JP4494595B2 - 有機エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
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- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 76
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 76
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 claims description 74
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000003635 deoxygenating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 161
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- -1 for example Chemical class 0.000 description 11
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trichloroethane Chemical compound ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylamino)propan-1-ol Chemical compound OCCCNCCCO CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-2-one Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(O)=CC=C3C=CC2=C1 UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001136782 Alca Species 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000373 gallium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種情報産業機器のディスプレーや発光素子等に好適に用いられる有機エレクトロルミネッセント素子に関し、特に長期にわたって安定した発光特性を維持する有機エレクトロルミネッセント素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、大きな占有面積と大きな重量を有するCRT(Cathode-Ray-Tube)ディスプレイに代わるディスプレイとして、フラットパネルディスプレイ(FPD)が実用化されている。そして、FPDとしては、例えば、液晶ディスプレイ(LCD)が各種携帯型電子機器やノート型パソコンや小型テレビのディスプレイとして一般に広く普及しているとともに、プラズマディスプレイパネル(PDP)等のLCD以外のFPDも実用化されている。
【0003】
そのようなFPDの一つとして、エレクトロルミネッセント(以下、ELと省略する場合がある。)ディスプレイがあり、ELディスプレイは、比較的古くから開発が進められているが、フルカラー化や輝度や寿命などの点に課題があり、未だあまり普及していない。
【0004】
また、ELディスプレイとなるEL素子の発光層としては、従来、無機化合物薄膜が用いられていたが、無機化合物薄膜を用いたEL素子は、駆動電圧が高いとともに発光効率が低く、低輝度の表示しかできなかった。それに対して、近年、EL素子の発光層として、駆動電圧が低く、かつ、発光効率が高い有機化合物薄膜を用いたものが使われるようになった。また、有機化合物薄膜を用いた有機EL素子(有機電界発光素子)は、寿命の点で問題があったが、長寿命化が可能な有機発光層用の材料の開発が進められ、LCDに対抗可能なレベルでの実用化も可能となった。
【0005】
このような有機EL素子は、連続または不連続に一定期間駆動した場合、発光輝度、発光効率および発光の均一性等の発光特性が初期の場合に比べ著しく低下することが知られている。このような発光特性の劣化の原因としては、有機EL素子内に侵入した酸素による電極の酸化、駆動時の発熱による有機材料の酸化分解、また、有機EL素子内に侵入した空気中に水分による電極の酸化、有機物の変性等を挙げることができる。さらに酸素や水分の影響で構造体の界面が剥離したり、駆動時の発熱や駆動時の環境が高温であったこと等が引き金となって、各構成要素の熱膨張率の違いにより構造体の界面で応力が発生し、界面が剥離する等の構造体の機械的劣化等をその原因として挙げることができる。
【0006】
この酸素および水分による劣化を防止するため、種々の方法が提案されている。例えば、水分の除去方法としては、BaO等のアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物からなる乾燥手段を設ける方法が提案されている(特開平9−148066号公報)。しかしながら、この方法では、上述した金属酸化物が通常粉末状であることから、乾燥手段の配置が困難であるという問題があり、さらに乾燥手段が肉厚化する傾向にあることから、薄型もしくはフィルム化素子には不向きであるといった問題があった。また、酸素を除去する方法としては、有機EL層を密封するための封止層自体に酸素バリアー層および酸素吸着層を設けた例が提案されている(特開平7−169567号公報)。しかしながら、この方法では、酸素バリアー層のバリア性が不充分であり、また有機EL素子内部から放出される酸素による影響を大きく受けてしまうといった問題があった。
【0007】
さらに、上述したいずれの例においても、問題を生じる可能性の高い水分および酸素の除去が別個に行われる、もしくは脱水性の物質と脱酸素性の物質とを混ぜ合わせる等の方法で行う必要があることから、脱酸素および脱水の両者を行う場合に、製造が煩雑である等の問題を有するものであった。
【0008】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、単一の部材により脱酸素および脱水を行うことが可能であり、薄膜化等に対しても十分に対応可能な有機EL素子を提供することを主目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項1に記載するように、基体と、この基体表面上に形成された第1電極層と、この第1電極層上に形成された有機EL層と、この有機EL層を上記第1電極層と挟むように上記有機EL層上に形成された第2電極層と、上記有機EL層を密封するように形成された密封部材とを少なくとも有し、上記密封部材により密封された空間内のいずれかの位置に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部が形成されていることを特徴とする有機EL素子を提供する。
【0010】
本発明においては、このように密封部材により密封された空間のいずれかの位置に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含有する脱酸素脱水部が形成されているので、一つの部材を形成するだけで、発光特性に対して悪影響を与える酸素および水分の除去が可能である。したがって、脱酸素、および脱水を行う際の部材の取付が容易であり、結果的に有機EL素子のコストを低減させることが可能となる。
【0011】
この場合、請求項2に記載するように、上記アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属が、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、およびBaからなる群から選択される少なくとも一種の金属であることが好ましい。脱酸素および脱水の機能の面、および金属の取扱性等を考慮すると、使用に好適なアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属としては、これらのものを挙げることができる。
【0012】
上記請求項1または請求項2に記載された発明においては、請求項3に記載するように、上記脱酸素脱水部が、真空蒸着法により形成されていることが好ましい。このように真空蒸着法により形成することにより、薄膜として脱酸素脱水部を形成することが可能となることから、有機EL素子が薄型である場合やフィルム化素子である場合であっても、問題無く形成することが可能となるからである。
【0013】
上記請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載された発明においては、上記請求項4に記載するように、上記脱酸素脱水部が、上記有機EL層を介して基体と反対側の位置に形成されていることが好ましい。この脱酸素脱水部は、その表面において脱酸素および脱水を行うものであることから、なるべく広い表面積を有することが好ましい。上記密封部材で密封された空間内で広い表面積を有する部位としては、有機EL層を介して基体と反対側の部分であることから、この部分に上記脱酸素脱水部を形成することが好ましいのである。
【0014】
上記請求項4に記載する場合において、脱酸素脱水部を形成する部位としては、請求項5に記載するように、上記第2電極層上、もしくは、請求項8に記載するように、上記密封部材内面であることが好ましい。上述したように有機EL層を介して基体と反対側の位置に脱酸素脱水部を形成する場合は、上記第2電極層上および密封部材内面が主たる形成部位となるからである。さらにこの場合は、請求項9に記載するように、上記脱酸素脱水部が、上記第2電極層上および上記密封部材内面に形成されていてもよい。両方に形成することにより、さらに脱酸素および脱水の効果を向上させることができるからである。
【0015】
上記請求項5に記載された発明において、すなわち第2電極層上に上記脱酸素脱水部を形成する場合は、請求項7に記載するように、脱酸素脱水部が上記第2電極層と同じパターンで形成されていることが好ましい。このように第2電極層と同じパターンで形成するようにすれば、脱酸素脱水部の形成に際して、新たなパターンを作製する手間がなく、さらに第2電極層上のみに配置されれば、第1電極層を接触してショートする等の問題が生じないからである。
【0016】
また、上記請求項5に記載された発明においては、請求項7に記載するように、上記脱酸素脱水部が、絶縁層を介して上記第2電極層上に形成されているものであってもよい。このように第2電極層上に絶縁層を形成し、この上に脱酸素脱水部を形成することにより、ショート等の問題をおそれる必要がないことから、脱酸素脱水部の形成位置の自由度が広がり、有機EL素子の設計の自由度が大幅に広がるからである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の有機EL素子について、図面を参照して説明する。図1は本発明の有機EL素子の一例を示すものであり、本発明の有機EL素子は、基体1と、この基体1表面上に形成された第1電極層2と、この第1電極層2上に形成された有機EL層3と、この有機EL層3を上記第1電極層2と挟むように上記有機EL層3上に形成された第2電極層4と、上記有機EL層3を密封するように形成された密封部材5とを少なくとも有し、上記密封部材5により密封された空間6内のいずれかの位置、この例では第2電極層4上の位置に形成された、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部7が形成されていることを特徴とするものである。
【0018】
本発明は上記例に示すように、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部が形成されているので、有機EL素子の発光特性に悪影響を与える酸素および水素を一つの部材で取り除くことが可能である。したがって、簡単な構造で脱酸素および脱水の両者を容易に行うことができるという利点を有する。以下、このような本発明の有機EL素子について、詳しく説明する。
【0019】
(脱酸素脱水部)
本発明の特徴は、上述したように、有機EL層を密封するように形成された空間内のいずれかの位置に脱酸素脱水部を形成したところにあり、この脱酸素脱水部は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有するものである。このアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属は、酸素および水の両者と反応するものであるので、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部を形成することにより、酸素および水の両者を密封部材により密封された空間内から除去することが可能となる。
【0020】
本発明に用いることができるアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属としては、これに属する金属、すなわち、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra等を挙げることができるが、中でも反応性や取扱性等を考慮すると、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、およびBaからなる群から選択される少なくとも1種の金属が好ましい。
【0021】
本発明に用いられる脱酸素脱水部は、上記アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有するものであれば特に限定されるものでなく、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属以外のもの、例えばアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属が表面に蒸着された多孔質体等が含まれたものであってもよいが、一般的には、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のみで構成されたものが用いられる。
【0022】
このような脱酸素脱水部の形成方法としては、例えば、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の微粒子等を、酸素および水分子を通過させることができる程度の微細な孔を有するフィルム内に充填して取り付ける方法や、多孔質担体表面にアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を真空蒸着等により付着させ、これを接着させる方法等、密封部材により密封された空間内に上記脱酸素脱水部を配置することができる方法であれば特に限定されるものではない。しかしながら、近年の有機EL素子に対する薄型化、フィルム化等の要請に対応することが可能である点等を考慮すると、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を密封部材により密封された空間内のいずれかの位置に真空蒸着させる方法により形成する方法が好ましい。このように真空蒸着させることにより、脱酸素脱水部の薄膜化が可能となり、有機EL素子を薄膜化もしくはフィルム化する場合においても、脱酸素脱水部の形成に際して問題が生じることがないからである。
【0023】
本発明における上記脱酸素脱水部の形成位置は、図1に示す例では、第2電極層4上に形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、密封部材5で密封される空間6内の位置であり、空間6内の気体から酸素および水を除くできるような位置であれば特に限定されるものではない。例えば、有機EL層3の発光方向、すなわち有機EL層3の基体1側の面および第2電極層4側の面を塞ぐことがないように、有機EL層3の側部に形成するようにしてもよい。本発明に用いられる脱酸素脱水部は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属で形成されているので、通常は可視光域において不透明である。したがって、有機EL層の上下の面、すなわち基体側の面もしくは第2電極層側の面を塞ぐように脱酸素脱水部を形成場合は、有機EL層で発光した光の出射方向を限定させてしまうことになるからである。
【0024】
しかしながら、本発明で用いられる脱酸素脱水部は、密封部材5により密封された空間6内の気体中に含まれる酸素および水をその表面で捉え、化学反応により取り込むものであるので、その表面積は大きい方が好ましい。本発明の有機EL素子における密封部材により密封された空間内で大きな面積を確保する場合は、図1に示すように、第2電極層4の上方、すなわち有機EL素子3を介して基体1と反対側の位置に設けることが好ましい。
【0025】
有機EL素子を介して基体1と反対側の位置の例としては、図1に示すような第2電極層4上に限定されるものではなく、例えば、図2に示すように、有機EL層3を介して基体1と反対側の位置であって、密封部材5の内面に脱酸素脱水部7を形成するようにしてもよい。さらに、より強力に脱酸素および脱水を行いたい場合は、第2電極層上と密封部材内面との両者に脱酸素脱水部を形成するようにしてもよい。
【0026】
本発明に用いられる脱酸素脱水部を第2電極層上に形成する場合は、第2電極層と同じパターンで脱酸素脱水部を形成するようにするか、もしくは第2電極層より小さい面積で脱酸素脱水部を形成するようにすることが好ましい。本発明において脱酸素脱水部は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有するものであるので導電性を有する。したがって、第2電極層より大きく脱酸素脱水部を形成するようにした場合は、第1電極層に接してしまい、ショートを起こす可能性があるからである。
【0027】
また、脱酸素脱水部を第2電極層上に形成する場合は、脱酸素脱水部を第2電極層と同じパターンで形成することが好ましい。このように形成することにより、例えば同一のマスクを用いてパターニングができる等、脱酸素脱水部の形成コストを低減させることが可能となるからである。
【0028】
さらに、脱酸素脱水部を第2電極層上に形成する場合は、図3に示すように、第2電極層4上に絶縁層8を形成し、この絶縁層8上に脱酸素脱水部7を形成するようにしてもよい。このように絶縁層8を形成するようにすれば、ショート等の不具合が生じる可能性が低いことから、脱酸素脱水部7の形成位置が絶縁層上であれば特に限定する必要がなくなる。したがって、脱酸素脱水部の形成位置の自由度が大きくなることから、有機EL素子自体の設計の自由度が向上するといった利点がある。また絶縁層を広範囲に設けるようにすれば、脱酸素脱水部の表面積を広く形成することが可能となるので、脱酸素脱水部の脱酸素および脱水の能力を向上させることが可能となる。
【0029】
上記絶縁層に用いることができる材料としては、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものでなく、具体的には、例えば、SiO、SiO2、GeO、GeO2、Si3N4、Al2O3、Al2O3+SiO2、CeF3、CeO3、ZnS、Ta2O5、Ta2O3+SiO、TiO2、HfO2、La2O3、Nb2O5、Y2O3、ZrO2、PZT、BaTiO3、PbTiO3、LiF、NaF、KF、RbF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、パリレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ダイヤモンド、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化カリウム(K2O)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化マグネシウム(MgO)、硫酸リチウム(Li2SO4)、硫酸ナトリウム(Na2SO4)、硫酸カルシウム(CaSO4)、硫酸マグネシウム(MgSO4)、硫酸コバルト(CoSO4)、硫酸ガリウム(Ga2(SO4)3)、硫酸チタン(Ti(SO4)2)、硫酸ニッケル(NiSO4)、塩化カルシウム(CaCl2)、塩化マグネシウム(MgCl2)、塩化ストロンチウム(SrCl2)、塩化イットリウム(YCl3)、塩化銅(CuCl2)、ふっ化セシウム(CsF)、ふっ化タンタル(TaF5)、ふっ化ニオブ(NbF5)、臭化カルシウム(CaBr2)、臭化セリウム(CeBr3)、臭化セレン(SeBr4)、臭化バナジウム(VBr2)、臭化マグネシウム(MgBr2)、よう化バリウム(BaI2)、よう化マグネシウム(MgI2)、過塩素酸バリウム(Ba(ClO4)2)、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO4)2)等が挙げられる。これらは、単独あるいは複合膜として使用できる。
【0030】
このような絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、用いる材質に応じて、湿式塗布法や蒸着法等種々の方法により形成することができる。
【0031】
また、このような絶縁層を形成し、この上に脱酸素脱水部を形成する場合は、脱酸素脱水部に含まれるアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属と、絶縁層に含有される物質との間での反応、例えば酸化反応により、脱酸素脱水部の脱酸素能力もしくは脱水能力が低下することを防止するために、絶縁層と脱酸素脱水部との間に中間層を形成するようにしてもよい。この中間層の材料としては、例えばAl、Ag等の金属を挙げることができる。
【0032】
(基体)
本発明に用いられる基体としては、有機EL素子を強度的に支持するものであれば特に限定されるものではなく、第1電極層に必要な強度があれば第1電極層を兼ねるように形成されたものであってもよい。
【0033】
基体の材質としては、用途に応じて、例えばフレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。具体的に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート等を挙げることができる。
【0034】
これらの基体の材料は、上記脱酸素脱水部が、有機EL層を介して基体と反対側の位置に形成された場合は、脱酸素脱水部が通常可視光を透過しないことから、有機EL層で発光された光が基体側を透過して取り出されることになる。したがって、基体が透明な材質で形成される必要がある。しかしながら、それ以外のケースでは、有機EL層で発光した光を基体と反対側に取り出すようにすることも可能であり、このような場合は、基体は透明な材料に限定されるものではない。
【0035】
また、基体の形状としては、枚葉状でも連続状でもよく、具体的な形状としては、例えば、カード状、フィルム状、ディスク状、チップ状等を挙げることができる。
【0036】
(第1電極層および第2電極層)
上記基体上に形成される第1電極層および第2電極層は、例えば真空スパッタリング、真空蒸着といった方法や、塗工液を塗布することにより形成する方法等により形成され、その製造方法は特に限定されるものではない。
【0037】
本発明に用いられる第1電極層は上記基体と同様に、脱酸素脱水部の位置により、その透明性が要求されるか否かが異なり、脱酸素脱水部が、有機EL層を介して基体と反対側の位置に形成された場合は、有機EL層で発光された光が基体側を透過して取り出されることになるので、第1電極層が透明な材質である必要がある。しかしながら、それ以外のケースでは、有機EL層で発光した光を基体と反対側に取り出すようにすることも可能であり、このような場合は、第1電極層は透明な材料に限定されるものではない。
【0038】
一方、第2電極層は、第1電極層が透明性を要求される場合、すなわ基体側に有機EL層で発光した光を取り出す場合は、特に透明であるか否かは問われ無いが、有機EL層で発光した光が基体と反対側、すなわち第2電極層側に取り出される場合は、透明性が要求されることになる。
【0039】
さらに、上記第1電極層および第2電極層は、いずれが陽極であってもよいが、通常は第1電極層が陽極として形成され、第2電極層が陰極として形成される。このような陽極として形成される場合の電極層の材料としては、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム、金のような仕事関数の大きな金属、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等を挙げることができる。一方、電極層が陰極として形成される場合に用いられる材料としては、MgAg等のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミニウム合金、Li、Caをはじめとするアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類、それらアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金のような仕事関数の小さな金属等を挙げることができる。
【0040】
(有機EL層)
本発明においては、上述したような第1電極層と第2電極層との間に有機EL層が形成される。
【0041】
本発明でいう有機EL層とは、発光層を含む1層もしくは複数層の有機層から形成されるものである。すなわち、有機EL層とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機層1層以上の層をいう。通常、塗布による湿式法で有機EL層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、1層もしくは2層の有機層で形成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。
【0042】
発光層以外に有機EL層内に形成される有機層としては、正孔注入層や電子注入層といったキャリア注入層を挙げることができる。さらに、その他の有機層としては、正孔輸送層、電子輸送層といったキャリア輸送層を挙げることができるが、通常これらは上記キャリア注入層にキャリア輸送の機能を付与することにより、キャリア注入層と一体化されて形成される場合が多い。その他、EL層内に形成される有機層としては、キャリアブロック層のような正孔あるいは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。
【0043】
本発明における有機EL層に必須である発光層に用いられる発光材料としては、例えば以下のものを挙げることができる。
【0044】
色素系発光材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどを挙げることができる。
【0045】
また、金属錯体系発光材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Al、Zn、Be等、またはTb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【0046】
さらに、高分子系発光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を挙げることができる。
【0047】
上記発光層中には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体等を挙げることができる。
【0048】
上記正孔注入層の形成材料としては、発光層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの誘導体等を挙げることができる。
【0049】
また、上記電子注入層の形成材料としては、発光層の発光材料に例示した化合物の他、アルミニウム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレートポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等のようにアルカリ金属類、およびアルカリ金属類のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体等を挙げることができる。
【0050】
(その他)
本発明の有機EL素子においては、上述した部材以外にも、例えば、第2電極層上に形成される保護層等、必要に応じて種々の部材を形成するようにしてもよい。
【0051】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0052】
例えば、上記実施形態において、脱酸素脱水部が第2電極層もしくは密封部材内面に形成する例を示したが、この例では、第2電極層もしくは密封部材上に直接脱酸素脱水部が形成されている例を用いて説明した。しかしながら、本発明においては、あくまでも第2電極層上方もしくは密封部材内面側に位置する部位に脱酸素脱水部が形成されていれば特に直接接触していることに限定されるものではなく、例えば他の層を介して脱酸素脱水部が形成されるようにしてもよいのである。
【0053】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【0054】
(実施例1)
縦横が25mm×25mmで、厚みが1.1mmの透明ガラス板の表面に酸化インジウム錫(ITO)の透明導電膜性膜(第1電極層)を有するITO基板を洗浄した後、ITO膜上の中心に、下記組成のEL層形成用組成物0.05mlを滴下し、スピンナーを用い、2150回転/分の回転数で3秒間保持し、厚み100nmの有機EL層を形成した。
【0055】
(有機EL層形成用組成物)
・ポリビニルカルバゾール 70重量部
・オキサジアゾール化合物 30重量部
・クマリン6 1重量部
・1,1,2−トリクロロエタン 4900重量部
上記ポリビニルカルバゾール、オキサジアゾール化合物、およびクマリン6の化学式を以下に示す。
【0056】
【化1】
【0057】
次いで、得られた有機EL層上に、LiFを厚み0.5nmになるように蒸着し、さらにAlを厚み200nmになるように蒸着して第2電極層とした。さらにその上に、Caを第2電極層と同様のパターンで500nm蒸着して脱酸素脱水部とした。不活性ガス雰囲気下でUV硬化樹脂を用い、密封部材であるガラス製封止缶内に有機EL層を封入し、有機EL素子を得た。
【0058】
得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0059】
(実施例2)
脱酸素脱水部の材料をCaからMgに変更した以外は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0060】
(実施例3)
第2電極層上にLiFが有機EL層全面を覆うように真空蒸着法により200nm形成して絶縁層とし、この絶縁層上にCaを500nm蒸着して脱酸素脱水部とした以外は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0061】
(実施例4)
上記LiFをSiO2に変更した以外は実施例3と同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0062】
(実施例5)
実施例3で形成したLiFからなる絶縁層上にAgを全面に50nm蒸着して中間層とし、さらにこの中間層上にCaを500nm蒸着して脱酸素脱水部とした以外は実施例3と同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0063】
(実施例6)
絶縁層として用いたLiFをSiO2に変更した以外は実施例5と同様にして有機EL層を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0064】
(実施例7)
Caを第2電極層上に形成するのに替えて、ガラス封止缶内部に500nm蒸着して脱酸素脱水部とした以外は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0065】
(比較例1)
脱酸素脱水部を形成しなかった点を除いて実施例1と同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後のダークスポットの成長が顕著であることが観察された。
【0066】
【発明の効果】
本発明によれば、密封部材により密封された空間のいずれかの位置に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含有する脱酸素脱水部が形成されているので、一つの部材を形成するだけで、発光特性に対して悪影響を与える酸素および水分の除去が可能である。したがって、脱酸素、および脱水を行う際の部材の取付が容易であり、結果的に有機EL素子のコストを低減させることが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の一例を示す概略断面図である。
【図2】本発明の有機EL素子の他の例を示す概略断面図である。
【図3】本発明の有機EL素子の他の例を示す概略断面図である
【符号の簡単な説明】
1 …… 基体
2 …… 第1電極層
3 …… 有機EL層
4 …… 第2電極層
5 …… 密封部材
6 …… 空間
7 …… 脱酸素脱水部
8 …… 絶縁層
Claims (5)
- 基体と、この基体表面上に形成された第1電極層と、この第1電極層上に形成された有機エレクトロルミネッセント層と、この有機エレクトロルミネッセント層を前記第1電極層と挟むように上記有機エレクトロルミネッセント層上に形成された第2電極層と、前記有機エレクトロルミネッセント層全面を覆うように前記第2電極層上に形成された絶縁層と、前記有機エレクトロルミネッセント層を密封するように形成された密封部材とを少なくとも有し、
前記絶縁層はLiFからなり、
前記絶縁層上に設けられたAl、又はAgからなる中間層を介して、前記第2電極層上に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 前記アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属が、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、およびBaからなる群から選択される少なくとも一種の金属であることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記脱酸素脱水部が、真空蒸着法により形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
- 前記脱酸素脱水部が、前記第2電極層と同じパターンで形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子。
- 前記脱酸素脱水部が、前記密封部材内面に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000184009A JP4494595B2 (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000184009A JP4494595B2 (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002008852A JP2002008852A (ja) | 2002-01-11 |
JP4494595B2 true JP4494595B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=18684501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000184009A Expired - Fee Related JP4494595B2 (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4494595B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100508296B1 (ko) * | 2002-02-01 | 2005-08-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 회로 기판, 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
JP2004079301A (ja) | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
KR100544127B1 (ko) | 2003-08-27 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 수분 흡수층을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치 |
US20080264680A1 (en) * | 2005-10-07 | 2008-10-30 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Voltage-Operated Layer Arrangement |
JP2008021480A (ja) | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20120022920A (ko) | 2009-06-29 | 2012-03-12 | 샤프 가부시키가이샤 | 유기 el 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101065319B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101199128B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2012-11-09 | 임은섭 | 히터 어셈블리 |
CN104934550A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件的封装结构、封装方法以及电子设备 |
JP6557601B2 (ja) | 2015-12-29 | 2019-08-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
JP6714401B2 (ja) | 2016-03-18 | 2020-06-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07169567A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
JPH08288069A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-11-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH11312580A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
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JP2000156292A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Canon Inc | 電気素子 |
-
2000
- 2000-06-20 JP JP2000184009A patent/JP4494595B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002008852A (ja) | 2002-01-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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