JP2002008852A - 有機エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセント素子

Info

Publication number
JP2002008852A
JP2002008852A JP2000184009A JP2000184009A JP2002008852A JP 2002008852 A JP2002008852 A JP 2002008852A JP 2000184009 A JP2000184009 A JP 2000184009A JP 2000184009 A JP2000184009 A JP 2000184009A JP 2002008852 A JP2002008852 A JP 2002008852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic
electrode layer
deoxygenating
dehydrating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000184009A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4494595B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Kashiwabara
充宏 柏原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2000184009A priority Critical patent/JP4494595B2/ja
Publication of JP2002008852A publication Critical patent/JP2002008852A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4494595B2 publication Critical patent/JP4494595B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、単一の部材により脱酸素および脱
水を行うことが可能であり、薄膜化等に対しても十分に
対応可能な有機EL素子を提供することを主目的とす
る。 【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、
基体と、この基体表面上に形成された第1電極層と、こ
の第1電極層上に形成された有機EL層と、この有機E
L層を上記第1電極層と挟むように上記有機EL層上に
形成された第2電極層と、上記有機EL層を密封するよ
うに形成された密封部材とを少なくとも有し、上記密封
部材により密封された空間内のいずれかの位置に、アル
カリ金属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水
部が形成されていることを特徴とする有機EL素子を提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種情報産業機器
のディスプレーや発光素子等に好適に用いられる有機エ
レクトロルミネッセント素子に関し、特に長期にわたっ
て安定した発光特性を維持する有機エレクトロルミネッ
セント素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、大きな占有面積と大きな重量を有
するCRT(Cathode-Ray-Tube)ディスプレイに代わる
ディスプレイとして、フラットパネルディスプレイ(F
PD)が実用化されている。そして、FPDとしては、
例えば、液晶ディスプレイ(LCD)が各種携帯型電子
機器やノート型パソコンや小型テレビのディスプレイと
して一般に広く普及しているとともに、プラズマディス
プレイパネル(PDP)等のLCD以外のFPDも実用
化されている。
【0003】そのようなFPDの一つとして、エレクト
ロルミネッセント(以下、ELと省略する場合があ
る。)ディスプレイがあり、ELディスプレイは、比較
的古くから開発が進められているが、フルカラー化や輝
度や寿命などの点に課題があり、未だあまり普及してい
ない。
【0004】また、ELディスプレイとなるEL素子の
発光層としては、従来、無機化合物薄膜が用いられてい
たが、無機化合物薄膜を用いたEL素子は、駆動電圧が
高いとともに発光効率が低く、低輝度の表示しかできな
かった。それに対して、近年、EL素子の発光層とし
て、駆動電圧が低く、かつ、発光効率が高い有機化合物
薄膜を用いたものが使われるようになった。また、有機
化合物薄膜を用いた有機EL素子(有機電界発光素子)
は、寿命の点で問題があったが、長寿命化が可能な有機
発光層用の材料の開発が進められ、LCDに対抗可能な
レベルでの実用化も可能となった。
【0005】このような有機EL素子は、連続または不
連続に一定期間駆動した場合、発光輝度、発光効率およ
び発光の均一性等の発光特性が初期の場合に比べ著しく
低下することが知られている。このような発光特性の劣
化の原因としては、有機EL素子内に侵入した酸素によ
る電極の酸化、駆動時の発熱による有機材料の酸化分
解、また、有機EL素子内に侵入した空気中に水分によ
る電極の酸化、有機物の変性等を挙げることができる。
さらに酸素や水分の影響で構造体の界面が剥離したり、
駆動時の発熱や駆動時の環境が高温であったこと等が引
き金となって、各構成要素の熱膨張率の違いにより構造
体の界面で応力が発生し、界面が剥離する等の構造体の
機械的劣化等をその原因として挙げることができる。
【0006】この酸素および水分による劣化を防止する
ため、種々の方法が提案されている。例えば、水分の除
去方法としては、BaO等のアルカリ金属酸化物、アル
カリ土類金属酸化物からなる乾燥手段を設ける方法が提
案されている(特開平9−148066号公報)。しか
しながら、この方法では、上述した金属酸化物が通常粉
末状であることから、乾燥手段の配置が困難であるとい
う問題があり、さらに乾燥手段が肉厚化する傾向にある
ことから、薄型もしくはフィルム化素子には不向きであ
るといった問題があった。また、酸素を除去する方法と
しては、有機EL層を密封するための封止層自体に酸素
バリアー層および酸素吸着層を設けた例が提案されてい
る(特開平7−169567号公報)。しかしながら、
この方法では、酸素バリアー層のバリア性が不充分であ
り、また有機EL素子内部から放出される酸素による影
響を大きく受けてしまうといった問題があった。
【0007】さらに、上述したいずれの例においても、
問題を生じる可能性の高い水分および酸素の除去が別個
に行われる、もしくは脱水性の物質と脱酸素性の物質と
を混ぜ合わせる等の方法で行う必要があることから、脱
酸素および脱水の両者を行う場合に、製造が煩雑である
等の問題を有するものであった。
【0008】
【本発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題
点に鑑みてなされたものであり、単一の部材により脱酸
素および脱水を行うことが可能であり、薄膜化等に対し
ても十分に対応可能な有機EL素子を提供することを主
目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、請求項1に記載するように、基体と、こ
の基体表面上に形成された第1電極層と、この第1電極
層上に形成された有機EL層と、この有機EL層を上記
第1電極層と挟むように上記有機EL層上に形成された
第2電極層と、上記有機EL層を密封するように形成さ
れた密封部材とを少なくとも有し、上記密封部材により
密封された空間内のいずれかの位置に、アルカリ金属も
しくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部が形成さ
れていることを特徴とする有機EL素子を提供する。
【0010】本発明においては、このように密封部材に
より密封された空間のいずれかの位置に、アルカリ金属
もしくはアルカリ土類金属を含有する脱酸素脱水部が形
成されているので、一つの部材を形成するだけで、発光
特性に対して悪影響を与える酸素および水分の除去が可
能である。したがって、脱酸素、および脱水を行う際の
部材の取付が容易であり、結果的に有機EL素子のコス
トを低減させることが可能となる。
【0011】この場合、請求項2に記載するように、上
記アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属が、Li、N
a、K、Rb、Cs、Ca、Sr、およびBaからなる
群から選択される少なくとも一種の金属であることが好
ましい。脱酸素および脱水の機能の面、および金属の取
扱性等を考慮すると、使用に好適なアルカリ金属もしく
はアルカリ土類金属としては、これらのものを挙げるこ
とができる。
【0012】上記請求項1または請求項2に記載された
発明においては、請求項3に記載するように、上記脱酸
素脱水部が、真空蒸着法により形成されていることが好
ましい。このように真空蒸着法により形成することによ
り、薄膜として脱酸素脱水部を形成することが可能とな
ることから、有機EL素子が薄型である場合やフィルム
化素子である場合であっても、問題無く形成することが
可能となるからである。
【0013】上記請求項1から請求項3までのいずれか
の請求項に記載された発明においては、上記請求項4に
記載するように、上記脱酸素脱水部が、上記有機EL層
を介して基体と反対側の位置に形成されていることが好
ましい。この脱酸素脱水部は、その表面において脱酸素
および脱水を行うものであることから、なるべく広い表
面積を有することが好ましい。上記密封部材で密封され
た空間内で広い表面積を有する部位としては、有機EL
層を介して基体と反対側の部分であることから、この部
分に上記脱酸素脱水部を形成することが好ましいのであ
る。
【0014】上記請求項4に記載する場合において、脱
酸素脱水部を形成する部位としては、請求項5に記載す
るように、上記第2電極層上、もしくは、請求項8に記
載するように、上記密封部材内面であることが好まし
い。上述したように有機EL層を介して基体と反対側の
位置に脱酸素脱水部を形成する場合は、上記第2電極層
上および密封部材内面が主たる形成部位となるからであ
る。さらにこの場合は、請求項9に記載するように、上
記脱酸素脱水部が、上記第2電極層上および上記密封部
材内面に形成されていてもよい。両方に形成することに
より、さらに脱酸素および脱水の効果を向上させること
ができるからである。
【0015】上記請求項5に記載された発明において、
すなわち第2電極層上に上記脱酸素脱水部を形成する場
合は、請求項7に記載するように、脱酸素脱水部が上記
第2電極層と同じパターンで形成されていることが好ま
しい。このように第2電極層と同じパターンで形成する
ようにすれば、脱酸素脱水部の形成に際して、新たなパ
ターンを作製する手間がなく、さらに第2電極層上のみ
に配置されれば、第1電極層を接触してショートする等
の問題が生じないからである。
【0016】また、上記請求項5に記載された発明にお
いては、請求項7に記載するように、上記脱酸素脱水部
が、絶縁層を介して上記第2電極層上に形成されている
ものであってもよい。このように第2電極層上に絶縁層
を形成し、この上に脱酸素脱水部を形成することによ
り、ショート等の問題をおそれる必要がないことから、
脱酸素脱水部の形成位置の自由度が広がり、有機EL素
子の設計の自由度が大幅に広がるからである。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機EL素子につ
いて、図面を参照して説明する。図1は本発明の有機E
L素子の一例を示すものであり、本発明の有機EL素子
は、基体1と、この基体1表面上に形成された第1電極
層2と、この第1電極層2上に形成された有機EL層3
と、この有機EL層3を上記第1電極層2と挟むように
上記有機EL層3上に形成された第2電極層4と、上記
有機EL層3を密封するように形成された密封部材5と
を少なくとも有し、上記密封部材5により密封された空
間6内のいずれかの位置、この例では第2電極層4上の
位置に形成された、アルカリ金属もしくはアルカリ土類
金属を有する脱酸素脱水部7が形成されていることを特
徴とするものである。
【0018】本発明は上記例に示すように、アルカリ金
属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部が形
成されているので、有機EL素子の発光特性に悪影響を
与える酸素および水素を一つの部材で取り除くことが可
能である。したがって、簡単な構造で脱酸素および脱水
の両者を容易に行うことができるという利点を有する。
以下、このような本発明の有機EL素子について、詳し
く説明する。
【0019】(脱酸素脱水部)本発明の特徴は、上述し
たように、有機EL層を密封するように形成された空間
内のいずれかの位置に脱酸素脱水部を形成したところに
あり、この脱酸素脱水部は、アルカリ金属もしくはアル
カリ土類金属を有するものである。このアルカリ金属も
しくはアルカリ土類金属は、酸素および水の両者と反応
するものであるので、アルカリ金属もしくはアルカリ土
類金属を有する脱酸素脱水部を形成することにより、酸
素および水の両者を密封部材により密封された空間内か
ら除去することが可能となる。
【0020】本発明に用いることができるアルカリ金属
もしくはアルカリ土類金属としては、これに属する金
属、すなわち、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、B
e、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra等を挙げることがで
きるが、中でも反応性や取扱性等を考慮すると、Li、
Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、およびBaからな
る群から選択される少なくとも1種の金属が好ましい。
【0021】本発明に用いられる脱酸素脱水部は、上記
アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有するもので
あれば特に限定されるものでなく、アルカリ金属もしく
はアルカリ土類金属以外のもの、例えばアルカリ金属も
しくはアルカリ土類金属が表面に蒸着された多孔質体等
が含まれたものであってもよいが、一般的には、アルカ
リ金属もしくはアルカリ土類金属のみで構成されたもの
が用いられる。
【0022】このような脱酸素脱水部の形成方法として
は、例えば、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の
微粒子等を、酸素および水分子を通過させることができ
る程度の微細な孔を有するフィルム内に充填して取り付
ける方法や、多孔質担体表面にアルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属を真空蒸着等により付着させ、これを接
着させる方法等、密封部材により密封された空間内に上
記脱酸素脱水部を配置することができる方法であれば特
に限定されるものではない。しかしながら、近年の有機
EL素子に対する薄型化、フィルム化等の要請に対応す
ることが可能である点等を考慮すると、アルカリ金属も
しくはアルカリ土類金属を密封部材により密封された空
間内のいずれかの位置に真空蒸着させる方法により形成
する方法が好ましい。このように真空蒸着させることに
より、脱酸素脱水部の薄膜化が可能となり、有機EL素
子を薄膜化もしくはフィルム化する場合においても、脱
酸素脱水部の形成に際して問題が生じることがないから
である。
【0023】本発明における上記脱酸素脱水部の形成位
置は、図1に示す例では、第2電極層4上に形成されて
いるが、本発明はこれに限定されるものではなく、密封
部材5で密封される空間6内の位置であり、空間6内の
気体から酸素および水を除くできるような位置であれば
特に限定されるものではない。例えば、有機EL層3の
発光方向、すなわち有機EL層3の基体1側の面および
第2電極層4側の面を塞ぐことがないように、有機EL
層3の側部に形成するようにしてもよい。本発明に用い
られる脱酸素脱水部は、アルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属で形成されているので、通常は可視光域におい
て不透明である。したがって、有機EL層の上下の面、
すなわち基体側の面もしくは第2電極層側の面を塞ぐよ
うに脱酸素脱水部を形成場合は、有機EL層で発光した
光の出射方向を限定させてしまうことになるからであ
る。
【0024】しかしながら、本発明で用いられる脱酸素
脱水部は、密封部材5により密封された空間6内の気体
中に含まれる酸素および水をその表面で捉え、化学反応
により取り込むものであるので、その表面積は大きい方
が好ましい。本発明の有機EL素子における密封部材に
より密封された空間内で大きな面積を確保する場合は、
図1に示すように、第2電極層4の上方、すなわち有機
EL素子3を介して基体1と反対側の位置に設けること
が好ましい。
【0025】有機EL素子を介して基体1と反対側の位
置の例としては、図1に示すような第2電極層4上に限
定されるものではなく、例えば、図2に示すように、有
機EL層3を介して基体1と反対側の位置であって、密
封部材5の内面に脱酸素脱水部7を形成するようにして
もよい。さらに、より強力に脱酸素および脱水を行いた
い場合は、第2電極層上と密封部材内面との両者に脱酸
素脱水部を形成するようにしてもよい。
【0026】本発明に用いられる脱酸素脱水部を第2電
極層上に形成する場合は、第2電極層と同じパターンで
脱酸素脱水部を形成するようにするか、もしくは第2電
極層より小さい面積で脱酸素脱水部を形成するようにす
ることが好ましい。本発明において脱酸素脱水部は、ア
ルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を有するものであ
るので導電性を有する。したがって、第2電極層より大
きく脱酸素脱水部を形成するようにした場合は、第1電
極層に接してしまい、ショートを起こす可能性があるか
らである。
【0027】また、脱酸素脱水部を第2電極層上に形成
する場合は、脱酸素脱水部を第2電極層と同じパターン
で形成することが好ましい。このように形成することに
より、例えば同一のマスクを用いてパターニングができ
る等、脱酸素脱水部の形成コストを低減させることが可
能となるからである。
【0028】さらに、脱酸素脱水部を第2電極層上に形
成する場合は、図3に示すように、第2電極層4上に絶
縁層8を形成し、この絶縁層8上に脱酸素脱水部7を形
成するようにしてもよい。このように絶縁層8を形成す
るようにすれば、ショート等の不具合が生じる可能性が
低いことから、脱酸素脱水部7の形成位置が絶縁層上で
あれば特に限定する必要がなくなる。したがって、脱酸
素脱水部の形成位置の自由度が大きくなることから、有
機EL素子自体の設計の自由度が向上するといった利点
がある。また絶縁層を広範囲に設けるようにすれば、脱
酸素脱水部の表面積を広く形成することが可能となるの
で、脱酸素脱水部の脱酸素および脱水の能力を向上させ
ることが可能となる。
【0029】上記絶縁層に用いることができる材料とし
ては、絶縁性を有するものであれば特に限定されるもの
でなく、具体的には、例えば、SiO、SiO2、Ge
O、GeO2、Si34、Al23、Al23+Si
2、CeF3、CeO3、ZnS、Ta25、Ta23
+SiO、TiO2、HfO2、La23、Nb25、Y
23、ZrO2、PZT、BaTiO3、PbTiO3
LiF、NaF、KF、RbF、BeF2、MgF2、C
aF2、SrF2、BaF2、パリレン、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、エポキシ
樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ダイヤモンド、酸
化ナトリウム(Na2O)、酸化カリウム(K2O)、酸
化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸
化マグネシウム(MgO)、硫酸リチウム(Li2
4)、硫酸ナトリウム(Na2SO4)、硫酸カルシウ
ム(CaSO4)、硫酸マグネシウム(MgSO4)、硫
酸コバルト(CoSO4)、硫酸ガリウム(Ga2(SO
43)、硫酸チタン(Ti(SO 42)、硫酸ニッケル
(NiSO4)、塩化カルシウム(CaCl2)、塩化マ
グネシウム(MgCl2)、塩化ストロンチウム(Sr
Cl2)、塩化イットリウム(YCl3)、塩化銅(Cu
Cl2)、ふっ化セシウム(CsF)、ふっ化タンタル
(TaF5)、ふっ化ニオブ(NbF5)、臭化カルシウ
ム(CaBr2)、臭化セリウム(CeBr3)、臭化セ
レン(SeBr4)、臭化バナジウム(VBr 2)、臭化
マグネシウム(MgBr2)、よう化バリウム(Ba
2)、よう化マグネシウム(MgI2)、過塩素酸バリ
ウム(Ba(ClO42)、過塩素酸マグネシウム(M
g(ClO42)等が挙げられる。これらは、単独ある
いは複合膜として使用できる。
【0030】このような絶縁層の形成方法は、特に限定
されるものではなく、用いる材質に応じて、湿式塗布法
や蒸着法等種々の方法により形成することができる。
【0031】また、このような絶縁層を形成し、この上
に脱酸素脱水部を形成する場合は、脱酸素脱水部に含ま
れるアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属と、絶縁層
に含有される物質との間での反応、例えば酸化反応によ
り、脱酸素脱水部の脱酸素能力もしくは脱水能力が低下
することを防止するために、絶縁層と脱酸素脱水部との
間に中間層を形成するようにしてもよい。この中間層の
材料としては、例えばAl、Ag等の金属を挙げること
ができる。
【0032】(基体)本発明に用いられる基体として
は、有機EL素子を強度的に支持するものであれば特に
限定されるものではなく、第1電極層に必要な強度があ
れば第1電極層を兼ねるように形成されたものであって
もよい。
【0033】基体の材質としては、用途に応じて、例え
ばフレキシブルな材質であっても、硬質な材質であって
もよい。具体的に用いることができる材料としては、例
えば、ガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト等を挙げることができる。
【0034】これらの基体の材料は、上記脱酸素脱水部
が、有機EL層を介して基体と反対側の位置に形成され
た場合は、脱酸素脱水部が通常可視光を透過しないこと
から、有機EL層で発光された光が基体側を透過して取
り出されることになる。したがって、基体が透明な材質
で形成される必要がある。しかしながら、それ以外のケ
ースでは、有機EL層で発光した光を基体と反対側に取
り出すようにすることも可能であり、このような場合
は、基体は透明な材料に限定されるものではない。
【0035】また、基体の形状としては、枚葉状でも連
続状でもよく、具体的な形状としては、例えば、カード
状、フィルム状、ディスク状、チップ状等を挙げること
ができる。
【0036】(第1電極層および第2電極層)上記基体
上に形成される第1電極層および第2電極層は、例えば
真空スパッタリング、真空蒸着といった方法や、塗工液
を塗布することにより形成する方法等により形成され、
その製造方法は特に限定されるものではない。
【0037】本発明に用いられる第1電極層は上記基体
と同様に、脱酸素脱水部の位置により、その透明性が要
求されるか否かが異なり、脱酸素脱水部が、有機EL層
を介して基体と反対側の位置に形成された場合は、有機
EL層で発光された光が基体側を透過して取り出される
ことになるので、第1電極層が透明な材質である必要が
ある。しかしながら、それ以外のケースでは、有機EL
層で発光した光を基体と反対側に取り出すようにするこ
とも可能であり、このような場合は、第1電極層は透明
な材料に限定されるものではない。
【0038】一方、第2電極層は、第1電極層が透明性
を要求される場合、すなわ基体側に有機EL層で発光し
た光を取り出す場合は、特に透明であるか否かは問われ
無いが、有機EL層で発光した光が基体と反対側、すな
わち第2電極層側に取り出される場合は、透明性が要求
されることになる。
【0039】さらに、上記第1電極層および第2電極層
は、いずれが陽極であってもよいが、通常は第1電極層
が陽極として形成され、第2電極層が陰極として形成さ
れる。このような陽極として形成される場合の電極層の
材料としては、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、
酸化インジウム、金のような仕事関数の大きな金属、ポ
リアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン
誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等を挙
げることができる。一方、電極層が陰極として形成され
る場合に用いられる材料としては、MgAg等のマグネ
シウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミ
ニウム合金、Li、Caをはじめとするアルカリ金属類
およびアルカリ土類金属類、それらアルカリ金属類およ
びアルカリ土類金属類の合金のような仕事関数の小さな
金属等を挙げることができる。
【0040】(有機EL層)本発明においては、上述し
たような第1電極層と第2電極層との間に有機EL層が
形成される。
【0041】本発明でいう有機EL層とは、発光層を含
む1層もしくは複数層の有機層から形成されるものであ
る。すなわち、有機EL層とは、少なくとも発光層を含
む層であり、その層構成が有機層1層以上の層をいう。
通常、塗布による湿式法で有機EL層を形成する場合
は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であ
ることから、1層もしくは2層の有機層で形成される場
合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み
合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも
可能である。
【0042】発光層以外に有機EL層内に形成される有
機層としては、正孔注入層や電子注入層といったキャリ
ア注入層を挙げることができる。さらに、その他の有機
層としては、正孔輸送層、電子輸送層といったキャリア
輸送層を挙げることができるが、通常これらは上記キャ
リア注入層にキャリア輸送の機能を付与することによ
り、キャリア注入層と一体化されて形成される場合が多
い。その他、EL層内に形成される有機層としては、キ
ャリアブロック層のような正孔あるいは電子の突き抜け
を防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げること
ができる。
【0043】本発明における有機EL層に必須である発
光層に用いられる発光材料としては、例えば以下のもの
を挙げることができる。
【0044】色素系発光材料としては、シクロペンタジ
エン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフ
ェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾ
ロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチ
リルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環
化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン
誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン
誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマ
ーなどを挙げることができる。
【0045】また、金属錯体系発光材料としては、アル
ミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯
体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜
鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、
ユーロピウム錯体等、中心金属に、Al、Zn、Be
等、またはTb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配
位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピ
リジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等
を有する金属錯体等を挙げることができる。
【0046】さらに、高分子系発光材料としては、ポリ
パラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導
体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポ
リアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフ
ルオレノン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキ
サリン誘導体、およびそれらの共重合体等を挙げること
ができる。
【0047】上記発光層中には、発光効率の向上、発光
波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加しても
よい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリ
レン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナク
リドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導
体、スチリル色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導
体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導
体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体等を挙げる
ことができる。
【0048】上記正孔注入層の形成材料としては、発光
層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン
系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸
化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化
アルミニウムなどの酸化物、アモルファスカーボン、ポ
リアニリン、ポリチオフェンなどの誘導体等を挙げるこ
とができる。
【0049】また、上記電子注入層の形成材料として
は、発光層の発光材料に例示した化合物の他、アルミニ
ウム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシ
ウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フ
ッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、
酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリ
レートポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リチウム、
セシウム、フッ化セシウム等のようにアルカリ金属類、
およびアルカリ金属類のハロゲン化物、アルカリ金属の
有機錯体等を挙げることができる。
【0050】(その他)本発明の有機EL素子において
は、上述した部材以外にも、例えば、第2電極層上に形
成される保護層等、必要に応じて種々の部材を形成する
ようにしてもよい。
【0051】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0052】例えば、上記実施形態において、脱酸素脱
水部が第2電極層もしくは密封部材内面に形成する例を
示したが、この例では、第2電極層もしくは密封部材上
に直接脱酸素脱水部が形成されている例を用いて説明し
た。しかしながら、本発明においては、あくまでも第2
電極層上方もしくは密封部材内面側に位置する部位に脱
酸素脱水部が形成されていれば特に直接接触しているこ
とに限定されるものではなく、例えば他の層を介して脱
酸素脱水部が形成されるようにしてもよいのである。
【0053】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明をさらに説明す
る。
【0054】(実施例1)縦横が25mm×25mm
で、厚みが1.1mmの透明ガラス板の表面に酸化イン
ジウム錫(ITO)の透明導電膜性膜(第1電極層)を
有するITO基板を洗浄した後、ITO膜上の中心に、
下記組成のEL層形成用組成物0.05mlを滴下し、
スピンナーを用い、2150回転/分の回転数で3秒間
保持し、厚み100nmの有機EL層を形成した。
【0055】 (有機EL層形成用組成物) ・ポリビニルカルバゾール 70重量部 ・オキサジアゾール化合物 30重量部 ・クマリン6 1重量部 ・1,1,2−トリクロロエタン 4900重量部 上記ポリビニルカルバゾール、オキサジアゾール化合
物、およびクマリン6の化学式を以下に示す。
【0056】
【化1】
【0057】次いで、得られた有機EL層上に、LiF
を厚み0.5nmになるように蒸着し、さらにAlを厚
み200nmになるように蒸着して第2電極層とした。
さらにその上に、Caを第2電極層と同様のパターンで
500nm蒸着して脱酸素脱水部とした。不活性ガス雰
囲気下でUV硬化樹脂を用い、密封部材であるガラス製
封止缶内に有機EL層を封入し、有機EL素子を得た。
【0058】得られた有機EL素子の発光部分を約20
倍で撮影した。この素子を80℃で300時間保存した
後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後
もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0059】(実施例2)脱酸素脱水部の材料をCaか
らMgに変更した以外は実施例1と同様にして有機EL
素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20
倍で撮影した。この素子を80℃で300時間保存した
後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後
もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0060】(実施例3)第2電極層上にLiFが有機
EL層全面を覆うように真空蒸着法により200nm形
成して絶縁層とし、この絶縁層上にCaを500nm蒸
着して脱酸素脱水部とした以外は実施例1と同様にして
有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分
を約20倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で3
00時間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影
した結果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観
察されなかった。
【0061】(実施例4)上記LiFをSiO2に変更
した以外は実施例3と同様にして有機EL素子を得た。
得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影し
た。この有機EL素子を80℃で300時間保存した
後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後
もダークスポットの成長はほとんど観察されなかった。
【0062】(実施例5)実施例3で形成したLiFか
らなる絶縁層上にAgを全面に50nm蒸着して中間層
とし、さらにこの中間層上にCaを500nm蒸着して
脱酸素脱水部とした以外は実施例3と同様にして有機E
L素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約2
0倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時
間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結
果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察され
なかった。
【0063】(実施例6)絶縁層として用いたLiFを
SiO2に変更した以外は実施例5と同様にして有機E
L層を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約20
倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時間
保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結
果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察され
なかった。
【0064】(実施例7)Caを第2電極層上に形成す
るのに替えて、ガラス封止缶内部に500nm蒸着して
脱酸素脱水部とした以外は実施例1と同様にして有機E
L素子を得た。得られた有機EL素子の発光部分を約2
0倍で撮影した。この有機EL素子を80℃で300時
間保存した後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結
果、保存後もダークスポットの成長はほとんど観察され
なかった。
【0065】(比較例1)脱酸素脱水部を形成しなかっ
た点を除いて実施例1と同様にして有機EL素子を得
た。得られた有機EL素子の発光部分を約20倍で撮影
した。この有機EL素子を80℃で300時間保存した
後、発光部分を封入直後と同様に撮影した結果、保存後
のダークスポットの成長が顕著であることが観察され
た。
【0066】
【発明の効果】本発明によれば、密封部材により密封さ
れた空間のいずれかの位置に、アルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属を含有する脱酸素脱水部が形成されてい
るので、一つの部材を形成するだけで、発光特性に対し
て悪影響を与える酸素および水分の除去が可能である。
したがって、脱酸素、および脱水を行う際の部材の取付
が容易であり、結果的に有機EL素子のコストを低減さ
せることが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の一例を示す概略断面図
である。
【図2】本発明の有機EL素子の他の例を示す概略断面
図である。
【図3】本発明の有機EL素子の他の例を示す概略断面
図である
【符号の簡単な説明】
1 …… 基体 2 …… 第1電極層 3 …… 有機EL層 4 …… 第2電極層 5 …… 密封部材 6 …… 空間 7 …… 脱酸素脱水部 8 …… 絶縁層

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体と、この基体表面上に形成された第
    1電極層と、この第1電極層上に形成された有機エレク
    トロルミネッセント層と、この有機エレクトロルミネッ
    セント層を前記第1電極層と挟むように上記有機エレク
    トロルミネッセント層上に形成された第2電極層と、前
    記有機エレクトロルミネッセント層を密封するように形
    成された密封部材とを少なくとも有し、前記密封部材に
    より密封された空間内のいずれかの位置に、アルカリ金
    属もしくはアルカリ土類金属を有する脱酸素脱水部が形
    成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッ
    セント素子。
  2. 【請求項2】 前記アルカリ金属もしくはアルカリ土類
    金属が、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、お
    よびBaからなる群から選択される少なくとも一種の金
    属であることを特徴とする請求項1記載の有機エレクト
    ロルミネッセント素子。
  3. 【請求項3】 前記脱酸素脱水部が、真空蒸着法により
    形成されていることを特徴とする請求項1または請求項
    2に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
  4. 【請求項4】 前記脱酸素脱水部が、前記有機エレクト
    ロルミネッセント層を介して基体と反対側の位置に形成
    されていることを特徴とする請求項1から請求項3まで
    のいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント
    素子。
  5. 【請求項5】 前記脱酸素脱水部が、前記第2電極層上
    に形成されていることを特徴とする請求項4記載のエレ
    クトロルミネッセント素子。
  6. 【請求項6】 前記脱酸素脱水部が、前記第2電極層と
    同じパターンで形成されていることを特徴とする請求項
    5記載のエレクトロルミネッセント素子。
  7. 【請求項7】 前記脱酸素脱水部が、絶縁層を介して前
    記第2電極層上に形成されていることを特徴とする請求
    項5記載のエレクトロルミネッセント素子。
  8. 【請求項8】 前記脱酸素脱水部が、前記密封部材内面
    に形成されていることを特徴とする請求項4記載のエレ
    クトロルミネッセント素子。
  9. 【請求項9】 前記脱酸素脱水部が、前記第2電極層上
    および前記密封部材内面に形成されていることを特徴と
    する請求項4記載のエレクトロルミネッセント素子。
JP2000184009A 2000-06-20 2000-06-20 有機エレクトロルミネッセント素子 Expired - Fee Related JP4494595B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000184009A JP4494595B2 (ja) 2000-06-20 2000-06-20 有機エレクトロルミネッセント素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000184009A JP4494595B2 (ja) 2000-06-20 2000-06-20 有機エレクトロルミネッセント素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002008852A true JP2002008852A (ja) 2002-01-11
JP4494595B2 JP4494595B2 (ja) 2010-06-30

Family

ID=18684501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000184009A Expired - Fee Related JP4494595B2 (ja) 2000-06-20 2000-06-20 有機エレクトロルミネッセント素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4494595B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003316296A (ja) * 2002-02-01 2003-11-07 Seiko Epson Corp 回路基板、電気光学装置、電子機器
JP2009512131A (ja) * 2005-10-07 2009-03-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電圧動作層回路
US7622862B2 (en) 2002-08-14 2009-11-24 Fujifilm Corporation Light-emitting device with water-and/or oxygen-absorbing layer and its production
US7663313B2 (en) 2003-08-27 2010-02-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device with porous material layer
US7687991B2 (en) 2006-07-12 2010-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device
WO2011001573A1 (ja) 2009-06-29 2011-01-06 シャープ株式会社 有機el表示装置およびその製造方法
JP2011124219A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
KR101199128B1 (ko) * 2010-11-05 2012-11-09 임은섭 히터 어셈블리
WO2016176980A1 (zh) * 2015-05-07 2016-11-10 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件的封装结构、封装方法以及电子设备
KR20170078519A (ko) 2015-12-29 2017-07-07 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법
JP2017167477A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
JPH08288069A (ja) * 1995-04-07 1996-11-01 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11312580A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2000123971A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Futaba Corp 有機elの製造方法
JP2000156292A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Canon Inc 電気素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
JPH08288069A (ja) * 1995-04-07 1996-11-01 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11312580A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2000123971A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Futaba Corp 有機elの製造方法
JP2000156292A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Canon Inc 電気素子

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003316296A (ja) * 2002-02-01 2003-11-07 Seiko Epson Corp 回路基板、電気光学装置、電子機器
US7622862B2 (en) 2002-08-14 2009-11-24 Fujifilm Corporation Light-emitting device with water-and/or oxygen-absorbing layer and its production
US7663313B2 (en) 2003-08-27 2010-02-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device with porous material layer
JP2009512131A (ja) * 2005-10-07 2009-03-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電圧動作層回路
US7687991B2 (en) 2006-07-12 2010-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device
WO2011001573A1 (ja) 2009-06-29 2011-01-06 シャープ株式会社 有機el表示装置およびその製造方法
JP2011124219A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
KR101199128B1 (ko) * 2010-11-05 2012-11-09 임은섭 히터 어셈블리
WO2016176980A1 (zh) * 2015-05-07 2016-11-10 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件的封装结构、封装方法以及电子设备
KR20170078519A (ko) 2015-12-29 2017-07-07 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법
US10128465B2 (en) 2015-12-29 2018-11-13 Japan Display Inc. Display device including sealing structure which suppresses water penetration into display region
JP2017167477A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9882168B2 (en) 2016-03-18 2018-01-30 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4494595B2 (ja) 2010-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4724045B2 (ja) 薄層金属−有機材料混合層を有する反射率が低減された表示デバイス
JP4739098B2 (ja) 電子冷光放射装置
JP2004319424A (ja) 有機電界発光ディスプレイ装置
JP2007311811A (ja) 低い仕事関数の陽極を有する電界発光素子
JP2000260572A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル
TW201106779A (en) Organic light emitting device, display unit including the same, and illuminating device including the same
JP3963712B2 (ja) 有機el素子構造体
US8962382B2 (en) Fabrication method for organic light emitting device and organic light emitting device fabricated by the same method
JP4494595B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2000208276A (ja) 有機el素子
JP2008243932A (ja) 有機電界発光素子および表示装置
JP4910263B2 (ja) エレクトロルミネッセント素子
JP4178887B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000294376A (ja) 有機el素子
JP2008293895A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH09245964A (ja) 光学的素子の製造方法
JP2003297554A (ja) 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置
JP2009238481A (ja) 有機el表示装置
JP2007123124A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004031214A (ja) 有機電界発光素子
US20050122041A1 (en) Organic electroluminescent device
JP2004227943A (ja) 有機el発光素子およびその製造方法
JP2003297550A (ja) 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置
WO2006080315A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2008078036A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子及び有機エレクトロルミネセンスディスプレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100406

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100408

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees