分解能観察写真（ＨＲＥＭ）を示す。 本発明例の希土類酸化物にＬａ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体において、窒化ケイ素粒子内に析出した微細粒子の高分解能観察写真（ＨＲＥＭ）を示す。 本発明例の希土類酸化物にＧｄ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体において、窒化ケイ素粒子内に析出した微細粒子の走査型透過電子顕微鏡写真（ＳＴＥＭ）を示す。 本発明例の希土類酸化物にＹｂ_２Ｏ_３を用いた場合の窒化ケイ焼結体において、窒化ケイ素粒子内に析出した微細粒子の走査型透過電子顕微鏡写真（ＳＴＥＭ）を示す。 本発明例の窒化ケイ素質焼結体を用いた回路基板の要部断面図を示す。 本発明例の窒化ケイ素焼結体の製造に用いた窒化ケイ素質粉末のＳＥＭ観察像写真を示す。

符号の説明

１１：回路基板
１２：基板
１３：銅製回路板
１４：銅板
１５：ろう材

Claims (3)

1. β分率が３０〜１００％であり、酸素含有量が０．５ｗｔ％以下であり、平均粒子径が０．２〜１０μｍであり、アスペクト比が１０以下である第一の窒化ケイ素質粉末１〜５０重量部と、
   平均粒子径が０．２〜４μｍであり、α型の第ニの窒化ケイ素粉末９９〜５０重量部と、
   希土類元素（ＲＥ）からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素とＭｇとがその成分として含まれ、前記希土類元素を希土類酸化物（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）に換算し、前記Ｍｇを酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算したとき、これらを酸化物に換算した酸化物含有量の合計が０．６〜１０ｗｔ％で、かつ（ＲＥ_ｘＯ_ｙ）／（ＭｇＯ）で表される重量比が１より大きい焼結助剤とを配合し、
   １８００℃以上の焼結温度及び０．５ＭＰａ以上の窒素加圧雰囲気にて焼結する焼結工程を有し、
   該焼結工程において、昇温時１４００℃〜１６００℃の温度で１〜１０時間にわたる保持工程を少なくとも１回有し、この保持工程における温度から前記焼結温度までの昇温速度を５．０℃／ｍｉｎ以下にして、前記焼結工程を行って製造された
   ことを特徴とする窒化ケイ素質焼結体。
2. 常温における熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、常温における３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である請求項１に記載の窒化ケイ素質焼結体。
3. 請求項１又は２に記載の窒化ケイ素質焼結体を用いて構成されることを特徴とする回路基板。