RU2307786C1 - Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице - Google Patents

Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице Download PDF

Info

Publication number
RU2307786C1
RU2307786C1 RU2006114600/28A RU2006114600A RU2307786C1 RU 2307786 C1 RU2307786 C1 RU 2307786C1 RU 2006114600/28 A RU2006114600/28 A RU 2006114600/28A RU 2006114600 A RU2006114600 A RU 2006114600A RU 2307786 C1 RU2307786 C1 RU 2307786C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrodes
planar
polymeric matrix
electric field
molecules
Prior art date
Application number
RU2006114600/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Иван Иванович Бобринецкий (RU)
Иван Иванович Бобринецкий
Владимир Кириллович Неволин (RU)
Владимир Кириллович Неволин
Станислав Викторович Хартов (RU)
Станислав Викторович Хартов
Юрий Александрович Чаплыгин (RU)
Юрий Александрович Чаплыгин
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Priority to RU2006114600/28A priority Critical patent/RU2307786C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2307786C1 publication Critical patent/RU2307786C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии изготовления элементов интегральных схем и позволяет получать планарные молекулярные проводники посредством упорядочивания молекул матрицы под действием электрического поля определенной конфигурации. Сущность изобретения: в способе формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице, включающем подачу разности потенциалов между электродами, введенными в полимерную матрицу, электроды выполнены планарными и их геометрия обеспечивает конфигурацию электрического поля в зазоре, удовлетворяющую условию осевой локализации, при которой напряженность максимальна на оси формируемого канала и быстро спадает по радиусу. В состав формируемой структуры вводится управляющий третий электрод. В качестве материала полимерной матрицы используется любой полимер, включая низкомолекулярный, состав и структура молекул которого обеспечивают возможность осуществления в них электронного транспорта. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности и расширение возможностей способа за счет преодоления необходимости в подвижности игольчатого электрода. 3 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к технологии изготовления элементов интегральных схем и может использоваться для создания молекулярных транзисторов и бистабильных элементов, например энергонезависимых ячеек памяти.
Как аналог может рассматриваться способ, предложенный в работе «Pentacene nanotransistor with carbon nanotube electrodes», где авторы применили в качестве управляемого канала транзистора нанокристалл полимера пентацен, сформированный в зазоре между концами углеродных нанотрубок методом напыления [1].
Известен способ создания молекулярных проводников в полимерной матрице, который является прототипом предлагаемого изобретения и включает подачу постоянного напряжения между поверхностью подложки с эпоксидной смолой и погруженным в нее игольчатым электродом, перемещение игольчатого электрода к подложке до возникновения туннельного тока, повышение напряжения при неподвижном игольчатом электроде до возникновения тока короткого замыкания, отведение электрода от подложки с определенной скоростью, полимеризацию смолы при комнатной температуре и постоянном токе между игольчатым электродом и поверхностью подложки [2].
Недостаток прототипа в том, что способ включает операцию прецизионного перемещения игольчатого электрода, что требует его оснащения механическим приводом и значительно усложняет решение задачи интеграции создаваемых данным способом элементов, также серьезную проблему представляет преодоление ограничений по воспроизводимости и нижнему пределу размеров такого игольчатого электрода. Кроме того, возможности прототипа ограничены созданием только двухэлектродных элементов.
Целью изобретения является повышение технологичности и расширение возможностей способа за счет преодоления необходимости в подвижности игольчатого электрода, упрощения решения проблемы обеспечения требуемой геометрии электродов, включения возможности формирования дополнительного третьего электрода.
Технический результат изобретения заключается в предложении способа создания молекулярного проводника между планарными электродами вблизи от управляющего третьего электрода.
Это достигается тем, что выполнение условий критической напряженности и осевой локализации электрического поля, необходимое для организации молекулярного канала проводимости в полимерной матрице, осуществляется за счет характера геометрии формирующих поле электродов, в то время как в случае прототипа данные условия обеспечивались минимизацией зазора игольчатый электрод - подложка, на начальном этапе, и игольчатый электрод - сформированный участок молекулярного канала, на этапе увеличения длины молекулярного канала, что требовало операции прецизионного перемещения игольчатого электрода и подложки относительно друг друга. Условие критической напряженности электрического поля связано с тепловым движением молекул исходной полимерной матрицы. Энергия диполь-дипольного взаимодействия поляризованных молекул должна превышать тепловую энергию разориентации. Напряженность поля, соответствующую равенству этих энергий, можно оценить по формуле:
Figure 00000002
где μ' - постоянный дипольный момент молекулы, α - наибольшее из значений тензора поляризуемости молекул αij.
В случае отсутствия у молекул постоянного дипольного момента (μ'=0) для оценки критического поля получаем:
Figure 00000003
Аналогично оценкам, проведенным в работе [3], величина Ес, полученная для эпоксидной смолы, не превышает 24·106 В/м или 0.024 В/нм.
Второе необходимое условие - условие осевой локализации электрического поля, при которой напряженность максимальна на оси формируемого канала и быстро спадает по радиусу, по-видимому, связано со свойствами ориентируемых макромолекул, их движением в электрическом поле и взаимодействием друг с другом. Степень локализации электрического поля увеличивается с уменьшением поперечных размеров электродов и уменьшается с увеличением расстояния между электродами, причем уменьшение степени локализации происходит тем сильнее, чем меньше аспектное соотношение электродов.
В соответствии с вышеописанными условиями организации молекулярного канала проводимости в полимерной матрице предлагаемый способ включает в себя следующую последовательность операций. Формирование на изолирующем слое подложки планарных электродов стока и истока, отделенных друг от друга зазором и обладающих поперечными размерами и аспектным соотношением, обеспечивающими осевую локализацию электрического поля в зазоре, при которой напряженность максимальна на оси формируемого канала и быстро спадает по радиусу. Формирование таких планарных электродов может быть осуществлено посредством электронной или ионной литографии, посредством методов контролируемых электромиграции материала проводящей дорожки или термического разрушения нанотрубки, локального анодного окисления или механического разрезания материала проводящей дорожки или нанотрубки при помощи зонда атомно-силового или туннельного микроскопов. Геометрия и метод формирования управляющего третьего электрода зависят от варианта его расположения. В качестве вариантов можно привести боковое расположение управляющего электрода или его формирование под изолирующим слоем подложки. Далее наносится слой полимера таким образом, чтобы система электрод - зазор - электрод оказалась в полимерной матрице. Молекулы полимера должны обладать составом и структурой, обеспечивающими возможность осуществления электронного транспорта вдоль молекулярной цепочки. Например, иметь в составе мономера бензольные кольца. Сам полимер должен являться хорошим диэлектриком вследствие туннельного механизма межмолекулярного транспорта электронов. Примером является эпоксидная смола, которая в своем естественном, неструктурированном состоянии представляет собой жидкий диэлектрик, характеризующийся удельным электрическим сопротивлением не менее 1014 Ом·м, в то время как ее молекулы, упорядоченные в линейные мостики, обладают проводимостью, близкой к баллистической [4]. После нанесения слоя полимера приложение напряжения к электродам стока и истока приводит к возникновению электрического поля в зазоре, которое поляризует молекулы полимерной матрицы и выстраивает их в проводящие молекулярные мостики, образующие канал проводимости, электрически соединяющий электроды стока и истока. Поскольку характерная энергия связей в органических молекулах составляет около 5 эВ, то при приложении к электродам напряжения более 5 В в принципе возможен разрыв связей молекул полимерной матрицы в результате автоэлектронной эмиссии с электродов, и, соответственно, в этом случае нельзя исключать участие в молекулярном канале фрагментов молекул матрицы. Наибольшую длину формируемого молекулярного канала в первом приближении можно оценить, используя последовательно модели «эмиттерного эффекта» и «плоского конденсатора». На начальном этапе формирования молекулярного канала более корректно рассматривать электроды как удаленные друг от друга эмиттеры. Напряженность электрического поля, концентрирующегося на концах таких электродов, оценивается согласно формуле:
E=U/R,
где R - радиус, характеризующий поперечные размеры электродов. В случае выполнения условия Е>Ес, где Ес - критическая напряженность электрического поля, у электродов начинается выстраивание проводящих молекулярных мостиков вдоль расходящихся силовых линий поля. Это происходит до тех пор, пока характерный радиус области структурированной матрицы R' не достигает критического:
Figure 00000004
Если величина зазора между электродами не превышает удвоенного значения
Figure 00000005
, то на некоторой стадии структуризации полимерной матрицы более корректным становится приближение плоского конденсатора, согласно которому протяженность области, в которой можно поддерживать критическое поле, определяется формулой:
L=U/Ec .
Наибольшая величина зазора, в котором будет происходить организация молекулярного канала проводимости, таким образом, равна сумме величин L и удвоенного значения
Figure 00000005
:
Figure 00000006
Если принять значение 5 В в качестве верхнего предела подаваемого на электроды напряжения, а величину критического поля определить из условия преодоления теплового движения молекул матрицы, т.е. согласно формуле (1), то наибольшая допустимая величина зазора между электродами стока и истока составит:
Lmax=3·U/Ec=625 (нм).
Поскольку за рамками рассмотренного приближения остался фактор эпитаксиального влияния поверхности подложки на молекулы граничного слоя полимера, затрудняющий ориентацию молекул во внешнем поле, то полученное значение Lmax по-видимому является завышенным.
Получаемый вышеописанным способом молекулярный канал проводимости обладает следующими основными свойствами. Он не подвержен разрушению при комнатной температуре, в условиях отсутствия внешнего электрического поля, что имело место в случае прототипа. Предположительно данная устойчивость обусловлена как повышенной жесткостью и дрейфоустойчивостью планарной системы по сравнению с системой зонд-подложка, используемой в прототипе, так и эпитаксиальным влиянием поверхности подложки, актуальным для планарной системы. В связи с этим становится приемлемо исключение операции полимеризации, содержащейся в прототипе. Проводимость молекулярного канала в статическом режиме модулируется электрическим полем затвора. При резком изменении напряжения затвора молекулярный канал переходит в стабильное высокоомное состояние. Требуемая скорость изменения напряжения затвора зависит от геометрии затвора, его расположения относительно канала и других факторов. Для возврата в исходное проводящее состояние необходимо приложить напряжение сток-исток. Описанные закономерности поведения молекулярного канала проводимости, по-видимому, можно объяснить микромеханикой молекул во внешних электрических полях. В то время как продольное электрическое поле сток-исток ориентирует макромолекулы в линейные молекулярные мостики, поперечное поле затвора должно вызывать частичную переориентацию молекул.
Чертежи
На фиг.1а представлено изображение структуры, состоящей из планарного затвора 1, изолирующего слоя 2, контактных дорожек 3, углеродной нанотрубки 4.
На фиг.1b представлено изображение структуры после операции разрезания нанотрубки.
На фиг.2 представлено семейство ВАХ цепи с молекулярным проводником при различных напряжениях затвора Ug: 1-Ug=0 В; 2-Ug=-20 В; 3-Ug=20 В.
На фиг.3 представлено семейство ВАХ двух устойчивых состояния молекулярного канала: 1 - «включенное»; 2 - «выключенное».
Пример конкретного выполнения
На структуру (фиг.1), состоящую из планарного затвора 1, изолирующего слоя 2 и контактных дорожек 3, помещается углеродная нанотрубка 4 (или пучок углеродных нанотрубок) таким образом, чтобы она формировала электрический контакт с двумя контактными дорожками. Это достигается одним из трех методов: осаждением нанотрубок из раствора на подложку поверх предварительно сформированных контактных дорожек, осаждением нанотрубок из раствора на подложку с последующим формированием контактных дорожек, выращиванием нанотрубок методом химического осаждения из газовой фазы на частицах катализатора, содержащихся в контактных дорожках. В той части нанотрубки, которая находится между контактными дорожками, делается разрез с целью получения двух нанотрубок, разделенных зазором. Величина зазора должна находиться в диапазоне от 2 до 600 нм (фиг.1б). Разрезание нанотрубки осуществляется либо при помощи зонда АСМ (посредством локального анодного окисления или механического воздействия), либо посредством контролируемого термического разрушения нанотрубки проходящим через нее электрическим током высокой плотности. Полученные таким образом две ориентированные относительно друг друга нанотрубки электрически подсоединены к контактным дорожкам и могут играть роль игольчатых электродов. Причем такие электроды обладают ультрамалым поперечным сечением и идеальным аспектным соотношением, что обеспечивает конфигурацию электрического поля в зазоре, удовлетворяющую условию осевой локализации для относительно больших величин зазоров. Далее наносится слой эпоксидной смолы таким образом, чтобы система нанотрубка - зазор - нанотрубка оказалась в полимерной матрице. В итоге, создание между нанотрубками разности потенциалов до 10 В приводит к формированию молекулярного канала проводимости, который электрически соединяет обе нанотрубки. Проводимость молекулярного канала модулируется электрическим полем затвора. Пример семейства статических ВАХ представлен на фиг.2. Касательно данного примера необходимо отметить, что основной вклад в сопротивление цепи контактные дорожки - углеродные нанотрубки - молекулярный канал вносили области соприкосновения нанотрубок и контактных дорожек, что характерно для использованного в примере метода нанесения нанотрубок из раствора поверх предварительно сформированных контактных дорожек. Кроме того, отметим, что поскольку в качестве игольчатых электродов использовались многостенные углеродные нанотрубки, то их собственная проводимость заметно не модулировалась внешним электрическим полем. При резком изменении напряжения затвора молекулярный канал переходит в стабильное высокоомное состояние. Для возврата в исходное проводящее состояние необходимо подать напряжение между игольчатыми электродами не более 10 В. В этом режиме работы устройство проявляет свойства энергонезависимой ячейки память. Пример семейства ВАХ устройства в бистабильном режиме работы представлен на фиг.4. В данном примере производилось изменение напряжения затвора с -20 В на +20 В со временем переходного процесса порядка 0.1 мс.
Источники информации
1. Kazuhito Tsukagoshi et al. Applied physics letters, V.85, №69, 2004.
2. Патент RU 2032966, МПК Н01L 39/00, 1991. - прототип.
3. Неволин В.К. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Учебное пособие. Москва МГИЭТ (ТУ), 1996.
4. Неволин В.К. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1989. №3. С.58-59.

Claims (5)

1. Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице, включающий подачу разности потенциалов между электродами, введенными в полимерную матрицу, отличающийся тем, что электроды выполнены планарными и их геометрия обеспечивает конфигурацию электрического поля в зазоре, удовлетворяющую условию осевой локализации, при которой напряженность максимальна на оси формируемого канала и быстро спадает по радиусу; в состав формируемой структуры вводится управляющий третий электрод; в качестве материала полимерной матрицы используется любой полимер, включая низкомолекулярный, состав и структура молекул которого обеспечивают возможность осуществления в них электронного транспорта.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что после подачи разности потенциалов между электродами и возникновения электрического тока в цепи, проводится операция отверждения полимерной матрицы.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в качестве материала полимерной матрицы используется эпоксидная смола.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в качестве планарных электродов используются нанотрубки.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в качестве планарных электродов используются углеродные нанотрубки.
RU2006114600/28A 2006-05-02 2006-05-02 Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице RU2307786C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006114600/28A RU2307786C1 (ru) 2006-05-02 2006-05-02 Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006114600/28A RU2307786C1 (ru) 2006-05-02 2006-05-02 Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2307786C1 true RU2307786C1 (ru) 2007-10-10

Family

ID=38952868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006114600/28A RU2307786C1 (ru) 2006-05-02 2006-05-02 Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2307786C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4512054B2 (ja) ナノチューブの分離およびアラインメント用装置及び、原子顕微鏡の位置合わせ装置
Mantooth et al. Fabrication, assembly, and characterization of molecular electronic components
Wan et al. Modulation and control of charge transport through single-molecule junctions
US9502659B2 (en) Carbon nanotube field effect transistor
Semple et al. Large-area plastic nanogap electronics enabled by adhesion lithography
Clifford et al. Electrostatics of partially gated carbon nanotube FETs
US8309992B2 (en) Switching element including carbon nanotubes and method for manufacturing the same
Lenz et al. High-performance vertical organic transistors of sub-5 nm channel length
Umeta et al. C60-nanowire two-state resistance switching based on fullerene polymerization/depolymerization
Sarkar et al. Graphene oxide as a dielectric and charge trap element in pentacene-based organic thin-film transistors for nonvolatile memory
Marty et al. Schottky barriers and Coulomb blockade in self-assembled carbon nanotube FETs
Fu et al. Dipole-improved gating of azulene-based single-molecule transistors
RU2307786C1 (ru) Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице
Aleshin Quasi-one-dimensional transport in conducting polymer nanowires
Ravariu et al. Manufacture of a nothing on insulator nano-structure with two Cr/Au nanowires separated by 18 nm air gap
JP2006108627A (ja) 機能性分子素子及び機能性分子装置
Nasri et al. Tuning negative differential resistance in a single molecule transistor: Designs of logic gates and effects of various oxygen-and hydrogen-induced defects
Liu et al. Vertical transistors with conductive-network electrodes: A physical image and what it tells
Schoonveld et al. Transistors based on ordered organic semiconductors
US11968845B2 (en) Thin film transistor and filter using thin film transistor
Wang et al. Study on gate modulation property of vacuum field emission triode
Wei et al. Transformation of unipolar single-walled carbon nanotube field effect transistors to ambipolar induced by polystyrene nanosphere assembly
Bobrinetskii et al. Field-modulated conductivity in quasi-one-dimensional molecular conductors
Castro et al. Carbon nanotube transistors: an evaluation
Rödel Contact resistance effects in organic n-channel thin-film transistors

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140503