JP4512054B2 - ナノチューブの分離およびアラインメント用装置及び、原子顕微鏡の位置合わせ装置 - Google Patents
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Description
ナノチューブの分離およびアラインメント手段と、
前記ナノチューブの分離およびアラインメント手段の1つの端縁に沿って音響波を発生させるための矩形の音響トランスジューサと、
前記分離およびアラインメント手段内に定在波と定在波ノードとをつくるための、前記矩形の音響トランスジューサと接続された信号源であって、前記定在波ノードに沿ってナノチューブを分離し、位置合わせを行うようにする信号源と、を有し、
前記装置がさらに、
a.所定の横断面を持つ、低いファンデルワールス力溶媒で満たされた矩形の貯槽であって、
前記矩形の音響トランスジューサが前記矩形の貯槽の矩形の1つの側壁に沿って位置合わせされ、
前記矩形の音響トランスジューサと接続された前記信号源が、平らな定在波と、前記低いファンデルワールス力溶媒の中に少なくとも1つの平らな定在波ノードとをつくるように成す前記矩形の貯槽と、
b.低いファンデルワールス力溶媒を持つ矩形平板であって、
前記矩形の音響トランスジューサが前記矩形平板の1つの端に沿って位置合わせされ、
前記矩形の音響トランスジューサと接続された前記信号源が平らな定在波と、少なくとも1つの平らな定在波ノードとを前記矩形平板上で前記低いファンデルワールス力溶媒の中につくるように成す矩形平板と、のa.とb.のうちの一方を有することを特徴とするナノチューブの分離およびアラインメント用装置。
ナノ構造X−Y軸輸送および操作のための改善されたヘッド・アセンブリにおいて、
前記改善されたヘッド・アセンブリ用の基準符号化用STMプローブと、前記改善されたヘッド・アセンブリの正確なX−Y平面位置を決定するための、前記基準符号化用STMプローブと関連して用いられる基準符号化位置合わせ手段と、
ナノ構造の構成用基板と、
前記少なくとも1つのプローブの真下に、電場と、時間変動する磁場のうちの少なくとも一方を局在化するための前記ヘッド・アセンブリ内の少なくとも1つのプローブであって、回転用回路によって制御される回転メカニズムと接続された前記少なくとも1つのプローブと、
円錐形状で、かつ、先細り状たがねの矩形形状をさらに有する前記少なくとも1つのプローブであって、接点を備えた導電性材料から作られ、絶縁被膜と、螺旋状の磁気コイルを載置し、駆動回路構成および駆動電流センサ回路構成と接続される前記少なくとも1つのプローブと、
前記基準符号化用STMプローブと、前記駆動回路構成および駆動電流センサ回路構成と、前記少なくとも1つのプローブと、前記回転メカニズムおよび前記回転用回路と、接続されたコンピュータと、を有し、
これにより、ナノチューブを含むナノ構造をピックアップし、操作し、位置合わせを行い、次いで、約1原子直径の範囲の精度で、所望のロケのーションと位置まで所定の方法で降ろすことが可能で、前記コンピュータに置かれた所定のプログラムとプログラム命令に従って前記基板上に所定のナノ構造を形成するように成すことを特徴とするヘッド・アセンブリ。
bath)の中へチューブ・アセンブリを入れ、171と直接接触する導電層177の部分のエッチングを最初に行って取り除き、図5dに図示のように障壁材料部分173と174とにわたって導電性被覆部177だけを残すようにすることができる。この処理の1つの代替変更例として、最初の障壁材料173用として適切なショットキー形成金属を利用する例がある。次いで、ここで、図5aの照射部分173の中へ別のタイプの金属イオンを打込み、この照射部分173の合金構成を変更することが可能となる。ゲーティング部材170は図3a−4bの150と150'に対応し、このゲーティング部材170によって、導電性オーバーレイ177の同一の広がりを持つ性質に起因して、Nチャネル型の空乏モード・ナノスイッチ171−174−177と、疑似P型チャネル型の拡張モード・ナノスイッチ171−173−177との共通ゲートが形成される。したがって、図5eで、導電性ナノチューブ179は、P型チャネルとN型チャネルのデバイス間のノードで導電性ナノチューブ171と接触し、インバータの出力信号を形成し、導体177は共通ゲーティング接続部を形成し、ゲーティング部材170は信号入力部を形成する。このようにして、導体部材のドーピングを一切行わずに、同一タイプの導電性ナノチューブ170のすべてを用いて非常にコンパクトな疑似CMOSタイプのインバータの作製が可能となり、さらに、非常にコンパクトな構成で、約50Å程度までに全体の長さを保ちながら、該インバータの作製が可能となる。
C=2πε0L/ln{(d+(d2−R2)1/2)/R}
(但し、ε0=8.85×10−12F/m、d≒25Åは導体軸線から平面までの距離、R=6.5Åは導体半径)、ナノインバータの長さを≒50Å、および、もう一方のインバータまでの出力側の長さを≒130Åと仮定すると、1つのナノインバータ・ノードの総キャパシタンス(C)は、C≒2×10−18Fとなる。このようなナノチューブ導体の検査抵抗が巨視的平均値で400〜750Ω/Åの長さの範囲内にあることを考慮すると、180Åの総インバータおよび出力抵抗の長さは、結果として、RC≒−0.1〜−0.3×10−12秒のオーダーで、すなわちサブ・ピコ秒の範囲でRC時定数となり、現在のシリコン半導体デバイスよりいくぶん高速になる。この推測値は、1999年のI.S.S.C.C.(国際固体素子回路会議)での、類似の構造についてのA. Johnsonの計算および他の人々の計算によって独立に確証された値である。
puck)"型の形状のハウジングが図示されている。なぜならこの形状が普通のパワー・デバイス・パッケージであるからである。疑似P型チャネル拡張機能モード・パワー・ナノスイッチ・デバイス259は、導電性ナノチューブ241から成る集束されたバンドル251と、すべての導電性ナノチューブ241のすべての導体部分247を第1の共通端子G1と接続する外側ゲーティング電極帯250を備える。導電性ナノチューブ251のバンドルとの接触部からいくぶん持ち上げられて図示されている上部導電性プレート258と、下部導電性プレート257とは、導電性ナノチューブ251のバンドルの頂面と底面の双方、および、その露出した両端部と接触する。図7に図示のような各導電性ナノチューブ・アセンブリの最終的直径が60Åのオーダーである場合、4インチ(100mm)の直径の“ハンバーガー(puck)”内に約2.48×1014の導電性ナノチューブを要する7.8×1017Å2の面積のバンドルが生じることになる。使用可能な長さの導電性ナノチューブがメグオーム(106Ω)のオーダーで個々の抵抗値を持っているという点で、従来技術のナノトランジスタの抵抗値が正確である場合、このP型チャネルのパワー・ナノスイッチは4.0×10−7Ωのオン抵抗値を有することになる。100000アンペア(105Å)の伝導に対して、ナノスイッチの両端にわたる電圧降下は4KWのワット損を使うだけで0.04Vとなり、これは比較可能な従来のいずれのソリッド・ステート・スイッチング・デバイスによる達成可能値よりもはるかに低い値である。さらに、本発明の疑似P型チャネル拡張モードのパワー・ナノスイッチは左右対称であるため、AC電流並びにDC電流で使用可能であり、“ターンオフ”ラッチング問題が生じない。これはシリコン・パワースイッチでは一般に見られない1つの特徴である。したがってこの疑似P型チャネル・パワー・ナノスイッチは送電及び変電の目的のために有用なものとなる可能性がある。
Claims (3)
- 原子顕微鏡の位置合わせ装置に使用され、ナノ構造用のトランスポータおよびマニュピュレータ用のヘッドアセンブリにおいて、
電場及び時間変動する磁場を、その下において局在化するプローブを備え、
前記プローブは、ナノ構造体をピックアップすべく、当該プローブの下に前記電場を局在化可能であるとともに、
少なくともピックアップされた前記ナノ構造体が導電性を有する場合には当該ピックアップされたナノ構造体のリリースを行うべく、当該プローブの下に前記時間変動する磁場を形成可能な構成であることを特徴とするヘッドアセンブリ。 - 前記プローブは、接点を備えた導電性材料によって成形され、
前記プローブは、その周囲に絶縁性被膜と、螺旋状の磁気コイルとを有することを特徴とする請求項1に記載のヘッドアセンブリ。 - 前記プローブは、円錐形状又はたがね形状であり、
前記螺旋状の磁気コイルが前記プローブの側面に設けられていることを特徴とする請求項2に記載のヘッドアセンブリ。
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JP2004235618A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | カーボンナノチューブを用いた配線、単一電子トランジスタおよびキャパシタ |
EP1508926A1 (en) * | 2003-08-19 | 2005-02-23 | Hitachi, Ltd. | Nanotube transistor device |
DE102004003374A1 (de) * | 2004-01-22 | 2005-08-25 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-Leistungsschalter sowie dafür geeignetes Herstellungsverfahren |
FR2868201B1 (fr) * | 2004-03-23 | 2007-06-29 | Ecole Polytechnique Dgar | Procede de fabrication de composants electroniques et composants electroniques obtenus par ce procede |
KR101100887B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
AU2007309660A1 (en) | 2006-06-12 | 2008-05-02 | President And Fellows Of Harvard College | Nanosensors and related technologies |
US8058640B2 (en) | 2006-09-11 | 2011-11-15 | President And Fellows Of Harvard College | Branched nanoscale wires |
WO2008127314A1 (en) | 2006-11-22 | 2008-10-23 | President And Fellows Of Harvard College | High-sensitivity nanoscale wire sensors |
US20110089400A1 (en) * | 2008-04-15 | 2011-04-21 | Qunano Ab | Nanowire wrap gate devices |
US8166819B2 (en) | 2008-07-24 | 2012-05-01 | Northrop Grumman Systems Corporation | Standing wave field induced force |
WO2010138506A1 (en) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Nanosys, Inc. | Methods and systems for electric field deposition of nanowires and other devices |
DE102009040916B4 (de) | 2009-09-11 | 2013-01-17 | Marko Behrens | Faltbecher |
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KR101123958B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2012-03-23 | 서울시립대학교 산학협력단 | 그래핀과 전도체 선들을 이용한 나노 트랜지스터 |
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CN107564910B (zh) * | 2016-07-01 | 2020-08-11 | 清华大学 | 半导体器件 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62160688A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | 株式会社東芝 | 誘導加熱調理器 |
JPH04329836A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Daiki Alum Kogyosho:Kk | アルミニウムスクラップの前処理方法 |
JPH09193055A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 超音波を用いた非接触マイクロマニピュレーション方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT390739B (de) * | 1988-11-03 | 1990-06-25 | Ewald Dipl Ing Dr Benes | Verfahren und einrichtung zur separation von teilchen, welche in einem dispersionsmittel dispergiert sind |
JPH07118270B2 (ja) * | 1993-10-25 | 1995-12-18 | 日本電気株式会社 | カーボンナノチューブトランジスタ |
EP0783662B1 (en) * | 1994-08-27 | 1999-04-07 | International Business Machines Corporation | Fine positioning apparatus with atomic resolution |
DE69728410T2 (de) * | 1996-08-08 | 2005-05-04 | William Marsh Rice University, Houston | Makroskopisch manipulierbare, aus nanoröhrenanordnungen hergestellte vorrichtungen |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62160688A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | 株式会社東芝 | 誘導加熱調理器 |
JPH04329836A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Daiki Alum Kogyosho:Kk | アルミニウムスクラップの前処理方法 |
JPH09193055A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 超音波を用いた非接触マイクロマニピュレーション方法 |
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