JP2002538606A - ナノ構造デバイス及び装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ナノデバイスが開示され、ゲーティング部材１５０、１５３'−１５７が、導電性ナノチューブ１５０をクロスするか、あるいは、導電性ナノチューブ(１５３'−１５７)をほぼ取り囲むかのいずれかを行うことが可能となる。
【解決手段】 疑似Ｐ型チャネル・ナノスイッチ構成(１５０−１５１−１５２−１５３、並びに、擬似ＣＭＯＳナノインバータ１７０−１７１−１７３−１７４−１７７−１７９が開示され、ナノマルチバイブレータ１７０−１７１−１７４−１７９−１７０'−１７１'−１７４'−１７９'と、ナノマルチバイブレータ周波数分割チェーン構成１７４−１９０−１９０'−１９２−１９３とが開示され、これらはサブピコ秒の範囲で作動する。疑似Ｐ型チャネル拡張機能モード・パワー・ナノスイッチ・デバイス(２５９、２５９')が開示され、該デバイスは、ＲＣ時定数補償方式(２４７ｉ、２４１ｉ)を用いて好適に使用され、パワー・ナノスイッチ全体(２５９、２５９)にわたってほぼ同時にスイッチングが行われる。本発明を利用するナノチューブの分離およびアラインメント用装置(３００、３００')、並びに、改善された原子顕微鏡用プローブ(２８１−２８２−２８３−２８４−２８５−２８６−２８７、２９１−２９２−２９３−２９４−２９５−２９７−２９８)とヘッド(３１０)が開示される。
Description
【０００１】
本発明はソリッド・ステート・ナノ構造デバイス及び原子顕微鏡装置の分野に
関する。
関する。
【０００２】
米国特許１,８７７,１４０(Lilienfeld、１９３２年９月)、及び、“電子工学
タイムズ”(１９９８年１１月１６日ｐ.６７)にナノ構造に関する記載がある。
笠貫他、米国特許５,４１８,７７１、及び、柳澤他、米国特許５,５１９,６８６
及び５,７２１,７２１に原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術について
の記載がある。S. Tans他“ネィチャ”(１９９７年４月３日、pp.４７４−４７
７、７、１９９８年５月、pp.４９−５２、及び、１９９８年８月２０日、pp.７
６１−７６４)、並びに、R. Martel他、“応用物理学レターズ”(１９９８年１
０月２６日、pp.２４４７−２４４９)、及び、A. Hassanien他、“応用物理学レ
ターズ”(１９９８年１２月２８日、pp.３８３９−３８４１)に、バルク・シリ
コンゲートを備えたいわゆるナノチューブ“トランジスタ”についての記載があ
る。L. Venema他、“応用物理学レターズ”(１９９７年１１月３日、pp.２６２
９−２６３１)には元の位置でナノチューブを切断する方法が示されている。Z.
Ren他“サイエンス”(１９９８年１１月６日、pp.１１０５−１１０７)には、独
立の、位置合わせを行った、離間配置された多数のカーボン・ナノチューブを作
る方法が示されている。
タイムズ”(１９９８年１１月１６日ｐ.６７)にナノ構造に関する記載がある。
笠貫他、米国特許５,４１８,７７１、及び、柳澤他、米国特許５,５１９,６８６
及び５,７２１,７２１に原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術について
の記載がある。S. Tans他“ネィチャ”(１９９７年４月３日、pp.４７４−４７
７、７、１９９８年５月、pp.４９−５２、及び、１９９８年８月２０日、pp.７
６１−７６４)、並びに、R. Martel他、“応用物理学レターズ”(１９９８年１
０月２６日、pp.２４４７−２４４９)、及び、A. Hassanien他、“応用物理学レ
ターズ”(１９９８年１２月２８日、pp.３８３９−３８４１)に、バルク・シリ
コンゲートを備えたいわゆるナノチューブ“トランジスタ”についての記載があ
る。L. Venema他、“応用物理学レターズ”(１９９７年１１月３日、pp.２６２
９−２６３１)には元の位置でナノチューブを切断する方法が示されている。Z.
Ren他“サイエンス”(１９９８年１１月６日、pp.１１０５−１１０７)には、独
立の、位置合わせを行った、離間配置された多数のカーボン・ナノチューブを作
る方法が示されている。
【０００３】
したがって、改善された面密度と、速度と、安定性とを備えた特性を持つデバ
イスを提供するためにナノチューブの利用方法を提供することが本発明の目的で
ある。
イスを提供するためにナノチューブの利用方法を提供することが本発明の目的で
ある。
【０００４】 ほんのわずか改変した既存の装置技術を利用して製造可能なナノスイッチを提
供して、ナノチューブとその他のナノ構造とを操作して数Åの精度で所望の位置
に位置合せを行えるようにすることが本発明のさらなる目的である。
供して、ナノチューブとその他のナノ構造とを操作して数Åの精度で所望の位置
に位置合せを行えるようにすることが本発明のさらなる目的である。
【０００５】 従来の“ドーピング”やナノチューブそれ自体に対する他の構造的改変をまっ
たく伴わずに、同一のナノチューブ上に相補型スイッチング・デバイスを設ける
ことが本発明のさらなる目的である。
たく伴わずに、同一のナノチューブ上に相補型スイッチング・デバイスを設ける
ことが本発明のさらなる目的である。
【０００６】 ナノチューブの縦軸方向に実質的界成分を有する局在電場を生み出すゲーティ
ング構造を形成することが本発明のさらなる目的である。
ング構造を形成することが本発明のさらなる目的である。
【０００７】 ＣＭＯＳシリコン回路からなるナノインバータ回路に類似するナノインバータ
回路を形成して、効率良く信号処理を行うようにすることがさらなる本発明の目
的である。
回路を形成して、効率良く信号処理を行うようにすることがさらなる本発明の目
的である。
【０００８】 同名のＣＭＯＳシリコン回路からなるマルチバイブレータに類似した、ナノマ
ルチバイブレータ(フリップ・フロップ)回路を形成して、効率良く信号処理を行
うようにすることがさらなる本発明の目的である。
ルチバイブレータ(フリップ・フロップ)回路を形成して、効率良く信号処理を行
うようにすることがさらなる本発明の目的である。
【０００９】 ナノマルチバイブレータ(フリップ・フロップ)カウントダウン・チェーンを形
成して、非常に高い周波数パルスを迅速にカウントする手段を提供することがさ
らなる本発明の目的である。
成して、非常に高い周波数パルスを迅速にカウントする手段を提供することがさ
らなる本発明の目的である。
【００１０】 急勾配の比類無く高いスルー・レートを持つナノスイッチを形成して、おそら
く従来のシリコンより数千倍の高速スイッチングを行うようにすることがさらな
る本発明の目的である。
く従来のシリコンより数千倍の高速スイッチングを行うようにすることがさらな
る本発明の目的である。
【００１１】 前例のない高いスルー・レートとパワー処理能力とを持つハイパワー・スイッ
チとハウジングとを提供することがさらなる本発明の目的である。
チとハウジングとを提供することがさらなる本発明の目的である。
【００１２】 パワー・ナノスイッチ・デバイスのＲＣ時定数ゲーティング・ラグを補償する
構造的方法を提供して、そのデバイス全体が同じ瞬間に導通しそれによって非常
に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる目的である
。
構造的方法を提供して、そのデバイス全体が同じ瞬間に導通しそれによって非常
に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる目的である
。
【００１３】 パワー・ナノスイッチ・デバイスのＲＣ時定数ゲーティング・ラグを補償する
構造的方法を提供し、各作動に対して、ほぼデバイス全体が同じ瞬間に導通し、
ほぼデバイス全体が同じ瞬間に停止し、それによって導通と停止の双方の作動に
対して非常に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる
目的である。
構造的方法を提供し、各作動に対して、ほぼデバイス全体が同じ瞬間に導通し、
ほぼデバイス全体が同じ瞬間に停止し、それによって導通と停止の双方の作動に
対して非常に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる
目的である。
【００１４】 ナノメータ・サイズの物体の非常に精密な吸引と蒸着が可能な、新規の原子顕
微鏡用プローブの設計を行うことが本発明のさらなる目的である。
微鏡用プローブの設計を行うことが本発明のさらなる目的である。
【００１５】 従来の原子位置合わせ顕微鏡用の新規の操作用装置ヘッド・アセンブリを提供
して、デバイス・エレメントをピックアップし、これらのデバイス・エレメント
を運び、操作し、位置合わせを行い、Åのオーダーの非常に精密な許容範囲の位
置へこれらのデバイス・エレメントを蒸着することが可能な装置を、既存の位置
合わせ装置技術のわずかな改変だけで達成可能にすることが本発明のさらなる目
的である。
して、デバイス・エレメントをピックアップし、これらのデバイス・エレメント
を運び、操作し、位置合わせを行い、Åのオーダーの非常に精密な許容範囲の位
置へこれらのデバイス・エレメントを蒸着することが可能な装置を、既存の位置
合わせ装置技術のわずかな改変だけで達成可能にすることが本発明のさらなる目
的である。
【００１６】 ナノチューブの分離、選択、歪み取り、切断を行い、その他の発明目的の実行
を可能にする装置および方法を提供することが本発明のさらなる目的である。
を可能にする装置および方法を提供することが本発明のさらなる目的である。
【００１７】
本発明の様々な態様の追加的目的と利点は、好適な実施例についての以下の説
明から明らかになる。該説明は添付図面と関連して考慮することが望ましい。
明から明らかになる。該説明は添付図面と関連して考慮することが望ましい。
【００１８】 “ナノチューブ”という用語を使用するとき、この用語には、カーボン・ナノ
チューブが含まれるだけでなく、ＢＮ、ＭｏＳ２及び適切な電気的属性と機械的
属性とを有するような構造の形成が可能な任意の他の材料や合成物から作られる
ナノチューブも含まれるものとする。
チューブが含まれるだけでなく、ＢＮ、ＭｏＳ２及び適切な電気的属性と機械的
属性とを有するような構造の形成が可能な任意の他の材料や合成物から作られる
ナノチューブも含まれるものとする。
【００１９】 “ナノ構造”とは、任意の蛋白質、化学分子、ポリマー、または少なくとも１
つの次元でナノメータのオーダーからなる任意のその他の構造と解釈される。M.
Dresselhaus他著“フラーレンとカーボン・ナノチューブの科学”(著作権 １
９９６年、アカデミック・プレス社)等に記載されているような、ナノチューブ
を表す従来の六方グラフィン・カイラル・ベクトル指数が使用される。
つの次元でナノメータのオーダーからなる任意のその他の構造と解釈される。M.
Dresselhaus他著“フラーレンとカーボン・ナノチューブの科学”(著作権 １
９９６年、アカデミック・プレス社)等に記載されているような、ナノチューブ
を表す従来の六方グラフィン・カイラル・ベクトル指数が使用される。
【００２０】 量子力学だけを用いてナノ構造を完全に理解することは可能ではあるが、この
理解には広範囲にわたる計算が伴い、多くの場合これは本発明の理解には必要で
はない。したがって、本発明の利用と理解の容易さを図るために従来の静電気用
語を用いて本発明について説明し、多くの場合、これで十分であるが、通常の研
究者であれば、必要な場合にはいつでも本発明を量子力学の形式へ容易に書き直
すことが可能であることを理解するであろう。
理解には広範囲にわたる計算が伴い、多くの場合これは本発明の理解には必要で
はない。したがって、本発明の利用と理解の容易さを図るために従来の静電気用
語を用いて本発明について説明し、多くの場合、これで十分であるが、通常の研
究者であれば、必要な場合にはいつでも本発明を量子力学の形式へ容易に書き直
すことが可能であることを理解するであろう。
【００２１】 図１ａの従来技術によるナノデバイスは図１ｂに図示のような、人を当惑させ
るある特徴を持っている。従来技術によるナノデバイスは、“正孔”の中を通る
伝導が行われるデバイスであるという、R. Martel他およびA. Hassanien他によ
る上掲書に記載のような説明ではデータと適切に符合しない。特に、ゲーティン
グ電圧ＶＧが次第に負になるにつれて、すべてのソース／ドレイン電圧ＶＳＤに
ついてソース／ドレイン伝導電流ＩＳＤが増加し続けるという実験による観察は
最も厄介な問題である。さらに、“正孔”についての思いつきの説明はおそらく
誤解を招くものである。シリコンの中で、アクセプタ原子はシリコンに対して“
ドープされ”、それによって移動する正電荷が形成されるが、このドーピングに
はシリコンの荷電中立状態と“正孔”の局在とを伴う。この場合、ナノチューブ
の実際の“ドーピング”が存在しないことに起因して、これらの“正孔”はたと
え存在したとしても、それはナノチューブ内での実際の荷電のインバランスに起
因するものであり、ナノチューブの平衡状態は電界方程式の非常に複雑で、かつ
、包括的な解を含意する。なぜなら、この解はほんのわずかなバイアスによって
著しく変化し、有用な方法でナノチューブの利用方法についての明瞭な理解へつ
ながるものではないからである。
るある特徴を持っている。従来技術によるナノデバイスは、“正孔”の中を通る
伝導が行われるデバイスであるという、R. Martel他およびA. Hassanien他によ
る上掲書に記載のような説明ではデータと適切に符合しない。特に、ゲーティン
グ電圧ＶＧが次第に負になるにつれて、すべてのソース／ドレイン電圧ＶＳＤに
ついてソース／ドレイン伝導電流ＩＳＤが増加し続けるという実験による観察は
最も厄介な問題である。さらに、“正孔”についての思いつきの説明はおそらく
誤解を招くものである。シリコンの中で、アクセプタ原子はシリコンに対して“
ドープされ”、それによって移動する正電荷が形成されるが、このドーピングに
はシリコンの荷電中立状態と“正孔”の局在とを伴う。この場合、ナノチューブ
の実際の“ドーピング”が存在しないことに起因して、これらの“正孔”はたと
え存在したとしても、それはナノチューブ内での実際の荷電のインバランスに起
因するものであり、ナノチューブの平衡状態は電界方程式の非常に複雑で、かつ
、包括的な解を含意する。なぜなら、この解はほんのわずかなバイアスによって
著しく変化し、有用な方法でナノチューブの利用方法についての明瞭な理解へつ
ながるものではないからである。
【００２２】 しかし、最も重要なことは、ナノチューブが伝導電子を有することに起因して
、これらの結果が、このデバイスと似ているシリコン内の類似の空乏モードＮ型
チャネル絶縁ゲート電界効果デバイスについて予想されることと全く正反対であ
ることが細密な検査によって判明したという点である。以下に見るように、この
異常な、しかし、明らかに未だ理解されていない正確な性質が或るモデルを用い
て説明される。このモデルで、関係する実際の力にさらに厳密にアプローチし、
これらの異常な結果をさらに完全に説明し、それによって本発明のモデルの基礎
が形成される。
、これらの結果が、このデバイスと似ているシリコン内の類似の空乏モードＮ型
チャネル絶縁ゲート電界効果デバイスについて予想されることと全く正反対であ
ることが細密な検査によって判明したという点である。以下に見るように、この
異常な、しかし、明らかに未だ理解されていない正確な性質が或るモデルを用い
て説明される。このモデルで、関係する実際の力にさらに厳密にアプローチし、
これらの異常な結果をさらに完全に説明し、それによって本発明のモデルの基礎
が形成される。
【００２３】 図２ａは、このモデルに準拠するゲート・バイアスをかけない(ＶＧ＝０)ナノ
チューブの新規の分析横断面を図示する。本発明者の分析結果から、この図には
、ナノチューブ１４０の外側部分と、内側部分１４１と、導電性ナノチューブ１
４０の固有の自由な伝導電子１４２と、絶縁体として機能する障壁材料料１４３
と、ゲーティング電位ＶＧの電源と結合されたゲート電極自体１４４とが示され
ている。ゲート障壁材料料１４３の電子親和力(χｂ、この場合絶縁体)はきわめ
て臨界的であり、本発明者の分析によれば、導電性ナノチューブ１４０が１４３
と接触する部分で導電性ナノチューブ１４０から電子を完全に空乏化できるほど
この電子親和力が十分であることは明らかである。この場合、約８Åのナノチュ
ーブの円周が障壁材料料１４３と接触し、これは１４５によって示されている。
本発明者の分析によれば、ナノチューブのような伝導電子に富む材料が十分に高
い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料と接触する場合はいつでも、１４６のよ
うな電子が１４５においてナノチューブ導体１４０−１４１−１４２から引き出
され、１４６としてこの図に示されている接触面で局所的に結合(捕捉)される。
これによって、これらの電子は固定した、動かない正の荷電の中心１４５を後に
残すことが可能となる。高い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料１４３の表面
は、言うまでもなくさらに大きな引力を誘起し、それによって、より小さな電子
親和力を有する障壁材料料に比べてより扁平化するかつより多くの電荷移動が誘
起される。重要な点は、小さな直径の導電性ナノチューブ１４０についても、こ
の導電性ナノチューブが載っているゲート障壁材料１４３との有限の扁平化する
密接な相互作用がこのモデルでは固有のものとして常時存在するということであ
る。上述の例では、チューブのサイズは(１０,１０)に近づくので、十分に大き
な電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料の絶縁体ＳｉＯ２上に約８Åの接触面積が予
想される。ＳｉＯ２は、その非晶質構造内に存在する固有の多くの未結合手のた
めにシリコン電場では悪評高いものであり、約０.９−１.０ｅＶの電子親和力(
χｂ)を有する。
チューブの新規の分析横断面を図示する。本発明者の分析結果から、この図には
、ナノチューブ１４０の外側部分と、内側部分１４１と、導電性ナノチューブ１
４０の固有の自由な伝導電子１４２と、絶縁体として機能する障壁材料料１４３
と、ゲーティング電位ＶＧの電源と結合されたゲート電極自体１４４とが示され
ている。ゲート障壁材料料１４３の電子親和力(χｂ、この場合絶縁体)はきわめ
て臨界的であり、本発明者の分析によれば、導電性ナノチューブ１４０が１４３
と接触する部分で導電性ナノチューブ１４０から電子を完全に空乏化できるほど
この電子親和力が十分であることは明らかである。この場合、約８Åのナノチュ
ーブの円周が障壁材料料１４３と接触し、これは１４５によって示されている。
本発明者の分析によれば、ナノチューブのような伝導電子に富む材料が十分に高
い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料と接触する場合はいつでも、１４６のよ
うな電子が１４５においてナノチューブ導体１４０−１４１−１４２から引き出
され、１４６としてこの図に示されている接触面で局所的に結合(捕捉)される。
これによって、これらの電子は固定した、動かない正の荷電の中心１４５を後に
残すことが可能となる。高い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料１４３の表面
は、言うまでもなくさらに大きな引力を誘起し、それによって、より小さな電子
親和力を有する障壁材料料に比べてより扁平化するかつより多くの電荷移動が誘
起される。重要な点は、小さな直径の導電性ナノチューブ１４０についても、こ
の導電性ナノチューブが載っているゲート障壁材料１４３との有限の扁平化する
密接な相互作用がこのモデルでは固有のものとして常時存在するということであ
る。上述の例では、チューブのサイズは(１０,１０)に近づくので、十分に大き
な電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料の絶縁体ＳｉＯ２上に約８Åの接触面積が予
想される。ＳｉＯ２は、その非晶質構造内に存在する固有の多くの未結合手のた
めにシリコン電場では悪評高いものであり、約０.９−１.０ｅＶの電子親和力(
χｂ)を有する。
【００２４】 一般に、ＳｉＯ２を不活性化する従来の１つの方法として、これらの未結合手
を除去するために、不活性化剤として水素を用いる方法がある。この場合、水素
はその電子を提供して、ＳｉＯ２によって未完成のままに残されている未結合手
を完成し、その結果ＳｉＯ２：Ｈと一般に呼ばれる構成が形成される。この構成
によってＳｉＯ２：Ｈの電子親和力(χｂ)が未処理のＳｉＯ２の親和力以下まで
低下する。ＳｉＯ２から未結合手を除去し、電子親和力(χｂ)を低下させるさら
に効果的な別の方法として、フッ素処理を利用して任意の未結合手と反応させる
方法がある。この結果得られる生成物は一般にＳｉＯ２：Ｆと呼ばれる。特に、
この後者は一般に比較的高い電子親和力を持つ障壁材料(ＳｉＯ２)を比較的低い
電子親和力を持つ障壁材料に変化させる。その理由として、これらの未結合手の
すべての電子がフッ素と緊密に結合していることが挙げられる。このため、フッ
素処理された障壁層材料の電子親和力(χｂ)はきわめて低くなる。
を除去するために、不活性化剤として水素を用いる方法がある。この場合、水素
はその電子を提供して、ＳｉＯ２によって未完成のままに残されている未結合手
を完成し、その結果ＳｉＯ２：Ｈと一般に呼ばれる構成が形成される。この構成
によってＳｉＯ２：Ｈの電子親和力(χｂ)が未処理のＳｉＯ２の親和力以下まで
低下する。ＳｉＯ２から未結合手を除去し、電子親和力(χｂ)を低下させるさら
に効果的な別の方法として、フッ素処理を利用して任意の未結合手と反応させる
方法がある。この結果得られる生成物は一般にＳｉＯ２：Ｆと呼ばれる。特に、
この後者は一般に比較的高い電子親和力を持つ障壁材料(ＳｉＯ２)を比較的低い
電子親和力を持つ障壁材料に変化させる。その理由として、これらの未結合手の
すべての電子がフッ素と緊密に結合していることが挙げられる。このため、フッ
素処理された障壁層材料の電子親和力(χｂ)はきわめて低くなる。
【００２５】 図２ａには、１４６によって示されるように、導電性ナノチューブ１４０内で
利用可能なおそらく８％程度の電子が障壁層絶縁体１４３／ナノチューブ１４０
インターフェースにおいて捕捉されるためこれらの電子は移動せず、伝導には貢
献しないことが示されている。しかし、図２ｂでは、正電圧がデバイスのゲート
部材１４４に印加される。この場合、導電性ナノチューブ１４０内の自由電子１
４２が正電圧の方へ引かれ、最高の正電圧の下で、ほとんどすべての自由な伝導
電子１４６'が１４０と１４３との間のインターフェースにおいて捕捉されるた
め伝導が著しく低下する。この場合、図１ｂに実験的に示されるように、このモ
デルの下でのゲーティング部材１４４への正電圧の印加によって、伝導の低下が
生じるという直感に反する実験結果が導かれる。
利用可能なおそらく８％程度の電子が障壁層絶縁体１４３／ナノチューブ１４０
インターフェースにおいて捕捉されるためこれらの電子は移動せず、伝導には貢
献しないことが示されている。しかし、図２ｂでは、正電圧がデバイスのゲート
部材１４４に印加される。この場合、導電性ナノチューブ１４０内の自由電子１
４２が正電圧の方へ引かれ、最高の正電圧の下で、ほとんどすべての自由な伝導
電子１４６'が１４０と１４３との間のインターフェースにおいて捕捉されるた
め伝導が著しく低下する。この場合、図１ｂに実験的に示されるように、このモ
デルの下でのゲーティング部材１４４への正電圧の印加によって、伝導の低下が
生じるという直感に反する実験結果が導かれる。
【００２６】 図２ｃに図示のように、ゲーティング部材１４４への負電圧の印加により、全
く正反対の結果が示される。印加されたゲーティング電圧は障壁層の絶縁材１４
３の固有の電子親和力(χｂ)に打ち克ち、元のナノチューブ１４０の導体部の中
へ捕捉電子１４６”を打ち込み、それによってナノチューブ１４０内の伝導に利
用可能な電子の数を増加させる。実際、この増加の事実は図１ｂに示されている
。すなわち該図で、１００ｍＶのソース／ドレインＶＳＤについて、ＶＧ＝−６
Ｖのバイアスをゲーティング部材１４４に印加した場合、導電率が約８％程度増
加する。この結果、比較的高い負電圧の印加では、従来のシリコン回路で予想さ
れるような伝導チャネルのピンチオフは見られない。これは、導電性ナノチュー
ブ１４０とゲートとがほぼ共直線性を有し、電子の除去が可能な、ナノチューブ
の軸方向の電場成分が存在しないという事実に起因するものである。したがって
、対称性によって“ピンチ・オフ”を得ることはできない。この電場は、その範
囲のほとんど全体にわたってゲーティング絶縁体１４３表面に対して全く正常で
あるため、導電性ナノチューブ１４０内の電子には“エスケープ(escape)”が与
えられない。
く正反対の結果が示される。印加されたゲーティング電圧は障壁層の絶縁材１４
３の固有の電子親和力(χｂ)に打ち克ち、元のナノチューブ１４０の導体部の中
へ捕捉電子１４６”を打ち込み、それによってナノチューブ１４０内の伝導に利
用可能な電子の数を増加させる。実際、この増加の事実は図１ｂに示されている
。すなわち該図で、１００ｍＶのソース／ドレインＶＳＤについて、ＶＧ＝−６
Ｖのバイアスをゲーティング部材１４４に印加した場合、導電率が約８％程度増
加する。この結果、比較的高い負電圧の印加では、従来のシリコン回路で予想さ
れるような伝導チャネルのピンチオフは見られない。これは、導電性ナノチュー
ブ１４０とゲートとがほぼ共直線性を有し、電子の除去が可能な、ナノチューブ
の軸方向の電場成分が存在しないという事実に起因するものである。したがって
、対称性によって“ピンチ・オフ”を得ることはできない。この電場は、その範
囲のほとんど全体にわたってゲーティング絶縁体１４３表面に対して全く正常で
あるため、導電性ナノチューブ１４０内の電子には“エスケープ(escape)”が与
えられない。
【００２７】 このモデルでは、伝導が正孔を持たずに、電子を伴っている場合であっても、
ナノスイッチは高度に非最適化した疑似Ｐ型チャネル空乏モードスイッチとして
作動する。このナノスイッチは“疑似”スイッチと呼ばれる。その理由として、
この荷電捕捉モデルに従う実際の内部動作が全く異なるものであるにもかかわら
ず、このナノスイッチが外面的にはシリコンＰ型チャネルのように機能するとい
うことが挙げられる。再言するが、上記の事実は、シリコンデバイスについての
予想可能な結果とは直感的に反するものであり、本発明者が発見した重要な特性
、及び、従来のシリコン構造の特性との差異を示すものである。すなわち、カー
ボン・ナノチューブは、導電性ナノチューブから得られる移動キャリアを空乏化
できるほど十分に高い電子親和力(χｂ)を有する障壁層が導電性ナノチューブと
ゲーティング部材構造との間に存在するとき、等価的疑似Ｐ型チャネル・シリコ
ンデバイスとして機能することが可能である。本発明の教示によるナノチューブ
も空乏化を行うことはできるが、この空乏化は、ゲーティング部材／ナノチュー
ブインターフェースの選択された位置で障壁材料の電子親和力(χｂ)を変化させ
ることによってしか可能ではない。したがって、異なる電子親和力(χｂ)からな
る２つの阻止領域を持つ単一のナノチューブを構成し、さらにコンパクトな構成
で相補型シリコンデバイスのすべての利点を持つことが可能となる。シリコン半
導体技術では正反対の伝導性をもつ井戸領域を設けなければならないが、本発明
に準拠するナノチューブ技術ではこの井戸領域は完全に取り除かれる。したがっ
て、例えば、シリコンＣＭＯＳインバータがあるチップ面積を持っている場合、
ナノチューブ・インバータは、２５０,０００倍狭い面積である約４ｎｍ２の大
きさの面積を持つことが可能となる。これはデバイスの記録密度の著しい改善で
あると思われる。
ナノスイッチは高度に非最適化した疑似Ｐ型チャネル空乏モードスイッチとして
作動する。このナノスイッチは“疑似”スイッチと呼ばれる。その理由として、
この荷電捕捉モデルに従う実際の内部動作が全く異なるものであるにもかかわら
ず、このナノスイッチが外面的にはシリコンＰ型チャネルのように機能するとい
うことが挙げられる。再言するが、上記の事実は、シリコンデバイスについての
予想可能な結果とは直感的に反するものであり、本発明者が発見した重要な特性
、及び、従来のシリコン構造の特性との差異を示すものである。すなわち、カー
ボン・ナノチューブは、導電性ナノチューブから得られる移動キャリアを空乏化
できるほど十分に高い電子親和力(χｂ)を有する障壁層が導電性ナノチューブと
ゲーティング部材構造との間に存在するとき、等価的疑似Ｐ型チャネル・シリコ
ンデバイスとして機能することが可能である。本発明の教示によるナノチューブ
も空乏化を行うことはできるが、この空乏化は、ゲーティング部材／ナノチュー
ブインターフェースの選択された位置で障壁材料の電子親和力(χｂ)を変化させ
ることによってしか可能ではない。したがって、異なる電子親和力(χｂ)からな
る２つの阻止領域を持つ単一のナノチューブを構成し、さらにコンパクトな構成
で相補型シリコンデバイスのすべての利点を持つことが可能となる。シリコン半
導体技術では正反対の伝導性をもつ井戸領域を設けなければならないが、本発明
に準拠するナノチューブ技術ではこの井戸領域は完全に取り除かれる。したがっ
て、例えば、シリコンＣＭＯＳインバータがあるチップ面積を持っている場合、
ナノチューブ・インバータは、２５０,０００倍狭い面積である約４ｎｍ２の大
きさの面積を持つことが可能となる。これはデバイスの記録密度の著しい改善で
あると思われる。
【００２８】 本発明のゲーティング部材と、ゲーティング部材と導電性ナノチューブとの間
の阻止層とから成る特別の設計は、その構成の中で使用される所望の特定の材料
に応じて、いくつかの等価的構成を有する設計のいずれであってもよい。
の阻止層とから成る特別の設計は、その構成の中で使用される所望の特定の材料
に応じて、いくつかの等価的構成を有する設計のいずれであってもよい。
【００２９】 例示のために、Ｎ型チャネル空乏モード・ナノチューブ・スイッチの形の第１
の実施例が、立体投影図の形で図３ａに、また、導電性ナノチューブ１５１に沿
う横断面図で図３ｂに図示のように提示されている。この“導電性ナノチューブ
”という用語は、＋Ｖと接地電位との電位差、あるいは同じ意味であるが−Ｖと
接地電位との電位差によって、導電性ナノチューブ１５１の除去部分にバイアス
をかけることが可能で、かつ、伝導電流が通過可能なナノチューブを示すために
用いられる。このような伝導電流の変調は、好適な制御電圧Ｖ０が印加されるゲ
ーティング構造１５０によって制御される。上述のように、“導電性ナノチュー
ブ”１５１はいくつかの異なる構成の中の１つであってもよく、“金属性”ナノ
チューブに限定されるものではない。“導電性ナノチューブ”１５１は単一壁の
ナノチューブまたは複数壁(multiwall)のナノチューブとすることも可能である
。第１の導電性ナノチューブ１５１とは異なる特性を持つ、ナノチューブを備え
ることも可能な別のゲーティング・ナノ構造１５０が第１の導電性ナノチューブ
１５１に対してクロスされる。この第２のゲーティング・ナノ構造１５０は単一
の壁あるいは複数の壁から成るナノチューブを備えていてもよい。
の実施例が、立体投影図の形で図３ａに、また、導電性ナノチューブ１５１に沿
う横断面図で図３ｂに図示のように提示されている。この“導電性ナノチューブ
”という用語は、＋Ｖと接地電位との電位差、あるいは同じ意味であるが−Ｖと
接地電位との電位差によって、導電性ナノチューブ１５１の除去部分にバイアス
をかけることが可能で、かつ、伝導電流が通過可能なナノチューブを示すために
用いられる。このような伝導電流の変調は、好適な制御電圧Ｖ０が印加されるゲ
ーティング構造１５０によって制御される。上述のように、“導電性ナノチュー
ブ”１５１はいくつかの異なる構成の中の１つであってもよく、“金属性”ナノ
チューブに限定されるものではない。“導電性ナノチューブ”１５１は単一壁の
ナノチューブまたは複数壁(multiwall)のナノチューブとすることも可能である
。第１の導電性ナノチューブ１５１とは異なる特性を持つ、ナノチューブを備え
ることも可能な別のゲーティング・ナノ構造１５０が第１の導電性ナノチューブ
１５１に対してクロスされる。この第２のゲーティング・ナノ構造１５０は単一
の壁あるいは複数の壁から成るナノチューブを備えていてもよい。
【００３０】 この第１の好適な実施例の場合、阻止層の電子親和力(χｂ)の制御等の異なる
属性はゲーティング部材１５０に属し、また、ゲーティング部材１５０と関連づ
けられる。
属性はゲーティング部材１５０に属し、また、ゲーティング部材１５０と関連づ
けられる。
【００３１】 このことが図３ａと３ｂに例示されている。該図で導電性ナノチューブ１５１
はゲーティング部材１５０に対してクロスされている。ゲーティング部材１５０
は、単一構造１５０を有するか、あるいは、少なくとも１つの内部層ナノ構造１
５２と、その外周の周りに所定の電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料から成る外層
１５３とを有する合成構造を有するかのいずれかとすることができる。１５２と
１５３の合成構造はまとめてゲーティング部材１５０と呼ばれる。
はゲーティング部材１５０に対してクロスされている。ゲーティング部材１５０
は、単一構造１５０を有するか、あるいは、少なくとも１つの内部層ナノ構造１
５２と、その外周の周りに所定の電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料から成る外層
１５３とを有する合成構造を有するかのいずれかとすることができる。１５２と
１５３の合成構造はまとめてゲーティング部材１５０と呼ばれる。
【００３２】 導電性ナノチューブ１５１とゲーティング部材１５０との間の接触空乏領域が
この構成では無視できるほど非常に狭いので、高い電子親和力(χｂ)を示す障壁
層材料を含む障壁材料１５３によって良好なＮ型チャネル空乏モード・デバイス
の製作が可能となる。例えば、ショットキー形成金属や、半導体や、ドープされ
た半導体や、あるいは合成半導体層等の障壁層材料１５３が導電性を有する場合
、たとえ１５３の障壁材料が高い電子親和力(χｂ)を有し、その内部ナノチュー
ブ１５２からキャリアを完全に空乏化することができても、内部ゲーティング構
造のナノチューブ１５２と共に障壁層材料１５３を使用することが可能である。
この場合、内部ゲーティング部材のナノチューブ１５２は、この高い電子親和力
(χｂ)を持つ障壁層材料１５３用の、ゲーティング部材構造１５０内の非導電性
構造支承部材(マンドレル)として機能する。
この構成では無視できるほど非常に狭いので、高い電子親和力(χｂ)を示す障壁
層材料を含む障壁材料１５３によって良好なＮ型チャネル空乏モード・デバイス
の製作が可能となる。例えば、ショットキー形成金属や、半導体や、ドープされ
た半導体や、あるいは合成半導体層等の障壁層材料１５３が導電性を有する場合
、たとえ１５３の障壁材料が高い電子親和力(χｂ)を有し、その内部ナノチュー
ブ１５２からキャリアを完全に空乏化することができても、内部ゲーティング構
造のナノチューブ１５２と共に障壁層材料１５３を使用することが可能である。
この場合、内部ゲーティング部材のナノチューブ１５２は、この高い電子親和力
(χｂ)を持つ障壁層材料１５３用の、ゲーティング部材構造１５０内の非導電性
構造支承部材(マンドレル)として機能する。
【００３３】 ガリウム砒素(ＧａＡｓ)集積回路において役に立つ、高い電子親和力(χｂ)を
持つ材料の１つの固有の組合せとして、内部のナノチューブ１５２にわたる非ド
ープＧａＡｓと、非ドープＧａＡｓにわたるＮ＋ドープされたＡｌＧａＡｓから
成る外層とから成る合成層の利用がある。この合成層によって、ＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓインターフェースにおいてＧａＡｓの内部に２次元電子ガス(“２ＤＥ
Ｇ”)が形成され、非常に導電性の高い手段が提供され、この手段によってゲー
ティング部材１５０へのゲーティング電位信号ＶＧをゲーティング構造１５０の
中で伝播することができる。次いで、これによって、ＧａＡｓ集積回路とナノチ
ューブ集積回路との間に多くの“ブリッジ”の中の１つを形成することが可能と
なる。上記とは別に、高度にドープされたＮ＋ＡｌＧａＡｓ層は内部のナノチュ
ーブ１５２と接触することができ、ＧａＡｓ層をＮ＋ＡｌＧａＡｓの外側に設け
ることができる。さらに、このようなナノチューブ／ＧａＡｓ(Ｎ＋ＡｌＧａＡ
ｓ)／Ｎ＋ＡｌＧａＡｓ(ＧａＡｓ)の組合せは、超微細ＧａＡｓ集積回路内の電
力と信号用の完全に互換性を持つ導体としてそれ自身有用である。
持つ材料の１つの固有の組合せとして、内部のナノチューブ１５２にわたる非ド
ープＧａＡｓと、非ドープＧａＡｓにわたるＮ＋ドープされたＡｌＧａＡｓから
成る外層とから成る合成層の利用がある。この合成層によって、ＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓインターフェースにおいてＧａＡｓの内部に２次元電子ガス(“２ＤＥ
Ｇ”)が形成され、非常に導電性の高い手段が提供され、この手段によってゲー
ティング部材１５０へのゲーティング電位信号ＶＧをゲーティング構造１５０の
中で伝播することができる。次いで、これによって、ＧａＡｓ集積回路とナノチ
ューブ集積回路との間に多くの“ブリッジ”の中の１つを形成することが可能と
なる。上記とは別に、高度にドープされたＮ＋ＡｌＧａＡｓ層は内部のナノチュ
ーブ１５２と接触することができ、ＧａＡｓ層をＮ＋ＡｌＧａＡｓの外側に設け
ることができる。さらに、このようなナノチューブ／ＧａＡｓ(Ｎ＋ＡｌＧａＡ
ｓ)／Ｎ＋ＡｌＧａＡｓ(ＧａＡｓ)の組合せは、超微細ＧａＡｓ集積回路内の電
力と信号用の完全に互換性を持つ導体としてそれ自身有用である。
【００３４】 図３ａと３ｂに図示のように、ゲートの障壁層材料１５３が、ナノチューブか
ら完全に電子を空乏化することができないほど小さな、部材１５０の電子親和力
(χｂ)を有し、かつ、ゲーティング絶縁を目的として十分な高さの障壁を有して
いる場合、さらに広範囲の材料を用いて成功する空乏モードＮ型チャネル・ナノ
スイッチを得ることが可能となる。この場合、ゲーティング部材１５０に印加さ
れるゼロ・バイアス電圧ＶＧが存在するとき、導電性ナノチューブ１５１は、ゲ
ーティング部材１５０のこの低い電子親和力障壁層材料部分１５３の存在にほと
んど気がつかない。次いで、導電性ナノチューブ１５１内の電子、並びに、ゲー
ティング部材１５０内の電子は自由に伝導する。しかし、十分に負のゲーティン
グ電圧ＶＧがゲーティング部材１５０に印加された場合、クーロン静電反発力に
よって、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０間の接触部に隣接
する領域全体の１５４として例示される領域内で導電性ナノチューブ１５１内の
電子が撥ね返され、空乏化されて、導電性ナノチューブ１５１内の電流は静止す
ることになる。この転送特性が図３ｃに図示されている。この図で、負のゲーテ
ィング電圧ＶＧ＝−Ｖｔｈで、導電性チャネルはこの閾値電圧でピンチ・オフし
、伝導が停止する。導電性ナノチューブ１５１の直径を完全に空乏化するために
は、非常に小さなゲーティング電圧ＶＧ差しか必要としないので、−ＶＮｔｈに
おけるＩ/ＶＧグラフの勾配(ゲートの“スイッチイング・スルー・レート”ΔＩ
／ΔＶＧ)は適度に急勾配である。この場合従来技術との相違点として、ゲーテ
ィング構造１５０の導体部全体が静電表面を形成し、該静電表面が、導電性ナノ
チューブ１５１の縦軸に沿う縦方向成分ＥＬと、この縦軸に対して法線を成す横
方向成分ＥＴとを持つ空乏層の表面１５４において電場Ｅを有するということが
挙げられる。この設計の単純さとして、長年世界中の実験室によって作られてき
たすべての基本的カーボン・ナノチューブからこの設計を完全に行うことが可能
であるという点が挙げられる。導電性ナノチューブ１５１が、バンドギャップｇ
１の半導電性ナノチューブである場合、ゲーティング構造１５０は、例えば、ｇ
１とは著しく異なる(ｇ１≠ｇ２)第２のバンドギャップｇ２を持つ別の半導電性
ナノチューブとすることが可能である。したがって、Ｎ型チャネル空乏モード・
ナノスイッチの場合、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０とを
含む、真の金属、半金属、または半導電性ナノチューブから成る広範囲の組み合
わせを利用することが可能となり、また、障壁材料１５３用として広範囲の材料
の使用が可能となるが、その際唯一の条件として、導電性ナノチューブ１５１と
ゲーティング部材１５０との間の障壁が、使用可能なゲーティング電圧ＶＧをゲ
ーティング部材１５０に対して出力できるほど十分な高さの障壁を備えて、故障
や望ましくない電子の漏洩を伴わずに導電性ナノチューブ１５１を完全に空乏化
できるようにするという条件がある。
ら完全に電子を空乏化することができないほど小さな、部材１５０の電子親和力
(χｂ)を有し、かつ、ゲーティング絶縁を目的として十分な高さの障壁を有して
いる場合、さらに広範囲の材料を用いて成功する空乏モードＮ型チャネル・ナノ
スイッチを得ることが可能となる。この場合、ゲーティング部材１５０に印加さ
れるゼロ・バイアス電圧ＶＧが存在するとき、導電性ナノチューブ１５１は、ゲ
ーティング部材１５０のこの低い電子親和力障壁層材料部分１５３の存在にほと
んど気がつかない。次いで、導電性ナノチューブ１５１内の電子、並びに、ゲー
ティング部材１５０内の電子は自由に伝導する。しかし、十分に負のゲーティン
グ電圧ＶＧがゲーティング部材１５０に印加された場合、クーロン静電反発力に
よって、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０間の接触部に隣接
する領域全体の１５４として例示される領域内で導電性ナノチューブ１５１内の
電子が撥ね返され、空乏化されて、導電性ナノチューブ１５１内の電流は静止す
ることになる。この転送特性が図３ｃに図示されている。この図で、負のゲーテ
ィング電圧ＶＧ＝−Ｖｔｈで、導電性チャネルはこの閾値電圧でピンチ・オフし
、伝導が停止する。導電性ナノチューブ１５１の直径を完全に空乏化するために
は、非常に小さなゲーティング電圧ＶＧ差しか必要としないので、−ＶＮｔｈに
おけるＩ/ＶＧグラフの勾配(ゲートの“スイッチイング・スルー・レート”ΔＩ
／ΔＶＧ)は適度に急勾配である。この場合従来技術との相違点として、ゲーテ
ィング構造１５０の導体部全体が静電表面を形成し、該静電表面が、導電性ナノ
チューブ１５１の縦軸に沿う縦方向成分ＥＬと、この縦軸に対して法線を成す横
方向成分ＥＴとを持つ空乏層の表面１５４において電場Ｅを有するということが
挙げられる。この設計の単純さとして、長年世界中の実験室によって作られてき
たすべての基本的カーボン・ナノチューブからこの設計を完全に行うことが可能
であるという点が挙げられる。導電性ナノチューブ１５１が、バンドギャップｇ
１の半導電性ナノチューブである場合、ゲーティング構造１５０は、例えば、ｇ
１とは著しく異なる(ｇ１≠ｇ２)第２のバンドギャップｇ２を持つ別の半導電性
ナノチューブとすることが可能である。したがって、Ｎ型チャネル空乏モード・
ナノスイッチの場合、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０とを
含む、真の金属、半金属、または半導電性ナノチューブから成る広範囲の組み合
わせを利用することが可能となり、また、障壁材料１５３用として広範囲の材料
の使用が可能となるが、その際唯一の条件として、導電性ナノチューブ１５１と
ゲーティング部材１５０との間の障壁が、使用可能なゲーティング電圧ＶＧをゲ
ーティング部材１５０に対して出力できるほど十分な高さの障壁を備えて、故障
や望ましくない電子の漏洩を伴わずに導電性ナノチューブ１５１を完全に空乏化
できるようにするという条件がある。
【００３５】 上述のように、図３ａと３ｂの構造設計は、疑似Ｐ型チャネル・ナノスイッチ
にとって好適ではない。これは、基本的に、導電性ナノチューブ１５１と、ゲー
ティング構造１５０の障壁材料１５３との間の接触面積が狭いということに起因
する。言うまでもなく、１つの解決策として、図４ａと４ｂに図示の代替構成の
ような、障壁材料が導電性ナノチューブと接触するレベルを増加させる方法があ
る。この実施例では、障壁材料１５３'が、導電性ナノチューブ１５１'の領域を
ほぼ取り囲んだり完全に取り囲み、この十分な接触面積をデバイスに与えるよう
にすることが望ましい。ゲーティング部材１５０'によって接触されているとき
、障壁材料１５３'が等電位面を形成するために、固有のものとして十分な導電
性を持っていない場合、追加の導電層１５７を加えて、障壁材料１５３'と導電
性ナノチューブ１５１'とを取り囲むようにすることが可能である。上述したよ
うに、固有のものとして十分な導電性を持つショットキー障壁材料等の多くの材
料用としてはこの追加導電層１５７を不要とすることができ、ゲーティング部材
１５０'が導電性ショットキー障壁材料１５３'とのオーミック接点となることが
可能である限り、追加導電層１５７を省くことが望ましい。ゲート閾値電圧ＶＧ ＝−ＶＰＴｈは特別の障壁材料１５３'の仕事関数φｂから得られる直接的結果
である。この障壁ゲーティング材１５３'に対するこの場合の唯一の要件として
、導電性ナノチューブ１５１'が真の金属、半金属、あるいは、半導電性ナノチ
ューブのいずれであるかを問わず、少なくとも部分的に導電性ナノチューブ１５
１'を空乏化するために、ゼロ・ゲーティング・バイアスＶＧで十分に大きな電
子親和力(χｂ)を持つようにすることと、スイッチング・グラフ１６７、１６８
で図示のように、適切なゲート電圧ＶＧ＝ＶＰで十分な高さの障壁を用いて、導
電性ナノチューブ１５１'を補給(undeplete)するに足るほど十分な実際的電位障
壁を確立できるようにすることとがある。図４ａと４ｂのこの構成を用いてさら
なるＰ型チャネル・ナノスイッチ(空乏モード・デバイス)の作製が可能となる。
障壁材料１５３'が電子を捕捉することができ、しかも、ゼロ・ゲーティング・
バイアスＶＧで導電性ナノチューブ１５１'から電子の空乏化あるいは電子の完
全な空乏化を行うには不十分な電子親和力(χｂ)を持っている場合、ゲーティン
グ構造に対して正のゲーティング電位ＶＧを印加することにより、この正の電位
が障壁材料１５３'を補助し、次いで、障壁材料１５３'内で自由電子を捕捉し、
それによって導電性ナノチューブ１５１'のピンチオフを行うようにすることが
できる。このケースが図４ｃに点線グラフ１６９で示されている。このようにし
て、図４ｄに示すように狭い幅の伝導を持つデバイスを設けることができる。
にとって好適ではない。これは、基本的に、導電性ナノチューブ１５１と、ゲー
ティング構造１５０の障壁材料１５３との間の接触面積が狭いということに起因
する。言うまでもなく、１つの解決策として、図４ａと４ｂに図示の代替構成の
ような、障壁材料が導電性ナノチューブと接触するレベルを増加させる方法があ
る。この実施例では、障壁材料１５３'が、導電性ナノチューブ１５１'の領域を
ほぼ取り囲んだり完全に取り囲み、この十分な接触面積をデバイスに与えるよう
にすることが望ましい。ゲーティング部材１５０'によって接触されているとき
、障壁材料１５３'が等電位面を形成するために、固有のものとして十分な導電
性を持っていない場合、追加の導電層１５７を加えて、障壁材料１５３'と導電
性ナノチューブ１５１'とを取り囲むようにすることが可能である。上述したよ
うに、固有のものとして十分な導電性を持つショットキー障壁材料等の多くの材
料用としてはこの追加導電層１５７を不要とすることができ、ゲーティング部材
１５０'が導電性ショットキー障壁材料１５３'とのオーミック接点となることが
可能である限り、追加導電層１５７を省くことが望ましい。ゲート閾値電圧ＶＧ ＝−ＶＰＴｈは特別の障壁材料１５３'の仕事関数φｂから得られる直接的結果
である。この障壁ゲーティング材１５３'に対するこの場合の唯一の要件として
、導電性ナノチューブ１５１'が真の金属、半金属、あるいは、半導電性ナノチ
ューブのいずれであるかを問わず、少なくとも部分的に導電性ナノチューブ１５
１'を空乏化するために、ゼロ・ゲーティング・バイアスＶＧで十分に大きな電
子親和力(χｂ)を持つようにすることと、スイッチング・グラフ１６７、１６８
で図示のように、適切なゲート電圧ＶＧ＝ＶＰで十分な高さの障壁を用いて、導
電性ナノチューブ１５１'を補給(undeplete)するに足るほど十分な実際的電位障
壁を確立できるようにすることとがある。図４ａと４ｂのこの構成を用いてさら
なるＰ型チャネル・ナノスイッチ(空乏モード・デバイス)の作製が可能となる。
障壁材料１５３'が電子を捕捉することができ、しかも、ゼロ・ゲーティング・
バイアスＶＧで導電性ナノチューブ１５１'から電子の空乏化あるいは電子の完
全な空乏化を行うには不十分な電子親和力(χｂ)を持っている場合、ゲーティン
グ構造に対して正のゲーティング電位ＶＧを印加することにより、この正の電位
が障壁材料１５３'を補助し、次いで、障壁材料１５３'内で自由電子を捕捉し、
それによって導電性ナノチューブ１５１'のピンチオフを行うようにすることが
できる。このケースが図４ｃに点線グラフ１６９で示されている。このようにし
て、図４ｄに示すように狭い幅の伝導を持つデバイスを設けることができる。
【００３６】 以下はすべて、シリコンＣＭＯＳのすべての利点を有する疑似“ＣＭＯＳ”ナ
ノチューブ・スイッチング・ペア・インバータの形成に必要なエレメントであり
、このインバータでは、図５ａに示すように、Ｎ型チャネルと疑似Ｐ型チャネル
・ナノスイッチとのゲートとが、同じ負のＶＧスイッチング信号と一緒に接続さ
れる。本実施例では、開始ナノチューブ１７１は、上述した材料である、十分な
電子親和力を持つ開始障壁材料層１７３によって被膜されて、ゼロ外部電位バイ
アスで開始ナノチューブ１７１からキャリアの空乏化が行われる。次いで、図５
ａに例示されているように、この開始障壁材料層１７３上に好適な横幅のマスキ
ング用ダミー・ナノチューブ１７５が配置される。次いで、特定イオンのイオン
打込みが行われて、開始障壁材料層１７３は第２の電子親和力(χｂ２)を持つ第
２の障壁材料層１７４に変換される。この第２の電子親和力は、マスクされてい
ない部分において、上述のようにゼロ・バイアス電位で導電性ナノチューブ１７
１からキャリアを空乏化するには不十分である。この第２の障壁材料層１７４は
、導電性ナノチューブ１７１を完全に取り囲む、あるいは、少なくともほぼ取り
囲むことが望ましいので、回転軸として導電性ナノチューブ１７１の縦軸を用い
て１８０°のアークでイオン・ソースを移動させることによりこの取り囲みを行
うことができる。このように、マスクとして一時ナノチューブ１７５を用いるこ
とにより、また、このような１８０°のアークで所望のイオンを打込むことによ
り、最初の障壁材料層１７３のほとんど全てのマスクされていない部分が新しい
材料１７４へ変換される。これを示す１つの特別の例として、上述したように、
導電性ナノチューブ１７１からキャリアを空乏化するのに十分な電子親和力(χ
ｂ)を持つ開始障壁材料１７３として非補償ＳｉＯ２を利用する例があり、これ
についてはすでに述べた。次いで、水素(Ｈ＋)またはフッ素(Ｆ−)イオンがマス
クされていない部分へ打ち込まれ、従来のシリコン処理の場合のように適切に熱
処理された場合、すでに説明したように、その障壁材料部分１７４は、導電性ナ
ノチューブ１７１からキャリアを空乏化するには不十分な第２の電子親和力(χ
ｂ２)を持つことになる。この場合、障壁材料層１７３と１７４とは異なる表面
属性を持つ絶縁体であるため、これらの障壁材料層は検出が可能であり、これら
２つの層間の変化は、図５ｂに例示されているように、トンネル型電子顕微鏡(
“ＴＥＭ”)のプローブ１７６によって検出が可能である。このようなプローブ
に印加された電圧が印加電圧パルス(４ボルト未満等)に応じて、高い十分な電場
を発生させて図５ｂに図示のように、この変化部分１７８で絶縁体１７３−１７
４を取り除くことができることは当業において公知である。次いで、導電性被覆
部１７７によってこのアセンブリ全体を被覆し、図５ｃに示すように、プローブ
１７６が変化部分１７８を再び検出できる所までＴＥＭプローブを戻して、電圧
パルスを用いてこの導電被覆部のこの部分１７８をブラストすることが可能であ
る。次いで、導電性ナノチューブ１７１にバイアスをかけ、電子エッチング浴(e
lectroetchive bath)の中へチューブ・アセンブリを入れ、１７１と直接接触す
る導電層１７７の部分のエッチングを最初に行って取り除き、図５ｄに図示のよ
うに障壁材料部分１７３と１７４とにわたって導電性被覆部１７７だけを残すよ
うにすることができる。この処理の１つの代替変更例として、最初の障壁材料１
７３用として適切なショットキー形成金属を利用する例がある。次いで、ここで
、図５ａの照射部分１７３の中へ別のタイプの金属イオンを打込み、この照射部
分１７３の合金構成を変更することが可能となる。ゲーティング部材１７０は図
３ａ−４ｂの１５０と１５０'に対応し、このゲーティング部材１７０によって
、導電性オーバーレイ１７７の同一の広がりを持つ性質に起因して、Ｎチャネル
型の空乏モード・ナノスイッチ１７１−１７４−１７７と、疑似Ｐ型チャネル型
の拡張モード・ナノスイッチ１７１−１７３−１７７との共通ゲートが形成され
る。したがって、図５ｅで、導電性ナノチューブ１７９は、Ｐ型チャネルとＮ型
チャネルのデバイス間のノードで導電性ナノチューブ１７１と接触し、インバー
タの出力信号を形成し、導体１７７は共通ゲーティング接続部を形成し、ゲーテ
ィング部材１７０は信号入力部を形成する。このようにして、導体部材のドーピ
ングを一切行わずに、同一タイプの導電性ナノチューブ１７０のすべてを用いて
非常にコンパクトな疑似ＣＭＯＳタイプのインバータの作製が可能となり、さら
に、非常にコンパクトな構成で、約５０Å程度までに全体の長さを保ちながら、
該インバータの作製が可能となる。
ノチューブ・スイッチング・ペア・インバータの形成に必要なエレメントであり
、このインバータでは、図５ａに示すように、Ｎ型チャネルと疑似Ｐ型チャネル
・ナノスイッチとのゲートとが、同じ負のＶＧスイッチング信号と一緒に接続さ
れる。本実施例では、開始ナノチューブ１７１は、上述した材料である、十分な
電子親和力を持つ開始障壁材料層１７３によって被膜されて、ゼロ外部電位バイ
アスで開始ナノチューブ１７１からキャリアの空乏化が行われる。次いで、図５
ａに例示されているように、この開始障壁材料層１７３上に好適な横幅のマスキ
ング用ダミー・ナノチューブ１７５が配置される。次いで、特定イオンのイオン
打込みが行われて、開始障壁材料層１７３は第２の電子親和力(χｂ２)を持つ第
２の障壁材料層１７４に変換される。この第２の電子親和力は、マスクされてい
ない部分において、上述のようにゼロ・バイアス電位で導電性ナノチューブ１７
１からキャリアを空乏化するには不十分である。この第２の障壁材料層１７４は
、導電性ナノチューブ１７１を完全に取り囲む、あるいは、少なくともほぼ取り
囲むことが望ましいので、回転軸として導電性ナノチューブ１７１の縦軸を用い
て１８０°のアークでイオン・ソースを移動させることによりこの取り囲みを行
うことができる。このように、マスクとして一時ナノチューブ１７５を用いるこ
とにより、また、このような１８０°のアークで所望のイオンを打込むことによ
り、最初の障壁材料層１７３のほとんど全てのマスクされていない部分が新しい
材料１７４へ変換される。これを示す１つの特別の例として、上述したように、
導電性ナノチューブ１７１からキャリアを空乏化するのに十分な電子親和力(χ
ｂ)を持つ開始障壁材料１７３として非補償ＳｉＯ２を利用する例があり、これ
についてはすでに述べた。次いで、水素(Ｈ＋)またはフッ素(Ｆ−)イオンがマス
クされていない部分へ打ち込まれ、従来のシリコン処理の場合のように適切に熱
処理された場合、すでに説明したように、その障壁材料部分１７４は、導電性ナ
ノチューブ１７１からキャリアを空乏化するには不十分な第２の電子親和力(χ
ｂ２)を持つことになる。この場合、障壁材料層１７３と１７４とは異なる表面
属性を持つ絶縁体であるため、これらの障壁材料層は検出が可能であり、これら
２つの層間の変化は、図５ｂに例示されているように、トンネル型電子顕微鏡(
“ＴＥＭ”)のプローブ１７６によって検出が可能である。このようなプローブ
に印加された電圧が印加電圧パルス(４ボルト未満等)に応じて、高い十分な電場
を発生させて図５ｂに図示のように、この変化部分１７８で絶縁体１７３−１７
４を取り除くことができることは当業において公知である。次いで、導電性被覆
部１７７によってこのアセンブリ全体を被覆し、図５ｃに示すように、プローブ
１７６が変化部分１７８を再び検出できる所までＴＥＭプローブを戻して、電圧
パルスを用いてこの導電被覆部のこの部分１７８をブラストすることが可能であ
る。次いで、導電性ナノチューブ１７１にバイアスをかけ、電子エッチング浴(e
lectroetchive bath)の中へチューブ・アセンブリを入れ、１７１と直接接触す
る導電層１７７の部分のエッチングを最初に行って取り除き、図５ｄに図示のよ
うに障壁材料部分１７３と１７４とにわたって導電性被覆部１７７だけを残すよ
うにすることができる。この処理の１つの代替変更例として、最初の障壁材料１
７３用として適切なショットキー形成金属を利用する例がある。次いで、ここで
、図５ａの照射部分１７３の中へ別のタイプの金属イオンを打込み、この照射部
分１７３の合金構成を変更することが可能となる。ゲーティング部材１７０は図
３ａ−４ｂの１５０と１５０'に対応し、このゲーティング部材１７０によって
、導電性オーバーレイ１７７の同一の広がりを持つ性質に起因して、Ｎチャネル
型の空乏モード・ナノスイッチ１７１−１７４−１７７と、疑似Ｐ型チャネル型
の拡張モード・ナノスイッチ１７１−１７３−１７７との共通ゲートが形成され
る。したがって、図５ｅで、導電性ナノチューブ１７９は、Ｐ型チャネルとＮ型
チャネルのデバイス間のノードで導電性ナノチューブ１７１と接触し、インバー
タの出力信号を形成し、導体１７７は共通ゲーティング接続部を形成し、ゲーテ
ィング部材１７０は信号入力部を形成する。このようにして、導体部材のドーピ
ングを一切行わずに、同一タイプの導電性ナノチューブ１７０のすべてを用いて
非常にコンパクトな疑似ＣＭＯＳタイプのインバータの作製が可能となり、さら
に、非常にコンパクトな構成で、約５０Å程度までに全体の長さを保ちながら、
該インバータの作製が可能となる。
【００３７】 図５ｅのこのＣＭＯＳ様ナノインバータを用いて、クロス接合されたナノマル
チバイブレータ(ＮＭＶ、フリップ・フロップ)を形成することは簡単である。図
５ｅの構成のナノインバータのうちの２つを採って、それらのうちの一方をもう
一方に対して１８０°回転させ、図６ａに図示のように、ゲーティングと出力部
との接続の位置合わせを行うようにすることができる。この場合、左側に在るナ
ノインバータは図５ｅのインバータと同じ名称を有する。右側に在る回転された
ナノインバータもプライム記号(')が付けられているだけで、同じ名称を持つ。
したがって、左側に在るナノインバータの入力側導電性ナノチューブ１７０は、
右側に在るナノインバータの共通ノードと接続され、次いで、１７９'と単一の
導電性ナノチューブ１７０−１７９'とによってこの必須のクロス−接合が形成
される。同様にし、左側のナノインバータの共通ノード接続部１７９は右側に在
るナノインバータの出力ゲーティング１７０'と接続されたクロス−接合である
。“−Ｖ”と接地電位という用語は、様々な領域に対する電位を示すために用い
られるが、それぞれ接地電位と＋Ｖと同等のものと考えることができるという点
に留意されたい。これは、“接地電位”の名称の選択の変更にすぎない。ゲーテ
ィング電圧は、所望のスイッチングを達成するためにこの場合負であるため、第
１の名称である接地電位と−Ｖのほうがより正確であろう。しかし、従来の工学
では、ＣＭＯＳインバータ等に対して＋Ｖと接地電位という用語が用いられてき
たので、この名称も同じ意味で使用することができる。
チバイブレータ(ＮＭＶ、フリップ・フロップ)を形成することは簡単である。図
５ｅの構成のナノインバータのうちの２つを採って、それらのうちの一方をもう
一方に対して１８０°回転させ、図６ａに図示のように、ゲーティングと出力部
との接続の位置合わせを行うようにすることができる。この場合、左側に在るナ
ノインバータは図５ｅのインバータと同じ名称を有する。右側に在る回転された
ナノインバータもプライム記号(')が付けられているだけで、同じ名称を持つ。
したがって、左側に在るナノインバータの入力側導電性ナノチューブ１７０は、
右側に在るナノインバータの共通ノードと接続され、次いで、１７９'と単一の
導電性ナノチューブ１７０−１７９'とによってこの必須のクロス−接合が形成
される。同様にし、左側のナノインバータの共通ノード接続部１７９は右側に在
るナノインバータの出力ゲーティング１７０'と接続されたクロス−接合である
。“−Ｖ”と接地電位という用語は、様々な領域に対する電位を示すために用い
られるが、それぞれ接地電位と＋Ｖと同等のものと考えることができるという点
に留意されたい。これは、“接地電位”の名称の選択の変更にすぎない。ゲーテ
ィング電圧は、所望のスイッチングを達成するためにこの場合負であるため、第
１の名称である接地電位と−Ｖのほうがより正確であろう。しかし、従来の工学
では、ＣＭＯＳインバータ等に対して＋Ｖと接地電位という用語が用いられてき
たので、この名称も同じ意味で使用することができる。
【００３８】 最初の導電性ナノチューブ１７１用として(１０,１０)金属ナノチューブを用
い、約３０Åの厚さの障壁層１７３−１７４と、約１０Åの最終導電性被覆部１
７７とを加えた場合、図５ｅのインバータは約５０Åの直径を持つことになり、
長さを約５０Åにすることができる。２つのナノインバータ間の間隔を約１５Å
と仮定すると、ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)の場合、総面積で約１３０Å×
７５Åのセル・ピッチ(約１００ｎｍ２)が生じる。これはおそらく体積では現在
製造されているいずれのマルチバイブレータより１０８分の一小さなものとなる
。
い、約３０Åの厚さの障壁層１７３−１７４と、約１０Åの最終導電性被覆部１
７７とを加えた場合、図５ｅのインバータは約５０Åの直径を持つことになり、
長さを約５０Åにすることができる。２つのナノインバータ間の間隔を約１５Å
と仮定すると、ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)の場合、総面積で約１３０Å×
７５Åのセル・ピッチ(約１００ｎｍ２)が生じる。これはおそらく体積では現在
製造されているいずれのマルチバイブレータより１０８分の一小さなものとなる
。
【００３９】 ナノマルチバイブレータの性能推定値を出すことが可能である。W. Scott著“
電気と磁気”(著作権 １９６６年、第２版、ニューヨーク、pp.１６３〜１６５
)等に示されているように、導体基板上の導電性ワイヤのキャパシタンス(Ｃ)を
Ｃ＝２πε０Ｌ／ｌｎ{(ｄ＋(ｄ２−Ｒ２)１/２)／Ｒ} (但し、ε０＝８.８５×１０−１２Ｆ／ｍ、ｄ≒２５Åは導体軸線から平面まで
の距離、Ｒ＝６.５Åは導体半径)、ナノインバータの長さを≒５０Å、および、
もう一方のインバータまでの出力側の長さを≒１３０Åと仮定すると、１つのナ
ノインバータ・ノードの総キャパシタンス(Ｃ)は、Ｃ≒２×１０−１８Ｆとなる
。このようなナノチューブ導体の検査抵抗が巨視的平均値で４００〜７５０Ω／
Åの長さの範囲内にあることを考慮すると、１８０Åの総インバータおよび出力
抵抗の長さは、結果として、ＲＣ≒−０.１〜−０.３×１０−１２秒のオーダー
で、すなわちサブ・ピコ秒の範囲でＲＣ時定数となり、現在のシリコン半導体デ
バイスよりいくぶん高速になる。この推測値は、１９９９年のI.S.S.C.C.(国際
固体素子回路会議)での、類似の構造についてのA. Johnsonの計算および他の人
々の計算によって独立に確証された値である。
電気と磁気”(著作権 １９６６年、第２版、ニューヨーク、pp.１６３〜１６５
)等に示されているように、導体基板上の導電性ワイヤのキャパシタンス(Ｃ)を
Ｃ＝２πε０Ｌ／ｌｎ{(ｄ＋(ｄ２−Ｒ２)１/２)／Ｒ} (但し、ε０＝８.８５×１０−１２Ｆ／ｍ、ｄ≒２５Åは導体軸線から平面まで
の距離、Ｒ＝６.５Åは導体半径)、ナノインバータの長さを≒５０Å、および、
もう一方のインバータまでの出力側の長さを≒１３０Åと仮定すると、１つのナ
ノインバータ・ノードの総キャパシタンス(Ｃ)は、Ｃ≒２×１０−１８Ｆとなる
。このようなナノチューブ導体の検査抵抗が巨視的平均値で４００〜７５０Ω／
Åの長さの範囲内にあることを考慮すると、１８０Åの総インバータおよび出力
抵抗の長さは、結果として、ＲＣ≒−０.１〜−０.３×１０−１２秒のオーダー
で、すなわちサブ・ピコ秒の範囲でＲＣ時定数となり、現在のシリコン半導体デ
バイスよりいくぶん高速になる。この推測値は、１９９９年のI.S.S.C.C.(国際
固体素子回路会議)での、類似の構造についてのA. Johnsonの計算および他の人
々の計算によって独立に確証された値である。
【００４０】 図６ａに示されるようなこのような複数のナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)を
容易に鎖状に結合して、カウントダウン周波数分割器を形成することが可能とな
る。図６ａの基本設計を採用して、鏡像構成の隣接するマルチバイブレータ・ユ
ニットを形成した場合、図６ｂに示すような、複数の鏡像反転ナノマルチバイブ
レータ(ＮＭＶ')を備えた、同一の電源接続部を持つ類似のペアの隣接する導電
性ナノチューブが、端部のナノインバータを除いてカウントダウン・チェーンの
形で結果として得られる。次いで、ノードと入力／出力接続に対応する領域にわ
たって２つの長い導電性ナノチューブ１９０と１９０'とを配置することができ
る。各ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)用クロス−接合接続を形成するためには
、ＴＥＭプローブを元に戻して、導電性ナノチューブ１９０と１９０'との間を
４スペース毎進み、ナノチューブ１９０、１９０'をそのポイントで切断するの
に十分な４〜６.５ボルトの範囲の電圧をそのスペースに印加するだけでよい。L
. Venema他著“走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造による個々のカーボン・
ナノチューブの長さ制御”(“応用物理学レターズ”、Vol.７１、No.１８、１９
９７年１１月３日、pp.２６２９−２６３１)等を参照されたい。この切断は図中
“Ｘ”でマークされている。短いセクションのナノチューブを形成して１９０、
１９０'に対応するクロス−接合接続を形成する代わりに、単一の長いセクショ
ンを使用し、望み通りに、また、指示通りに元の位置で切断を行うことが可能で
ある。したがって、入力側に入力信号を印加し、適切な電源電圧を印加すること
により、今日のいずれの技術を用いても可能なものよりはるかに狭い空間内にナ
ノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)周波数分割チェーン構成の配設が可能となる。
容易に鎖状に結合して、カウントダウン周波数分割器を形成することが可能とな
る。図６ａの基本設計を採用して、鏡像構成の隣接するマルチバイブレータ・ユ
ニットを形成した場合、図６ｂに示すような、複数の鏡像反転ナノマルチバイブ
レータ(ＮＭＶ')を備えた、同一の電源接続部を持つ類似のペアの隣接する導電
性ナノチューブが、端部のナノインバータを除いてカウントダウン・チェーンの
形で結果として得られる。次いで、ノードと入力／出力接続に対応する領域にわ
たって２つの長い導電性ナノチューブ１９０と１９０'とを配置することができ
る。各ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)用クロス−接合接続を形成するためには
、ＴＥＭプローブを元に戻して、導電性ナノチューブ１９０と１９０'との間を
４スペース毎進み、ナノチューブ１９０、１９０'をそのポイントで切断するの
に十分な４〜６.５ボルトの範囲の電圧をそのスペースに印加するだけでよい。L
. Venema他著“走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造による個々のカーボン・
ナノチューブの長さ制御”(“応用物理学レターズ”、Vol.７１、No.１８、１９
９７年１１月３日、pp.２６２９−２６３１)等を参照されたい。この切断は図中
“Ｘ”でマークされている。短いセクションのナノチューブを形成して１９０、
１９０'に対応するクロス−接合接続を形成する代わりに、単一の長いセクショ
ンを使用し、望み通りに、また、指示通りに元の位置で切断を行うことが可能で
ある。したがって、入力側に入力信号を印加し、適切な電源電圧を印加すること
により、今日のいずれの技術を用いても可能なものよりはるかに狭い空間内にナ
ノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)周波数分割チェーン構成の配設が可能となる。
【００４１】 パワー・デバイスが電子装置産業において重要な役割を果たしていること、ま
た、非常に高いスイッチング・スルー・レートを持つデバイスが電気通信および
送電のような領域で現在きわめて有用であることが理解できる。図４ａと４ｂの
疑似Ｐ型チャネル・デバイスの設計を使用することにより、パワー・デバイスの
適合を容易に行うことが可能となる。
た、非常に高いスイッチング・スルー・レートを持つデバイスが電気通信および
送電のような領域で現在きわめて有用であることが理解できる。図４ａと４ｂの
疑似Ｐ型チャネル・デバイスの設計を使用することにより、パワー・デバイスの
適合を容易に行うことが可能となる。
【００４２】 導電性ナノチューブの利用により、上記のような提案されたパワー・デバイス
について従来のシリコン技術に関連する問題点を全く伴わないすべての利点を持
つようにすることが可能となる。真の金属、半金属、または、半導体のいずれで
あるかを問わず、数個、数ダース、数百、数百万、数千億の範囲の複数の導電性
ナノチューブを並列に配置し、適切にゲートし、パワー・デバイスの構成を行う
ことが可能となる。図４ａと４ｂのゲーティング部材１５０'の主目的は単一の
導電性ナノチューブ１５１'に電位を供給することである。単に、共通のゲーテ
ィングと、共通の端接続とに並列に複数のナノスイッチ・チューブをまとめて接
続することにより、低下したオン抵抗と増加したパワー処理能力とを持つナノス
イッチが実現可能となる。図８ａの非常に大きなパワー・デバイスの実施例では
、パワー・デバイスを通じて巨視的にゲーティングを行う必要があるので、図４
ａと４ｂのゲーティング部材１５０'に対する特定の限定や制約の多くを緩和す
ることができる。
について従来のシリコン技術に関連する問題点を全く伴わないすべての利点を持
つようにすることが可能となる。真の金属、半金属、または、半導体のいずれで
あるかを問わず、数個、数ダース、数百、数百万、数千億の範囲の複数の導電性
ナノチューブを並列に配置し、適切にゲートし、パワー・デバイスの構成を行う
ことが可能となる。図４ａと４ｂのゲーティング部材１５０'の主目的は単一の
導電性ナノチューブ１５１'に電位を供給することである。単に、共通のゲーテ
ィングと、共通の端接続とに並列に複数のナノスイッチ・チューブをまとめて接
続することにより、低下したオン抵抗と増加したパワー処理能力とを持つナノス
イッチが実現可能となる。図８ａの非常に大きなパワー・デバイスの実施例では
、パワー・デバイスを通じて巨視的にゲーティングを行う必要があるので、図４
ａと４ｂのゲーティング部材１５０'に対する特定の限定や制約の多くを緩和す
ることができる。
【００４３】 非常に大きなパワー・デバイス構造のための図４ａと４ｂのナノスイッチのこ
の改変が以下図７から図示されている。導電性ナノチューブ２４１は、それが真
の金属、半金属、あるいは半導体からなるナノチューブのいずれであるかを問わ
ず、障壁材料２４３と導電性材料２４７とによって取り囲まれる。障壁材料２４
３が導体である場合、導電性ナノチューブ２４１の両端において２４３と導電性
材料２４７(使用されている場合)とには好適に凹部が設けられる。また別様に、
障壁材料２４３が誘電絶縁体である場合、導電性ナノチューブ２４１の端部と同
一平面に２４３を設けることが可能である。図４ａと４ｂの実施例の場合と同じ
ように、障壁材料２４３は、任意の種類の材料とドーピングから成る、III-VとI
I-VIを含む任意のショットキー形成材料、絶縁体、もしくは半導体材料であって
もよい。その結果、障壁材料２４３の電子親和力(χｂ)は、ゼロ・ゲーティング
電位ＶＧで導電性ナノチューブ２４１を空乏化するあるいは少なくとも部分的に
空乏化できるほど十分になり、その一方でゲーティング制御電圧ＶＧに対して使
用可能なゲーティング機能を行うために十分な高さのゲーティング障壁が設けら
れる。導電性材料２４７は、障壁材料２４３に対してゲーティング電位面を提供
するだけで十分であり、場合によっては障壁材料２４３の一部であってもよい。
唯一の要件として、導電性材料２４７あるいは障壁材料２４３は、単独で用いら
れる場合、ゲーティング信号ＶＧに対して比較的低いゲーティングＲＣ時定数を
与えることができるほど十分な導電性を有すること、および、ショットキー障壁
が選択された場合、ショットキー障壁材料の一部を形成できることが挙げられる
。しかし、以下に別個に図示するように、このＲＣ時定数要件さえも補償して、
非常に大きなパワー・デバイス内で任意の同様のＲＣ時定数遅延を同様に有効に
取り消して、パワースイッチのすべてのエレメントが同じ瞬間に完全にスイッチ
ングを行い、それによって前例のない高いスイッチング・スルー・レートのパワ
ー・スイッチを設けることが可能となる。
の改変が以下図７から図示されている。導電性ナノチューブ２４１は、それが真
の金属、半金属、あるいは半導体からなるナノチューブのいずれであるかを問わ
ず、障壁材料２４３と導電性材料２４７とによって取り囲まれる。障壁材料２４
３が導体である場合、導電性ナノチューブ２４１の両端において２４３と導電性
材料２４７(使用されている場合)とには好適に凹部が設けられる。また別様に、
障壁材料２４３が誘電絶縁体である場合、導電性ナノチューブ２４１の端部と同
一平面に２４３を設けることが可能である。図４ａと４ｂの実施例の場合と同じ
ように、障壁材料２４３は、任意の種類の材料とドーピングから成る、III-VとI
I-VIを含む任意のショットキー形成材料、絶縁体、もしくは半導体材料であって
もよい。その結果、障壁材料２４３の電子親和力(χｂ)は、ゼロ・ゲーティング
電位ＶＧで導電性ナノチューブ２４１を空乏化するあるいは少なくとも部分的に
空乏化できるほど十分になり、その一方でゲーティング制御電圧ＶＧに対して使
用可能なゲーティング機能を行うために十分な高さのゲーティング障壁が設けら
れる。導電性材料２４７は、障壁材料２４３に対してゲーティング電位面を提供
するだけで十分であり、場合によっては障壁材料２４３の一部であってもよい。
唯一の要件として、導電性材料２４７あるいは障壁材料２４３は、単独で用いら
れる場合、ゲーティング信号ＶＧに対して比較的低いゲーティングＲＣ時定数を
与えることができるほど十分な導電性を有すること、および、ショットキー障壁
が選択された場合、ショットキー障壁材料の一部を形成できることが挙げられる
。しかし、以下に別個に図示するように、このＲＣ時定数要件さえも補償して、
非常に大きなパワー・デバイス内で任意の同様のＲＣ時定数遅延を同様に有効に
取り消して、パワースイッチのすべてのエレメントが同じ瞬間に完全にスイッチ
ングを行い、それによって前例のない高いスイッチング・スルー・レートのパワ
ー・スイッチを設けることが可能となる。
【００４４】 言うまでもなく、カーボン・ナノチューブをつくる多くの異なる方法が存在し
、本発明はそのような工程それ自体を目的とするものではないが、これらの工程
の中のいくつかは結果としてナノチューブの絡み合ったロープを生みだし、これ
らの工程は本発明のほとんどに関して直接適用可能なものではない。しかし、本
発明のすべてのモードに対してここで実施される大きな応用性を持つ互換性のあ
る工程の１例として、サイエンス(Vol.２８２、No.５３９１、１９９８年１１月
６日、pp.１１０５−１１０７)に記載されているような、Z. Ren他、“ガラス上
に良好に位置合わせしたカーボン・ナノチューブの大きな配列の合成”の例があ
る。この例の場合、独立の位置合わせを行った離間配置されたカーボン・ナノチ
ューブのニッケル被覆したガラス基板上に一度に数平方センチメートルまで成長
が行われる。特に上記文献の図３ｂは離間して配置されたナノ電柱の森を図示す
る。この特別の工程は分離したナノチューブを有し、本明細書で使用されるよう
な様々な誘電材料、半導体および導電性材料のための化学蒸着(“ＣＶＤ”)技術
等の標準的シリコン処理技術を可能にする。従来のシリコン技術を用いてチュー
ブを処理できるようにするために、ナノチューブの個々の形成を行ういずれの従
来技術による方法もこの場合適用可能である。このようなナノチューブの作成方
法を利用することにより、まったく従来のシリコン処理技術を用いて、カーボン
導電性ナノチューブ２４１の表面上に非補償ＳｉＯ２またはＳｉＯＸ障壁材料２
４３などを後で形成することが可能となる。
、本発明はそのような工程それ自体を目的とするものではないが、これらの工程
の中のいくつかは結果としてナノチューブの絡み合ったロープを生みだし、これ
らの工程は本発明のほとんどに関して直接適用可能なものではない。しかし、本
発明のすべてのモードに対してここで実施される大きな応用性を持つ互換性のあ
る工程の１例として、サイエンス(Vol.２８２、No.５３９１、１９９８年１１月
６日、pp.１１０５−１１０７)に記載されているような、Z. Ren他、“ガラス上
に良好に位置合わせしたカーボン・ナノチューブの大きな配列の合成”の例があ
る。この例の場合、独立の位置合わせを行った離間配置されたカーボン・ナノチ
ューブのニッケル被覆したガラス基板上に一度に数平方センチメートルまで成長
が行われる。特に上記文献の図３ｂは離間して配置されたナノ電柱の森を図示す
る。この特別の工程は分離したナノチューブを有し、本明細書で使用されるよう
な様々な誘電材料、半導体および導電性材料のための化学蒸着(“ＣＶＤ”)技術
等の標準的シリコン処理技術を可能にする。従来のシリコン技術を用いてチュー
ブを処理できるようにするために、ナノチューブの個々の形成を行ういずれの従
来技術による方法もこの場合適用可能である。このようなナノチューブの作成方
法を利用することにより、まったく従来のシリコン処理技術を用いて、カーボン
導電性ナノチューブ２４１の表面上に非補償ＳｉＯ２またはＳｉＯＸ障壁材料２
４３などを後で形成することが可能となる。
【００４５】 実際には、数個から、数ダース、数百、数百万、数１０億までの任意の数のこ
れらの導電性ナノチューブ２４１が一緒に集束されて１つのバンドルにされる。
Z. Ren他の上掲書の方法、あるいは、同様のいずれかの方法を用いる場合、様々
な蒸着を行った後、チューブが形成されている基板からこれらのチューブをスラ
イスしたり回収したりして、これらのチューブから成る位置合わせを行ったサブ
・バンドルまたはサブ・バンドルのグループをつくり、さらなる集束化と統合化
とを行うようにすることは簡単である。各導電性ナノチューブ２４１の外側導体
２４７が金やその他の非常に高い導電性を持つ材料で作られている場合、これら
の導電性ナノチューブ２４１を一緒に形成して、導電性ナノチューブのそれぞれ
の端部を接続した１つのバンドルまたはサブ・バンドル・グループにすることが
可能である。大きな、非常に高いパワーのデバイス用として、例示を目的として
示されている図８に図示の大きな巨視的バンドルの使用が可能である。この図で
は、導電性ナノチューブ２４１からなる集束されたバンドル２５１用の“ハンバ
ーガー(hockey puck)"型の形状のハウジングが図示されている。なぜならこの形
状が普通のパワー・デバイス・パッケージであるからである。疑似Ｐ型チャネル
拡張機能モード・パワー・ナノスイッチ・デバイス２５９は、導電性ナノチュー
ブ２４１から成る集束されたバンドル２５１と、すべての導電性ナノチューブ２
４１のすべての導体部分２４７を第１の共通端子と接続する外側ゲーティング電
極帯２５０を備える。導電性ナノチューブ２５１のバンドルとの接触部からいく
ぶん持ち上げられて図示されている上部導電性プレート２５８と、下部導電性プ
レート２５７とは、導電性ナノチューブ２５１のバンドルの頂面と底面の双方、
および、その露出した両端部と接触する。図７に図示のような各導電性ナノチュ
ーブ・アセンブリの最終的直径が６０Åのオーダーである場合、４インチ(１０
０ｍｍ)の直径の“ハンバーガー(puck)”内に約２.４８×１０１４の導電性ナノ
チューブを要する７.８×１０１２Å２の面積のバンドルが生じることになる。
使用可能な長さの導電性ナノチューブがメグオーム(１０６Ω)のオーダーで個々
の抵抗値を持っているという点で、従来技術のナノトランジスタの抵抗値が正確
である場合、このＰ型チャネルのパワー・ナノスイッチは４.０×１０−７Ωの
オン抵抗値を有することになる。１０００００アンペア(１０５Å)の伝導に対し
て、ナノスイッチの両端にわたる電圧降下は４ＫＷのワット損を使うだけで０.
０４Ｖとなり、これは比較可能な従来のいずれのソリッド・ステート・スイッチ
ング・デバイスによる達成可能値よりもはるかに低い値である。さらに、本発明
の疑似Ｐ型チャネル拡張モードのパワー・ナノスイッチは左右対称であるため、
ＡＣ電流並びにＤＣ電流で使用可能であり、“ターンオフ”ラッチング問題が生
じない。これはシリコン・パワースイッチでは一般に見られない１つの特徴であ
る。したがってこの疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチは送電及び変電の
目的のために有用なものとなる可能性がある。
れらの導電性ナノチューブ２４１が一緒に集束されて１つのバンドルにされる。
Z. Ren他の上掲書の方法、あるいは、同様のいずれかの方法を用いる場合、様々
な蒸着を行った後、チューブが形成されている基板からこれらのチューブをスラ
イスしたり回収したりして、これらのチューブから成る位置合わせを行ったサブ
・バンドルまたはサブ・バンドルのグループをつくり、さらなる集束化と統合化
とを行うようにすることは簡単である。各導電性ナノチューブ２４１の外側導体
２４７が金やその他の非常に高い導電性を持つ材料で作られている場合、これら
の導電性ナノチューブ２４１を一緒に形成して、導電性ナノチューブのそれぞれ
の端部を接続した１つのバンドルまたはサブ・バンドル・グループにすることが
可能である。大きな、非常に高いパワーのデバイス用として、例示を目的として
示されている図８に図示の大きな巨視的バンドルの使用が可能である。この図で
は、導電性ナノチューブ２４１からなる集束されたバンドル２５１用の“ハンバ
ーガー(hockey puck)"型の形状のハウジングが図示されている。なぜならこの形
状が普通のパワー・デバイス・パッケージであるからである。疑似Ｐ型チャネル
拡張機能モード・パワー・ナノスイッチ・デバイス２５９は、導電性ナノチュー
ブ２４１から成る集束されたバンドル２５１と、すべての導電性ナノチューブ２
４１のすべての導体部分２４７を第１の共通端子と接続する外側ゲーティング電
極帯２５０を備える。導電性ナノチューブ２５１のバンドルとの接触部からいく
ぶん持ち上げられて図示されている上部導電性プレート２５８と、下部導電性プ
レート２５７とは、導電性ナノチューブ２５１のバンドルの頂面と底面の双方、
および、その露出した両端部と接触する。図７に図示のような各導電性ナノチュ
ーブ・アセンブリの最終的直径が６０Åのオーダーである場合、４インチ(１０
０ｍｍ)の直径の“ハンバーガー(puck)”内に約２.４８×１０１４の導電性ナノ
チューブを要する７.８×１０１２Å２の面積のバンドルが生じることになる。
使用可能な長さの導電性ナノチューブがメグオーム(１０６Ω)のオーダーで個々
の抵抗値を持っているという点で、従来技術のナノトランジスタの抵抗値が正確
である場合、このＰ型チャネルのパワー・ナノスイッチは４.０×１０−７Ωの
オン抵抗値を有することになる。１０００００アンペア(１０５Å)の伝導に対し
て、ナノスイッチの両端にわたる電圧降下は４ＫＷのワット損を使うだけで０.
０４Ｖとなり、これは比較可能な従来のいずれのソリッド・ステート・スイッチ
ング・デバイスによる達成可能値よりもはるかに低い値である。さらに、本発明
の疑似Ｐ型チャネル拡張モードのパワー・ナノスイッチは左右対称であるため、
ＡＣ電流並びにＤＣ電流で使用可能であり、“ターンオフ”ラッチング問題が生
じない。これはシリコン・パワースイッチでは一般に見られない１つの特徴であ
る。したがってこの疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチは送電及び変電の
目的のために有用なものとなる可能性がある。
【００４６】 さらに、このデバイスのゲーティング・スルー・レートは、一次近似によって
、個々の導電性ナノチューブ２４１の特性に基づき極めて急勾配になることが一
般に予想される。しかし、ゲーティング・リング２５０とつながる第１のゲーテ
ィング端子Ｇ１が、導電性バンドル２５１からオフセットされるので、固有のも
のとして、デバイス全体にわたって２５０の第１のゲーティング端子Ｇ１から導
電性ナノチューブ２４１の個々の部材へのゲーティング信号パルス送信の横方向
の非対称並びに半径方向の非対称が生じることになる。このことは図９ａに図示
されている。この図では、ターンオン・ゲーティング信号Ｇ１は、無限のスルー
・レートではなく、実際には有限のスルー・レートを持つように実現されている
。第１のゲーティング端子Ｇ１の中を通ってゲーティング・リング２５０のゲー
ティング用入力部に印加される有限のスルー・レート・ゲーティング信号は、最
も隣接する導電性ナノチューブ部材２４１１を取り囲む導電性材料２４７１の中
を通り抜ける必要がある。次いで、ターンオン・ゲーティング信号が、ナノチュ
ーブ２４１２を取り囲む導電性材料２４７２を介して導電性ナノチューブ２４１ ２ の次の隣接するセットへ送信される。２５０に入力される、第１のゲーティン
グＧ１に印加されるゲーティング信号は、次いで、ナノチューブの導電性材料２
４７３を介して、導電性ナノチューブ２４１３の次の隣接するセットへ送信され
、次いで導電性材料２４７４を介して導電性ナノチューブ２４１４の最も末端に
在るグループへ送信される等となる。ゲーティング・リング２５０が非常に高い
導電性を有する場合、最も電気的に末端に在る導電性ナノチューブ２４１４のグ
ループ化はハンバーガー・パッケージのほぼ中心で行われることになる。個々の
導電性ナノチューブ２４１のゲーティングは障壁材料２４３を含むので、２５０
およびＧ１とつながる導電性ナノチューブ２４１と第１のゲーティング回路との
間にキャパシタンスが固有のものとして常時存在することになる。したがって、
ゲーティング回路リング２５０のターンオン・ゲーティング・パルスの外部端子
Ｇ１への印加と、疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチ・アセンブリ２５９
の様々な部分への同パルスの送信との間に固有のものとしてＲＣ時定数遅延が常
時存在することになる。したがって、これらのナノスイッチが個々に示すことが
できる極端に高いスルー・レートは、このような実際的ゲーティングＲＣ時定数
注意項によって大きく弱められることになる。
、個々の導電性ナノチューブ２４１の特性に基づき極めて急勾配になることが一
般に予想される。しかし、ゲーティング・リング２５０とつながる第１のゲーテ
ィング端子Ｇ１が、導電性バンドル２５１からオフセットされるので、固有のも
のとして、デバイス全体にわたって２５０の第１のゲーティング端子Ｇ１から導
電性ナノチューブ２４１の個々の部材へのゲーティング信号パルス送信の横方向
の非対称並びに半径方向の非対称が生じることになる。このことは図９ａに図示
されている。この図では、ターンオン・ゲーティング信号Ｇ１は、無限のスルー
・レートではなく、実際には有限のスルー・レートを持つように実現されている
。第１のゲーティング端子Ｇ１の中を通ってゲーティング・リング２５０のゲー
ティング用入力部に印加される有限のスルー・レート・ゲーティング信号は、最
も隣接する導電性ナノチューブ部材２４１１を取り囲む導電性材料２４７１の中
を通り抜ける必要がある。次いで、ターンオン・ゲーティング信号が、ナノチュ
ーブ２４１２を取り囲む導電性材料２４７２を介して導電性ナノチューブ２４１ ２ の次の隣接するセットへ送信される。２５０に入力される、第１のゲーティン
グＧ１に印加されるゲーティング信号は、次いで、ナノチューブの導電性材料２
４７３を介して、導電性ナノチューブ２４１３の次の隣接するセットへ送信され
、次いで導電性材料２４７４を介して導電性ナノチューブ２４１４の最も末端に
在るグループへ送信される等となる。ゲーティング・リング２５０が非常に高い
導電性を有する場合、最も電気的に末端に在る導電性ナノチューブ２４１４のグ
ループ化はハンバーガー・パッケージのほぼ中心で行われることになる。個々の
導電性ナノチューブ２４１のゲーティングは障壁材料２４３を含むので、２５０
およびＧ１とつながる導電性ナノチューブ２４１と第１のゲーティング回路との
間にキャパシタンスが固有のものとして常時存在することになる。したがって、
ゲーティング回路リング２５０のターンオン・ゲーティング・パルスの外部端子
Ｇ１への印加と、疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチ・アセンブリ２５９
の様々な部分への同パルスの送信との間に固有のものとしてＲＣ時定数遅延が常
時存在することになる。したがって、これらのナノスイッチが個々に示すことが
できる極端に高いスルー・レートは、このような実際的ゲーティングＲＣ時定数
注意項によって大きく弱められることになる。
【００４７】 しかし、パワー・ナノスイッチ・ナノチューブの様々なセクションとグループ
の閾値の賢明な選択によって、本発明の時定数の影響の調整を行うことが可能で
あり、この調整の結果、第１の入力端子Ｇ１に最も隣接する導体ナノスイッチ・
セクション２４１１のスイッチング閾値Ｖｔｈ１が最高の閾値を持ち、次に最も
近い導体ナノスイッチ・セクション２４１２の閾値がより低いスイッチング閾値
Ｖｔｈ２を持つなどとなり、最後にＧ１において第１の入力ゲーティング信号に
対して最も電気的に末端に在る導体ナノスイッチ・セクション２４１４が最低の
閾値Ｖｔｈ４を持つようになる。作動中、有限のゲーティング電圧スルーランプ
の賢明な選択の結果として、２４１２におけるゲーティング電圧より高い２４１ １ における同時的ゲーティング電圧が得られる。２４１２におけるゲーティング
電圧は２４１３における電圧より大きく、２４１３におけるゲーティング電圧は
１つの特定時刻において２４１４での電圧より大きくなる。次いで、ゲーティン
グ・スルー・レート及び／又はゲーティング・スルー・レートの形状、及び、様
々な閾値の賢明な選択によって、すべての個々のナノチューブ・セクションが正
確に同時刻にスイッチ・オンになる。さらに、特定のデバイスに対するゲーティ
ング・スルー・レートとゲーティング・パルスの形状を調整して、様々なセクシ
ョン間の時差分を最少化し、それによってデバイスの最適化を行うことが可能と
なる。この図には、例示を目的として４つのセクションしか図示されていないが
、数百あるいは数千の任意の数のセクションを形成すること可能であり、それに
よって、任意の所望レベルまでゲーティングＲＣ時定数の調整と補償を行うよう
にすることが可能であることが理解できよう。このようにして、最終の疑似Ｐ型
チャネル・パワー・ナノスイッチ内で個々の導電性ナノチューブ・スイッチの極
端に高いスイッチング・スルー・レートを所望の任意のレベルにまで維持するこ
とが可能となる。次いで、これによって前例のないレベルを持つ電源スイッチが
形成される。
の閾値の賢明な選択によって、本発明の時定数の影響の調整を行うことが可能で
あり、この調整の結果、第１の入力端子Ｇ１に最も隣接する導体ナノスイッチ・
セクション２４１１のスイッチング閾値Ｖｔｈ１が最高の閾値を持ち、次に最も
近い導体ナノスイッチ・セクション２４１２の閾値がより低いスイッチング閾値
Ｖｔｈ２を持つなどとなり、最後にＧ１において第１の入力ゲーティング信号に
対して最も電気的に末端に在る導体ナノスイッチ・セクション２４１４が最低の
閾値Ｖｔｈ４を持つようになる。作動中、有限のゲーティング電圧スルーランプ
の賢明な選択の結果として、２４１２におけるゲーティング電圧より高い２４１ １ における同時的ゲーティング電圧が得られる。２４１２におけるゲーティング
電圧は２４１３における電圧より大きく、２４１３におけるゲーティング電圧は
１つの特定時刻において２４１４での電圧より大きくなる。次いで、ゲーティン
グ・スルー・レート及び／又はゲーティング・スルー・レートの形状、及び、様
々な閾値の賢明な選択によって、すべての個々のナノチューブ・セクションが正
確に同時刻にスイッチ・オンになる。さらに、特定のデバイスに対するゲーティ
ング・スルー・レートとゲーティング・パルスの形状を調整して、様々なセクシ
ョン間の時差分を最少化し、それによってデバイスの最適化を行うことが可能と
なる。この図には、例示を目的として４つのセクションしか図示されていないが
、数百あるいは数千の任意の数のセクションを形成すること可能であり、それに
よって、任意の所望レベルまでゲーティングＲＣ時定数の調整と補償を行うよう
にすることが可能であることが理解できよう。このようにして、最終の疑似Ｐ型
チャネル・パワー・ナノスイッチ内で個々の導電性ナノチューブ・スイッチの極
端に高いスイッチング・スルー・レートを所望の任意のレベルにまで維持するこ
とが可能となる。次いで、これによって前例のないレベルを持つ電源スイッチが
形成される。
【００４８】 絶縁体の厚さの変更や他の何らかの手段等の当業において公知の任意の手段に
より、様々なセクションのゲーティング閾値Ｖ０の制御を行うことが可能である
。障壁材料２４３用として絶縁体が選択された場合、バッチからバッチへ絶縁体
の厚さの変更が可能であり、その結果、単一のバッチ内では、任意の個々の導電
性ナノチューブ２４１の端から端まで、絶縁体の厚さは均一になり、また、特定
のバッチ内では個々の導電性ナノチューブ２４１から別の個々の導電性ナノチュ
ーブ２４１まで均一になる。非常に異なる属性を持つ導電性ナノチューブ・スイ
ッチから成る複数の(おそらく数百またはそれ以上)の別個のバッチを形成するこ
とにより、きめ細かに階級づけられた閾値を持つナノチューブ・ライブラリの作
成を行うことが可能となり、それによって技術者は所定の属性と特性とを備えた
ナノチューブ・パワースイッチの設計ができるようになる。さらに、等価閾値電
圧の調整手段としてナノチューブの直径を含めることができる。その他の閾値調
整手段として、障壁材料２４３のショットキー障壁材料用の非常にきめ細かに分
けられ細分化された組成から成る合金の形成、及び、異なる閾値を持つこれらの
ナノチューブ・ライブラリの形成が含まれ、これらの形成は仕事関数(φｂ)を調
整するためのものである。
より、様々なセクションのゲーティング閾値Ｖ０の制御を行うことが可能である
。障壁材料２４３用として絶縁体が選択された場合、バッチからバッチへ絶縁体
の厚さの変更が可能であり、その結果、単一のバッチ内では、任意の個々の導電
性ナノチューブ２４１の端から端まで、絶縁体の厚さは均一になり、また、特定
のバッチ内では個々の導電性ナノチューブ２４１から別の個々の導電性ナノチュ
ーブ２４１まで均一になる。非常に異なる属性を持つ導電性ナノチューブ・スイ
ッチから成る複数の(おそらく数百またはそれ以上)の別個のバッチを形成するこ
とにより、きめ細かに階級づけられた閾値を持つナノチューブ・ライブラリの作
成を行うことが可能となり、それによって技術者は所定の属性と特性とを備えた
ナノチューブ・パワースイッチの設計ができるようになる。さらに、等価閾値電
圧の調整手段としてナノチューブの直径を含めることができる。その他の閾値調
整手段として、障壁材料２４３のショットキー障壁材料用の非常にきめ細かに分
けられ細分化された組成から成る合金の形成、及び、異なる閾値を持つこれらの
ナノチューブ・ライブラリの形成が含まれ、これらの形成は仕事関数(φｂ)を調
整するためのものである。
【００４９】 図９ｂは、このようなパワー・デバイスの一定のスルー・レート・ゲーティン
グ・パルスを図示し、この図では、ＲＣ時定数注意項は過度のものではなく、様
々なナノチューブ・グループ２４１Ｘの閾値を変更することにより、ＲＣ時定数
注意項の適切な補償が可能となる。しかし、図８ａの提案された１００ｍｍの直
径のデバイスのようなさらに大きなデバイス用として、さらに整形されたゲーテ
ィング・パルスの使用が可能であり、場合によってはこのパルスのほうが好まれ
る。図９ｃの場合、ゲーティング・ターンオン・パルスの最初の部分には接地電
位からの非常に大きなスルー・レートの低下がある。これは、より末端に在る部
分の荷電を開始し、末端部分のほとんど閾値電圧にまでゲーティング電圧を上げ
、それによってこれらのより末端に在る部分の“プリチャージ”を行うようにす
るためである。ゲーティング・パルス内でのこの非常に急勾配の下落後、パルス
はよりゆっくりと下落して、元のパルス時間が与えられ末端部分に達して荷電が
行われる。次いで、ゲーティング・パルスが選択され、すべてのさらなるグルー
プがそのそれぞれの閾値に達し、それによってデバイス全体に同時にスイッチが
入ると、該ゲーティング・パルスは隣接グループ閾値Ｖｔｈ１まで低下する。
グ・パルスを図示し、この図では、ＲＣ時定数注意項は過度のものではなく、様
々なナノチューブ・グループ２４１Ｘの閾値を変更することにより、ＲＣ時定数
注意項の適切な補償が可能となる。しかし、図８ａの提案された１００ｍｍの直
径のデバイスのようなさらに大きなデバイス用として、さらに整形されたゲーテ
ィング・パルスの使用が可能であり、場合によってはこのパルスのほうが好まれ
る。図９ｃの場合、ゲーティング・ターンオン・パルスの最初の部分には接地電
位からの非常に大きなスルー・レートの低下がある。これは、より末端に在る部
分の荷電を開始し、末端部分のほとんど閾値電圧にまでゲーティング電圧を上げ
、それによってこれらのより末端に在る部分の“プリチャージ”を行うようにす
るためである。ゲーティング・パルス内でのこの非常に急勾配の下落後、パルス
はよりゆっくりと下落して、元のパルス時間が与えられ末端部分に達して荷電が
行われる。次いで、ゲーティング・パルスが選択され、すべてのさらなるグルー
プがそのそれぞれの閾値に達し、それによってデバイス全体に同時にスイッチが
入ると、該ゲーティング・パルスは隣接グループ閾値Ｖｔｈ１まで低下する。
【００５０】 図８ａのこのようなパワー・ナノスイッチを最適化して、図８ｂと８ｃに例示
されているように同時ターンオフを行うようにすることも可能である。この場合
、図９ａの第２の外部ゲーティング入力Ｇ２の場合のように、外部ターンオフ端
子Ｇ２のもっとも近くのグループ２４１４は、外部ゲート・デバイス電極Ｇ２か
ら最も末端に在る部分で、最低の閾値電圧Ｖｔｈ４を持ち、その後に最大の電圧
閾値ターンオフＶｔｈ１が後続する。そのような場合、上記のように最適化され
たターンオフ・デバイスに印加されたターンオフ・ゲーティング・パルスは、ゼ
ロの方へ向かうゲーティング・パルスの最初の立上がりが急勾配となる図９ｄに
図示のように好適に整形されて、最も隣接するグループ２４１４のほとんど閾値
電圧まで上昇する最初の高いスルー・レートを持ち、このグループ２４１４によ
って、Ｇ２におけるゲーティング・ターンオフ信号の最も末端に在るグループ２
４１１への送信が可能となり、さらに低いスルー・レートが後続するグループ２
４１４の“予備放電”が開始され、その結果、ナノチューブの最も隣接するグル
ープ２４１４がターンオフするとき、２４１１に属するその他のすべてのグルー
プもパワー・ナノデバイス全体にわたって同時にターンオフを行うようになる。
されているように同時ターンオフを行うようにすることも可能である。この場合
、図９ａの第２の外部ゲーティング入力Ｇ２の場合のように、外部ターンオフ端
子Ｇ２のもっとも近くのグループ２４１４は、外部ゲート・デバイス電極Ｇ２か
ら最も末端に在る部分で、最低の閾値電圧Ｖｔｈ４を持ち、その後に最大の電圧
閾値ターンオフＶｔｈ１が後続する。そのような場合、上記のように最適化され
たターンオフ・デバイスに印加されたターンオフ・ゲーティング・パルスは、ゼ
ロの方へ向かうゲーティング・パルスの最初の立上がりが急勾配となる図９ｄに
図示のように好適に整形されて、最も隣接するグループ２４１４のほとんど閾値
電圧まで上昇する最初の高いスルー・レートを持ち、このグループ２４１４によ
って、Ｇ２におけるゲーティング・ターンオフ信号の最も末端に在るグループ２
４１１への送信が可能となり、さらに低いスルー・レートが後続するグループ２
４１４の“予備放電”が開始され、その結果、ナノチューブの最も隣接するグル
ープ２４１４がターンオフするとき、２４１１に属するその他のすべてのグルー
プもパワー・ナノデバイス全体にわたって同時にターンオフを行うようになる。
【００５１】 現在までのカーボン・ナノチューブ技術の問題点の１つとして、個々のナノチ
ューブの操作と分離とを容易に行うことができないという問題が存在した。カー
ボン・ナノチューブは、非常に導電性が高いために、高いファンデルワールス力
を有し、乾燥した皿の上のネバネバする調理済みスパゲッティに酷似したものに
なって互いにくっつき、またその基板にくっつく。
ューブの操作と分離とを容易に行うことができないという問題が存在した。カー
ボン・ナノチューブは、非常に導電性が高いために、高いファンデルワールス力
を有し、乾燥した皿の上のネバネバする調理済みスパゲッティに酷似したものに
なって互いにくっつき、またその基板にくっつく。
【００５２】 したがって、本発明の別の態様は、ナノチューブやその他の任意のナノ構造を
分離し、数Åのレベルで所望の位置へ位置合わせを行うための装置を提供するこ
とである。１０年以上の間、笠貫他、米国特許５,４１８,７７１及び柳澤他、米
国特許５,５１９,６８６及び５,７２１,７２１、及び、その他の多くの現状を打
開する研究を通じて、原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術による装置
設計が構成され完成された。この装置設計によって、±数Åの精度でＸ−Ｙ平面
上において所望の位置の原子の直径の精度でプローブの位置合わせが可能になっ
た。したがって、このような装置により、Ｘ−Ｙ平面で原子の直径の位置精度で
このような記録／顕微鏡用プローブの位置合わせを行うことが可能であるだけで
なく、この装置によって望み通りにプローブの回転を行うことも可能である。こ
れらの装置は、その所望の主な利用機能に応じて、“走査型プローブ顕微鏡(Ｓ
ＰＭ)”、“走査型トンネル顕微鏡(ＳＴＭ)”、“原子力間顕微鏡(ＡＦＭ)”、
“近接場顕微鏡(ＮＦＯＭ)”などの、あるいは、いずれかの同様の他の頭字語で
様々に呼ばれる。これらの頭字語は様々なタイプのプローブを精密に制御し、数
ÅのＸ−Ｙ位置精度に合わせて機能するような装置の用途を記述するものである
。
分離し、数Åのレベルで所望の位置へ位置合わせを行うための装置を提供するこ
とである。１０年以上の間、笠貫他、米国特許５,４１８,７７１及び柳澤他、米
国特許５,５１９,６８６及び５,７２１,７２１、及び、その他の多くの現状を打
開する研究を通じて、原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術による装置
設計が構成され完成された。この装置設計によって、±数Åの精度でＸ−Ｙ平面
上において所望の位置の原子の直径の精度でプローブの位置合わせが可能になっ
た。したがって、このような装置により、Ｘ−Ｙ平面で原子の直径の位置精度で
このような記録／顕微鏡用プローブの位置合わせを行うことが可能であるだけで
なく、この装置によって望み通りにプローブの回転を行うことも可能である。こ
れらの装置は、その所望の主な利用機能に応じて、“走査型プローブ顕微鏡(Ｓ
ＰＭ)”、“走査型トンネル顕微鏡(ＳＴＭ)”、“原子力間顕微鏡(ＡＦＭ)”、
“近接場顕微鏡(ＮＦＯＭ)”などの、あるいは、いずれかの同様の他の頭字語で
様々に呼ばれる。これらの頭字語は様々なタイプのプローブを精密に制御し、数
ÅのＸ−Ｙ位置精度に合わせて機能するような装置の用途を記述するものである
。
【００５３】 本発明の１つの態様は、従来技術のこの基本的プローブ位置合わせ装置を利用
し、新規のプローブ設計および新規のプローブ用ヘッド設計を用いてこの装置を
改変し、ナノチューブおよび蛋白質や個々の分子等の他の任意のナノ構造用のナ
ノ・マニュピュレータとナノ・トランスポータの機能の全く新しくかつ非自明の
機能の実行を図ることである。
し、新規のプローブ設計および新規のプローブ用ヘッド設計を用いてこの装置を
改変し、ナノチューブおよび蛋白質や個々の分子等の他の任意のナノ構造用のナ
ノ・マニュピュレータとナノ・トランスポータの機能の全く新しくかつ非自明の
機能の実行を図ることである。
【００５４】 図１０はこのトランスポータ用プローブの第１の実施例を図示する。この図で
、ＴＥＭ用プローブに類似する、一般に円錐形状の最初のプローブ２８１は螺旋
状の導体２８２を有し、この導体は円錐の上部からチップまたはチップの近辺部
分まで延伸する。螺旋状の導体２８２の上部２８３は電流の電源と接続されてい
る。最初のプローブ２８１は導体であり、ポリマー化した弗化炭素等の極端に低
いファンデルワールス力材料を持つ絶縁材料２８５から成る薄層が最初のプロー
ブ２８１につけられる。次いで、螺旋状導体は、絶縁されたプローブの表面上に
巻かれるか、該プローブの表面上に蒸着された金属であるかのいずれかになり、
該蒸着された金属はマイクロマシーン化されるか、エッチングされて金属フィル
ム抵抗器に酷似した螺旋状パターンに変えられるかのいずれかが行われる。巻か
れる場合、その小さなサイズ、大きな強度、高い導電率のために、導体用として
ナノチューブを使用することができる。上記いずれの場合にも、螺旋状の導体２
８２には帰還信号用導体２８４を導体２８２の側部に設けることができる。電圧
が導電性プローブ２８１に印加された場合、静電場がチップ２８７の２８６に集
中され、これによって、ナノ材料が導電体であるか誘電体であるかに関らず、そ
の材料中にスイッチ可能な引き付け力を誘起することができる。また、電流が時
変電流を含み、螺旋状の導体２８２に印加された場合、磁束場２８６の発生が可
能となり、プローブ２８７のチップの真下の２８６において最大値が達成される
。これによって、金またはハンダのナノボールのような導電性ナノ構造をピック
アップして、この導電性ナノ構造を所望の最後の位置まで適切に輸送し、次いで
、望み通りの蒸着が可能となることが保証される。
、ＴＥＭ用プローブに類似する、一般に円錐形状の最初のプローブ２８１は螺旋
状の導体２８２を有し、この導体は円錐の上部からチップまたはチップの近辺部
分まで延伸する。螺旋状の導体２８２の上部２８３は電流の電源と接続されてい
る。最初のプローブ２８１は導体であり、ポリマー化した弗化炭素等の極端に低
いファンデルワールス力材料を持つ絶縁材料２８５から成る薄層が最初のプロー
ブ２８１につけられる。次いで、螺旋状導体は、絶縁されたプローブの表面上に
巻かれるか、該プローブの表面上に蒸着された金属であるかのいずれかになり、
該蒸着された金属はマイクロマシーン化されるか、エッチングされて金属フィル
ム抵抗器に酷似した螺旋状パターンに変えられるかのいずれかが行われる。巻か
れる場合、その小さなサイズ、大きな強度、高い導電率のために、導体用として
ナノチューブを使用することができる。上記いずれの場合にも、螺旋状の導体２
８２には帰還信号用導体２８４を導体２８２の側部に設けることができる。電圧
が導電性プローブ２８１に印加された場合、静電場がチップ２８７の２８６に集
中され、これによって、ナノ材料が導電体であるか誘電体であるかに関らず、そ
の材料中にスイッチ可能な引き付け力を誘起することができる。また、電流が時
変電流を含み、螺旋状の導体２８２に印加された場合、磁束場２８６の発生が可
能となり、プローブ２８７のチップの真下の２８６において最大値が達成される
。これによって、金またはハンダのナノボールのような導電性ナノ構造をピック
アップして、この導電性ナノ構造を所望の最後の位置まで適切に輸送し、次いで
、望み通りの蒸着が可能となることが保証される。
【００５５】 長いナノチューブ等の長いナノ材料用として、新規の輸送用プローブ・アセン
ブリの第２の実施例が図１１に図示されている。この図では、ほぼ“Ｖ字形”の
横断面を持つ、たがねの形状をした、矩形の側部を持つ最初のプローブ２９１が
図１０の２８１のプローブに対応し、このプローブ２９１は、螺旋状の導体２９
２と、導体チップ２９３と、リターン導体２９４とを有する。これらの導体は、
それぞれ、図１０の２８１、２８３、２８４に対応する。この図では、図１０の
場合のような点様ではなく、電場及び／又は磁束場が矩形のチップ２９７全体の
下の部分２９８に矩形様に集中される。このたがねのプローブ幅の長さは、所望
のカーボン・ナノチューブの長さのプローブに近似するサイズである。図１１の
このプローブ・アセンブリを使用して、ナノチューブや他の任意の矩形の導電性
ナノ構造をピックアップし所望のどの場所にでも輸送と蒸着を行うことができる
。このプローブは、笠貫他の上掲書に開示されているような１１１１、１１１２
のプローブと類似の回転手段を利用することを特に意図するものである。この回
転装置を用いて、輸送用プローブ２９１の長さと縦軸の位置合わせを行いながら
ナノチューブをピックアップし、次いで、所望の他の任意の角位置に回転して、
ナノチューブを最終の場所へ輸送したり最終の場所での蒸着を行うことができる
。
ブリの第２の実施例が図１１に図示されている。この図では、ほぼ“Ｖ字形”の
横断面を持つ、たがねの形状をした、矩形の側部を持つ最初のプローブ２９１が
図１０の２８１のプローブに対応し、このプローブ２９１は、螺旋状の導体２９
２と、導体チップ２９３と、リターン導体２９４とを有する。これらの導体は、
それぞれ、図１０の２８１、２８３、２８４に対応する。この図では、図１０の
場合のような点様ではなく、電場及び／又は磁束場が矩形のチップ２９７全体の
下の部分２９８に矩形様に集中される。このたがねのプローブ幅の長さは、所望
のカーボン・ナノチューブの長さのプローブに近似するサイズである。図１１の
このプローブ・アセンブリを使用して、ナノチューブや他の任意の矩形の導電性
ナノ構造をピックアップし所望のどの場所にでも輸送と蒸着を行うことができる
。このプローブは、笠貫他の上掲書に開示されているような１１１１、１１１２
のプローブと類似の回転手段を利用することを特に意図するものである。この回
転装置を用いて、輸送用プローブ２９１の長さと縦軸の位置合わせを行いながら
ナノチューブをピックアップし、次いで、所望の他の任意の角位置に回転して、
ナノチューブを最終の場所へ輸送したり最終の場所での蒸着を行うことができる
。
【００５６】 図１０と１１の実施例のいずれかでは、螺旋状導体２８２、２９２に印加され
る電流は、ＤＣ、正弦波ＡＣ、三角鋸波あるいは十分なＡＣ成分を有するその他
の同様の任意の波形のいずれであってもよい。低いレベルで、ＡＣ信号を用いて
、回路の“離調”をモニターすることにより、あるいは、“細線”渦電流検出モ
ードでナノチューブ等のナノ構造がプローブに適切に取り付けられているかどう
かの検出を行うことができる。高いＡＣレベルに対してプローブは斥力を誘起し
、ナノ構造が導電性を有する場合ナノ構造を基板へ向けて動かすことが可能であ
る。ナノ構造が導電性を有しない場合には、後で取り除くことができる導体でナ
ノ構造を被膜してこの斥力を達成することができる。したがって、電場と磁場の
組合せによってあらゆる種類のナノ構造の吸引、分析、蒸着を非常に精密に行う
ことが可能となる。
る電流は、ＤＣ、正弦波ＡＣ、三角鋸波あるいは十分なＡＣ成分を有するその他
の同様の任意の波形のいずれであってもよい。低いレベルで、ＡＣ信号を用いて
、回路の“離調”をモニターすることにより、あるいは、“細線”渦電流検出モ
ードでナノチューブ等のナノ構造がプローブに適切に取り付けられているかどう
かの検出を行うことができる。高いＡＣレベルに対してプローブは斥力を誘起し
、ナノ構造が導電性を有する場合ナノ構造を基板へ向けて動かすことが可能であ
る。ナノ構造が導電性を有しない場合には、後で取り除くことができる導体でナ
ノ構造を被膜してこの斥力を達成することができる。したがって、電場と磁場の
組合せによってあらゆる種類のナノ構造の吸引、分析、蒸着を非常に精密に行う
ことが可能となる。
【００５７】 本発明者は、弗化炭素を含むフッ化(fluorinated)化合物等の低いファンデル
ワールス浴の中でのナノチューブの溶解方法を発明し、チューブを互いに分離で
きるようにした。この方法は本発明の実際的使用時に重要な部分を形成するもの
である。しかし、ナノチューブのグループを取り囲み、分離する弗化炭素溶媒の
場合でさえ、何らかの粘着が生じる場合があり、さらに、ナノチューブの配向と
いう問題が依然として存在する。
ワールス浴の中でのナノチューブの溶解方法を発明し、チューブを互いに分離で
きるようにした。この方法は本発明の実際的使用時に重要な部分を形成するもの
である。しかし、ナノチューブのグループを取り囲み、分離する弗化炭素溶媒の
場合でさえ、何らかの粘着が生じる場合があり、さらに、ナノチューブの配向と
いう問題が依然として存在する。
【００５８】 図１２ａはナノチューブの分離およびアラインメント用貯槽デバイス３００を
図示するものである。図中、好適な弗化炭素等の低いファンデルワールス溶媒で
満たされる貯槽３００が存在する。このような溶媒の濃度およびその他の属性は
、溶媒が各々の被覆を行う特定のナノチューブあるいは他のナノ構造の濃度とほ
ぼ同じになるように選択され、溶媒浴３０１の間ずっとナノチューブの良好な懸
濁を行うようにする。この貯槽アセンブリ３００はほぼ三角形の断面を持つ矩形
のトラフとなるようにすることが望ましい。貯槽アセンブリ３００の一方の側部
に矩形の音響トランスジューサ３０３があり、この音響トランスジューサによっ
て溶媒浴３０１内に平らな音響波を発生させることが可能である。貯槽３００の
形状と、信号発生器３０４の周波数と、浴内での固有の溶媒とを適切に選択し、
その結果として、分離およびアラインメント用貯槽アセンブリ３００内に平らな
定在波が形成される。運転中、ナノチューブはその溶液内に懸濁され、信号発生
器３０４が適切な周波数に同調され、ナノチューブを壊したり劣化させることの
ない振幅を用いて同調が行われる。この懸濁が適切な濃度であれば、信号発生器
３０４とトランスデューサ３０３とによって行われる撹拌によってすべてのナノ
チューブの分離が行われ、溶媒浴３０１の表面までナノチューブを運んでくるこ
とができるほど十分な分離が行われる。平らな音響波３０５のアクションによっ
てナノチューブ３０２は徐々にそっと押されて表面まで来るようになり、その結
果ナノチューブはその中心ノードに在って最低のエネルギー状態になる。したが
って、ナノチューブは、たとえ当初いくぶん曲げられたりしてもまっすぐになり
、このようなナノチューブの最低のエネルギー構成であるその中心ノードにおい
て溶媒貯槽３００の縦方向との完全な位置合わせが行われる。
図示するものである。図中、好適な弗化炭素等の低いファンデルワールス溶媒で
満たされる貯槽３００が存在する。このような溶媒の濃度およびその他の属性は
、溶媒が各々の被覆を行う特定のナノチューブあるいは他のナノ構造の濃度とほ
ぼ同じになるように選択され、溶媒浴３０１の間ずっとナノチューブの良好な懸
濁を行うようにする。この貯槽アセンブリ３００はほぼ三角形の断面を持つ矩形
のトラフとなるようにすることが望ましい。貯槽アセンブリ３００の一方の側部
に矩形の音響トランスジューサ３０３があり、この音響トランスジューサによっ
て溶媒浴３０１内に平らな音響波を発生させることが可能である。貯槽３００の
形状と、信号発生器３０４の周波数と、浴内での固有の溶媒とを適切に選択し、
その結果として、分離およびアラインメント用貯槽アセンブリ３００内に平らな
定在波が形成される。運転中、ナノチューブはその溶液内に懸濁され、信号発生
器３０４が適切な周波数に同調され、ナノチューブを壊したり劣化させることの
ない振幅を用いて同調が行われる。この懸濁が適切な濃度であれば、信号発生器
３０４とトランスデューサ３０３とによって行われる撹拌によってすべてのナノ
チューブの分離が行われ、溶媒浴３０１の表面までナノチューブを運んでくるこ
とができるほど十分な分離が行われる。平らな音響波３０５のアクションによっ
てナノチューブ３０２は徐々にそっと押されて表面まで来るようになり、その結
果ナノチューブはその中心ノードに在って最低のエネルギー状態になる。したが
って、ナノチューブは、たとえ当初いくぶん曲げられたりしてもまっすぐになり
、このようなナノチューブの最低のエネルギー構成であるその中心ノードにおい
て溶媒貯槽３００の縦方向との完全な位置合わせが行われる。
【００５９】 図１２ｂは、音響プレート３００'を備えた、上記分離装置と矩形の位置合わ
せ装置の変形例を図示する。図１２ａの場合と同じように、平らな音響トランス
ジューサ３０３と信号源３０４とによって音響プレート３００'に対する入力が
一方の端で行われ、音響プレート３００'が同様に作動して３０２'に沿って平ら
な音響ノード３０２'が形成され、その音響ノード３０２'の中にナノ構造が配向
される。図１２ｂのこの位置合わせ／分離装置は、開示された本発明の可能性以
外の、Ｉビーム部材のような構造設計の形成などのための他の目的のためにも同
様に利用することが可能である。
せ装置の変形例を図示する。図１２ａの場合と同じように、平らな音響トランス
ジューサ３０３と信号源３０４とによって音響プレート３００'に対する入力が
一方の端で行われ、音響プレート３００'が同様に作動して３０２'に沿って平ら
な音響ノード３０２'が形成され、その音響ノード３０２'の中にナノ構造が配向
される。図１２ｂのこの位置合わせ／分離装置は、開示された本発明の可能性以
外の、Ｉビーム部材のような構造設計の形成などのための他の目的のためにも同
様に利用することが可能である。
【００６０】 本発明の最後の態様として、これらすべての特徴をまとめて組み合わせて、ナ
ノチューブを含むナノ構造の輸送と位置合わせを行う実際的手段を形成して、回
路構成を含む所望の最終的ナノ構造に変える態様がある。すでに提案したように
、本発明は、笠貫他および柳澤他等の従来技術の記録装置および顕微鏡用プロー
ブの位置合わせ装置をこのようなナノチューブの輸送とナノチューブの配置を行
う目的のために全く新しい方法で利用するものである。本発明に準拠して改変さ
れたそのような１つの装置が図１３に示されている。この装置は、柳澤他のプロ
ーブ位置合わせ基準およびプローブ装置の極度の精度を備えたマルチプローブ技
術と、笠貫他のプローブ回転装置とを組み合わせたものである。この図に、すべ
てのプローブ３１６、３１５、３１４、３１２をロックして、互いに対して剛直
で、安定したアラインメント状態にするマルチプローブ用ヘッド・アセンブリ３
１０が示されている。当業において一般的であるように、この図のすべてのプロ
ーブは垂直位置合わせ能力を有する。この能力は全く従来通りのものであるので
図示されていない。ナノチューブの分離とアラインメント用貯槽３００あるいは
プレート３００'には使用するナノチューブまたはその他のナノ構造が保存され
る。いくつかの異なるタイプや長さのナノチューブが必要な場合、複数のそのよ
うな貯槽３００を設けて、各タイプのナノチューブについて１つの貯槽を配設す
ることができる。図を単純にするためにこの図では１つの貯槽しか例示していな
い。
ノチューブを含むナノ構造の輸送と位置合わせを行う実際的手段を形成して、回
路構成を含む所望の最終的ナノ構造に変える態様がある。すでに提案したように
、本発明は、笠貫他および柳澤他等の従来技術の記録装置および顕微鏡用プロー
ブの位置合わせ装置をこのようなナノチューブの輸送とナノチューブの配置を行
う目的のために全く新しい方法で利用するものである。本発明に準拠して改変さ
れたそのような１つの装置が図１３に示されている。この装置は、柳澤他のプロ
ーブ位置合わせ基準およびプローブ装置の極度の精度を備えたマルチプローブ技
術と、笠貫他のプローブ回転装置とを組み合わせたものである。この図に、すべ
てのプローブ３１６、３１５、３１４、３１２をロックして、互いに対して剛直
で、安定したアラインメント状態にするマルチプローブ用ヘッド・アセンブリ３
１０が示されている。当業において一般的であるように、この図のすべてのプロ
ーブは垂直位置合わせ能力を有する。この能力は全く従来通りのものであるので
図示されていない。ナノチューブの分離とアラインメント用貯槽３００あるいは
プレート３００'には使用するナノチューブまたはその他のナノ構造が保存され
る。いくつかの異なるタイプや長さのナノチューブが必要な場合、複数のそのよ
うな貯槽３００を設けて、各タイプのナノチューブについて１つの貯槽を配設す
ることができる。図を単純にするためにこの図では１つの貯槽しか例示していな
い。
【００６１】 ヘッド・アセンブリ３１０には図１１の矩形の輸送用プローブ３１２と、関連
する回転および垂直位置決めメカニズム３１１と、図１０の円錐状輸送用プロー
ブ３１４と、標準的ＳＴＭプローブ３１５と、さらなる基準符号化用ＳＴＭプロ
ーブ３１６とを含むことができる。柳澤他に記載されているように、プローブ３
１６はヘッド・アセンブリ３１０全体に対する基準位置合わせ符号化を行う。基
準位置合わせプローブ３１６を適切な符号化位置合わせ手段３１７まで移動させ
ることにより、ヘッド・アセンブリ３１０全体は、柳澤他によって教示されるよ
うに、数ÅのレベルでＸ−Ｙ軸によってその位置決定を行うことが可能となる。
基板３１８は集積化されたナノチューブ基板であり、ナノチューブ基板上に置か
れたいずれのナノチューブからもその電子を空乏化し、それによってその電気的
特性を変化させるには不十分な電子親和力(χ)を有することが望ましい。但し、
基板３１８はその最終位置にナノチューブを保持するには十分なファンデルワー
ルス力を依然として有しているものとする。
する回転および垂直位置決めメカニズム３１１と、図１０の円錐状輸送用プロー
ブ３１４と、標準的ＳＴＭプローブ３１５と、さらなる基準符号化用ＳＴＭプロ
ーブ３１６とを含むことができる。柳澤他に記載されているように、プローブ３
１６はヘッド・アセンブリ３１０全体に対する基準位置合わせ符号化を行う。基
準位置合わせプローブ３１６を適切な符号化位置合わせ手段３１７まで移動させ
ることにより、ヘッド・アセンブリ３１０全体は、柳澤他によって教示されるよ
うに、数ÅのレベルでＸ−Ｙ軸によってその位置決定を行うことが可能となる。
基板３１８は集積化されたナノチューブ基板であり、ナノチューブ基板上に置か
れたいずれのナノチューブからもその電子を空乏化し、それによってその電気的
特性を変化させるには不十分な電子親和力(χ)を有することが望ましい。但し、
基板３１８はその最終位置にナノチューブを保持するには十分なファンデルワー
ルス力を依然として有しているものとする。
【００６２】 配置すべきいくつかのナノチューブが存在する場合、複数の矩形の輸送用プロ
ーブ３１２と、それらに関連する回転手段３１１とをヘッド・アセンブリ３１０
上に設けることができる。但し、本図では図を単純にするために１つしか図示し
ていない。回転メカニズム３１１は回転および垂直位置回路３２１によって制御
され、この回路は中央コンピュータ３２０によって制御される。輸送用プローブ
３１４は電圧と電流の電源３１９'および回路モニター装置３１９と接続されて
いる。同様に、ヘッド３１２はこのヘッドと関連する電源およびモニター装置３
１３'、３１３と接続されている。ここで、電流センサ３１３'内で“細線”渦電
流解析が利用され、矩形の輸送用プローブ３１２に対して唯一のナノチューブが
適切に取り付けられているかどうかが決定される。２つのナノチューブが誤って
プローブ３１２に取り付けられている場合、そのことは輸送プローブ３１２の螺
旋状誘導コイル２９２の離調レベルによって検知される。この場合、これらのナ
ノチューブの一方を落とすことを試みてＡＣ駆動電流を低下させるか、そうでな
い場合には調整を行うことができる。
ーブ３１２と、それらに関連する回転手段３１１とをヘッド・アセンブリ３１０
上に設けることができる。但し、本図では図を単純にするために１つしか図示し
ていない。回転メカニズム３１１は回転および垂直位置回路３２１によって制御
され、この回路は中央コンピュータ３２０によって制御される。輸送用プローブ
３１４は電圧と電流の電源３１９'および回路モニター装置３１９と接続されて
いる。同様に、ヘッド３１２はこのヘッドと関連する電源およびモニター装置３
１３'、３１３と接続されている。ここで、電流センサ３１３'内で“細線”渦電
流解析が利用され、矩形の輸送用プローブ３１２に対して唯一のナノチューブが
適切に取り付けられているかどうかが決定される。２つのナノチューブが誤って
プローブ３１２に取り付けられている場合、そのことは輸送プローブ３１２の螺
旋状誘導コイル２９２の離調レベルによって検知される。この場合、これらのナ
ノチューブの一方を落とすことを試みてＡＣ駆動電流を低下させるか、そうでな
い場合には調整を行うことができる。
【００６３】 次いで、唯一のナノチューブが存在すること、および、符号化位置決めプロー
ブ３１６と関連して、その唯一のナノチューブが輸送用プローブ３１２と適切に
位置合わせが行われていることが満たされた後、コンピュータ３１５は、回路基
板３１８を介して所定の位置へ輸送用プローブ３１２を移動させ、所望の角度に
合わせてナノチューブを回転させ、次いで、ヘッドを下げ、ナノ構造を放すこと
により正確な所望の位置と角度でナノチューブの蒸着を行う。オーミック接続な
どを行うために小さなナノボールが必要な場合、円錐状の輸送用プローブ３１４
を同様に利用することができる。
ブ３１６と関連して、その唯一のナノチューブが輸送用プローブ３１２と適切に
位置合わせが行われていることが満たされた後、コンピュータ３１５は、回路基
板３１８を介して所定の位置へ輸送用プローブ３１２を移動させ、所望の角度に
合わせてナノチューブを回転させ、次いで、ヘッドを下げ、ナノ構造を放すこと
により正確な所望の位置と角度でナノチューブの蒸着を行う。オーミック接続な
どを行うために小さなナノボールが必要な場合、円錐状の輸送用プローブ３１４
を同様に利用することができる。
【００６４】 次いで、ナノ回路が構成されている間、標準的ＳＴＭプローブ３１５は基板３
１８の上を移動し、それまで配置された様々なナノチューブの位置精度のチェッ
クを行う。次いで、標準的ＳＴＭプローブ３１５は、必要に応じて様々なナノチ
ューブ・アセンブリをそっと押して元の適切なアラインメント状態に戻すことが
できる。さらに、上述のように、標準的ＳＴＭプローブ３１５に対して４〜６.
５ボルトの範囲の電圧を印加して、ナノチューブを切断したり、低下させた電圧
を印加して、特定部分における望まない誘電体やその他の被覆を取り除くように
構成することができる。
１８の上を移動し、それまで配置された様々なナノチューブの位置精度のチェッ
クを行う。次いで、標準的ＳＴＭプローブ３１５は、必要に応じて様々なナノチ
ューブ・アセンブリをそっと押して元の適切なアラインメント状態に戻すことが
できる。さらに、上述のように、標準的ＳＴＭプローブ３１５に対して４〜６.
５ボルトの範囲の電圧を印加して、ナノチューブを切断したり、低下させた電圧
を印加して、特定部分における望まない誘電体やその他の被覆を取り除くように
構成することができる。
【００６５】 この装置の１つのさらなる改変例として、ある特定タイプの多数のナノ回路を
構成しなければならない場合、基準手段３１７の中に永久的マーキングを行って
装置が次の位置へ高速に移動し、次いで、次のエレメントの配置設定を行うこと
ができるようにする例がある。さらに、この装置を手動操作したり、あるいは、
この装置をプログラムして中央コンピュータ３２０によって無人で自動的に実行
できるようにすることが可能である。その際、人間が介在する必要があるのは、
様々な分離およびアラインメント用貯槽３００の充填だけとなり、従来の自動車
の製造工程の場合とよく似ている。
構成しなければならない場合、基準手段３１７の中に永久的マーキングを行って
装置が次の位置へ高速に移動し、次いで、次のエレメントの配置設定を行うこと
ができるようにする例がある。さらに、この装置を手動操作したり、あるいは、
この装置をプログラムして中央コンピュータ３２０によって無人で自動的に実行
できるようにすることが可能である。その際、人間が介在する必要があるのは、
様々な分離およびアラインメント用貯槽３００の充填だけとなり、従来の自動車
の製造工程の場合とよく似ている。
【００６６】 以上、既存技術に対する改変を利用することにより、多くの場合、全く異なる
かつ非自明の目的のために既存技術を利用して、ナノチューブ等のナノ構造をＮ
型チャネルと疑似Ｐ型チャネル・デバイスとにつくり変えることが可能となるこ
とと、これらのデバイスを同一のナノチューブ上で組み合わせることが可能であ
ることと、単純でかつ複合した論理ゲーティングと計数回路の構成が可能である
こと、さらに、優れた性能を持つパワー・デバイスを簡単に構成できることを説
明してきた。上述のように、本発明は、ナノチューブとナノ回路に限定されるも
のではなく、固有の方法で輸送し構成する必要があるＤＮＡ、蛋白質、ポリマー
、化学分子等の任意のナノ構造を含むことができる。したがって本発明の教示を
用いて、いずれの当業者でも本発明の利用が可能となる。
かつ非自明の目的のために既存技術を利用して、ナノチューブ等のナノ構造をＮ
型チャネルと疑似Ｐ型チャネル・デバイスとにつくり変えることが可能となるこ
とと、これらのデバイスを同一のナノチューブ上で組み合わせることが可能であ
ることと、単純でかつ複合した論理ゲーティングと計数回路の構成が可能である
こと、さらに、優れた性能を持つパワー・デバイスを簡単に構成できることを説
明してきた。上述のように、本発明は、ナノチューブとナノ回路に限定されるも
のではなく、固有の方法で輸送し構成する必要があるＤＮＡ、蛋白質、ポリマー
、化学分子等の任意のナノ構造を含むことができる。したがって本発明の教示を
用いて、いずれの当業者でも本発明の利用が可能となる。
【００６７】 産業上の利用可能性 本発明は、電子装置、計測管理、コンピュータ、生物学、医学、化学、配電と
変電、航空機および宇宙船に適した高強度構造において利用可能性を有する。
変電、航空機および宇宙船に適した高強度構造において利用可能性を有する。
【図１Ａ】 図１ａは、バルク・シリコンゲートを備えた、ナノチューブを用いるスイッチ
ング・デバイスの１つの実施例の従来の構成の断面を図示す。
ング・デバイスの１つの実施例の従来の構成の断面を図示す。
【図１Ｂ】 図１ｂは該スイッチング・デバイスの電圧／電流特性を図示する。
【図２Ａ】 図２ａは、ゼロのバイアスをかけた条件下で、相対的に高い電子親和力を持つ
障壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で
図示するものである。
障壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で
図示するものである。
【図２Ｂ】 図２ｂは、正のバイアスをかけた条件下で、相対的に高い電子親和力を持つ障
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
【図２Ｃ】 図２ｃは、正のバイアスをかけた条件下で、相対的に高い電子親和力を持つ障
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
【図３Ａ】 図３ａは、導電性ナノチューブと、クロスするゲーティング部材とを有する、
本発明の第１の好適な実施例を立体投影図である。
本発明の第１の好適な実施例を立体投影図である。
【図３Ｂ】 図３ｂは、導電性ナノチューブと、クロスするゲーティング部材とを有する、
本発明の第１の好適な実施例を横断面図で示す図である。
本発明の第１の好適な実施例を横断面図で示す図である。
【図３Ｃ】 図３ｃは、導電性ナノチューブと、クロスするゲーティング部材とを有する、
本発明の第１の好適な実施例の作動特性を示す図である。
本発明の第１の好適な実施例の作動特性を示す図である。
【図４Ａ】 図４ａは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を立体投影図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を立体投影図である。
【図４Ｂ】 図４ｂは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を横断面図とで示す図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を横断面図とで示す図である。
【図４Ｃ】 図４ｃは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
【図４Ｄ】 図４ｄは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
【図５Ａ】 図５ａは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｂ】 図５ｂは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｃ】 図５ｃは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｄ】 図５ｄは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｅ】 図５ｅは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図６Ａ】 図６ａは、単一のナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)を示す図である。
【図６Ｂ】 図６ｂは、周波数分割ナノマルチバイブレータのチェーン構成を図示する。
【図７】 第１の好適な実施例のパワー・ナノスイッチの中で使用される単一の導電性ナ
ノチューブの端部の立体投影図を示す。
ノチューブの端部の立体投影図を示す。
【図８Ａ】 図８ａは、第１の好適な実施例における、上部接点をわずかに分解した最終的
パワー・ナノスイッチとハウジングとを示す立体投影図である。
パワー・ナノスイッチとハウジングとを示す立体投影図である。
【図８Ｂ】 図８ｂは、別のターンオフゲーティング構造を備えたパワー・ナノスイッチの
第２と第３の実施例の立体投影図を示す。
第２と第３の実施例の立体投影図を示す。
【図８Ｃ】 図８ｃは、別のターンオフゲーティング構造を備えたパワー・ナノスイッチの
第２と第３の実施例の断面図とを示す。
第２と第３の実施例の断面図とを示す。
【図９Ａ】 図９ａは、パワー・ナノスイッチの等価ゲーティング回路の概略図である。
【図９Ｂ】 図９ｂは、好適なゲーティング・パルスの形状を示す図である。
【図９Ｃ】 図９ｃは、好適なゲーティング・パルスの形状を示す図である。
【図９Ｄ】 図９ｄは、好適なゲーティング・パルスの形状を示す図である。
【図１０】 本発明の第１の好適な実施例に準拠する円錐状の輸送用プローブの側面図であ
る。
る。
【図１１】 本発明の第２の好適な実施例に準拠する矩形の輸送用プローブの側面図を示す
。
。
【図１２Ａ】 図１２ａは、本発明に準拠するナノチューブ分離およびアラインメント用貯槽
の立体投影図を示す。
の立体投影図を示す。
【図１２Ｂ】 図１２ｂは、本発明に準拠するナノチューブ分離およびアラインメント用貯槽
の平板バージョンを示す。
の平板バージョンを示す。
【図１３】 コンピュータ制御の下でナノ構造を形成するためのナノエレメントの組み立て
および操作用装置を図示する。
および操作用装置を図示する。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年９月１０日（２００１．９．１０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】 ナノ構造デバイス及び装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明はソリッド・ステート・ナノ構造デバイス及び原子顕微鏡装置の分野に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】 米国特許１,８７７,１４０(Lilienfeld、１９３２年９月)、及び、“電子工学
タイムズ”(１９９８年１１月１６日ｐ.６７)にナノ構造に関する記載がある。
笠貫他、米国特許５,４１８,７７１、及び、柳澤他、米国特許５,５１９,６８６
及び５,７２１,７２１に原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術について
の記載がある。S. Tans他“ネィチャ”(１９９７年４月３日、pp.４７４−４７
７、７、１９９８年５月、pp.４９−５２、及び、１９９８年８月２０日、pp.７
６１−７６４)、並びに、R. Martel他、“応用物理学レターズ”(１９９８年１
０月２６日、pp.２４４７−２４４９)、及び、A. Hassanien他、“応用物理学レ
ターズ”(１９９８年１２月２８日、pp.３８３９−３８４１)に、バルク・シリ
コンゲートを備えたいわゆるナノチューブ“トランジスタ”についての記載があ
る。L. Venema他、“応用物理学レターズ”(１９９７年１１月３日、pp.２６２
９−２６３１)には元の位置でナノチューブを切断する方法が示されている。Z.
Ren他“サイエンス”(１９９８年１１月６日、pp.１１０５−１１０７)には、独
立の、位置合わせを行った、離間配置された多数のカーボン・ナノチューブを作
る方法が示されている。
タイムズ”(１９９８年１１月１６日ｐ.６７)にナノ構造に関する記載がある。
笠貫他、米国特許５,４１８,７７１、及び、柳澤他、米国特許５,５１９,６８６
及び５,７２１,７２１に原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術について
の記載がある。S. Tans他“ネィチャ”(１９９７年４月３日、pp.４７４−４７
７、７、１９９８年５月、pp.４９−５２、及び、１９９８年８月２０日、pp.７
６１−７６４)、並びに、R. Martel他、“応用物理学レターズ”(１９９８年１
０月２６日、pp.２４４７−２４４９)、及び、A. Hassanien他、“応用物理学レ
ターズ”(１９９８年１２月２８日、pp.３８３９−３８４１)に、バルク・シリ
コンゲートを備えたいわゆるナノチューブ“トランジスタ”についての記載があ
る。L. Venema他、“応用物理学レターズ”(１９９７年１１月３日、pp.２６２
９−２６３１)には元の位置でナノチューブを切断する方法が示されている。Z.
Ren他“サイエンス”(１９９８年１１月６日、pp.１１０５−１１０７)には、独
立の、位置合わせを行った、離間配置された多数のカーボン・ナノチューブを作
る方法が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】 したがって、改善された面密度と、速度と、安定性とを備えた特性を持つデバ
イスを提供するためにナノチューブの利用方法を提供することが本発明の目的で
ある。
イスを提供するためにナノチューブの利用方法を提供することが本発明の目的で
ある。
【０００４】 ほんのわずか改変した既存の装置技術を利用して製造可能なナノスイッチを提
供して、ナノチューブとその他のナノ構造とを操作して数Åの精度で所望の位置
に位置合せを行えるようにすることが本発明のさらなる目的である。
供して、ナノチューブとその他のナノ構造とを操作して数Åの精度で所望の位置
に位置合せを行えるようにすることが本発明のさらなる目的である。
【０００５】 従来の“ドーピング”やナノチューブそれ自体に対する他の構造的改変をまっ
たく伴わずに、同一のナノチューブ上に相補型スイッチング・デバイスを設ける
ことが本発明のさらなる目的である。
たく伴わずに、同一のナノチューブ上に相補型スイッチング・デバイスを設ける
ことが本発明のさらなる目的である。
【０００６】 ナノチューブの縦軸方向に実質的界成分を有する局在電場を生み出すゲーティ
ング構造を形成することが本発明のさらなる目的である。
ング構造を形成することが本発明のさらなる目的である。
【０００７】 ＣＭＯＳシリコン回路からなるナノインバータ回路に類似するナノインバータ
回路を形成して、効率良く信号処理を行うようにすることがさらなる本発明の目
的である。
回路を形成して、効率良く信号処理を行うようにすることがさらなる本発明の目
的である。
【０００８】 同名のＣＭＯＳシリコン回路からなるマルチバイブレータに類似した、ナノマ
ルチバイブレータ(フリップ・フロップ)回路を形成して、効率良く信号処理を行
うようにすることがさらなる本発明の目的である。
ルチバイブレータ(フリップ・フロップ)回路を形成して、効率良く信号処理を行
うようにすることがさらなる本発明の目的である。
【０００９】 ナノマルチバイブレータ(フリップ・フロップ)カウントダウン・チェーンを形
成して、非常に高い周波数パルスを迅速にカウントする手段を提供することがさ
らなる本発明の目的である。
成して、非常に高い周波数パルスを迅速にカウントする手段を提供することがさ
らなる本発明の目的である。
【００１０】 急勾配の比類無く高いスルー・レートを持つナノスイッチを形成して、おそら
く従来のシリコンより数千倍の高速スイッチングを行うようにすることがさらな
る本発明の目的である。
く従来のシリコンより数千倍の高速スイッチングを行うようにすることがさらな
る本発明の目的である。
【００１１】 前例のない高いスルー・レートとパワー処理能力とを持つハイパワー・スイッ
チとハウジングとを提供することがさらなる本発明の目的である。
チとハウジングとを提供することがさらなる本発明の目的である。
【００１２】 パワー・ナノスイッチ・デバイスのＲＣ時定数ゲーティング・ラグを補償する
構造的方法を提供して、そのデバイス全体が同じ瞬間に導通しそれによって非常
に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる目的である
。
構造的方法を提供して、そのデバイス全体が同じ瞬間に導通しそれによって非常
に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる目的である
。
【００１３】 パワー・ナノスイッチ・デバイスのＲＣ時定数ゲーティング・ラグを補償する
構造的方法を提供し、各作動に対して、ほぼデバイス全体が同じ瞬間に導通し、
ほぼデバイス全体が同じ瞬間に停止し、それによって導通と停止の双方の作動に
対して非常に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる
目的である。
構造的方法を提供し、各作動に対して、ほぼデバイス全体が同じ瞬間に導通し、
ほぼデバイス全体が同じ瞬間に停止し、それによって導通と停止の双方の作動に
対して非常に高いスルー・レートを出力するようにすることが本発明のさらなる
目的である。
【００１４】 ナノメータ・サイズの物体の非常に精密な吸引と蒸着が可能な、新規の原子顕
微鏡用プローブの設計を行うことが本発明のさらなる目的である。
微鏡用プローブの設計を行うことが本発明のさらなる目的である。
【００１５】 従来の原子位置合わせ顕微鏡用の新規の操作用装置ヘッド・アセンブリを提供
して、デバイス・エレメントをピックアップし、これらのデバイス・エレメント
を運び、操作し、位置合わせを行い、Åのオーダーの非常に精密な許容範囲の位
置へこれらのデバイス・エレメントを蒸着することが可能な装置を、既存の位置
合わせ装置技術のわずかな改変だけで達成可能にすることが本発明のさらなる目
的である。
して、デバイス・エレメントをピックアップし、これらのデバイス・エレメント
を運び、操作し、位置合わせを行い、Åのオーダーの非常に精密な許容範囲の位
置へこれらのデバイス・エレメントを蒸着することが可能な装置を、既存の位置
合わせ装置技術のわずかな改変だけで達成可能にすることが本発明のさらなる目
的である。
【００１６】 ナノチューブの分離、選択、歪み取り、切断を行い、その他の発明目的の実行
を可能にする装置および方法を提供することが本発明のさらなる目的である。
を可能にする装置および方法を提供することが本発明のさらなる目的である。
【００１７】
【発明の実施の形態】 本発明の様々な態様の追加的目的と利点は、好適な実施例についての以下の説
明から明らかになる。該説明は添付図面と関連して考慮することが望ましい。
明から明らかになる。該説明は添付図面と関連して考慮することが望ましい。
【００１８】 “ナノチューブ”という用語を使用するとき、この用語には、カーボン・ナノ
チューブが含まれるだけでなく、ＢＮ、ＭｏＳ２及び適切な電気的属性と機械的
属性とを有するような構造の形成が可能な任意の他の材料や合成物から作られる
ナノチューブも含まれるものとする。
チューブが含まれるだけでなく、ＢＮ、ＭｏＳ２及び適切な電気的属性と機械的
属性とを有するような構造の形成が可能な任意の他の材料や合成物から作られる
ナノチューブも含まれるものとする。
【００１９】 “ナノ構造”とは、任意の蛋白質、化学分子、ポリマー、または少なくとも１
つの次元でナノメータのオーダーからなる任意のその他の構造と解釈される。M.
Dresselhaus他著“フラーレンとカーボン・ナノチューブの科学”(著作権 １
９９６年、アカデミック・プレス社)等に記載されているような、ナノチューブ
を表す従来の六方グラフィン・カイラル・ベクトル指数が使用される。
つの次元でナノメータのオーダーからなる任意のその他の構造と解釈される。M.
Dresselhaus他著“フラーレンとカーボン・ナノチューブの科学”(著作権 １
９９６年、アカデミック・プレス社)等に記載されているような、ナノチューブ
を表す従来の六方グラフィン・カイラル・ベクトル指数が使用される。
【００２０】 量子力学だけを用いてナノ構造を完全に理解することは可能ではあるが、この
理解には広範囲にわたる計算が伴い、多くの場合これは本発明の理解には必要で
はない。したがって、本発明の利用と理解の容易さを図るために従来の静電気用
語を用いて本発明について説明し、多くの場合、これで十分であるが、通常の研
究者であれば、必要な場合にはいつでも本発明を量子力学の形式へ容易に書き直
すことが可能であることを理解するであろう。
理解には広範囲にわたる計算が伴い、多くの場合これは本発明の理解には必要で
はない。したがって、本発明の利用と理解の容易さを図るために従来の静電気用
語を用いて本発明について説明し、多くの場合、これで十分であるが、通常の研
究者であれば、必要な場合にはいつでも本発明を量子力学の形式へ容易に書き直
すことが可能であることを理解するであろう。
【００２１】 図１ａの従来技術によるナノデバイスは図１ｂに図示のような、人を当惑させ
るある特徴を持っている。従来技術によるナノデバイスは、“正孔”の中を通る
伝導が行われるデバイスであるという、R. Martel他およびA. Hassanien他によ
る上掲書に記載のような説明ではデータと適切に符合しない。特に、ゲーティン
グ電圧ＶＧが次第に負になるにつれて、すべてのソース／ドレイン電圧ＶＳＤに
ついてソース／ドレイン伝導電流ＩＳＤが増加し続けるという実験による観察は
最も厄介な問題である。さらに、“正孔”についての思いつきの説明はおそらく
誤解を招くものである。シリコンの中で、アクセプタ原子はシリコンに対して“
ドープされ”、それによって移動する正電荷が形成されるが、このドーピングに
はシリコンの荷電中立状態と“正孔”の局在とを伴う。この場合、ナノチューブ
の実際の“ドーピング”が存在しないことに起因して、これらの“正孔”はたと
え存在したとしても、それはナノチューブ内での実際の荷電のインバランスに起
因するものであり、ナノチューブの平衡状態は電界方程式の非常に複雑で、かつ
、包括的な解を含意する。なぜなら、この解はほんのわずかなバイアスによって
著しく変化し、有用な方法でナノチューブの利用方法についての明瞭な理解へつ
ながるものではないからである。
るある特徴を持っている。従来技術によるナノデバイスは、“正孔”の中を通る
伝導が行われるデバイスであるという、R. Martel他およびA. Hassanien他によ
る上掲書に記載のような説明ではデータと適切に符合しない。特に、ゲーティン
グ電圧ＶＧが次第に負になるにつれて、すべてのソース／ドレイン電圧ＶＳＤに
ついてソース／ドレイン伝導電流ＩＳＤが増加し続けるという実験による観察は
最も厄介な問題である。さらに、“正孔”についての思いつきの説明はおそらく
誤解を招くものである。シリコンの中で、アクセプタ原子はシリコンに対して“
ドープされ”、それによって移動する正電荷が形成されるが、このドーピングに
はシリコンの荷電中立状態と“正孔”の局在とを伴う。この場合、ナノチューブ
の実際の“ドーピング”が存在しないことに起因して、これらの“正孔”はたと
え存在したとしても、それはナノチューブ内での実際の荷電のインバランスに起
因するものであり、ナノチューブの平衡状態は電界方程式の非常に複雑で、かつ
、包括的な解を含意する。なぜなら、この解はほんのわずかなバイアスによって
著しく変化し、有用な方法でナノチューブの利用方法についての明瞭な理解へつ
ながるものではないからである。
【００２２】 しかし、最も重要なことは、ナノチューブが伝導電子を有することに起因して
、これらの結果が、このデバイスと似ているシリコン内の類似の空乏モードＮ型
チャネル絶縁ゲート電界効果デバイスについて予想されることと全く正反対であ
ることが細密な検査によって判明したという点である。以下に見るように、この
異常な、しかし、明らかに未だ理解されていない正確な性質が或るモデルを用い
て説明される。このモデルで、関係する実際の力にさらに厳密にアプローチし、
これらの異常な結果をさらに完全に説明し、それによって本発明のモデルの基礎
が形成される。
、これらの結果が、このデバイスと似ているシリコン内の類似の空乏モードＮ型
チャネル絶縁ゲート電界効果デバイスについて予想されることと全く正反対であ
ることが細密な検査によって判明したという点である。以下に見るように、この
異常な、しかし、明らかに未だ理解されていない正確な性質が或るモデルを用い
て説明される。このモデルで、関係する実際の力にさらに厳密にアプローチし、
これらの異常な結果をさらに完全に説明し、それによって本発明のモデルの基礎
が形成される。
【００２３】 図２ａは、このモデルに準拠するゲート・バイアスをかけない(ＶＧ＝０)ナノ
チューブの新規の分析横断面を図示する。本発明者の分析結果から、この図には
、ナノチューブ１４０の外側部分と、内側部分１４１と、導電性ナノチューブ１
４０の固有の自由な伝導電子１４２と、絶縁体として機能する障壁材料料１４３
と、ゲーティング電位ＶＧの電源と結合されたゲート電極自体１４４とが示され
ている。ゲート障壁材料料１４３の電子親和力(χｂ、この場合絶縁体)はきわめ
て臨界的であり、本発明者の分析によれば、導電性ナノチューブ１４０が１４３
と接触する部分で導電性ナノチューブ１４０から電子を完全に空乏化できるほど
この電子親和力が十分であることは明らかである。この場合、約８Åのナノチュ
ーブの円周が障壁材料料１４３と接触し、これは１４５によって示されている。
本発明者の分析によれば、ナノチューブのような伝導電子に富む材料が十分に高
い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料と接触する場合はいつでも、１４６のよ
うな電子が１４５においてナノチューブ導体１４０−１４１−１４２から引き出
され、１４６としてこの図に示されている接触面で局所的に結合(捕捉)される。
これによって、これらの電子は固定した、動かない正の荷電の中心１４５を後に
残すことが可能となる。高い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料１４３の表面
は、言うまでもなくさらに大きな引力を誘起し、それによって、より小さな電子
親和力を有する障壁材料料に比べてより扁平化するかつより多くの電荷移動が誘
起される。重要な点は、小さな直径の導電性ナノチューブ１４０についても、こ
の導電性ナノチューブが載っているゲート障壁材料１４３との有限の扁平化する
密接な相互作用がこのモデルでは固有のものとして常時存在するということであ
る。上述の例では、チューブのサイズは(１０,１０)に近づくので、十分に大き
な電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料の絶縁体ＳｉＯ２上に約８Åの接触面積が予
想される。ＳｉＯ２は、その非晶質構造内に存在する固有の多くの未結合手のた
めにシリコン電場では悪評高いものであり、約０.９−１.０ｅＶの電子親和力(
χｂ)を有する。
チューブの新規の分析横断面を図示する。本発明者の分析結果から、この図には
、ナノチューブ１４０の外側部分と、内側部分１４１と、導電性ナノチューブ１
４０の固有の自由な伝導電子１４２と、絶縁体として機能する障壁材料料１４３
と、ゲーティング電位ＶＧの電源と結合されたゲート電極自体１４４とが示され
ている。ゲート障壁材料料１４３の電子親和力(χｂ、この場合絶縁体)はきわめ
て臨界的であり、本発明者の分析によれば、導電性ナノチューブ１４０が１４３
と接触する部分で導電性ナノチューブ１４０から電子を完全に空乏化できるほど
この電子親和力が十分であることは明らかである。この場合、約８Åのナノチュ
ーブの円周が障壁材料料１４３と接触し、これは１４５によって示されている。
本発明者の分析によれば、ナノチューブのような伝導電子に富む材料が十分に高
い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料と接触する場合はいつでも、１４６のよ
うな電子が１４５においてナノチューブ導体１４０−１４１−１４２から引き出
され、１４６としてこの図に示されている接触面で局所的に結合(捕捉)される。
これによって、これらの電子は固定した、動かない正の荷電の中心１４５を後に
残すことが可能となる。高い電子親和力(χｂ)を有する障壁材料料１４３の表面
は、言うまでもなくさらに大きな引力を誘起し、それによって、より小さな電子
親和力を有する障壁材料料に比べてより扁平化するかつより多くの電荷移動が誘
起される。重要な点は、小さな直径の導電性ナノチューブ１４０についても、こ
の導電性ナノチューブが載っているゲート障壁材料１４３との有限の扁平化する
密接な相互作用がこのモデルでは固有のものとして常時存在するということであ
る。上述の例では、チューブのサイズは(１０,１０)に近づくので、十分に大き
な電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料の絶縁体ＳｉＯ２上に約８Åの接触面積が予
想される。ＳｉＯ２は、その非晶質構造内に存在する固有の多くの未結合手のた
めにシリコン電場では悪評高いものであり、約０.９−１.０ｅＶの電子親和力(
χｂ)を有する。
【００２４】 一般に、ＳｉＯ２を不活性化する従来の１つの方法として、これらの未結合手
を除去するために、不活性化剤として水素を用いる方法がある。この場合、水素
はその電子を提供して、ＳｉＯ２によって未完成のままに残されている未結合手
を完成し、その結果ＳｉＯ２：Ｈと一般に呼ばれる構成が形成される。この構成
によってＳｉＯ２：Ｈの電子親和力(χｂ)が未処理のＳｉＯ２の親和力以下まで
低下する。ＳｉＯ２から未結合手を除去し、電子親和力(χｂ)を低下させるさら
に効果的な別の方法として、フッ素処理を利用して任意の未結合手と反応させる
方法がある。この結果得られる生成物は一般にＳｉＯ２：Ｆと呼ばれる。特に、
この後者は一般に比較的高い電子親和力を持つ障壁材料(ＳｉＯ２)を比較的低い
電子親和力を持つ障壁材料に変化させる。その理由として、これらの未結合手の
すべての電子がフッ素と緊密に結合していることが挙げられる。このため、フッ
素処理された障壁層材料の電子親和力(χｂ)はきわめて低くなる。
を除去するために、不活性化剤として水素を用いる方法がある。この場合、水素
はその電子を提供して、ＳｉＯ２によって未完成のままに残されている未結合手
を完成し、その結果ＳｉＯ２：Ｈと一般に呼ばれる構成が形成される。この構成
によってＳｉＯ２：Ｈの電子親和力(χｂ)が未処理のＳｉＯ２の親和力以下まで
低下する。ＳｉＯ２から未結合手を除去し、電子親和力(χｂ)を低下させるさら
に効果的な別の方法として、フッ素処理を利用して任意の未結合手と反応させる
方法がある。この結果得られる生成物は一般にＳｉＯ２：Ｆと呼ばれる。特に、
この後者は一般に比較的高い電子親和力を持つ障壁材料(ＳｉＯ２)を比較的低い
電子親和力を持つ障壁材料に変化させる。その理由として、これらの未結合手の
すべての電子がフッ素と緊密に結合していることが挙げられる。このため、フッ
素処理された障壁層材料の電子親和力(χｂ)はきわめて低くなる。
【００２５】 図２ａには、１４６によって示されるように、導電性ナノチューブ１４０内で
利用可能なおそらく８％程度の電子が障壁層絶縁体１４３／ナノチューブ１４０
インターフェースにおいて捕捉されるためこれらの電子は移動せず、伝導には貢
献しないことが示されている。しかし、図２ｂでは、正電圧がデバイスのゲート
部材１４４に印加される。この場合、導電性ナノチューブ１４０内の自由電子１
４２が正電圧の方へ引かれ、最高の正電圧の下で、ほとんどすべての自由な伝導
電子１４６'が１４０と１４３との間のインターフェースにおいて捕捉されるた
め伝導が著しく低下する。この場合、図１ｂに実験的に示されるように、このモ
デルの下でのゲーティング部材１４４への正電圧の印加によって、伝導の低下が
生じるという直感に反する実験結果が導かれる。
利用可能なおそらく８％程度の電子が障壁層絶縁体１４３／ナノチューブ１４０
インターフェースにおいて捕捉されるためこれらの電子は移動せず、伝導には貢
献しないことが示されている。しかし、図２ｂでは、正電圧がデバイスのゲート
部材１４４に印加される。この場合、導電性ナノチューブ１４０内の自由電子１
４２が正電圧の方へ引かれ、最高の正電圧の下で、ほとんどすべての自由な伝導
電子１４６'が１４０と１４３との間のインターフェースにおいて捕捉されるた
め伝導が著しく低下する。この場合、図１ｂに実験的に示されるように、このモ
デルの下でのゲーティング部材１４４への正電圧の印加によって、伝導の低下が
生じるという直感に反する実験結果が導かれる。
【００２６】 図２ｃに図示のように、ゲーティング部材１４４への負電圧の印加により、全
く正反対の結果が示される。印加されたゲーティング電圧は障壁層の絶縁材１４
３の固有の電子親和力(χｂ)に打ち克ち、元のナノチューブ１４０の導体部の中
へ捕捉電子１４６”を打ち込み、それによってナノチューブ１４０内の伝導に利
用可能な電子の数を増加させる。実際、この増加の事実は図１ｂに示されている
。すなわち該図で、１００ｍＶのソース／ドレインＶＳＤについて、ＶＧ＝−６
Ｖのバイアスをゲーティング部材１４４に印加した場合、導電率が約８％程度増
加する。この結果、比較的高い負電圧の印加では、従来のシリコン回路で予想さ
れるような伝導チャネルのピンチオフは見られない。これは、導電性ナノチュー
ブ１４０とゲートとがほぼ共直線性を有し、電子の除去が可能な、ナノチューブ
の軸方向の電場成分が存在しないという事実に起因するものである。したがって
、対称性によって“ピンチ・オフ”を得ることはできない。この電場は、その範
囲のほとんど全体にわたってゲーティング絶縁体１４３表面に対して全く正常で
あるため、導電性ナノチューブ１４０内の電子には“エスケープ(escape)”が与
えられない。
く正反対の結果が示される。印加されたゲーティング電圧は障壁層の絶縁材１４
３の固有の電子親和力(χｂ)に打ち克ち、元のナノチューブ１４０の導体部の中
へ捕捉電子１４６”を打ち込み、それによってナノチューブ１４０内の伝導に利
用可能な電子の数を増加させる。実際、この増加の事実は図１ｂに示されている
。すなわち該図で、１００ｍＶのソース／ドレインＶＳＤについて、ＶＧ＝−６
Ｖのバイアスをゲーティング部材１４４に印加した場合、導電率が約８％程度増
加する。この結果、比較的高い負電圧の印加では、従来のシリコン回路で予想さ
れるような伝導チャネルのピンチオフは見られない。これは、導電性ナノチュー
ブ１４０とゲートとがほぼ共直線性を有し、電子の除去が可能な、ナノチューブ
の軸方向の電場成分が存在しないという事実に起因するものである。したがって
、対称性によって“ピンチ・オフ”を得ることはできない。この電場は、その範
囲のほとんど全体にわたってゲーティング絶縁体１４３表面に対して全く正常で
あるため、導電性ナノチューブ１４０内の電子には“エスケープ(escape)”が与
えられない。
【００２７】 このモデルでは、伝導が正孔を持たずに、電子を伴っている場合であっても、
ナノスイッチは高度に非最適化した疑似Ｐ型チャネル空乏モードスイッチとして
作動する。このナノスイッチは“疑似”スイッチと呼ばれる。その理由として、
この荷電捕捉モデルに従う実際の内部動作が全く異なるものであるにもかかわら
ず、このナノスイッチが外面的にはシリコンＰ型チャネルのように機能するとい
うことが挙げられる。再言するが、上記の事実は、シリコンデバイスについての
予想可能な結果とは直感的に反するものであり、本発明者が発見した重要な特性
、及び、従来のシリコン構造の特性との差異を示すものである。すなわち、カー
ボン・ナノチューブは、導電性ナノチューブから得られる移動キャリアを空乏化
できるほど十分に高い電子親和力(χｂ)を有する障壁層が導電性ナノチューブと
ゲーティング部材構造との間に存在するとき、等価的疑似Ｐ型チャネル・シリコ
ンデバイスとして機能することが可能である。本発明の教示によるナノチューブ
も空乏化を行うことはできるが、この空乏化は、ゲーティング部材／ナノチュー
ブインターフェースの選択された位置で障壁材料の電子親和力(χｂ)を変化させ
ることによってしか可能ではない。したがって、異なる電子親和力(χｂ)からな
る２つの阻止領域を持つ単一のナノチューブを構成し、さらにコンパクトな構成
で相補型シリコンデバイスのすべての利点を持つことが可能となる。シリコン半
導体技術では正反対の伝導性をもつ井戸領域を設けなければならないが、本発明
に準拠するナノチューブ技術ではこの井戸領域は完全に取り除かれる。したがっ
て、例えば、シリコンＣＭＯＳインバータがあるチップ面積（〜μｍ２）を持っ
ている場合、ナノチューブ・インバータは、２５０,０００倍狭い面積である約
４ｎｍ２の大きさの面積を持つことが可能となる。これはデバイスの記録密度の
著しい改善であると思われる。
ナノスイッチは高度に非最適化した疑似Ｐ型チャネル空乏モードスイッチとして
作動する。このナノスイッチは“疑似”スイッチと呼ばれる。その理由として、
この荷電捕捉モデルに従う実際の内部動作が全く異なるものであるにもかかわら
ず、このナノスイッチが外面的にはシリコンＰ型チャネルのように機能するとい
うことが挙げられる。再言するが、上記の事実は、シリコンデバイスについての
予想可能な結果とは直感的に反するものであり、本発明者が発見した重要な特性
、及び、従来のシリコン構造の特性との差異を示すものである。すなわち、カー
ボン・ナノチューブは、導電性ナノチューブから得られる移動キャリアを空乏化
できるほど十分に高い電子親和力(χｂ)を有する障壁層が導電性ナノチューブと
ゲーティング部材構造との間に存在するとき、等価的疑似Ｐ型チャネル・シリコ
ンデバイスとして機能することが可能である。本発明の教示によるナノチューブ
も空乏化を行うことはできるが、この空乏化は、ゲーティング部材／ナノチュー
ブインターフェースの選択された位置で障壁材料の電子親和力(χｂ)を変化させ
ることによってしか可能ではない。したがって、異なる電子親和力(χｂ)からな
る２つの阻止領域を持つ単一のナノチューブを構成し、さらにコンパクトな構成
で相補型シリコンデバイスのすべての利点を持つことが可能となる。シリコン半
導体技術では正反対の伝導性をもつ井戸領域を設けなければならないが、本発明
に準拠するナノチューブ技術ではこの井戸領域は完全に取り除かれる。したがっ
て、例えば、シリコンＣＭＯＳインバータがあるチップ面積（〜μｍ２）を持っ
ている場合、ナノチューブ・インバータは、２５０,０００倍狭い面積である約
４ｎｍ２の大きさの面積を持つことが可能となる。これはデバイスの記録密度の
著しい改善であると思われる。
【００２８】 本発明のゲーティング部材と、ゲーティング部材と導電性ナノチューブとの間
の阻止層とから成る特別の設計は、その構成の中で使用される所望の特定の材料
に応じて、いくつかの等価的構成を有する設計のいずれであってもよい。
の阻止層とから成る特別の設計は、その構成の中で使用される所望の特定の材料
に応じて、いくつかの等価的構成を有する設計のいずれであってもよい。
【００２９】 例示のために、Ｎ型チャネル空乏モード・ナノチューブ・スイッチの形の第１
の実施例が、立体投影図の形で図３ａに、また、導電性ナノチューブ１５１に沿
う横断面図で図３ｂに図示のように提示されている。この“導電性ナノチューブ
”という用語は、＋Ｖと接地電位との電位差、あるいは同じ意味であるが−Ｖと
接地電位との電位差によって、導電性ナノチューブ１５１の除去部分にバイアス
をかけることが可能で、かつ、伝導電流が通過可能なナノチューブを示すために
用いられる。このような伝導電流の変調は、好適な制御電圧ＶＧが印加されるゲ
ーティング構造１５０によって制御される。上述のように、“導電性ナノチュー
ブ”１５１はいくつかの異なる構成の中の１つであってもよく、“金属性”ナノ
チューブに限定されるものではない。“導電性ナノチューブ”１５１は単一壁の
ナノチューブまたは複数壁(multiwall)のナノチューブとすることも可能である
。第１の導電性ナノチューブ１５１とは異なる特性を持つ、ナノチューブを備え
ることも可能な別のゲーティング・ナノ構造１５０が第１の導電性ナノチューブ
１５１に対してクロスされる。この第２のゲーティング・ナノ構造１５０は単一
の壁あるいは複数の壁から成るナノチューブを備えていてもよい。
の実施例が、立体投影図の形で図３ａに、また、導電性ナノチューブ１５１に沿
う横断面図で図３ｂに図示のように提示されている。この“導電性ナノチューブ
”という用語は、＋Ｖと接地電位との電位差、あるいは同じ意味であるが−Ｖと
接地電位との電位差によって、導電性ナノチューブ１５１の除去部分にバイアス
をかけることが可能で、かつ、伝導電流が通過可能なナノチューブを示すために
用いられる。このような伝導電流の変調は、好適な制御電圧ＶＧが印加されるゲ
ーティング構造１５０によって制御される。上述のように、“導電性ナノチュー
ブ”１５１はいくつかの異なる構成の中の１つであってもよく、“金属性”ナノ
チューブに限定されるものではない。“導電性ナノチューブ”１５１は単一壁の
ナノチューブまたは複数壁(multiwall)のナノチューブとすることも可能である
。第１の導電性ナノチューブ１５１とは異なる特性を持つ、ナノチューブを備え
ることも可能な別のゲーティング・ナノ構造１５０が第１の導電性ナノチューブ
１５１に対してクロスされる。この第２のゲーティング・ナノ構造１５０は単一
の壁あるいは複数の壁から成るナノチューブを備えていてもよい。
【００３０】 この第１の好適な実施例の場合、阻止層の電子親和力(χｂ)の制御等の異なる
属性はゲーティング部材１５０に属し、また、ゲーティング部材１５０と関連づ
けられる。
属性はゲーティング部材１５０に属し、また、ゲーティング部材１５０と関連づ
けられる。
【００３１】 このことが図３ａと３ｂに例示されている。該図で導電性ナノチューブ１５１
はゲーティング部材１５０に対してクロスされている。ゲーティング部材１５０
は、単一構造１５０を有するか、あるいは、少なくとも１つの内部層ナノ構造１
５２と、その外周の周りに所定の電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料から成る外層
１５３とを有する合成構造を有するかのいずれかとすることができる。１５２と
１５３の合成構造はまとめてゲーティング部材１５０と呼ばれる。
はゲーティング部材１５０に対してクロスされている。ゲーティング部材１５０
は、単一構造１５０を有するか、あるいは、少なくとも１つの内部層ナノ構造１
５２と、その外周の周りに所定の電子親和力(χｂ)を持つ障壁材料から成る外層
１５３とを有する合成構造を有するかのいずれかとすることができる。１５２と
１５３の合成構造はまとめてゲーティング部材１５０と呼ばれる。
【００３２】 導電性ナノチューブ１５１とゲーティング部材１５０との間の接触空乏領域が
この構成では無視できるほど非常に狭いので、高い電子親和力(χｂ)を示す障壁
層材料を含む障壁材料１５３によって良好なＮ型チャネル空乏モード・デバイス
の製作が可能となる。例えば、ショットキー形成金属や、半導体や、ドープされ
た半導体や、あるいは合成半導体層等の障壁層材料１５３が導電性を有する場合
、たとえ１５３の障壁材料が高い電子親和力(χｂ)を有し、その内部ナノチュー
ブ１５２からキャリアを完全に空乏化することができても、内部ゲーティング構
造のナノチューブ１５２と共に障壁層材料１５３を使用することが可能である。
この場合、内部ゲーティング部材のナノチューブ１５２は、この高い電子親和力
(χｂ)を持つ障壁層材料１５３用の、ゲーティング部材構造１５０内の非導電性
構造支承部材(マンドレル)として機能する。
この構成では無視できるほど非常に狭いので、高い電子親和力(χｂ)を示す障壁
層材料を含む障壁材料１５３によって良好なＮ型チャネル空乏モード・デバイス
の製作が可能となる。例えば、ショットキー形成金属や、半導体や、ドープされ
た半導体や、あるいは合成半導体層等の障壁層材料１５３が導電性を有する場合
、たとえ１５３の障壁材料が高い電子親和力(χｂ)を有し、その内部ナノチュー
ブ１５２からキャリアを完全に空乏化することができても、内部ゲーティング構
造のナノチューブ１５２と共に障壁層材料１５３を使用することが可能である。
この場合、内部ゲーティング部材のナノチューブ１５２は、この高い電子親和力
(χｂ)を持つ障壁層材料１５３用の、ゲーティング部材構造１５０内の非導電性
構造支承部材(マンドレル)として機能する。
【００３３】 ガリウム砒素(ＧａＡｓ)集積回路において役に立つ、高い電子親和力(χｂ)を
持つ材料の１つの固有の組合せとして、内部のナノチューブ１５２にわたる非ド
ープＧａＡｓと、非ドープＧａＡｓにわたるＮ＋ドープされたＡｌＧａＡｓから
成る外層とから成る合成層の利用がある。この合成層によって、ＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓインターフェースにおいてＧａＡｓの内部に２次元電子ガス(“２ＤＥ
Ｇ”)が形成され、非常に導電性の高い手段が提供され、この手段によってゲー
ティング部材１５０へのゲーティング電位信号ＶＧをゲーティング構造１５０の
中で伝播することができる。次いで、これによって、ＧａＡｓ集積回路とナノチ
ューブ集積回路との間に多くの“ブリッジ”の中の１つを形成することが可能と
なる。上記とは別に、高度にドープされたＮ＋ＡｌＧａＡｓ層は内部のナノチュ
ーブ１５２と接触することができ、ＧａＡｓ層をＮ＋ＡｌＧａＡｓの外側に設け
ることができる。さらに、このようなナノチューブ／ＧａＡｓ(Ｎ＋ＡｌＧａＡ
ｓ)／Ｎ＋ＡｌＧａＡｓ(ＧａＡｓ)の組合せは、超微細ＧａＡｓ集積回路内の電
力と信号用の完全に互換性を持つ導体としてそれ自身有用である。
持つ材料の１つの固有の組合せとして、内部のナノチューブ１５２にわたる非ド
ープＧａＡｓと、非ドープＧａＡｓにわたるＮ＋ドープされたＡｌＧａＡｓから
成る外層とから成る合成層の利用がある。この合成層によって、ＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓインターフェースにおいてＧａＡｓの内部に２次元電子ガス(“２ＤＥ
Ｇ”)が形成され、非常に導電性の高い手段が提供され、この手段によってゲー
ティング部材１５０へのゲーティング電位信号ＶＧをゲーティング構造１５０の
中で伝播することができる。次いで、これによって、ＧａＡｓ集積回路とナノチ
ューブ集積回路との間に多くの“ブリッジ”の中の１つを形成することが可能と
なる。上記とは別に、高度にドープされたＮ＋ＡｌＧａＡｓ層は内部のナノチュ
ーブ１５２と接触することができ、ＧａＡｓ層をＮ＋ＡｌＧａＡｓの外側に設け
ることができる。さらに、このようなナノチューブ／ＧａＡｓ(Ｎ＋ＡｌＧａＡ
ｓ)／Ｎ＋ＡｌＧａＡｓ(ＧａＡｓ)の組合せは、超微細ＧａＡｓ集積回路内の電
力と信号用の完全に互換性を持つ導体としてそれ自身有用である。
【００３４】 図３ａと３ｂに図示のように、ゲートの障壁層材料１５３が、ナノチューブか
ら完全に電子を空乏化することができないほど小さな、部材１５０の電子親和力
(χｂ)を有し、かつ、ゲーティング絶縁を目的として十分な高さの障壁を有して
いる場合、さらに広範囲の材料を用いて成功する空乏モードＮ型チャネル・ナノ
スイッチを得ることが可能となる。この場合、ゲーティング部材１５０に印加さ
れるゼロ・バイアス電圧ＶＧが存在するとき、導電性ナノチューブ１５１は、ゲ
ーティング部材１５０のこの低い電子親和力障壁層材料部分１５３の存在にほと
んど気がつかない。次いで、導電性ナノチューブ１５１内の電子、並びに、ゲー
ティング部材１５０内の電子は自由に伝導する。しかし、十分に負のゲーティン
グ電圧ＶＧがゲーティング部材１５０に印加された場合、クーロン静電反発力に
よって、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０間の接触部に隣接
する領域全体の１５４として例示される領域内で導電性ナノチューブ１５１内の
電子が撥ね返され、空乏化されて、導電性ナノチューブ１５１内の電流は静止す
ることになる。この転送特性が図３ｃに図示されている。この図で、負のゲーテ
ィング電圧ＶＧ＝−ＶＮｔｈで、導電性チャネルはこの閾値電圧でピンチ・オフ
し、伝導が停止する。導電性ナノチューブ１５１の直径を完全に空乏化するため
には、非常に小さなゲーティング電圧ＶＧ差しか必要としないので、−ＶＮｔｈ におけるＩ/ＶＧグラフの勾配(ゲートの“スイッチイング・スルー・レート”Δ
Ｉ／ΔＶＧ)は適度に急勾配である。この場合従来技術との相違点として、ゲー
ティング構造１５０の導体部全体が静電表面を形成し、該静電表面が、導電性ナ
ノチューブ１５１の縦軸に沿う縦方向成分ＥＬと、この縦軸に対して法線を成す
横方向成分ＥＴとを持つ空乏層の表面１５４において電場Ｅを有するということ
が挙げられる。この設計の単純さとして、長年世界中の実験室によって作られて
きたすべての基本的カーボン・ナノチューブからこの設計を完全に行うことが可
能であるという点が挙げられる。導電性ナノチューブ１５１が、バンドギャップ
ｇ１の半導電性ナノチューブである場合、ゲーティング構造１５０は、例えば、
ｇ１とは著しく異なる(ｇ１≠ｇ２)第２のバンドギャップｇ２を持つ別の半導電
性ナノチューブとすることが可能である。したがって、Ｎ型チャネル空乏モード
・ナノスイッチの場合、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０と
を含む、真の金属、半金属、または半導電性ナノチューブから成る広範囲の組み
合わせを利用することが可能となり、また、障壁材料１５３用として広範囲の材
料の使用が可能となるが、その際唯一の条件として、導電性ナノチューブ１５１
とゲーティング部材１５０との間の障壁が、使用可能なゲーティング電圧ＶＧを
ゲーティング部材１５０に対して出力できるほど十分な高さの障壁を備えて、故
障や望ましくない電子の漏洩を伴わずに導電性ナノチューブ１５１を完全に空乏
化できるようにするという条件がある。
ら完全に電子を空乏化することができないほど小さな、部材１５０の電子親和力
(χｂ)を有し、かつ、ゲーティング絶縁を目的として十分な高さの障壁を有して
いる場合、さらに広範囲の材料を用いて成功する空乏モードＮ型チャネル・ナノ
スイッチを得ることが可能となる。この場合、ゲーティング部材１５０に印加さ
れるゼロ・バイアス電圧ＶＧが存在するとき、導電性ナノチューブ１５１は、ゲ
ーティング部材１５０のこの低い電子親和力障壁層材料部分１５３の存在にほと
んど気がつかない。次いで、導電性ナノチューブ１５１内の電子、並びに、ゲー
ティング部材１５０内の電子は自由に伝導する。しかし、十分に負のゲーティン
グ電圧ＶＧがゲーティング部材１５０に印加された場合、クーロン静電反発力に
よって、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０間の接触部に隣接
する領域全体の１５４として例示される領域内で導電性ナノチューブ１５１内の
電子が撥ね返され、空乏化されて、導電性ナノチューブ１５１内の電流は静止す
ることになる。この転送特性が図３ｃに図示されている。この図で、負のゲーテ
ィング電圧ＶＧ＝−ＶＮｔｈで、導電性チャネルはこの閾値電圧でピンチ・オフ
し、伝導が停止する。導電性ナノチューブ１５１の直径を完全に空乏化するため
には、非常に小さなゲーティング電圧ＶＧ差しか必要としないので、−ＶＮｔｈ におけるＩ/ＶＧグラフの勾配(ゲートの“スイッチイング・スルー・レート”Δ
Ｉ／ΔＶＧ)は適度に急勾配である。この場合従来技術との相違点として、ゲー
ティング構造１５０の導体部全体が静電表面を形成し、該静電表面が、導電性ナ
ノチューブ１５１の縦軸に沿う縦方向成分ＥＬと、この縦軸に対して法線を成す
横方向成分ＥＴとを持つ空乏層の表面１５４において電場Ｅを有するということ
が挙げられる。この設計の単純さとして、長年世界中の実験室によって作られて
きたすべての基本的カーボン・ナノチューブからこの設計を完全に行うことが可
能であるという点が挙げられる。導電性ナノチューブ１５１が、バンドギャップ
ｇ１の半導電性ナノチューブである場合、ゲーティング構造１５０は、例えば、
ｇ１とは著しく異なる(ｇ１≠ｇ２)第２のバンドギャップｇ２を持つ別の半導電
性ナノチューブとすることが可能である。したがって、Ｎ型チャネル空乏モード
・ナノスイッチの場合、導電性ナノチューブ１５１とゲーティング構造１５０と
を含む、真の金属、半金属、または半導電性ナノチューブから成る広範囲の組み
合わせを利用することが可能となり、また、障壁材料１５３用として広範囲の材
料の使用が可能となるが、その際唯一の条件として、導電性ナノチューブ１５１
とゲーティング部材１５０との間の障壁が、使用可能なゲーティング電圧ＶＧを
ゲーティング部材１５０に対して出力できるほど十分な高さの障壁を備えて、故
障や望ましくない電子の漏洩を伴わずに導電性ナノチューブ１５１を完全に空乏
化できるようにするという条件がある。
【００３５】 上述のように、図３ａと３ｂの構造設計は、疑似Ｐ型チャネル・ナノスイッチ
にとって好適ではない。これは、基本的に、導電性ナノチューブ１５１と、ゲー
ティング構造１５０の障壁材料１５３との間の接触面積が狭いということに起因
する。言うまでもなく、１つの解決策として、図４ａと４ｂに図示の代替構成の
ような、障壁材料が導電性ナノチューブと接触するレベルを増加させる方法があ
る。この実施例では、障壁材料１５３'が、導電性ナノチューブ１５１'の領域を
ほぼ取り囲んだり完全に取り囲み、この十分な接触面積をデバイスに与えるよう
にすることが望ましい。ゲーティング部材１５０'によって接触されているとき
、障壁材料１５３'が等電位面を形成するために、固有のものとして十分な導電
性を持っていない場合、追加の導電層１５７を加えて、障壁材料１５３'と導電
性ナノチューブ１５１'とを取り囲むようにすることが可能である。上述したよ
うに、固有のものとして十分な導電性を持つショットキー障壁材料等の多くの材
料用としてはこの追加導電層１５７を不要とすることができ、ゲーティング部材
１５０'が導電性ショットキー障壁材料１５３'とのオーミック接点となることが
可能である限り、追加導電層１５７を省くことが望ましい。ゲート閾値電圧ＶＧ ＝−ＶＰｔｈは特別の障壁材料１５３'の仕事関数φｂから得られる直接的結果
である。この障壁ゲーティング材１５３'に対するこの場合の唯一の要件として
、導電性ナノチューブ１５１'が真の金属、半金属、あるいは、半導電性ナノチ
ューブのいずれであるかを問わず、少なくとも部分的に導電性ナノチューブ１５
１'を空乏化するために、ゼロ・ゲーティング・バイアスＶＧで十分に大きな電
子親和力(χｂ)を持つようにすることと、スイッチング・グラフ１６７、１６８
で図示のように、適切なゲート電圧ＶＧ＝−ＶＰｔｈで十分な高さの障壁を用い
て、導電性ナノチューブ１５１'を補給(undeplete)するに足るほど十分な実際的
電位障壁を確立できるようにすることとがある。図４ａと４ｂのこの構成を用い
てさらなるＰ型チャネル・ナノスイッチ(空乏モード・デバイス)の作製が可能と
なる。障壁材料１５３'が電子を捕捉することができ、しかも、ゼロ・ゲーティ
ング・バイアスＶＧで導電性ナノチューブ１５１'から電子の空乏化あるいは電
子の完全な空乏化を行うには不十分な電子親和力(χｂ)を持っている場合、ゲー
ティング構造に対して正のゲーティング電位ＶＧを印加することにより、この正
の電位が障壁材料１５３'を補助し、次いで、障壁材料１５３'内で自由電子を捕
捉し、それによって導電性ナノチューブ１５１'のピンチオフを行うようにする
ことができる。このケースが図４ｃに点線グラフ１６９で示されている。このよ
うにして、図４ｄに示すように狭い幅の伝導を持つデバイスを設けることができ
る。
にとって好適ではない。これは、基本的に、導電性ナノチューブ１５１と、ゲー
ティング構造１５０の障壁材料１５３との間の接触面積が狭いということに起因
する。言うまでもなく、１つの解決策として、図４ａと４ｂに図示の代替構成の
ような、障壁材料が導電性ナノチューブと接触するレベルを増加させる方法があ
る。この実施例では、障壁材料１５３'が、導電性ナノチューブ１５１'の領域を
ほぼ取り囲んだり完全に取り囲み、この十分な接触面積をデバイスに与えるよう
にすることが望ましい。ゲーティング部材１５０'によって接触されているとき
、障壁材料１５３'が等電位面を形成するために、固有のものとして十分な導電
性を持っていない場合、追加の導電層１５７を加えて、障壁材料１５３'と導電
性ナノチューブ１５１'とを取り囲むようにすることが可能である。上述したよ
うに、固有のものとして十分な導電性を持つショットキー障壁材料等の多くの材
料用としてはこの追加導電層１５７を不要とすることができ、ゲーティング部材
１５０'が導電性ショットキー障壁材料１５３'とのオーミック接点となることが
可能である限り、追加導電層１５７を省くことが望ましい。ゲート閾値電圧ＶＧ ＝−ＶＰｔｈは特別の障壁材料１５３'の仕事関数φｂから得られる直接的結果
である。この障壁ゲーティング材１５３'に対するこの場合の唯一の要件として
、導電性ナノチューブ１５１'が真の金属、半金属、あるいは、半導電性ナノチ
ューブのいずれであるかを問わず、少なくとも部分的に導電性ナノチューブ１５
１'を空乏化するために、ゼロ・ゲーティング・バイアスＶＧで十分に大きな電
子親和力(χｂ)を持つようにすることと、スイッチング・グラフ１６７、１６８
で図示のように、適切なゲート電圧ＶＧ＝−ＶＰｔｈで十分な高さの障壁を用い
て、導電性ナノチューブ１５１'を補給(undeplete)するに足るほど十分な実際的
電位障壁を確立できるようにすることとがある。図４ａと４ｂのこの構成を用い
てさらなるＰ型チャネル・ナノスイッチ(空乏モード・デバイス)の作製が可能と
なる。障壁材料１５３'が電子を捕捉することができ、しかも、ゼロ・ゲーティ
ング・バイアスＶＧで導電性ナノチューブ１５１'から電子の空乏化あるいは電
子の完全な空乏化を行うには不十分な電子親和力(χｂ)を持っている場合、ゲー
ティング構造に対して正のゲーティング電位ＶＧを印加することにより、この正
の電位が障壁材料１５３'を補助し、次いで、障壁材料１５３'内で自由電子を捕
捉し、それによって導電性ナノチューブ１５１'のピンチオフを行うようにする
ことができる。このケースが図４ｃに点線グラフ１６９で示されている。このよ
うにして、図４ｄに示すように狭い幅の伝導を持つデバイスを設けることができ
る。
【００３６】 以下はすべて、シリコンＣＭＯＳのすべての利点を有する疑似“ＣＭＯＳ”ナ
ノチューブ・スイッチング・ペア・インバータの形成に必要なエレメントであり
、このインバータでは、図５ａに示すように、Ｎ型チャネルと疑似Ｐ型チャネル
・ナノスイッチとのゲートとが、同じ負のＶＧスイッチング信号と一緒に接続さ
れる。開始ナノチューブ１７１は、上述した材料である、十分な電子親和力(χ
ｂ１)を持つ開始障壁材料層１７３によって被膜されて、ゼロ外部電位バイアス
で開始ナノチューブ１７１からキャリアの空乏化が行われる。図５ａに例示され
ているように、この開始障壁材料層１７３上に好適な横幅のマスキング用ダミー
・ナノチューブ１７５が配置される。特定イオンのイオン打込みが行われて、開
始障壁材料層１７３は第２の電子親和力(χｂ２)を持つ第２の障壁材料層１７４
に変換される。この第２の電子親和力は、マスクされていない部分において、上
述のようにゼロ・バイアス電位で導電性ナノチューブ１７１からキャリアを空乏
化するには不十分である。この第２の障壁材料層１７４は、導電性ナノチューブ
１７１を完全に取り囲む、あるいは、少なくともほぼ取り囲むことが望ましいの
で、回転軸として導電性ナノチューブ１７１の縦軸を用いて１８０°のアークで
イオン・ソースを移動させることによりこの取り囲みを行うことができる。この
ように、マスクとして一時ナノチューブ１７５を用いることにより、また、この
ような１８０°のアークで所望のイオンを打込むことにより、最初の障壁材料層
１７３のほとんど全てのマスクされていない部分が新しい材料１７４へ変換され
る。これを示す１つの特別の例として、上述したように、導電性ナノチューブ１
７１からキャリアを空乏化するのに十分な電子親和力(χｂ)を持つ開始障壁材料
１７３として非補償ＳｉＯ２を利用する例があり、これについてはすでに述べた
。次いで、水素(Ｈ＋)またはフッ素(Ｆ−)イオンがマスクされていない部分へ打
ち込まれ、従来のシリコン処理の場合のように適切に熱処理された場合、すでに
説明したように、その障壁材料部分１７４は、導電性ナノチューブ１７１からキ
ャリアを空乏化するには不十分な第２の電子親和力(χｂ２)を持つことになる。
この場合、障壁材料層１７３と１７４とは異なる表面属性を持つ絶縁体であるた
め、これらの障壁材料層は検出が可能であり、これら２つの層間の変化は、図５
ｂに例示されているように、トンネル型電子顕微鏡(“ＴＥＭ”)のプローブ１７
６によって検出が可能である。このようなプローブに印加された電圧が印加電圧
パルス(４ボルト未満等)に応じて、高い十分な電場を発生させて図５ｂに図示の
ように、この変化部分１７８で絶縁体１７３−１７４を取り除くことができるこ
とは当業において公知である。次いで、導電性被覆部１７７によってこのアセン
ブリ全体を被覆し、図５ｃに示すように、プローブ１７６が変化部分１７８を再
び検出できる所までＴＥＭプローブを戻して、電圧パルスを用いてこの導電被覆
部のこの部分１７８をブラストすることが可能である。次いで、導電性ナノチュ
ーブ１７１にバイアスをかけ、電子エッチング浴(electroetchive
bath)の中へチューブ・アセンブリを入れ、１７１と直接接触する導電層１７７
の部分のエッチングを最初に行って取り除き、図５ｄに図示のように障壁材料部
分１７３と１７４とにわたって導電性被覆部１７７だけを残すようにすることが
できる。この処理の１つの代替変更例として、最初の障壁材料１７３用として適
切なショットキー形成金属を利用する例がある。次いで、ここで、図５ａの照射
部分１７３の中へ別のタイプの金属イオンを打込み、この照射部分１７３の合金
構成を変更することが可能となる。ゲーティング部材１７０は図３ａ−４ｂの１
５０と１５０'に対応し、このゲーティング部材１７０によって、導電性オーバ
ーレイ１７７の同一の広がりを持つ性質に起因して、Ｎチャネル型の空乏モード
・ナノスイッチ１７１−１７４−１７７と、疑似Ｐ型チャネル型の拡張モード・
ナノスイッチ１７１−１７３−１７７との共通ゲートが形成される。したがって
、図５ｅで、導電性ナノチューブ１７９は、Ｐ型チャネルとＮ型チャネルのデバ
イス間のノードで導電性ナノチューブ１７１と接触し、インバータの出力信号を
形成し、導体１７７は共通ゲーティング接続部を形成し、ゲーティング部材１７
０は信号入力部を形成する。このようにして、導体部材のドーピングを一切行わ
ずに、同一タイプの導電性ナノチューブ１７０のすべてを用いて非常にコンパク
トな疑似ＣＭＯＳタイプのインバータの作製が可能となり、さらに、非常にコン
パクトな構成で、約５０Å程度までに全体の長さを保ちながら、該インバータの
作製が可能となる。
ノチューブ・スイッチング・ペア・インバータの形成に必要なエレメントであり
、このインバータでは、図５ａに示すように、Ｎ型チャネルと疑似Ｐ型チャネル
・ナノスイッチとのゲートとが、同じ負のＶＧスイッチング信号と一緒に接続さ
れる。開始ナノチューブ１７１は、上述した材料である、十分な電子親和力(χ
ｂ１)を持つ開始障壁材料層１７３によって被膜されて、ゼロ外部電位バイアス
で開始ナノチューブ１７１からキャリアの空乏化が行われる。図５ａに例示され
ているように、この開始障壁材料層１７３上に好適な横幅のマスキング用ダミー
・ナノチューブ１７５が配置される。特定イオンのイオン打込みが行われて、開
始障壁材料層１７３は第２の電子親和力(χｂ２)を持つ第２の障壁材料層１７４
に変換される。この第２の電子親和力は、マスクされていない部分において、上
述のようにゼロ・バイアス電位で導電性ナノチューブ１７１からキャリアを空乏
化するには不十分である。この第２の障壁材料層１７４は、導電性ナノチューブ
１７１を完全に取り囲む、あるいは、少なくともほぼ取り囲むことが望ましいの
で、回転軸として導電性ナノチューブ１７１の縦軸を用いて１８０°のアークで
イオン・ソースを移動させることによりこの取り囲みを行うことができる。この
ように、マスクとして一時ナノチューブ１７５を用いることにより、また、この
ような１８０°のアークで所望のイオンを打込むことにより、最初の障壁材料層
１７３のほとんど全てのマスクされていない部分が新しい材料１７４へ変換され
る。これを示す１つの特別の例として、上述したように、導電性ナノチューブ１
７１からキャリアを空乏化するのに十分な電子親和力(χｂ)を持つ開始障壁材料
１７３として非補償ＳｉＯ２を利用する例があり、これについてはすでに述べた
。次いで、水素(Ｈ＋)またはフッ素(Ｆ−)イオンがマスクされていない部分へ打
ち込まれ、従来のシリコン処理の場合のように適切に熱処理された場合、すでに
説明したように、その障壁材料部分１７４は、導電性ナノチューブ１７１からキ
ャリアを空乏化するには不十分な第２の電子親和力(χｂ２)を持つことになる。
この場合、障壁材料層１７３と１７４とは異なる表面属性を持つ絶縁体であるた
め、これらの障壁材料層は検出が可能であり、これら２つの層間の変化は、図５
ｂに例示されているように、トンネル型電子顕微鏡(“ＴＥＭ”)のプローブ１７
６によって検出が可能である。このようなプローブに印加された電圧が印加電圧
パルス(４ボルト未満等)に応じて、高い十分な電場を発生させて図５ｂに図示の
ように、この変化部分１７８で絶縁体１７３−１７４を取り除くことができるこ
とは当業において公知である。次いで、導電性被覆部１７７によってこのアセン
ブリ全体を被覆し、図５ｃに示すように、プローブ１７６が変化部分１７８を再
び検出できる所までＴＥＭプローブを戻して、電圧パルスを用いてこの導電被覆
部のこの部分１７８をブラストすることが可能である。次いで、導電性ナノチュ
ーブ１７１にバイアスをかけ、電子エッチング浴(electroetchive
bath)の中へチューブ・アセンブリを入れ、１７１と直接接触する導電層１７７
の部分のエッチングを最初に行って取り除き、図５ｄに図示のように障壁材料部
分１７３と１７４とにわたって導電性被覆部１７７だけを残すようにすることが
できる。この処理の１つの代替変更例として、最初の障壁材料１７３用として適
切なショットキー形成金属を利用する例がある。次いで、ここで、図５ａの照射
部分１７３の中へ別のタイプの金属イオンを打込み、この照射部分１７３の合金
構成を変更することが可能となる。ゲーティング部材１７０は図３ａ−４ｂの１
５０と１５０'に対応し、このゲーティング部材１７０によって、導電性オーバ
ーレイ１７７の同一の広がりを持つ性質に起因して、Ｎチャネル型の空乏モード
・ナノスイッチ１７１−１７４−１７７と、疑似Ｐ型チャネル型の拡張モード・
ナノスイッチ１７１−１７３−１７７との共通ゲートが形成される。したがって
、図５ｅで、導電性ナノチューブ１７９は、Ｐ型チャネルとＮ型チャネルのデバ
イス間のノードで導電性ナノチューブ１７１と接触し、インバータの出力信号を
形成し、導体１７７は共通ゲーティング接続部を形成し、ゲーティング部材１７
０は信号入力部を形成する。このようにして、導体部材のドーピングを一切行わ
ずに、同一タイプの導電性ナノチューブ１７０のすべてを用いて非常にコンパク
トな疑似ＣＭＯＳタイプのインバータの作製が可能となり、さらに、非常にコン
パクトな構成で、約５０Å程度までに全体の長さを保ちながら、該インバータの
作製が可能となる。
【００３７】 図５ｅのこのＣＭＯＳ様ナノインバータを用いて、クロス接合されたナノマル
チバイブレータ(ＮＭＶ、フリップ・フロップ)を形成することは簡単である。図
５ｅの構成のナノインバータのうちの２つを採って、それらのうちの一方をもう
一方に対して１８０°回転させ、図６ａに図示のように、ゲーティングと出力部
との接続の位置合わせを行うようにすることができる。この場合、左側に在るナ
ノインバータは図５ｅのインバータと同じ名称を有する。右側に在る回転された
ナノインバータもプライム記号(')が付けられているだけで、同じ名称を持つ。
したがって、左側に在るナノインバータの入力側導電性ナノチューブ１７０は、
右側に在るナノインバータの共通ノードと接続され、次いで、１７９'と単一の
導電性ナノチューブ１７０−１７９'とによってこの必須のクロス−接合が形成
される。同様にし、左側のナノインバータの共通ノード接続部１７９は右側に在
るナノインバータの出力ゲーティング１７０'と接続されたクロス−接合である
。“−Ｖ”と接地電位という用語は、様々な領域に対する電位を示すために用い
られるが、それぞれ接地電位と＋Ｖと同等のものと考えることができるという点
に留意されたい。これは、“接地電位”の名称の選択の変更にすぎない。ゲーテ
ィング電圧は、所望のスイッチングを達成するためにこの場合負であるため、第
１の名称である接地電位と−Ｖのほうがより正確であろう。しかし、従来の工学
では、ＣＭＯＳインバータ等に対して＋Ｖと接地電位という用語が用いられてき
たので、この名称も同じ意味で使用することができる。
チバイブレータ(ＮＭＶ、フリップ・フロップ)を形成することは簡単である。図
５ｅの構成のナノインバータのうちの２つを採って、それらのうちの一方をもう
一方に対して１８０°回転させ、図６ａに図示のように、ゲーティングと出力部
との接続の位置合わせを行うようにすることができる。この場合、左側に在るナ
ノインバータは図５ｅのインバータと同じ名称を有する。右側に在る回転された
ナノインバータもプライム記号(')が付けられているだけで、同じ名称を持つ。
したがって、左側に在るナノインバータの入力側導電性ナノチューブ１７０は、
右側に在るナノインバータの共通ノードと接続され、次いで、１７９'と単一の
導電性ナノチューブ１７０−１７９'とによってこの必須のクロス−接合が形成
される。同様にし、左側のナノインバータの共通ノード接続部１７９は右側に在
るナノインバータの出力ゲーティング１７０'と接続されたクロス−接合である
。“−Ｖ”と接地電位という用語は、様々な領域に対する電位を示すために用い
られるが、それぞれ接地電位と＋Ｖと同等のものと考えることができるという点
に留意されたい。これは、“接地電位”の名称の選択の変更にすぎない。ゲーテ
ィング電圧は、所望のスイッチングを達成するためにこの場合負であるため、第
１の名称である接地電位と−Ｖのほうがより正確であろう。しかし、従来の工学
では、ＣＭＯＳインバータ等に対して＋Ｖと接地電位という用語が用いられてき
たので、この名称も同じ意味で使用することができる。
【００３８】 最初の導電性ナノチューブ１７１用として(１０,１０)金属ナノチューブを用
い、約３０Åの厚さの障壁層１７３−１７４と、約１０Åの最終導電性被覆部１
７７とを加えた場合、図５ｅのインバータは約５０Åの直径を持つことになり、
長さを約５０Åにすることができる。２つのナノインバータ間の間隔を約１５Å
と仮定すると、ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)の場合、総面積で約１３０Å×
７５Åのセル・ピッチ(約１００ｎｍ２)が生じる。これはおそらく体積では現在
製造されているいずれのマルチバイブレータより１０８分の一小さなものとなる
。
い、約３０Åの厚さの障壁層１７３−１７４と、約１０Åの最終導電性被覆部１
７７とを加えた場合、図５ｅのインバータは約５０Åの直径を持つことになり、
長さを約５０Åにすることができる。２つのナノインバータ間の間隔を約１５Å
と仮定すると、ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)の場合、総面積で約１３０Å×
７５Åのセル・ピッチ(約１００ｎｍ２)が生じる。これはおそらく体積では現在
製造されているいずれのマルチバイブレータより１０８分の一小さなものとなる
。
【００３９】 ナノマルチバイブレータの性能推定値を出すことが可能である。W. Scott著“
電気と磁気”(著作権 １９６６年、第２版、ニューヨーク、pp.１６３〜１６５
)等に示されているように、導体基板上の導電性ワイヤのキャパシタンス(Ｃ)を
Ｃ＝２πε０Ｌ／ｌｎ{(ｄ＋(ｄ２−Ｒ２)１／２)／Ｒ} (但し、ε０＝８.８５×１０−１２Ｆ／ｍ、ｄ≒２５Åは導体軸線から平面まで
の距離、Ｒ＝６.５Åは導体半径)、ナノインバータの長さを≒５０Å、および、
もう一方のインバータまでの出力側の長さを≒１３０Åと仮定すると、１つのナ
ノインバータ・ノードの総キャパシタンス(Ｃ)は、Ｃ≒２×１０−１８Ｆとなる
。このようなナノチューブ導体の検査抵抗が巨視的平均値で４００〜７５０Ω／
Åの長さの範囲内にあることを考慮すると、１８０Åの総インバータおよび出力
抵抗の長さは、結果として、ＲＣ≒−０.１〜−０.３×１０−１２秒のオーダー
で、すなわちサブ・ピコ秒の範囲でＲＣ時定数となり、現在のシリコン半導体デ
バイスよりいくぶん高速になる。この推測値は、１９９９年のI.S.S.C.C.(国際
固体素子回路会議)での、類似の構造についてのA. Johnsonの計算および他の人
々の計算によって独立に確証された値である。
電気と磁気”(著作権 １９６６年、第２版、ニューヨーク、pp.１６３〜１６５
)等に示されているように、導体基板上の導電性ワイヤのキャパシタンス(Ｃ)を
Ｃ＝２πε０Ｌ／ｌｎ{(ｄ＋(ｄ２−Ｒ２)１／２)／Ｒ} (但し、ε０＝８.８５×１０−１２Ｆ／ｍ、ｄ≒２５Åは導体軸線から平面まで
の距離、Ｒ＝６.５Åは導体半径)、ナノインバータの長さを≒５０Å、および、
もう一方のインバータまでの出力側の長さを≒１３０Åと仮定すると、１つのナ
ノインバータ・ノードの総キャパシタンス(Ｃ)は、Ｃ≒２×１０−１８Ｆとなる
。このようなナノチューブ導体の検査抵抗が巨視的平均値で４００〜７５０Ω／
Åの長さの範囲内にあることを考慮すると、１８０Åの総インバータおよび出力
抵抗の長さは、結果として、ＲＣ≒−０.１〜−０.３×１０−１２秒のオーダー
で、すなわちサブ・ピコ秒の範囲でＲＣ時定数となり、現在のシリコン半導体デ
バイスよりいくぶん高速になる。この推測値は、１９９９年のI.S.S.C.C.(国際
固体素子回路会議)での、類似の構造についてのA. Johnsonの計算および他の人
々の計算によって独立に確証された値である。
【００４０】 図６ａに示されるようなこのような複数のナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)を
容易に鎖状に結合して、カウントダウン周波数分割器を形成することが可能とな
る。図６ａの基本設計を採用して、鏡像構成の隣接するマルチバイブレータ・ユ
ニットを形成した場合、図６ｂに示すような、複数の鏡像反転ナノマルチバイブ
レータ(ＮＭＶｉ)を備えた、同一の電源接続部を持つ類似のペアの隣接する導電
性ナノチューブが、端部のナノインバータを除いてカウントダウン・チェーンの
形で結果として得られる。次いで、ノードと入力／出力接続に対応する領域にわ
たって２つの長い導電性ナノチューブ１９０と１９０'とを配置することができ
る。各ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)用クロス−接合接続を形成するためには
、ＴＥＭプローブを元に戻して、導電性ナノチューブ１９０と１９０'との間を
４スペース毎進み、ナノチューブ１９０、１９０'をそのポイントで切断するの
に十分な４〜６.５ボルトの範囲の電圧をそのスペースに印加するだけでよい。L
. Venema他著“走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造による個々のカーボン・
ナノチューブの長さ制御”(“応用物理学レターズ”、Vol.７１、No.１８、１９
９７年１１月３日、pp.２６２９−２６３１)等を参照されたい。この切断は図中
“Ｘ”でマークされている。短いセクションのナノチューブを形成して１９０、
１９０'に対応するクロス−接合接続を形成する代わりに、単一の長いセクショ
ンを使用し、望み通りに、また、指示通りに元の位置で切断を行うことが可能で
ある。したがって、入力側に入力信号を印加し、適切な電源電圧を印加すること
により、今日のいずれの技術を用いても可能なものよりはるかに狭い空間内にナ
ノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)周波数分割チェーン構成の配設が可能となる。
容易に鎖状に結合して、カウントダウン周波数分割器を形成することが可能とな
る。図６ａの基本設計を採用して、鏡像構成の隣接するマルチバイブレータ・ユ
ニットを形成した場合、図６ｂに示すような、複数の鏡像反転ナノマルチバイブ
レータ(ＮＭＶｉ)を備えた、同一の電源接続部を持つ類似のペアの隣接する導電
性ナノチューブが、端部のナノインバータを除いてカウントダウン・チェーンの
形で結果として得られる。次いで、ノードと入力／出力接続に対応する領域にわ
たって２つの長い導電性ナノチューブ１９０と１９０'とを配置することができ
る。各ナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)用クロス−接合接続を形成するためには
、ＴＥＭプローブを元に戻して、導電性ナノチューブ１９０と１９０'との間を
４スペース毎進み、ナノチューブ１９０、１９０'をそのポイントで切断するの
に十分な４〜６.５ボルトの範囲の電圧をそのスペースに印加するだけでよい。L
. Venema他著“走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造による個々のカーボン・
ナノチューブの長さ制御”(“応用物理学レターズ”、Vol.７１、No.１８、１９
９７年１１月３日、pp.２６２９−２６３１)等を参照されたい。この切断は図中
“Ｘ”でマークされている。短いセクションのナノチューブを形成して１９０、
１９０'に対応するクロス−接合接続を形成する代わりに、単一の長いセクショ
ンを使用し、望み通りに、また、指示通りに元の位置で切断を行うことが可能で
ある。したがって、入力側に入力信号を印加し、適切な電源電圧を印加すること
により、今日のいずれの技術を用いても可能なものよりはるかに狭い空間内にナ
ノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)周波数分割チェーン構成の配設が可能となる。
【００４１】 パワー・デバイスが電子装置産業において重要な役割を果たしていること、ま
た、非常に高いスイッチング・スルー・レートを持つデバイスが電気通信および
送電のような領域で現在きわめて有用であることが理解できる。図４ａと４ｂの
疑似Ｐ型チャネル・デバイスの設計を使用することにより、パワー・デバイスの
適合を容易に行うことが可能となる。
た、非常に高いスイッチング・スルー・レートを持つデバイスが電気通信および
送電のような領域で現在きわめて有用であることが理解できる。図４ａと４ｂの
疑似Ｐ型チャネル・デバイスの設計を使用することにより、パワー・デバイスの
適合を容易に行うことが可能となる。
【００４２】 導電性ナノチューブの利用により、上記のような提案されたパワー・デバイス
について従来のシリコン技術に関連する問題点を全く伴わないすべての利点を持
つようにすることが可能となる。真の金属、半金属、または、半導体のいずれで
あるかを問わず、数個、数ダース、数百、数百万、数千億の範囲の複数の導電性
ナノチューブを並列に配置し、適切にゲートし、パワー・デバイスの構成を行う
ことが可能となる。図４ａと４ｂのゲーティング部材１５０'の主目的は単一の
導電性ナノチューブ１５１'に電位を供給することである。単に、共通のゲーテ
ィングと、共通の端接続とに並列に複数のナノスイッチ・チューブをまとめて接
続することにより、低下したオン抵抗と増加したパワー処理能力とを持つナノス
イッチが実現可能となる。図８ａの非常に大きなパワー・デバイスの実施例では
、パワー・デバイスを通じて巨視的にゲーティングを行う必要があるので、図４
ａと４ｂのゲーティング部材１５０'に対する特定の限定や制約の多くを緩和す
ることができる。
について従来のシリコン技術に関連する問題点を全く伴わないすべての利点を持
つようにすることが可能となる。真の金属、半金属、または、半導体のいずれで
あるかを問わず、数個、数ダース、数百、数百万、数千億の範囲の複数の導電性
ナノチューブを並列に配置し、適切にゲートし、パワー・デバイスの構成を行う
ことが可能となる。図４ａと４ｂのゲーティング部材１５０'の主目的は単一の
導電性ナノチューブ１５１'に電位を供給することである。単に、共通のゲーテ
ィングと、共通の端接続とに並列に複数のナノスイッチ・チューブをまとめて接
続することにより、低下したオン抵抗と増加したパワー処理能力とを持つナノス
イッチが実現可能となる。図８ａの非常に大きなパワー・デバイスの実施例では
、パワー・デバイスを通じて巨視的にゲーティングを行う必要があるので、図４
ａと４ｂのゲーティング部材１５０'に対する特定の限定や制約の多くを緩和す
ることができる。
【００４３】 非常に大きなパワー・デバイス構造のための図４ａと４ｂのナノスイッチのこ
の改変が以下図７から図示されている。導電性ナノチューブ２４１は、それが真
の金属、半金属、あるいは半導体からなるナノチューブのいずれであるかを問わ
ず、障壁材料２４３と導電性材料２４７とによって取り囲まれる。障壁材料２４
３が導体である場合、導電性ナノチューブ２４１の両端において２４３と導電性
材料２４７(使用されている場合)とには好適に凹部が設けられる。また別様に、
障壁材料２４３が誘電絶縁体である場合、導電性ナノチューブ２４１の端部と同
一平面に２４３を設けることが可能である。図４ａと４ｂの実施例の場合と同じ
ように、障壁材料２４３は、任意の種類の材料とドーピングから成る、III-VとI
I-VIを含む任意のショットキー形成材料、絶縁体、もしくは半導体材料であって
もよい。その結果、障壁材料２４３の電子親和力(χｂ)は、ゼロ・ゲーティング
電位ＶＧで導電性ナノチューブ２４１を空乏化するあるいは少なくとも部分的に
空乏化できるほど十分になり、その一方でゲーティング制御電圧ＶＧに対して使
用可能なゲーティング機能を行うために十分な高さのゲーティング障壁が設けら
れる。導電性材料２４７は、障壁材料２４３に対してゲーティング電位面を提供
するだけで十分であり、場合によっては障壁材料２４３の一部であってもよい。
唯一の要件として、導電性材料２４７あるいは障壁材料２４３は、単独で用いら
れる場合、ゲーティング信号ＶＧに対して比較的低いゲーティングＲＣ時定数を
与えることができるほど十分な導電性を有すること、および、ショットキー障壁
が選択された場合、ショットキー障壁材料の一部を形成できることが挙げられる
。しかし、以下に別個に図示するように、このＲＣ時定数要件さえも補償して、
非常に大きなパワー・デバイス内で任意の同様のＲＣ時定数遅延を同様に有効に
取り消して、パワースイッチのすべてのエレメントが同じ瞬間に完全にスイッチ
ングを行い、それによって前例のない高いスイッチング・スルー・レートのパワ
ー・スイッチを設けることが可能となる。
の改変が以下図７から図示されている。導電性ナノチューブ２４１は、それが真
の金属、半金属、あるいは半導体からなるナノチューブのいずれであるかを問わ
ず、障壁材料２４３と導電性材料２４７とによって取り囲まれる。障壁材料２４
３が導体である場合、導電性ナノチューブ２４１の両端において２４３と導電性
材料２４７(使用されている場合)とには好適に凹部が設けられる。また別様に、
障壁材料２４３が誘電絶縁体である場合、導電性ナノチューブ２４１の端部と同
一平面に２４３を設けることが可能である。図４ａと４ｂの実施例の場合と同じ
ように、障壁材料２４３は、任意の種類の材料とドーピングから成る、III-VとI
I-VIを含む任意のショットキー形成材料、絶縁体、もしくは半導体材料であって
もよい。その結果、障壁材料２４３の電子親和力(χｂ)は、ゼロ・ゲーティング
電位ＶＧで導電性ナノチューブ２４１を空乏化するあるいは少なくとも部分的に
空乏化できるほど十分になり、その一方でゲーティング制御電圧ＶＧに対して使
用可能なゲーティング機能を行うために十分な高さのゲーティング障壁が設けら
れる。導電性材料２４７は、障壁材料２４３に対してゲーティング電位面を提供
するだけで十分であり、場合によっては障壁材料２４３の一部であってもよい。
唯一の要件として、導電性材料２４７あるいは障壁材料２４３は、単独で用いら
れる場合、ゲーティング信号ＶＧに対して比較的低いゲーティングＲＣ時定数を
与えることができるほど十分な導電性を有すること、および、ショットキー障壁
が選択された場合、ショットキー障壁材料の一部を形成できることが挙げられる
。しかし、以下に別個に図示するように、このＲＣ時定数要件さえも補償して、
非常に大きなパワー・デバイス内で任意の同様のＲＣ時定数遅延を同様に有効に
取り消して、パワースイッチのすべてのエレメントが同じ瞬間に完全にスイッチ
ングを行い、それによって前例のない高いスイッチング・スルー・レートのパワ
ー・スイッチを設けることが可能となる。
【００４４】 言うまでもなく、カーボン・ナノチューブをつくる多くの異なる方法が存在し
、本発明はそのような工程それ自体を目的とするものではないが、これらの工程
の中のいくつかは結果としてナノチューブの絡み合ったロープを生みだし、これ
らの工程は本発明のほとんどに関して直接適用可能なものではない。しかし、本
発明のすべてのモードに対してここで実施される大きな応用性を持つ互換性のあ
る工程の１例として、サイエンス(Vol.２８２、No.５３９１、１９９８年１１月
６日、pp.１１０５−１１０７)に記載されているような、Z. Ren他、“ガラス上
に良好に位置合わせしたカーボン・ナノチューブの大きな配列の合成”の例があ
る。この例の場合、独立の位置合わせを行った離間配置されたカーボン・ナノチ
ューブのニッケル被覆したガラス基板上に一度に数平方センチメートルまで成長
が行われる。特に上記文献の図３ｂは離間して配置されたナノ電柱の森を図示す
る。この特別の工程は分離したナノチューブを有し、本明細書で使用されるよう
な様々な誘電材料、半導体および導電性材料のための化学蒸着(“ＣＶＤ”)技術
等の標準的シリコン処理技術を可能にする。従来のシリコン技術を用いてチュー
ブを処理できるようにするために、ナノチューブの個々の形成を行ういずれの従
来技術による方法もこの場合適用可能である。このようなナノチューブの作成方
法を利用することにより、まったく従来のシリコン処理技術を用いて、カーボン
導電性ナノチューブ２４１の表面上に非補償ＳｉＯ２またはＳｉＯＸ障壁材料２
４３などを後で形成することが可能となる。
、本発明はそのような工程それ自体を目的とするものではないが、これらの工程
の中のいくつかは結果としてナノチューブの絡み合ったロープを生みだし、これ
らの工程は本発明のほとんどに関して直接適用可能なものではない。しかし、本
発明のすべてのモードに対してここで実施される大きな応用性を持つ互換性のあ
る工程の１例として、サイエンス(Vol.２８２、No.５３９１、１９９８年１１月
６日、pp.１１０５−１１０７)に記載されているような、Z. Ren他、“ガラス上
に良好に位置合わせしたカーボン・ナノチューブの大きな配列の合成”の例があ
る。この例の場合、独立の位置合わせを行った離間配置されたカーボン・ナノチ
ューブのニッケル被覆したガラス基板上に一度に数平方センチメートルまで成長
が行われる。特に上記文献の図３ｂは離間して配置されたナノ電柱の森を図示す
る。この特別の工程は分離したナノチューブを有し、本明細書で使用されるよう
な様々な誘電材料、半導体および導電性材料のための化学蒸着(“ＣＶＤ”)技術
等の標準的シリコン処理技術を可能にする。従来のシリコン技術を用いてチュー
ブを処理できるようにするために、ナノチューブの個々の形成を行ういずれの従
来技術による方法もこの場合適用可能である。このようなナノチューブの作成方
法を利用することにより、まったく従来のシリコン処理技術を用いて、カーボン
導電性ナノチューブ２４１の表面上に非補償ＳｉＯ２またはＳｉＯＸ障壁材料２
４３などを後で形成することが可能となる。
【００４５】 実際には、数個から、数ダース、数百、数百万、数億、数１０億までの任意の
数のこれらの導電性ナノチューブ２４１が一緒に集束されて１つのバンドルにさ
れる。Z. Ren他の上掲書の方法、あるいは、同様のいずれかの方法を用いる場合
、様々な蒸着を行った後、チューブが形成されている基板からこれらのチューブ
をスライスしたり回収したりして、これらのチューブから成る位置合わせを行っ
たサブ・バンドルまたはサブ・バンドルのグループをつくり、さらなる集束化と
統合化とを行うようにすることは簡単である。各導電性ナノチューブ２４１の外
側導体２４７が金やその他の非常に高い導電性を持つ材料で作られている場合、
これらの導電性ナノチューブ２４１を一緒に形成して、導電性ナノチューブのそ
れぞれの端部を接続した１つのバンドルまたはサブ・バンドル・グループにする
ことが可能である。大きな、非常に高いパワーのデバイス用として、例示を目的
として示されている図８Ａに図示の大きな巨視的バンドルの使用が可能である。
この図では、導電性ナノチューブ２４１からなる集束されたバンドル２５１用の
“ハンバーガー(hockey puck)"型の形状のハウジングが図示されている。なぜならこの形状が普通のパワ
ー・デバイス・パッケージであるからである。疑似Ｐ型チャネル拡張機能モード
・パワー・ナノスイッチ・デバイス２５９は、導電性ナノチューブ２４１から成
る集束されたバンドル２５１と、すべての導電性ナノチューブ２４１のすべての
導体部分２４７を第１の共通端子Ｇ１と接続する外側ゲーティング電極帯２５０
を備える。導電性ナノチューブ２５１のバンドルとの接触部からいくぶん持ち上
げられて図示されている上部導電性プレート２５８と、下部導電性プレート２５
７とは、導電性ナノチューブ２５１のバンドルの頂面と底面の双方、および、そ
の露出した両端部と接触する。図７に図示のような各導電性ナノチューブ・アセ
ンブリの最終的直径が６０Åのオーダーである場合、４インチ(１００ｍｍ)の直
径の“ハンバーガー(puck)”内に約２.４８×１０１４の導電性ナノチューブを
要する７.８×１０１７Å２の面積のバンドルが生じることになる。使用可能な
長さの導電性ナノチューブがメグオーム(１０６Ω)のオーダーで個々の抵抗値を
持っているという点で、従来技術のナノトランジスタの抵抗値が正確である場合
、このＰ型チャネルのパワー・ナノスイッチは４.０×１０−７Ωのオン抵抗値
を有することになる。１０００００アンペア(１０５Å)の伝導に対して、ナノス
イッチの両端にわたる電圧降下は４ＫＷのワット損を使うだけで０.０４Ｖとな
り、これは比較可能な従来のいずれのソリッド・ステート・スイッチング・デバ
イスによる達成可能値よりもはるかに低い値である。さらに、本発明の疑似Ｐ型
チャネル拡張モードのパワー・ナノスイッチは左右対称であるため、ＡＣ電流並
びにＤＣ電流で使用可能であり、“ターンオフ”ラッチング問題が生じない。こ
れはシリコン・パワースイッチでは一般に見られない１つの特徴である。したが
ってこの疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチは送電及び変電の目的のため
に有用なものとなる可能性がある。
数のこれらの導電性ナノチューブ２４１が一緒に集束されて１つのバンドルにさ
れる。Z. Ren他の上掲書の方法、あるいは、同様のいずれかの方法を用いる場合
、様々な蒸着を行った後、チューブが形成されている基板からこれらのチューブ
をスライスしたり回収したりして、これらのチューブから成る位置合わせを行っ
たサブ・バンドルまたはサブ・バンドルのグループをつくり、さらなる集束化と
統合化とを行うようにすることは簡単である。各導電性ナノチューブ２４１の外
側導体２４７が金やその他の非常に高い導電性を持つ材料で作られている場合、
これらの導電性ナノチューブ２４１を一緒に形成して、導電性ナノチューブのそ
れぞれの端部を接続した１つのバンドルまたはサブ・バンドル・グループにする
ことが可能である。大きな、非常に高いパワーのデバイス用として、例示を目的
として示されている図８Ａに図示の大きな巨視的バンドルの使用が可能である。
この図では、導電性ナノチューブ２４１からなる集束されたバンドル２５１用の
“ハンバーガー(hockey puck)"型の形状のハウジングが図示されている。なぜならこの形状が普通のパワ
ー・デバイス・パッケージであるからである。疑似Ｐ型チャネル拡張機能モード
・パワー・ナノスイッチ・デバイス２５９は、導電性ナノチューブ２４１から成
る集束されたバンドル２５１と、すべての導電性ナノチューブ２４１のすべての
導体部分２４７を第１の共通端子Ｇ１と接続する外側ゲーティング電極帯２５０
を備える。導電性ナノチューブ２５１のバンドルとの接触部からいくぶん持ち上
げられて図示されている上部導電性プレート２５８と、下部導電性プレート２５
７とは、導電性ナノチューブ２５１のバンドルの頂面と底面の双方、および、そ
の露出した両端部と接触する。図７に図示のような各導電性ナノチューブ・アセ
ンブリの最終的直径が６０Åのオーダーである場合、４インチ(１００ｍｍ)の直
径の“ハンバーガー(puck)”内に約２.４８×１０１４の導電性ナノチューブを
要する７.８×１０１７Å２の面積のバンドルが生じることになる。使用可能な
長さの導電性ナノチューブがメグオーム(１０６Ω)のオーダーで個々の抵抗値を
持っているという点で、従来技術のナノトランジスタの抵抗値が正確である場合
、このＰ型チャネルのパワー・ナノスイッチは４.０×１０−７Ωのオン抵抗値
を有することになる。１０００００アンペア(１０５Å)の伝導に対して、ナノス
イッチの両端にわたる電圧降下は４ＫＷのワット損を使うだけで０.０４Ｖとな
り、これは比較可能な従来のいずれのソリッド・ステート・スイッチング・デバ
イスによる達成可能値よりもはるかに低い値である。さらに、本発明の疑似Ｐ型
チャネル拡張モードのパワー・ナノスイッチは左右対称であるため、ＡＣ電流並
びにＤＣ電流で使用可能であり、“ターンオフ”ラッチング問題が生じない。こ
れはシリコン・パワースイッチでは一般に見られない１つの特徴である。したが
ってこの疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチは送電及び変電の目的のため
に有用なものとなる可能性がある。
【００４６】 さらに、このデバイスのゲーティング・スルー・レートは、一次近似によって
、個々の導電性ナノチューブ２４１の特性に基づき極めて急勾配になることが一
般に予想される。しかし、ゲーティング・リング２５０とつながる第１のゲーテ
ィング端子Ｇ１が、導電性バンドル２５１からオフセットされるので、固有のも
のとして、デバイス全体にわたって２５０の第１のゲーティング端子Ｇ１から導
電性ナノチューブ２４１の個々の部材へのゲーティング信号パルス送信の横方向
の非対称並びに半径方向の非対称が生じることになる。このことは図９ａに図示
されている。この図では、ターンオン・ゲーティング信号Ｇ１は、無限のスルー
・レートではなく、実際には有限のスルー・レートを持つように実現されている
。第１のゲーティング端子Ｇ１の中を通ってゲーティング・リング２５０のゲー
ティング用入力部に印加される有限のスルー・レート・ゲーティング信号は、最
も隣接する導電性ナノチューブ部材２４１１を取り囲む導電性材料２４７１の中
を通り抜ける必要がある。次いで、ターンオン・ゲーティング信号が、ナノチュ
ーブ２４１２を取り囲む導電性材料２４７２を介して導電性ナノチューブ２４１ ２ の次の隣接するセットへ送信される。２５０に入力される、第１のゲーティン
グＧ１に印加されるゲーティング信号は、次いで、ナノチューブの導電性材料２
４７３を介して、導電性ナノチューブ２４１３の次の隣接するセットへ送信され
、次いで導電性材料２４７４を介して導電性ナノチューブ２４１４の最も末端に
在るグループへ送信される等となる。ゲーティング・リング２５０が非常に高い
導電性を有する場合、最も電気的に末端に在る導電性ナノチューブ２４１４のグ
ループ化はハンバーガー・パッケージのほぼ中心で行われることになる。個々の
導電性ナノチューブ２４１のゲーティングは障壁材料２４３を含むので、２５０
およびＧ１とつながる導電性ナノチューブ２４１と第１のゲーティング回路との
間にキャパシタンスが固有のものとして常時存在することになる。したがって、
ゲーティング回路リング２５０のターンオン・ゲーティング・パルスの外部端子
Ｇ１への印加と、疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチ・アセンブリ２５９
の様々な部分への同パルスの送信との間に固有のものとしてＲＣ時定数遅延が常
時存在することになる。したがって、これらのナノスイッチが個々に示すことが
できる極端に高いスルー・レートは、このような実際的ゲーティングＲＣ時定数
注意項によって大きく弱められることになる。
、個々の導電性ナノチューブ２４１の特性に基づき極めて急勾配になることが一
般に予想される。しかし、ゲーティング・リング２５０とつながる第１のゲーテ
ィング端子Ｇ１が、導電性バンドル２５１からオフセットされるので、固有のも
のとして、デバイス全体にわたって２５０の第１のゲーティング端子Ｇ１から導
電性ナノチューブ２４１の個々の部材へのゲーティング信号パルス送信の横方向
の非対称並びに半径方向の非対称が生じることになる。このことは図９ａに図示
されている。この図では、ターンオン・ゲーティング信号Ｇ１は、無限のスルー
・レートではなく、実際には有限のスルー・レートを持つように実現されている
。第１のゲーティング端子Ｇ１の中を通ってゲーティング・リング２５０のゲー
ティング用入力部に印加される有限のスルー・レート・ゲーティング信号は、最
も隣接する導電性ナノチューブ部材２４１１を取り囲む導電性材料２４７１の中
を通り抜ける必要がある。次いで、ターンオン・ゲーティング信号が、ナノチュ
ーブ２４１２を取り囲む導電性材料２４７２を介して導電性ナノチューブ２４１ ２ の次の隣接するセットへ送信される。２５０に入力される、第１のゲーティン
グＧ１に印加されるゲーティング信号は、次いで、ナノチューブの導電性材料２
４７３を介して、導電性ナノチューブ２４１３の次の隣接するセットへ送信され
、次いで導電性材料２４７４を介して導電性ナノチューブ２４１４の最も末端に
在るグループへ送信される等となる。ゲーティング・リング２５０が非常に高い
導電性を有する場合、最も電気的に末端に在る導電性ナノチューブ２４１４のグ
ループ化はハンバーガー・パッケージのほぼ中心で行われることになる。個々の
導電性ナノチューブ２４１のゲーティングは障壁材料２４３を含むので、２５０
およびＧ１とつながる導電性ナノチューブ２４１と第１のゲーティング回路との
間にキャパシタンスが固有のものとして常時存在することになる。したがって、
ゲーティング回路リング２５０のターンオン・ゲーティング・パルスの外部端子
Ｇ１への印加と、疑似Ｐ型チャネル・パワー・ナノスイッチ・アセンブリ２５９
の様々な部分への同パルスの送信との間に固有のものとしてＲＣ時定数遅延が常
時存在することになる。したがって、これらのナノスイッチが個々に示すことが
できる極端に高いスルー・レートは、このような実際的ゲーティングＲＣ時定数
注意項によって大きく弱められることになる。
【００４７】 しかし、パワー・ナノスイッチ・ナノチューブの様々なセクションとグループ
の閾値の賢明な選択によって、本発明の時定数の影響の調整を行うことが可能で
あり、この調整の結果、第１の入力端子Ｇ１に最も隣接する導体ナノスイッチ・
セクション２４１１のスイッチング閾値Ｖｔｈ１が最高の閾値を持ち、次に最も
近い導体ナノスイッチ・セクション２４１２の閾値がより低いスイッチング閾値
Ｖｔｈ２を持つなどとなり、最後にＧ１において第１の入力ゲーティング信号に
対して最も電気的に末端に在る導体ナノスイッチ・セクション２４１４が最低の
閾値Ｖｔｈ４を持つようになる。作動中、有限のゲーティング電圧スルーランプ
の賢明な選択の結果として、２４１２におけるゲーティング電圧より高い２４１ １ における同時的ゲーティング電圧が得られる。２４１２におけるゲーティング
電圧は２４１３における電圧より大きく、２４１３におけるゲーティング電圧は
１つの特定時刻において２４１４での電圧より大きくなる。次いで、ゲーティン
グ・スルー・レート及び／又はゲーティング・スルー・レートの形状、及び、様
々な閾値の賢明な選択によって、すべての個々のナノチューブ・セクションが正
確に同時刻にスイッチ・オンになる。さらに、特定のデバイスに対するゲーティ
ング・スルー・レートとゲーティング・パルスの形状を調整して、様々なセクシ
ョン間の時差分を最少化し、それによってデバイスの最適化を行うことが可能と
なる。この図には、例示を目的として４つのセクションしか図示されていないが
、数百あるいは数千の任意の数のセクションを形成すること可能であり、それに
よって、任意の所望レベルまでゲーティングＲＣ時定数の調整と補償を行うよう
にすることが可能であることが理解できよう。このようにして、最終の疑似Ｐ型
チャネル・パワー・ナノスイッチ内で個々の導電性ナノチューブ・スイッチの極
端に高いスイッチング・スルー・レートを所望の任意のレベルにまで維持するこ
とが可能となる。次いで、これによって前例のないレベルを持つ電源スイッチが
形成される。
の閾値の賢明な選択によって、本発明の時定数の影響の調整を行うことが可能で
あり、この調整の結果、第１の入力端子Ｇ１に最も隣接する導体ナノスイッチ・
セクション２４１１のスイッチング閾値Ｖｔｈ１が最高の閾値を持ち、次に最も
近い導体ナノスイッチ・セクション２４１２の閾値がより低いスイッチング閾値
Ｖｔｈ２を持つなどとなり、最後にＧ１において第１の入力ゲーティング信号に
対して最も電気的に末端に在る導体ナノスイッチ・セクション２４１４が最低の
閾値Ｖｔｈ４を持つようになる。作動中、有限のゲーティング電圧スルーランプ
の賢明な選択の結果として、２４１２におけるゲーティング電圧より高い２４１ １ における同時的ゲーティング電圧が得られる。２４１２におけるゲーティング
電圧は２４１３における電圧より大きく、２４１３におけるゲーティング電圧は
１つの特定時刻において２４１４での電圧より大きくなる。次いで、ゲーティン
グ・スルー・レート及び／又はゲーティング・スルー・レートの形状、及び、様
々な閾値の賢明な選択によって、すべての個々のナノチューブ・セクションが正
確に同時刻にスイッチ・オンになる。さらに、特定のデバイスに対するゲーティ
ング・スルー・レートとゲーティング・パルスの形状を調整して、様々なセクシ
ョン間の時差分を最少化し、それによってデバイスの最適化を行うことが可能と
なる。この図には、例示を目的として４つのセクションしか図示されていないが
、数百あるいは数千の任意の数のセクションを形成すること可能であり、それに
よって、任意の所望レベルまでゲーティングＲＣ時定数の調整と補償を行うよう
にすることが可能であることが理解できよう。このようにして、最終の疑似Ｐ型
チャネル・パワー・ナノスイッチ内で個々の導電性ナノチューブ・スイッチの極
端に高いスイッチング・スルー・レートを所望の任意のレベルにまで維持するこ
とが可能となる。次いで、これによって前例のないレベルを持つ電源スイッチが
形成される。
【００４８】 絶縁体の厚さの変更や他の何らかの手段等の当業において公知の任意の手段に
より、様々なセクションのゲーティング閾値Ｖｔｈの制御を行うことが可能であ
る。障壁材料２４３用として絶縁体が選択された場合、バッチからバッチへ絶縁
体の厚さの変更が可能であり、その結果、単一のバッチ内では、任意の個々の導
電性ナノチューブ２４１の端から端まで、絶縁体の厚さは均一になり、また、特
定のバッチ内では個々の導電性ナノチューブ２４１から別の個々の導電性ナノチ
ューブ２４１まで均一になる。非常に異なる属性を持つ導電性ナノチューブ・ス
イッチから成る複数の(おそらく数百またはそれ以上)の別個のバッチを形成する
ことにより、きめ細かに階級づけられた閾値を持つナノチューブ・ライブラリの
作成を行うことが可能となり、それによって技術者は所定の属性と特性とを備え
たナノチューブ・パワースイッチの設計ができるようになる。さらに、等価閾値
電圧の調整手段としてナノチューブの直径を含めることができる。その他の閾値
調整手段として、障壁材料２４３のショットキー障壁材料用の非常にきめ細かに
分けられ細分化された組成から成る合金の形成、及び、異なる閾値を持つこれら
のナノチューブ・ライブラリの形成が含まれ、これらの形成は仕事関数(φｂ)を
調整するためのものである。
より、様々なセクションのゲーティング閾値Ｖｔｈの制御を行うことが可能であ
る。障壁材料２４３用として絶縁体が選択された場合、バッチからバッチへ絶縁
体の厚さの変更が可能であり、その結果、単一のバッチ内では、任意の個々の導
電性ナノチューブ２４１の端から端まで、絶縁体の厚さは均一になり、また、特
定のバッチ内では個々の導電性ナノチューブ２４１から別の個々の導電性ナノチ
ューブ２４１まで均一になる。非常に異なる属性を持つ導電性ナノチューブ・ス
イッチから成る複数の(おそらく数百またはそれ以上)の別個のバッチを形成する
ことにより、きめ細かに階級づけられた閾値を持つナノチューブ・ライブラリの
作成を行うことが可能となり、それによって技術者は所定の属性と特性とを備え
たナノチューブ・パワースイッチの設計ができるようになる。さらに、等価閾値
電圧の調整手段としてナノチューブの直径を含めることができる。その他の閾値
調整手段として、障壁材料２４３のショットキー障壁材料用の非常にきめ細かに
分けられ細分化された組成から成る合金の形成、及び、異なる閾値を持つこれら
のナノチューブ・ライブラリの形成が含まれ、これらの形成は仕事関数(φｂ)を
調整するためのものである。
【００４９】 図９ｂは、このようなパワー・デバイスの一定のスルー・レート・ゲーティン
グ・パルスを図示し、この図では、ＲＣ時定数注意項は過度のものではなく、様
々なナノチューブ・グループ２４１Ｘの閾値を変更することにより、ＲＣ時定数
注意項の適切な補償が可能となる。しかし、図８ａの提案された１００ｍｍの直
径のデバイスのようなさらに大きなデバイス用として、さらに整形されたゲーテ
ィング・パルスの使用が可能であり、場合によってはこのパルスのほうが好まれ
る。図９ｃの場合、ゲーティング・ターンオン・パルスの最初の部分には接地電
位からの非常に大きなスルー・レートの低下がある。これは、より末端に在る部
分の荷電を開始し、末端部分のほとんど閾値電圧にまでゲーティング電圧を上げ
、それによってこれらのより末端に在る部分の“プリチャージ”を行うようにす
るためである。ゲーティング・パルス内でのこの非常に急勾配の下落後、パルス
はよりゆっくりと下落して、元のパルス時間が与えられ末端部分に達して荷電が
行われる。次いで、ゲーティング・パルスが選択され、すべてのさらなるグルー
プがそのそれぞれの閾値に達し、それによってデバイス全体に同時にスイッチが
入ると、該ゲーティング・パルスは隣接グループ閾値Ｖｔｈ１まで低下する。
グ・パルスを図示し、この図では、ＲＣ時定数注意項は過度のものではなく、様
々なナノチューブ・グループ２４１Ｘの閾値を変更することにより、ＲＣ時定数
注意項の適切な補償が可能となる。しかし、図８ａの提案された１００ｍｍの直
径のデバイスのようなさらに大きなデバイス用として、さらに整形されたゲーテ
ィング・パルスの使用が可能であり、場合によってはこのパルスのほうが好まれ
る。図９ｃの場合、ゲーティング・ターンオン・パルスの最初の部分には接地電
位からの非常に大きなスルー・レートの低下がある。これは、より末端に在る部
分の荷電を開始し、末端部分のほとんど閾値電圧にまでゲーティング電圧を上げ
、それによってこれらのより末端に在る部分の“プリチャージ”を行うようにす
るためである。ゲーティング・パルス内でのこの非常に急勾配の下落後、パルス
はよりゆっくりと下落して、元のパルス時間が与えられ末端部分に達して荷電が
行われる。次いで、ゲーティング・パルスが選択され、すべてのさらなるグルー
プがそのそれぞれの閾値に達し、それによってデバイス全体に同時にスイッチが
入ると、該ゲーティング・パルスは隣接グループ閾値Ｖｔｈ１まで低下する。
【００５０】 図８ａのこのようなパワー・ナノスイッチを最適化して、図８ｂと８ｃに例示
されているように同時ターンオフを行うようにすることも可能である。この場合
、図９ａの第２の外部ゲーティング入力Ｇ２の場合のように、外部ターンオフ端
子Ｇ２のもっとも近くのグループ２４１４は、外部ゲート・デバイス電極Ｇ２か
ら最も末端に在る部分で、最低の閾値電圧Ｖｔｈ４を持ち、その後に最大の電圧
閾値ターンオフＶｔｈ１が後続する。そのような場合、上記のように最適化され
たターンオフ・デバイスに印加されたターンオフ・ゲーティング・パルスは、ゼ
ロの方へ向かうゲーティング・パルスの最初の立上がりが急勾配となる図９ｄに
図示のように好適に整形されて、最も隣接するグループ２４１４のほとんど閾値
電圧まで上昇する最初の高いスルー・レートを持ち、このグループ２４１４によ
って、Ｇ２におけるゲーティング・ターンオフ信号の最も末端に在るグループ２
４１１への送信が可能となり、さらに低いスルー・レートが後続するグループ２
４１４の“予備放電”が開始され、その結果、ナノチューブの最も隣接するグル
ープ２４１４がターンオフするとき、２４１１に属するその他のすべてのグルー
プもパワー・ナノデバイス全体にわたって同時にターンオフを行うようになる。
されているように同時ターンオフを行うようにすることも可能である。この場合
、図９ａの第２の外部ゲーティング入力Ｇ２の場合のように、外部ターンオフ端
子Ｇ２のもっとも近くのグループ２４１４は、外部ゲート・デバイス電極Ｇ２か
ら最も末端に在る部分で、最低の閾値電圧Ｖｔｈ４を持ち、その後に最大の電圧
閾値ターンオフＶｔｈ１が後続する。そのような場合、上記のように最適化され
たターンオフ・デバイスに印加されたターンオフ・ゲーティング・パルスは、ゼ
ロの方へ向かうゲーティング・パルスの最初の立上がりが急勾配となる図９ｄに
図示のように好適に整形されて、最も隣接するグループ２４１４のほとんど閾値
電圧まで上昇する最初の高いスルー・レートを持ち、このグループ２４１４によ
って、Ｇ２におけるゲーティング・ターンオフ信号の最も末端に在るグループ２
４１１への送信が可能となり、さらに低いスルー・レートが後続するグループ２
４１４の“予備放電”が開始され、その結果、ナノチューブの最も隣接するグル
ープ２４１４がターンオフするとき、２４１１に属するその他のすべてのグルー
プもパワー・ナノデバイス全体にわたって同時にターンオフを行うようになる。
【００５１】 現在までのカーボン・ナノチューブ技術の問題点の１つとして、個々のナノチ
ューブの操作と分離とを容易に行うことができないという問題が存在した。カー
ボン・ナノチューブは、非常に導電性が高いために、高いファンデルワールス力
を有し、乾燥した皿の上のネバネバする調理済みスパゲッティに酷似したものに
なって互いにくっつき、またその基板にくっつく。
ューブの操作と分離とを容易に行うことができないという問題が存在した。カー
ボン・ナノチューブは、非常に導電性が高いために、高いファンデルワールス力
を有し、乾燥した皿の上のネバネバする調理済みスパゲッティに酷似したものに
なって互いにくっつき、またその基板にくっつく。
【００５２】 したがって、本発明の別の態様は、ナノチューブやその他の任意のナノ構造を
分離し、数Åのレベルで所望の位置へ位置合わせを行うための装置を提供するこ
とである。１０年以上の間、笠貫他、米国特許５,４１８,７７１及び柳澤他、米
国特許５,５１９,６８６及び５,７２１,７２１、及び、その他の多くの現状を打
開する研究を通じて、原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術による装置
設計が構成され完成された。この装置設計によって、±数Åの精度でＸ−Ｙ平面
上において所望の位置の原子の直径の精度でプローブの位置合わせが可能になっ
た。したがって、このような装置により、Ｘ−Ｙ平面で原子の直径の位置精度で
このような記録／顕微鏡用プローブの位置合わせを行うことが可能であるだけで
なく、この装置によって望み通りにプローブの回転を行うことも可能である。こ
れらの装置は、その所望の主な利用機能に応じて、“走査型プローブ顕微鏡(Ｓ
ＰＭ)”、“走査型トンネル顕微鏡(ＳＴＭ)”、“原子力間顕微鏡(ＡＦＭ)”、
“近接場顕微鏡(ＮＦＯＭ)”などの、あるいは、いずれかの同様の他の頭字語で
様々に呼ばれる。これらの頭字語は様々なタイプのプローブを精密に制御し、数
ÅのＸ−Ｙ位置精度に合わせて機能するような装置の用途を記述するものである
。
分離し、数Åのレベルで所望の位置へ位置合わせを行うための装置を提供するこ
とである。１０年以上の間、笠貫他、米国特許５,４１８,７７１及び柳澤他、米
国特許５,５１９,６８６及び５,７２１,７２１、及び、その他の多くの現状を打
開する研究を通じて、原子記録技術及び原子顕微鏡の位置合わせ技術による装置
設計が構成され完成された。この装置設計によって、±数Åの精度でＸ−Ｙ平面
上において所望の位置の原子の直径の精度でプローブの位置合わせが可能になっ
た。したがって、このような装置により、Ｘ−Ｙ平面で原子の直径の位置精度で
このような記録／顕微鏡用プローブの位置合わせを行うことが可能であるだけで
なく、この装置によって望み通りにプローブの回転を行うことも可能である。こ
れらの装置は、その所望の主な利用機能に応じて、“走査型プローブ顕微鏡(Ｓ
ＰＭ)”、“走査型トンネル顕微鏡(ＳＴＭ)”、“原子力間顕微鏡(ＡＦＭ)”、
“近接場顕微鏡(ＮＦＯＭ)”などの、あるいは、いずれかの同様の他の頭字語で
様々に呼ばれる。これらの頭字語は様々なタイプのプローブを精密に制御し、数
ÅのＸ−Ｙ位置精度に合わせて機能するような装置の用途を記述するものである
。
【００５３】 本発明の１つの態様は、従来技術のこの基本的プローブ位置合わせ装置を利用
し、新規のプローブ設計および新規のプローブ用ヘッド設計を用いてこの装置を
改変し、ナノチューブおよび蛋白質や個々の分子等の他の任意のナノ構造用のナ
ノ・マニュピュレータとナノ・トランスポータの機能の全く新しくかつ非自明の
機能の実行を図ることである。
し、新規のプローブ設計および新規のプローブ用ヘッド設計を用いてこの装置を
改変し、ナノチューブおよび蛋白質や個々の分子等の他の任意のナノ構造用のナ
ノ・マニュピュレータとナノ・トランスポータの機能の全く新しくかつ非自明の
機能の実行を図ることである。
【００５４】 図１０はこのトランスポータ用プローブの第１の実施例を図示する。この図で
、ＴＥＭ用プローブに類似する、一般に円錐形状の最初のプローブ２８１は螺旋
状の導体２８２を有し、この導体は円錐の上部からチップまたはチップの近辺部
分まで延伸する。螺旋状の導体２８２の上部２８３は電流の電源と接続されてい
る。最初のプローブ２８１は導体であり、ポリマー化した弗化炭素等の極端に低
いファンデルワールス力材料を持つ絶縁材料２８５から成る薄層が最初のプロー
ブ２８１につけられる。次いで、螺旋状導体は、絶縁されたプローブの表面上に
巻かれるか、該プローブの表面上に蒸着された金属であるかのいずれかになり、
該蒸着された金属はマイクロマシーン化されるか、エッチングされて金属フィル
ム抵抗器に酷似した螺旋状パターンに変えられるかのいずれかが行われる。巻か
れる場合、その小さなサイズ、大きな強度、高い導電率のために、導体用として
ナノチューブを使用することができる。上記いずれの場合にも、螺旋状の導体２
８２には帰還信号用導体２８４を導体２８２の側部に設けることができる。電圧
が導電性プローブ２８１に印加された場合、静電場がチップ２８７の２８６に集
中され、これによって、ナノ材料が導電体であるか誘電体であるかに関らず、そ
の材料中にスイッチ可能な引き付け力を誘起することができる。また、電流が時
変電流を含み、螺旋状の導体２８２に印加された場合、磁束場２８６の発生が可
能となり、プローブ２８７のチップの真下の２８６において最大値が達成される
。これによって、金またはハンダのナノボールのような導電性ナノ構造をピック
アップして、この導電性ナノ構造を所望の最後の位置まで適切に輸送し、次いで
、望み通りの蒸着が可能となることが保証される。
、ＴＥＭ用プローブに類似する、一般に円錐形状の最初のプローブ２８１は螺旋
状の導体２８２を有し、この導体は円錐の上部からチップまたはチップの近辺部
分まで延伸する。螺旋状の導体２８２の上部２８３は電流の電源と接続されてい
る。最初のプローブ２８１は導体であり、ポリマー化した弗化炭素等の極端に低
いファンデルワールス力材料を持つ絶縁材料２８５から成る薄層が最初のプロー
ブ２８１につけられる。次いで、螺旋状導体は、絶縁されたプローブの表面上に
巻かれるか、該プローブの表面上に蒸着された金属であるかのいずれかになり、
該蒸着された金属はマイクロマシーン化されるか、エッチングされて金属フィル
ム抵抗器に酷似した螺旋状パターンに変えられるかのいずれかが行われる。巻か
れる場合、その小さなサイズ、大きな強度、高い導電率のために、導体用として
ナノチューブを使用することができる。上記いずれの場合にも、螺旋状の導体２
８２には帰還信号用導体２８４を導体２８２の側部に設けることができる。電圧
が導電性プローブ２８１に印加された場合、静電場がチップ２８７の２８６に集
中され、これによって、ナノ材料が導電体であるか誘電体であるかに関らず、そ
の材料中にスイッチ可能な引き付け力を誘起することができる。また、電流が時
変電流を含み、螺旋状の導体２８２に印加された場合、磁束場２８６の発生が可
能となり、プローブ２８７のチップの真下の２８６において最大値が達成される
。これによって、金またはハンダのナノボールのような導電性ナノ構造をピック
アップして、この導電性ナノ構造を所望の最後の位置まで適切に輸送し、次いで
、望み通りの蒸着が可能となることが保証される。
【００５５】 長いナノチューブ等の長いナノ材料用として、新規の輸送用プローブ・アセン
ブリの第２の実施例が図１１に図示されている。この図では、ほぼ“Ｖ字形”の
横断面を持つ、たがねの形状をした、矩形の側部を持つ最初のプローブ２９１が
図１０の２８１のプローブに対応し、このプローブ２９１は、螺旋状の導体２９
２と、導体チップ２９３と、リターン導体２９４とを有する。これらの導体は、
それぞれ、図１０の２８１、２８３、２８４に対応する。この図では、図１０の
場合のような点様ではなく、電場及び／又は磁束場が矩形のチップ２９７全体の
下の部分２９８に矩形様に集中される。このたがねのプローブ幅の長さは、所望
のカーボン・ナノチューブの長さのプローブに近似するサイズである。図１１の
このプローブ・アセンブリを使用して、ナノチューブや他の任意の矩形の導電性
ナノ構造をピックアップし所望のどの場所にでも輸送と蒸着を行うことができる
。このプローブは、笠貫他の上掲書に開示されているような１１１１、１１１２
のプローブと類似の回転手段を利用することを特に意図するものである。この回
転装置を用いて、輸送用プローブ２９１の長さと縦軸の位置合わせを行いながら
ナノチューブをピックアップし、次いで、所望の他の任意の角位置に回転して、
ナノチューブを最終の場所へ輸送したり最終の場所での蒸着を行うことができる
。
ブリの第２の実施例が図１１に図示されている。この図では、ほぼ“Ｖ字形”の
横断面を持つ、たがねの形状をした、矩形の側部を持つ最初のプローブ２９１が
図１０の２８１のプローブに対応し、このプローブ２９１は、螺旋状の導体２９
２と、導体チップ２９３と、リターン導体２９４とを有する。これらの導体は、
それぞれ、図１０の２８１、２８３、２８４に対応する。この図では、図１０の
場合のような点様ではなく、電場及び／又は磁束場が矩形のチップ２９７全体の
下の部分２９８に矩形様に集中される。このたがねのプローブ幅の長さは、所望
のカーボン・ナノチューブの長さのプローブに近似するサイズである。図１１の
このプローブ・アセンブリを使用して、ナノチューブや他の任意の矩形の導電性
ナノ構造をピックアップし所望のどの場所にでも輸送と蒸着を行うことができる
。このプローブは、笠貫他の上掲書に開示されているような１１１１、１１１２
のプローブと類似の回転手段を利用することを特に意図するものである。この回
転装置を用いて、輸送用プローブ２９１の長さと縦軸の位置合わせを行いながら
ナノチューブをピックアップし、次いで、所望の他の任意の角位置に回転して、
ナノチューブを最終の場所へ輸送したり最終の場所での蒸着を行うことができる
。
【００５６】 図１０と１１の実施例のいずれかでは、螺旋状導体２８２、２９２に印加され
る電流は、ＤＣ、正弦波ＡＣ、三角鋸波あるいは十分なＡＣ成分を有するその他
の同様の任意の波形のいずれであってもよい。低いレベルで、ＡＣ信号を用いて
、回路の“離調”をモニターすることにより、あるいは、“細線”渦電流検出モ
ードでナノチューブ等のナノ構造がプローブに適切に取り付けられているかどう
かの検出を行うことができる。高いＡＣレベルに対してプローブは斥力を誘起し
、ナノ構造が導電性を有する場合ナノ構造を基板へ向けて動かすことが可能であ
る。ナノ構造が導電性を有しない場合には、後で取り除くことができる導体でナ
ノ構造を被膜してこの斥力を達成することができる。したがって、電場と磁場の
組合せによってあらゆる種類のナノ構造の吸引、分析、蒸着を非常に精密に行う
ことが可能となる。
る電流は、ＤＣ、正弦波ＡＣ、三角鋸波あるいは十分なＡＣ成分を有するその他
の同様の任意の波形のいずれであってもよい。低いレベルで、ＡＣ信号を用いて
、回路の“離調”をモニターすることにより、あるいは、“細線”渦電流検出モ
ードでナノチューブ等のナノ構造がプローブに適切に取り付けられているかどう
かの検出を行うことができる。高いＡＣレベルに対してプローブは斥力を誘起し
、ナノ構造が導電性を有する場合ナノ構造を基板へ向けて動かすことが可能であ
る。ナノ構造が導電性を有しない場合には、後で取り除くことができる導体でナ
ノ構造を被膜してこの斥力を達成することができる。したがって、電場と磁場の
組合せによってあらゆる種類のナノ構造の吸引、分析、蒸着を非常に精密に行う
ことが可能となる。
【００５７】 本発明者は、弗化炭素を含むフッ化(fluorinated)化合物等の低いファンデル
ワールス浴の中でのナノチューブの溶解方法を発明し、チューブを互いに分離で
きるようにした。この方法は本発明の実際的使用時に重要な部分を形成するもの
である。しかし、ナノチューブのグループを取り囲み、分離する弗化炭素溶媒の
場合でさえ、何らかの粘着が生じる場合があり、さらに、ナノチューブの配向と
いう問題が依然として存在する。
ワールス浴の中でのナノチューブの溶解方法を発明し、チューブを互いに分離で
きるようにした。この方法は本発明の実際的使用時に重要な部分を形成するもの
である。しかし、ナノチューブのグループを取り囲み、分離する弗化炭素溶媒の
場合でさえ、何らかの粘着が生じる場合があり、さらに、ナノチューブの配向と
いう問題が依然として存在する。
【００５８】 図１２ａはナノチューブの分離およびアラインメント用貯槽デバイス３００を
図示するものである。図中、好適な弗化炭素等の低いファンデルワールス溶媒で
満たされる貯槽３００が存在する。このような溶媒の濃度およびその他の属性は
、溶媒が各々の被覆を行う特定のナノチューブあるいは他のナノ構造の濃度とほ
ぼ同じになるように選択され、溶媒浴３０１の間ずっとナノチューブの良好な懸
濁を行うようにする。この貯槽アセンブリ３００はほぼ三角形の断面を持つ矩形
のトラフとなるようにすることが望ましい。貯槽アセンブリ３００の一方の側部
に矩形の音響トランスジューサ３０３があり、この音響トランスジューサによっ
て溶媒浴３０１内に平らな音響波を発生させることが可能である。貯槽３００の
形状と、信号発生器３０４の周波数と、浴内での固有の溶媒とを適切に選択し、
その結果として、分離およびアラインメント用貯槽アセンブリ３００内に平らな
定在波が形成される。運転中、ナノチューブはその溶液内に懸濁され、信号発生
器３０４が適切な周波数に同調され、ナノチューブを壊したり劣化させることの
ない振幅を用いて同調が行われる。この懸濁が適切な濃度であれば、信号発生器
３０４とトランスデューサ３０３とによって行われる撹拌によってすべてのナノ
チューブの分離が行われ、溶媒浴３０１の表面までナノチューブを運んでくるこ
とができるほど十分な分離が行われる。平らな音響波３０５のアクションによっ
てナノチューブ３０２は徐々にそっと押されて表面まで来るようになり、その結
果ナノチューブはその中心ノードに在って最低のエネルギー状態になる。したが
って、ナノチューブは、たとえ当初いくぶん曲げられたりしてもまっすぐになり
、このようなナノチューブの最低のエネルギー構成であるその中心ノードにおい
て溶媒貯槽３００の縦方向との完全な位置合わせが行われる。
図示するものである。図中、好適な弗化炭素等の低いファンデルワールス溶媒で
満たされる貯槽３００が存在する。このような溶媒の濃度およびその他の属性は
、溶媒が各々の被覆を行う特定のナノチューブあるいは他のナノ構造の濃度とほ
ぼ同じになるように選択され、溶媒浴３０１の間ずっとナノチューブの良好な懸
濁を行うようにする。この貯槽アセンブリ３００はほぼ三角形の断面を持つ矩形
のトラフとなるようにすることが望ましい。貯槽アセンブリ３００の一方の側部
に矩形の音響トランスジューサ３０３があり、この音響トランスジューサによっ
て溶媒浴３０１内に平らな音響波を発生させることが可能である。貯槽３００の
形状と、信号発生器３０４の周波数と、浴内での固有の溶媒とを適切に選択し、
その結果として、分離およびアラインメント用貯槽アセンブリ３００内に平らな
定在波が形成される。運転中、ナノチューブはその溶液内に懸濁され、信号発生
器３０４が適切な周波数に同調され、ナノチューブを壊したり劣化させることの
ない振幅を用いて同調が行われる。この懸濁が適切な濃度であれば、信号発生器
３０４とトランスデューサ３０３とによって行われる撹拌によってすべてのナノ
チューブの分離が行われ、溶媒浴３０１の表面までナノチューブを運んでくるこ
とができるほど十分な分離が行われる。平らな音響波３０５のアクションによっ
てナノチューブ３０２は徐々にそっと押されて表面まで来るようになり、その結
果ナノチューブはその中心ノードに在って最低のエネルギー状態になる。したが
って、ナノチューブは、たとえ当初いくぶん曲げられたりしてもまっすぐになり
、このようなナノチューブの最低のエネルギー構成であるその中心ノードにおい
て溶媒貯槽３００の縦方向との完全な位置合わせが行われる。
【００５９】 図１２ｂは、音響プレート３００'を備えた、上記分離装置と矩形の位置合わ
せ装置の変形例を図示する。図１２ａの場合と同じように、平らな音響トランス
ジューサ３０３と信号源３０４とによって音響プレート３００'に対する入力が
一方の端で行われ、音響プレート３００'が同様に作動して３０２'に沿って平ら
な音響ノード３０２'が形成され、その音響ノード３０２'の中にナノ構造が配向
される。図１２ｂのこの位置合わせ／分離装置は、開示された本発明の可能性以
外の、Ｉビーム部材のような構造設計の形成などのための他の目的のためにも同
様に利用することが可能である。
せ装置の変形例を図示する。図１２ａの場合と同じように、平らな音響トランス
ジューサ３０３と信号源３０４とによって音響プレート３００'に対する入力が
一方の端で行われ、音響プレート３００'が同様に作動して３０２'に沿って平ら
な音響ノード３０２'が形成され、その音響ノード３０２'の中にナノ構造が配向
される。図１２ｂのこの位置合わせ／分離装置は、開示された本発明の可能性以
外の、Ｉビーム部材のような構造設計の形成などのための他の目的のためにも同
様に利用することが可能である。
【００６０】 本発明の最後の態様として、これらすべての特徴をまとめて組み合わせて、ナ
ノチューブを含むナノ構造の輸送と位置合わせを行う実際的手段を形成して、回
路構成を含む所望の最終的ナノ構造に変える態様がある。すでに提案したように
、本発明は、笠貫他および柳澤他等の従来技術の記録装置および顕微鏡用プロー
ブの位置合わせ装置をこのようなナノチューブの輸送とナノチューブの配置を行
う目的のために全く新しい方法で利用するものである。本発明に準拠して改変さ
れたそのような１つの装置が図１３に示されている。この装置は、柳澤他のプロ
ーブ位置合わせ基準およびプローブ装置の極度の精度を備えたマルチプローブ技
術と、笠貫他のプローブ回転装置とを組み合わせたものである。この図に、すべ
てのプローブ３１６、３１５、３１４、３１２をロックして、互いに対して剛直
で、安定したアラインメント状態にするマルチプローブ用ヘッド・アセンブリ３
１０が示されている。当業において一般的であるように、この図のすべてのプロ
ーブは垂直位置合わせ能力を有する。この能力は全く従来通りのものであるので
図示されていない。ナノチューブの分離とアラインメント用貯槽３００あるいは
プレート３００'には使用するナノチューブまたはその他のナノ構造が保存され
る。いくつかの異なるタイプや長さのナノチューブが必要な場合、複数のそのよ
うな貯槽３００を設けて、各タイプのナノチューブについて１つの貯槽を配設す
ることができる。図を単純にするためにこの図では１つの貯槽しか例示していな
い。
ノチューブを含むナノ構造の輸送と位置合わせを行う実際的手段を形成して、回
路構成を含む所望の最終的ナノ構造に変える態様がある。すでに提案したように
、本発明は、笠貫他および柳澤他等の従来技術の記録装置および顕微鏡用プロー
ブの位置合わせ装置をこのようなナノチューブの輸送とナノチューブの配置を行
う目的のために全く新しい方法で利用するものである。本発明に準拠して改変さ
れたそのような１つの装置が図１３に示されている。この装置は、柳澤他のプロ
ーブ位置合わせ基準およびプローブ装置の極度の精度を備えたマルチプローブ技
術と、笠貫他のプローブ回転装置とを組み合わせたものである。この図に、すべ
てのプローブ３１６、３１５、３１４、３１２をロックして、互いに対して剛直
で、安定したアラインメント状態にするマルチプローブ用ヘッド・アセンブリ３
１０が示されている。当業において一般的であるように、この図のすべてのプロ
ーブは垂直位置合わせ能力を有する。この能力は全く従来通りのものであるので
図示されていない。ナノチューブの分離とアラインメント用貯槽３００あるいは
プレート３００'には使用するナノチューブまたはその他のナノ構造が保存され
る。いくつかの異なるタイプや長さのナノチューブが必要な場合、複数のそのよ
うな貯槽３００を設けて、各タイプのナノチューブについて１つの貯槽を配設す
ることができる。図を単純にするためにこの図では１つの貯槽しか例示していな
い。
【００６１】 ヘッド・アセンブリ３１０には図１１の矩形の輸送用プローブ３１２と、関連
する回転および垂直位置決めメカニズム３１１と、図１０の円錐状輸送用プロー
ブ３１４と、標準的ＳＴＭプローブ３１５と、さらなる基準符号化用ＳＴＭプロ
ーブ３１６とを含むことができる。柳澤他に記載されているように、プローブ３
１６はヘッド・アセンブリ３１０全体に対する基準位置合わせ符号化を行う。基
準位置合わせプローブ３１６を適切な符号化位置合わせ手段３１７まで移動させ
ることにより、ヘッド・アセンブリ３１０全体は、柳澤他によって教示されるよ
うに、数ÅのレベルでＸ−Ｙ軸によってその位置決定を行うことが可能となる。
基板３１８は集積化されたナノチューブ基板であり、ナノチューブ基板上に置か
れたいずれのナノチューブからもその電子を空乏化し、それによってその電気的
特性を変化させるには不十分な電子親和力(χ)を有することが望ましい。但し、
基板３１８はその最終位置にナノチューブを保持するには十分なファンデルワー
ルス力を依然として有しているものとする。
する回転および垂直位置決めメカニズム３１１と、図１０の円錐状輸送用プロー
ブ３１４と、標準的ＳＴＭプローブ３１５と、さらなる基準符号化用ＳＴＭプロ
ーブ３１６とを含むことができる。柳澤他に記載されているように、プローブ３
１６はヘッド・アセンブリ３１０全体に対する基準位置合わせ符号化を行う。基
準位置合わせプローブ３１６を適切な符号化位置合わせ手段３１７まで移動させ
ることにより、ヘッド・アセンブリ３１０全体は、柳澤他によって教示されるよ
うに、数ÅのレベルでＸ−Ｙ軸によってその位置決定を行うことが可能となる。
基板３１８は集積化されたナノチューブ基板であり、ナノチューブ基板上に置か
れたいずれのナノチューブからもその電子を空乏化し、それによってその電気的
特性を変化させるには不十分な電子親和力(χ)を有することが望ましい。但し、
基板３１８はその最終位置にナノチューブを保持するには十分なファンデルワー
ルス力を依然として有しているものとする。
【００６２】 配置すべきいくつかのナノチューブが存在する場合、複数の矩形の輸送用プロ
ーブ３１２と、それらに関連する回転手段３１１とをヘッド・アセンブリ３１０
上に設けることができる。但し、本図では図を単純にするために１つしか図示し
ていない。回転メカニズム３１１は回転および垂直位置回路３２１によって制御
され、この回路は中央コンピュータ３２０によって制御される。輸送用プローブ
３１４は電圧と電流の電源３１９'および回路モニター装置３１９と接続されて
いる。同様に、ヘッド３１２はこのヘッドと関連する電源およびモニター装置３
１３'、３１３と接続されている。ここで、電流センサ３１３'内で“細線”渦電
流解析が利用され、矩形の輸送用プローブ３１２に対して唯一のナノチューブが
適切に取り付けられているかどうかが決定される。２つのナノチューブが誤って
プローブ３１２に取り付けられている場合、そのことは輸送プローブ３１２の螺
旋状誘導コイル２９２の離調レベルによって検知される。この場合、これらのナ
ノチューブの一方を落とすことを試みてＡＣ駆動電流を低下させるか、そうでな
い場合には調整を行うことができる。
ーブ３１２と、それらに関連する回転手段３１１とをヘッド・アセンブリ３１０
上に設けることができる。但し、本図では図を単純にするために１つしか図示し
ていない。回転メカニズム３１１は回転および垂直位置回路３２１によって制御
され、この回路は中央コンピュータ３２０によって制御される。輸送用プローブ
３１４は電圧と電流の電源３１９'および回路モニター装置３１９と接続されて
いる。同様に、ヘッド３１２はこのヘッドと関連する電源およびモニター装置３
１３'、３１３と接続されている。ここで、電流センサ３１３'内で“細線”渦電
流解析が利用され、矩形の輸送用プローブ３１２に対して唯一のナノチューブが
適切に取り付けられているかどうかが決定される。２つのナノチューブが誤って
プローブ３１２に取り付けられている場合、そのことは輸送プローブ３１２の螺
旋状誘導コイル２９２の離調レベルによって検知される。この場合、これらのナ
ノチューブの一方を落とすことを試みてＡＣ駆動電流を低下させるか、そうでな
い場合には調整を行うことができる。
【００６３】 次いで、唯一のナノチューブが存在すること、および、符号化位置決めプロー
ブ３１６と関連して、その唯一のナノチューブが輸送用プローブ３１２と適切に
位置合わせが行われていることが満たされた後、コンピュータ３１５は、回路基
板３１８を介して所定の位置へ輸送用プローブ３１２を移動させ、所望の角度に
合わせてナノチューブを回転させ、次いで、ヘッドを下げ、ナノ構造を放すこと
により正確な所望の位置と角度でナノチューブの蒸着を行う。オーミック接続な
どを行うために小さなナノボールが必要な場合、円錐状の輸送用プローブ３１４
を同様に利用することができる。
ブ３１６と関連して、その唯一のナノチューブが輸送用プローブ３１２と適切に
位置合わせが行われていることが満たされた後、コンピュータ３１５は、回路基
板３１８を介して所定の位置へ輸送用プローブ３１２を移動させ、所望の角度に
合わせてナノチューブを回転させ、次いで、ヘッドを下げ、ナノ構造を放すこと
により正確な所望の位置と角度でナノチューブの蒸着を行う。オーミック接続な
どを行うために小さなナノボールが必要な場合、円錐状の輸送用プローブ３１４
を同様に利用することができる。
【００６４】 次いで、ナノ回路が構成されている間、標準的ＳＴＭプローブ３１５は基板３
１８の上を移動し、それまで配置された様々なナノチューブの位置精度のチェッ
クを行う。次いで、標準的ＳＴＭプローブ３１５は、必要に応じて様々なナノチ
ューブ・アセンブリをそっと押して元の適切なアラインメント状態に戻すことが
できる。さらに、上述のように、標準的ＳＴＭプローブ３１５に対して４〜６.
５ボルトの範囲の電圧を印加して、ナノチューブを切断したり、低下させた電圧
を印加して、特定部分における望まない誘電体やその他の被覆を取り除くように
構成することができる。
１８の上を移動し、それまで配置された様々なナノチューブの位置精度のチェッ
クを行う。次いで、標準的ＳＴＭプローブ３１５は、必要に応じて様々なナノチ
ューブ・アセンブリをそっと押して元の適切なアラインメント状態に戻すことが
できる。さらに、上述のように、標準的ＳＴＭプローブ３１５に対して４〜６.
５ボルトの範囲の電圧を印加して、ナノチューブを切断したり、低下させた電圧
を印加して、特定部分における望まない誘電体やその他の被覆を取り除くように
構成することができる。
【００６５】 この装置の１つのさらなる改変例として、ある特定タイプの多数のナノ回路を
構成しなければならない場合、基準手段３１７の中に永久的マーキングを行って
装置が次の位置へ高速に移動し、次いで、次のエレメントの配置設定を行うこと
ができるようにする例がある。さらに、この装置を手動操作したり、あるいは、
この装置をプログラムして中央コンピュータ３２０によって無人で自動的に実行
できるようにすることが可能である。その際、人間が介在する必要があるのは、
様々な分離およびアラインメント用貯槽３００の充填だけとなり、従来の自動車
の製造工程の場合とよく似ている。
構成しなければならない場合、基準手段３１７の中に永久的マーキングを行って
装置が次の位置へ高速に移動し、次いで、次のエレメントの配置設定を行うこと
ができるようにする例がある。さらに、この装置を手動操作したり、あるいは、
この装置をプログラムして中央コンピュータ３２０によって無人で自動的に実行
できるようにすることが可能である。その際、人間が介在する必要があるのは、
様々な分離およびアラインメント用貯槽３００の充填だけとなり、従来の自動車
の製造工程の場合とよく似ている。
【００６６】 以上、既存技術に対する改変を利用することにより、多くの場合、全く異なる
かつ非自明の目的のために既存技術を利用して、ナノチューブ等のナノ構造をＮ
型チャネルと疑似Ｐ型チャネル・デバイスとにつくり変えることが可能となるこ
とと、これらのデバイスを同一のナノチューブ上で組み合わせることが可能であ
ることと、単純でかつ複合した論理ゲーティングと計数回路の構成が可能である
こと、さらに、優れた性能を持つパワー・デバイスを簡単に構成できることを説
明してきた。上述のように、本発明は、ナノチューブとナノ回路に限定されるも
のではなく、固有の方法で輸送し構成する必要があるＤＮＡ、蛋白質、ポリマー
、化学分子等の任意のナノ構造を含むことができる。したがって本発明の教示を
用いて、いずれの当業者でも本発明の利用が可能となる。
かつ非自明の目的のために既存技術を利用して、ナノチューブ等のナノ構造をＮ
型チャネルと疑似Ｐ型チャネル・デバイスとにつくり変えることが可能となるこ
とと、これらのデバイスを同一のナノチューブ上で組み合わせることが可能であ
ることと、単純でかつ複合した論理ゲーティングと計数回路の構成が可能である
こと、さらに、優れた性能を持つパワー・デバイスを簡単に構成できることを説
明してきた。上述のように、本発明は、ナノチューブとナノ回路に限定されるも
のではなく、固有の方法で輸送し構成する必要があるＤＮＡ、蛋白質、ポリマー
、化学分子等の任意のナノ構造を含むことができる。したがって本発明の教示を
用いて、いずれの当業者でも本発明の利用が可能となる。
【００６７】 産業上の利用可能性 本発明は、電子装置、計測管理、コンピュータ、生物学、医学、化学、配電と
変電、航空機および宇宙船に適した高強度構造において利用可能性を有する。
変電、航空機および宇宙船に適した高強度構造において利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 図１ａは、バルク・シリコンゲートを備えた、ナノチューブを用いるスイッチ
ング・デバイスの１つの実施例の従来の構成の断面を図示す。
ング・デバイスの１つの実施例の従来の構成の断面を図示す。
【図１Ｂ】 図１ｂは該スイッチング・デバイスの電圧／電流特性を図示する。
【図２Ａ】 図２ａは、ゼロのバイアスをかけた条件下で、相対的に高い電子親和力を持つ
障壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で
図示するものである。
障壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で
図示するものである。
【図２Ｂ】 図２ｂは、正のバイアスをかけた条件下で、相対的に高い電子親和力を持つ障
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
【図２Ｃ】 図２ｃは、正のバイアスをかけた条件下で、相対的に高い電子親和力を持つ障
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
壁を用いて作動するナノチューブについての本発明を本発明者が決定した形で図
示するものである。
【図３Ａ】 図３ａは、導電性ナノチューブと、クロスするゲーティング部材とを有する、
本発明の第１の好適な実施例を立体投影図である。
本発明の第１の好適な実施例を立体投影図である。
【図３Ｂ】 図３ｂは、導電性ナノチューブと、クロスするゲーティング部材とを有する、
本発明の第１の好適な実施例を横断面図で示す図である。
本発明の第１の好適な実施例を横断面図で示す図である。
【図３Ｃ】 図３ｃは、導電性ナノチューブと、クロスするゲーティング部材とを有する、
本発明の第１の好適な実施例の作動特性を示す図である。
本発明の第１の好適な実施例の作動特性を示す図である。
【図４Ａ】 図４ａは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を立体投影図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を立体投影図である。
【図４Ｂ】 図４ｂは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を横断面図とで示す図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例を横断面図とで示す図である。
【図４Ｃ】 図４ｃは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
【図４Ｄ】 図４ｄは、周りを取り囲むためのゲーティング材構造を備えた導電性ナノチュ
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
ーブを有する本発明の第２の好適な実施例の３つの作動特性を示す図である。
【図５Ａ】 図５ａは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｂ】 図５ｂは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｃ】 図５ｃは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｄ】 図５ｄは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図５Ｅ】 図５ｅは、第２の好適な実施例のナノチューブ・インバータをつくるための処
理ステップを図示する。
理ステップを図示する。
【図６Ａ】 図６ａは、単一のナノマルチバイブレータ(ＮＭＶ)を示す図である。
【図６Ｂ】 図６ｂは、周波数分割ナノマルチバイブレータのチェーン構成を図示する。
【図７】 第１の好適な実施例のパワー・ナノスイッチの中で使用される単一の導電性ナ
ノチューブの端部の立体投影図を示す。
ノチューブの端部の立体投影図を示す。
【図８Ａ】 図８ａは、第１の好適な実施例における、上部接点をわずかに分解した最終的
パワー・ナノスイッチとハウジングとを示す立体投影図である。
パワー・ナノスイッチとハウジングとを示す立体投影図である。
【図８Ｂ】 図８ｂは、別のターンオフゲーティング構造を備えたパワー・ナノスイッチの
第２と第３の実施例の立体投影図を示す。
第２と第３の実施例の立体投影図を示す。
【図８Ｃ】 図８ｃは、別のターンオフゲーティング構造を備えたパワー・ナノスイッチの
第２と第３の実施例の断面図とを示す。
第２と第３の実施例の断面図とを示す。
【図９Ａ】 図９ａは、パワー・ナノスイッチの等価ゲーティング回路の概略図である。
【図９Ｂ】 図９ｂは、好適なゲーティング・パルスの形状を示す図である。
【図９Ｃ】 図９ｃは、好適なゲーティング・パルスの形状を示す図である。
【図９Ｄ】 図９ｄは、好適なゲーティング・パルスの形状を示す図である。
【図１０】 本発明の第１の好適な実施例に準拠する円錐状の輸送用プローブの側面図であ
る。
る。
【図１１】 本発明の第２の好適な実施例に準拠する矩形の輸送用プローブの側面図を示す
。
。
【図１２Ａ】 図１２ａは、本発明に準拠するナノチューブ分離およびアラインメント用貯槽
の立体投影図を示す。
の立体投影図を示す。
【図１２Ｂ】 図１２ｂは、本発明に準拠するナノチューブ分離およびアラインメント用貯槽
の平板バージョンを示す。
の平板バージョンを示す。
【図１３】 コンピュータ制御の下でナノ構造を形成するためのナノエレメントの組み立て
および操作用装置を図示する。
および操作用装置を図示する。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年９月１０日（２００１．９．１０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 ラインメント用装置(３００、３００')、並びに、改善 された原子顕微鏡用プローブ(２８１−２８２−２８３ −２８４−２８５−２８６−２８７、２９１−２９２− ２９３−２９４−２９５−２９７−２９８)とヘッド(３ １０)が開示される。
Claims (10)
- 【請求項１】 ナノデバイスであって、 分離された領域に電位差が印加されたとき、電流の伝導が可能な少なくとも第
１のナノチューブと、 前記少なくとも第１のナノチューブ内で前記伝導電流を制御するための、第１
のロケーションにおける、前記少なくとも第１のナノチューブと関連する少なく
とも第１のゲーティング構造であって、前記伝導電流を制御するために前記少な
くとも第１のゲーティング構造にゲーティング電位が印加されたとき、前記少な
くとも第１のゲーティング構造と前記少なくとも第１のナノチューブとが、それ
らの間に、前記ゲーティング電位を維持できるほど十分な第１の障壁を備えるよ
うに構成された第１のゲーティング構造と、を有し 前記少なくとも第１のゲーティング構造が、 ａ．前記少なくとも第１のナノチューブに対してほぼ横方向にかつ前記少なく
とも第１のナノチューブを横切り、かつ、前記第１のナノチューブと第２のナノ
構造との間に前記第１の障壁を備える第２のナノ構造と、 ｂ．前記少なくとも第１のナノチューブの少なくとも第１部分をほぼ取り囲み
、かつ、前記第１のナノチューブの少なくとも第１部分と第３のナノ構造との間
に前記第１の障壁を備える第３のナノ構造との、ａ．とｂ．のうちの少なくとも
一方をさらに有することを特徴とするナノデバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載のナノデバイスにおいて、前記少なくとも第
１のゲーティング部材が、第２のナノチューブを含む前記第２のナノ構造を有し
、さらに、 前記第１の障壁が、誘電材料と、ショットキー材料と、半導体材料の中の１つ
から選択される材料を有し、 前記第１の障壁が、前記第２のナノチューブと前記少なくとも第１のナノチュ
ーブと間に配置され、 前記第２のナノチューブが、真の金属と、半金属と、半導電性ナノチューブと
の中の１つをさらに含み、 前記第１の障壁材料料が、ＳｉＯＸ(Ｘ＜２)；ＳｉＯ２；ＳｉＯ２：Ｈ；Ｓｉ
Ｏ２：Ｆ；縮環型金属酸化物；弗化炭素ポリマー；Ｈｆ；Ｍｇ；Ｗ；Ｐｔ；Ｉｒ
；Ｎｉ；Ｐｄ；Ｒｈ；Ｍｏ；Ｃｒ；Ｔｉ；V；Ｎｂ；Ｒｕ；Ｓｂ；Ｏｓ；Ｔａ；
Ｇｅ；Ｓｅ；ＧａＡｓ／Ｎ＋ＡｌＧａＡｓ；Ｓｉ；III-V半導体；II-VI半導体お
よびナノチューブ半導体を含む、ことを特徴とするナノデバイス。 - 【請求項３】 請求項１に記載のナノデバイスにおいて、前記少なくとも第
１のゲーティング構造が、前記第３のナノ構造を有し、前記第３のナノ構造が外
部導電性表面を備え、 前記第１の障壁が、誘電材料と、ショットキー材料と、半導体材料の中の１つ
から選択される材料を有し、 前記第１の障壁が、前記少なくとも第１のゲーティング構造の前記外部導電性
表面に印加されるゼロ電圧バイアスで前記少なくとも第１のナノチューブのキャ
リアを少なくとも部分的に空乏化するほど十分に大きな第１の電子親和力(χｂ)
を持ち、 前記第１の障壁材料料が、ＳｉＯＸ(Ｘ＜２)；ＳｉＯ２；Ｗ；Ｐｔ；Ｉｒ；Ｎ
ｉ；Ｐｄ；Ｒｈ；Ｍｏ；Ｃｒ；Ｔｉ；V；Ｎｂ；Ｒｕ；Ｓｂ；Ｏｓ；Ｔａ；Ｇｅ
；Ｓｅ；ＧａＡｓ／Ｎ＋ＡｌＧａＡｓ；Ｓｉ；III-V半導体；II-VI半導体を含む
ことを特徴とするナノデバイス。 - 【請求項４】 請求項３に記載のナノデバイスにおいて、前記少なくとも第
１のナノチューブの少なくとも第２の部分を第２のロケーションにおいてほぼ取
り囲み、かつ、第２の外部導電性表面を持つ少なくとも第２のさらなるゲーティ
ング構造をさらに有し、 前記少なくとも第２のさらなるゲーティング構造が、誘電材料と、ショットキ
ー材料と、半導体材料の中の１つから選択される材料を有し、 前記第２の障壁が、前記少なくとも第２のさらなるゲーティング構造の前記第
２の外部導電性表面に印加されるゼロ電圧で、前記少なくとも第１のナノチュー
ブのキャリアを空乏化するには不十分な第２の電子親和力(χｂ２)を持ち、 前記少なくとも第１のゲーティング構造と、前記少なくとも第２のさらなるゲ
ーティング構造との閾値が同じ電圧に設定され、前記第１の外部導電性表面と前
記第２の外部導電性表面とが電気的に一緒に接続され、信号入力を印加するため
の、前記第１および第２の外部導電性表面との接点がつくられ、さらに、前記第
１および第２のロケーションの間に、信号出力のための、前記少なくとも第１の
ナノチューブとの接点がつくられ、それによって前記信号入力のナノインバータ
が作成され、 前記第２の障壁材料料が、ＳｉＯ２：Ｈ；ＳｉＯ２：Ｆ；縮環型金属酸化物；
弗化炭素ポリマー；Ｈｆ；Ｍｇ；III=V半導体；II-VI半導体を含むことを特徴と
するナノデバイス。 - 【請求項５】 請求項４に記載のナノデバイスにおいて、前記少なくとも第
１のナノチューブ・ナノインバータとほぼ同一の構成を持つ少なくとも第２のナ
ノチューブ・ナノインバータが存在し、前記第１と第２の双方のナノチューブ・
ナノインバータが共通の基板上に在り、前記少なくとも第２のナノチューブ・ナ
ノインバータが前記少なくとも第１のナノチューブ・ナノインバータに対して１
８０°回転して配向され、前記２つのナノインバータがこのように逆平行で、所
定の距離に離間して配置され、縦に位置合わせが行われ、その結果、前記少なく
とも第１のナノチューブ・ナノインバータの前記信号入力部が、前記少なくとも
第２のナノチューブ・ナノインバータの信号出力部に隣接し、前記少なくとも第
１のナノチューブ・ナノインバータの前記信号出力部に対して、前記少なくとも
第２のナノチューブ・ナノインバータの信号入力部の縦方向の位置合わせを行い
、これらの位置合わせを行った一対の入力部と出力部との間の前記２つのナノチ
ューブ・ナノインバータ間で接続を行って、少なくとも第１のナノマルチバイブ
レータを形成するように成し、 前記少なくとも第１と第２のナノチューブ・ナノインバータの接続されていな
い端部に印加される適切な電源が存在し、 このようなナノマルチバイブレータの中の少なくとも１つが、所定の方向に前
記共通の基板上に形成され、各ナノマルチバイブレータの設計は前記所定の方向
に沿う任意の隣接するナノマルチバイブレータの鏡像であり、同様の電源の隣接
するナノマルチバイブレータのすべてのナノチューブ・ナノインバータの端部が
、共通の接続用として対を成して一緒にグループ化され、 １つのナノマルチバイブレータの信号出力部が、隣接するナノマルチバイブレ
ータの入力部と前記所定の方向に沿って接続され、それによって前記入力信号用
の周波数分割チェーン回路が形成されることを特徴とするナノデバイス。 - 【請求項６】 請求項３に記載のナノデバイスにおいて、複数の前記少なく
とも第１のナノチューブが存在し、 これらの複数のナノチューブの各々の前記第１の障壁と前記導電性表面とが、
これらのナノチューブの各々の長さとほぼ同一方向の広がりをもち、 前記複数のナノチューブが１つのバンドルを形成し、ゲーティング接点が、前
記複数のナノチューブの各々の前記導電性表面に対して設けられ、前記ゲーティ
ング接点が少なくとも第１の外部ゲーティング端子と外部で接続され、 第１と第２の導電性電極であって、前記第１の導電性電極が、前記複数のナノ
チューブの第１の端部と前記バンドルの一方の端部で接触し、前記第２の導電性
電極が前記バンドルのもう一方の端部において前記複数のナノチューブの第２の
端部と接触し、 前記第１と第２の導電性電極が外部で接続可能である、ことを特徴とするナノ
デバイス。 - 【請求項７】 請求項６に記載のナノデバイスにおいて、 前記複数のナノチューブの閾値電圧が、前記少なくとも第１の外部ゲーティン
グ端子からの電気的距離に依存してグループ毎に変動し、前記第１の外部ゲーテ
ィング端子に電気的に最も近い前記複数のナノチューブのグループが最大の閾値
電圧を有し、前記第１の外部ゲーティング端子に対して電気的に最も末端に在る
前記複数のナノチューブのグループが最低の閾値電圧を有し、その結果、 有限のスルーレートのゲーティング・パルスが前記少なくとも第１の外部ゲー
ティング端子に印加されるとき、前記第１の外部ゲーティング端子に印加される
前記有限のスルーレートゲーティング・パルスの伝播を示すＲＣ時定数が前記ナ
ノチューブの様々なグループの閾値電圧の変動によって補償され、その結果、ナ
ノデバイス全体が前記複数のナノチューブのすべての同時スイッチングを行い、 様々なグループのナノチューブの閾値電圧の変動と、前記有限のスルー・レー
ト・ゲーティング・パルスの波形とが予め定められて、前記ナノデバイスが、最
初のオフ状態から前記複数のナノチューブのすべてにわたって同時にスイッチを
オンにすることを特徴とするナノデバイス。 - 【請求項８】 請求項６に記載のナノデバイスにおいて、 前記ゲーティング接点が、前記複数のナノチューブとの第１のロケーションに
おいて前記少なくとも第１の外部ゲーティング端子と外部で接続され、前記複数
のナノチューブのさらなる第２のゲーティング接点が、前記第１の外部ゲーティ
ング端子から遠隔地にあるロケーションにおいて第２の外部ゲーティング端子と
外部で接続され、 前記複数のナノチューブの閾値電圧が、前記少なくとも第１の外部ゲーティン
グ端子から前記第２の外部ゲーティング端子までの電気的距離に依存してグルー
プ毎に変動し、前記少なくとも第１の外部ゲーティング端子に電気的に最も近い
前記複数のナノチューブのグループが最高の閾値電圧を有し、前記少なくとも第
１の外部ゲーティング端子に対して電気的に最も末端に在る前記複数のナノチュ
ーブのグループが、前記第２の外部ゲーティング端子の最も近くに存在すると同
時に最低の閾値電圧を有し、 その結果、有限のスルーレートと固有の形状とから成るゲーティング・パルス
が前記少なくとも第１の外部ゲーティング端子に印加されるとき、前記第１の外
部ゲーティング端子に印加される有限のスルーレートゲーティング・パルスの伝
播を示すＲＣ時定数が前記ナノチューブの様々なグループの閾値電圧の変動によ
って補償され、その結果、前記ナノデバイス全体が前記複数のナノチューブのす
べてのスイッチをほぼ同時にオンにし、 その結果、有限のスルーレートと固有の形状とから成る別のゲーティング・パ
ルスが前記第２の外部ゲーティング端子に印加されるとき、前記第２の外部ゲー
ティング端子に印加される有限のスルーレートゲーティング・パルスの伝播を示
すＲＣ時定数が前記ナノチューブの様々なグループの閾値電圧の変動によって補
償され、その結果、ナノデバイス全体が前記複数のナノチューブのすべてのスイ
ッチをほぼ同時にオフにし、 様々なグループのナノチューブの閾値電圧の変動と、前記少なくとも第１と前
記第２の外部ゲーティング端子に印加される前記有限のスルーレート・ゲーティ
ング・パルスの波形の変動とが予め定められ、その結果、前記ナノデバイスが類
似の最適化された方法で前記複数のナノチューブのすべてにわたってほぼ同時に
スイッチングを行うように成すことを特徴とするナノデバイス。 - 【請求項９】 ナノチューブの分離およびアラインメント用装置において、 ナノチューブの分離およびアラインメント手段と、 前記ナノチューブの分離およびアラインメント手段の１つの端縁に沿って音響
波を発生させるための矩形の音響トランスジューサと、 前記分離およびアラインメント手段内に定在波と定在波ノードとをつくるため
の、前記矩形の音響トランスジューサと接続された信号源であって、前記定在波
ノードに沿ってナノチューブを分離し、位置合わせを行うようにする信号源と、
を有し、 前記装置がさらに、 ａ．所定の横断面を持つ、低いファンデルワールス力溶媒で満たされた矩形の
貯槽であって、 前記矩形の音響トランスジューサが前記矩形の貯槽の矩形の１つの側壁に沿っ
て位置合わせされ、 前記矩形の音響トランスジューサと接続された前記信号源が、平らな定在波と
、前記低いファンデルワールス力溶媒の中に少なくとも１つの平らな定在波ノー
ドとをつくるように成す前記矩形の貯槽と、 ｂ．低いファンデルワールス力溶媒を持つ矩形平板であって、 前記矩形の音響トランスジューサが前記矩形平板の１つの端に沿って位置合わ
せされ、 前記矩形の音響トランスジューサと接続された前記信号源が平らな定在波と、
少なくとも１つの平らな定在波ノードとを前記矩形平板上で前記低いファンデル
ワールス力溶媒の中につくるように成す矩形平板と、のａ．とｂ．のうちの一方
を有することを特徴とするナノチューブの分離およびアラインメント用装置。 - 【請求項１０】 原子顕微鏡の位置合わせ装置において、ナノ構造Ｘ−Ｙ軸
輸送および操作のための改善されたヘッド・アセンブリにおいて、 前記改善されたヘッド・アセンブリ用の基準符号化用ＳＴＭプローブと、前記
改善されたヘッド・アセンブリの正確なＸ−Ｙ平面位置を決定するための、前記
基準符号化用ＳＴＭプローブと関連して用いられる基準符号化位置合わせ手段と
、 ナノ構造の構成用基板と、 前記少なくとも１つのプローブの真下に、電場と、時間変動する磁場のうちの
少なくとも一方を局在化するための前記ヘッド・アセンブリ内の少なくとも１つ
のプローブであって、回転用回路によって制御される回転メカニズムと接続され
た前記少なくとも１つのプローブと、 円錐形状で、かつ、先細り状たがねの矩形形状をさらに有する前記少なくとも
１つのプローブであって、接点を備えた導電性材料から作られ、絶縁被膜と、螺
旋状の磁気コイルを載置し、駆動回路構成および駆動電流センサ回路構成と接続
される前記少なくとも１つのプローブと、 前記基準符号化用ＳＴＭプローブと、前記駆動回路構成および駆動電流センサ
回路構成と、前記少なくとも１つのプローブと、前記回転メカニズムおよび前記
回転用回路と、接続されたコンピュータと、を有し、 これにより、ナノチューブを含むナノ構造をピックアップし、操作し、位置合
わせを行い、次いで、約１原子直径の範囲の精度で、所望のロケーションと位置
まで所定の方法で降ろすことが可能で、前記コンピュータ内に格納された所定の
プログラムとプログラム命令に従って前記基板上に所定のナノ構造を形成するよ
うに成すことを特徴とするヘッド・アセンブリ。
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