JP4494512B2 - 半導体装置及びその作製方法、液晶パネル - Google Patents

Description

本明細書で開示する発明は、薄膜トランジスタの構成に関する。特に、極性の反転した
信号に対する動作の対称性に優れた薄膜トランジスタに関する。

従来よりガラス基板や石英基板上に形成される薄膜トランジスタが知られている。薄膜
トランジスタは液晶表示装置や各種集積回路に利用することができる。

図４に示すのは、一般的な構成を有する薄膜トランンジスタを上方から見たものである
。

図４において、１１がソースコンタクトであり、１２がソース領域である。また、１５
がドレインコンタクトであり、１４がドレイン領域である。また１３がチャネル形成領域
である。１８はチャネル形成領域に図示しないゲイト絶縁膜を介して配置されたゲイト電
極である。

１６と１７はチャネル形成領域１３に隣接して配置された低濃度不純物領域である。こ
の低濃度不純物領域は、ソース及びドレイン領域よりも導電型を付与する不純物を低濃度
に含んでいる。

一般にドレイン領域側の低濃度不純物領域１７がＬＤＤ（ライトドープドレイン）領域
と称されている。

低濃度不純物領域を設けるのは、チャネル領域とドレイン領域との間に形成される高電
界を緩和させることにより、ＯＦＦ電流の低減と劣化の抑制を得るためである。

一般に薄膜トランジスタは高周波（ＭＨｚ帯以上の周波数）の信号を扱う。そして動作
形態によっては、ソース／ドレイン間に加わる電圧の極性が所定の周期で反転したものと
なるような動作が要求される場合がある。

このような極性を反転させる動作を行わす場合（反転動作という）、図４に示すような
構成におけるソース領域１２とドレイン領域１４の役割は、機能的な観点からは反転する
ものとなる。以下においては、便宜上１２をソース領域、１４をドレイン領域と定義する
。

低濃度不純物領域１５及び１６を形成するには、レジストマスクを利用して活性層に対
する不純物イオンの注入量を選択的に異ならせる方法が利用される。

この場合、フォトリソグラフィー工程におけるマスク合わせ精度のズレに起因して、低
濃度不純物領域１５と１６の寸法が僅かに異なってしまう。基板面積が小さければ、この
ズレは無視できるレベルのものであるが、大面積を有するアクティブマトリクス型の液晶
表示装置等においては、上記寸法のズレは、μｍオーダーとなってしまう。

一般に図４の低濃度不純物領域の寸法は、１〜２μｍ程度である。従って、低濃度不純
物領域１６と１７の設定寸法は、マスク合わせ精度の影響を大きく受けることになる。

このような場合、低濃度不純物領域１５と１６の寸法が互いに大きく異なるものとなる
。

その結果、それぞれの低濃度不純物領域が示す抵抗が異なることになり、ソース領域１
２に加わる信号電圧が反転した場合における動作の対称性が崩れることになる。

例えば、図４に示す薄膜トランジスタをＮチャネル型とする。また、低濃度不純物領域
は１６だけが存在しているとする。（１５の低濃度不純物領域が存在しないものとする）

即ち、ソース／チャネル間とドレイン／チャネル間の抵抗が大きく異なる状態を想定す
る。

この状況において、ソース領域１２の電位がグランドレベル（または所定の定電位）に
比較して低い状態を考える。この場合、ＯＮ動作によってソース領域１２からドレイン領
域１４にキャリアである電子が移動する。（動作状態Ａ）

他方、上記動作状態Ａに対してソース領域１２に供給される信号電圧の極性が反転した
場合を考える。この状態においては、ＯＮ動作によってドレイン領域１４からソース領域
１２にキャリアである電子が移動する。（動作状態Ｂ）

この反転した動作状態Ｂにおいては、ソース領域１２とドレイン領域１４の役割は、動
作状態Ａに対して逆転したものとなる。

この場合は、ドレイン領域側だけに低濃度不純物領域１６が配置された状況を考えてい
る。従って、上記動作状態Ａと動作状態Ｂとでは、薄膜トランジスタの動作インピーダン
スは異なるものとなる。

このことは、２つの動作状態において、移動するキャリアの経路が異なることに起因す
る。即ち、動作状態Ａにおいては、キャリア（電子）は、ソース領域１２からチャネル領
域１３に入り（この場合、１６の領域は存在しないものと設定してある）、さらに低濃度
不純物領域１７を通過して、ドレイン領域１４に至る経路を移動する。

他方、動作状態Ｂにおいては、キャリア（電子）は、ドレイン領域１４から低濃度不純
物領域１７を通過してチャネル領域１３に入り、ドレイン領域１２に至る経路を移動する
。

絶縁ゲイト型の電界効果トランジスタにおいては、低濃度不純物領域のような高抵抗領
域がチャネルに対してキャリアの流入側にあるのか、あるいは流出側にあるのか、という
ことは、動作状態に大きな違いを与える。

従ってこのような場合、ソース領域１２に供給される信号電圧の極性が反転することで
、薄膜トランジスタの動作状態は異なるものとなる。これは、ドレイン領域１４側だけに
低濃度不純物領域が配置されていることに起因する。（ここではそのような設定としてい
る）

この現象は、低濃度不純物領域１６と１７の寸法が異なる場合にも同様に発生する。

このような状況は、同じ情報を取り扱う場合において、信号の極性を反転して動作させ
る場合に問題となる。

上記の問題は、前述した不可避に発生してしまうマスク合わせのズレに起因しても生じ
る。

本明細書で開示する発明は、上記マスク合わせのズレに起因して生じる薄膜トランジス
タの動作の対称性の崩れを抑制する技術を提供することを課題とする。

本明細書で開示する発明の一つは、図１に上面からみた概要を示すように、
２つのソース領域１０５及び１０８と、
２つのチャネル領域１１５及び１１６と、
１つのドレイン領域１０７と、
前記チャネル領域とそれぞれのドレイン領域との間に配置された２つの高抵抗領域１１
３及び１１４と、
が形成された活性層を有し、
前記２つのソース領域は配線１１２により接続されており、
前記２つのチャネル領域にはゲイト電極１０３及び１０４より共通の駆動信号が供給さ
れることを特徴とする。

上記構成において、高抵抗領域は、ソース及びドレイン領域よりも低濃度に導電型を付
与する不純物がドーピングされた低濃度不純物領域、またはドーピングを行わない真性ま
たは実質的に真性な領域でもって構成される。即ち、高抵抗領域は、ソース及びドレイン
領域よりも高いシート抵抗（低い導電率）を有した領域として定義される。

また高抵抗領域は、２つに限定されるものでなく、さらにソース領域側に配置する構成
としてもよい。即ち、チャネル領域１１５とソース領域１０５との間、及びチャネル領域
１１６とソース領域１０８との間に高抵抗領域を配置する構造としてもよい。

本明細書で開示する発明は、高抵抗領域１１３と１１４とをマスクを用いた被自己製造
プロセスにより形成することを前提としている。従って、個々の製品（本明細書で開示す
る発明を利用した個々の製品）は、それぞれマスク合わせ時のズレに起因して、１１３と
１１４とで示される２つの高抵抗領域の寸法が互いに異なるものとなる。特に基板面積を
大きくなった場合、そのことが顕在化する。

なお、上記の工程領域の寸法というのは、ソース領域とドレイン領域を結ぶ線上におけ
るものとして定義される。

他の発明の構成は、図１にその具体的な構成例を示すように、
２つのソース領域１１５及び１１６と、
１つのドレイン領域１０７と、
前記ソース領域１０５及び１０８からドレイン領域１０７へ至る２つの経路と、
前記経路のそれぞれに形成された複数の高抵抗領域１１３及び１１４と、
を有していることを特徴とする。

上記構成においては、高抵抗領域の形成時におけるマスク合わせのズレが生じ、その寸
法がズレてしまっても、個々の高抵抗領域の寸法の和は一定または概略一定なものとなる
。

例えば、マスク合わせ時のズレにより、高抵抗領域１１３の寸法が大きくなれば、高抵
抗領域１１４の寸法は小さくなる。またマスク合わせ時のズレが逆の方向となれば、寸法
の大小関係もまた逆になる。そして、マスク合わせのズレに係わらず（当然ズレの限界は
あるが）高抵抗領域１１３と１１４の和は一定なものとなる。

本明細書で開示する発明を利用することで、高抵抗領域を備えた薄膜トランジスタの作
製工程において、不可避に発生してしまうマスク合わせのズレに起因して生じる、極性反
転動作時における薄膜トランジスタのアンバンラス動作の問題を解決することができる。

実施例の薄膜トランジスタを上面から見た状態を示す図。 図１のＡ−Ａ’で切った断面作製工程を示す図。 図１のＡ−Ａ’で切った断面作製工程を示す図。 従来薄膜トランジスタを上面から見た状態を示す図。 発明を利用した装置の概要を示す図。

図１に示すように、２つのソース領域１０５と１０８とを共通化し、それぞれのソース
領域からドレイン領域１０７への経路を２つ設けることで、高抵抗領域１１３と１１４の
寸法の違いが生じても、ソース領域への信号電圧の極性の反転による動作の対称性を保持
することができる。

即ち、高抵抗領域１１３と１１４の寸法が、マスク合わせ時のズレにより、一方が大き
く、かつ他方が小さく、また逆に一方が小さく、かつ他方が大きく、なった場合であって
も、ソース領域とドレイン領域を結ぶ経路の対称性を保持することができる。換言すれば
、高抵抗領域の形成時におけるマスク合わせのズレによらずソース領域からドレイン領域
への経路とドレイン領域からソース領域への経路とを同じものとすることができる。

そしてこのことにより、ソース領域に加わる信号電圧の極性が反転した場合であっても
その動作の対称性を保持することができる。

図１に本実施例の概略の構成の上面図を示す。

図１に示す構成は、２つのソース領域１０５及び１０８を備えている。２つのソース領
域１０５と１０８は、コンタクト１０６及び１０９を介して、配線１１２によって共通に
接続されている。

１０３と１０４がゲイト電極であり、これらは延在した１０１の部分で共通化されてい
る。１０２は共通化されたゲイト電極１０１へのコンタクト部である。

また、ゲイト電極１０３の下部にはチャネル領域１１５が、ゲイト電極１０４の下部に
はチャネル領域１１６が形成されている。

１０７で示されるのがドレイン領域である。ドレイン領域１０７からは１１０で示され
るパターンが延在し、１１１で示されるコンタクト部分にドレイン電極が形成される。

１１３と１１４で示されるのが、ソース／ドレイン領域に比較してより低濃度に導電型
を付与する不純物がドーピングされた高抵抗領域（低濃度不純物領域）である。

図１に示す構造を有する薄膜トランジスタは、高抵抗領域（ここでは低濃度不純物領域
）の形成位置がずれても、その影響により反転動作時における薄膜トランジスタの動作に
非対称性が現れないものとなる。

高抵抗領域１１３ち１１４の形成位置がズレてしまう場合には以下の２つの状態が考え
られる。

（状態Ａ）
１１３の領域が所定の寸法より大きくなり、１１４の領域の寸法が所定の寸法より小さ
くなる。

（状態Ｂ）
１１３の領域が所定の寸法より小さくなり、１１４の領域の寸法が所定の寸法より大き
くなる。

図１に示す薄膜トランジスタにおいては、ソース配線１１２に供給される信号電圧の極
性が反転しても上記状態（Ａ）及び状態（Ｂ）との場合において、動作の対称性は保持さ
れる。

これは、ソース線１１２からドレイン領域１１０への経路と、ドレイン領域１１０から
ソース線１１２への経路とが、上記状態（Ａ）及び状態（Ｂ）とにおいて、同じものとな
るからである。

このように本実施例に示す構成を採用することにより、高抵抗領域１１３と１１４の寸
法の対称性がズレてしまった場合であってもその動作の対称性を保持することができる。

以下に図１に示す薄膜トランジスタの作製工程を説明する。図２以下に図１のＡ−Ａ’
で切った断面の作製工程を示す。まずガラス基板（または石英基板）２０１上に図示しな
い下地膜として酸化珪素膜を３０００Åの厚さにスパッタ法で成膜する。

次に図示しない非晶質珪素膜を５００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法で成膜し、さらにレ
ーザー光の照射を行うことにより、この非晶質珪素膜を結晶化させ、結晶性珪素膜を得る
。

結晶性珪素膜を得たら、パターニングを施すことにより、２０２で示される活性層を形
成する。この活性層には、後にソース／ドレイン領域、さらにチャネル形成領域、さらに
高抵抗領域が形成される。

活性層２０２を形成したら、ゲイト絶縁膜２０３として酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法
で成膜する。

さらにゲイト電極を構成するための図示しない金属膜をスパッタ法で成膜する。ここで
は、この金属膜として、４０００Å厚のモリブデンシリサイド膜を用いる。この金属膜と
しては、アルミニウム膜やタンタル膜、さらに各種シリサイド材料を利用することができ
る。また、金属膜の代わりに一導電型を有するシリコン膜を利用することもできる。

図示しない金属膜を成膜したら、パターニングを施すことにより、１０３と１０４で示
されるパターンを形成する。このパターンを上方から見た状態は図１に示されている。こ
うして図２（Ａ）に示す状態を得る。

次にレジストマスク２０４と２０５を配置する。このレジストマスクは、高抵抗領域と
して機能する低濃度不純物領域を形成するために利用される。

レジストマスク２０４と２０５を配置したら、Ｐ（リン）のドーピングをプラズマドー
ピング法でもって行う。この工程において、２０６と２０８と２１０の領域にライトドー
ピングが行われる。また、２０７と２０９の領域にはドーピングが行われない。こうして
図２（Ｂ）に示す状態を得る。

なお、本実施例においては、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを得るためにＰのドーピ
ングを行う例を示すが、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタを得るのであれば、Ｂ（ボロン
）のドーピングを行う。

次にレジストマスク２０４と２０５を除去し、再度のＰのドーピングを行う。この工程
では、図２（Ｂ）に示す工程における場合より、低ドーズ量でもってＰのドーピング（ラ
イトドーピング）を行う。この結果、ソース領域１０５及び１０８が形成される。また、
ドレイン領域１０７が形成される。

また、低濃度不純物領域１１３と１１４が形成される。また、チャネル領域１１５と１
１６が画定する。

ここで、低濃度不純物領域１１３と１１４は、１０５と１０８で示されるソース領域よ
り、低濃度にＰがドーピングされている。これら低濃度不純物領域は、高抵抗領域として
機能する。

なお、このライトドーピングを行わないと、１１３と１１４の領域をオフセットゲイト
領域とすることができる。

また、本実施例においては、高抵抗領域をチャネル領域とドレイン領域との間に形成す
る構造となっているが、（Ｂ）の工程で配置されるマスクの形状を変更すれば、高抵抗領
域をソース領域とチャネル領域との間にも高抵抗領域を配置することができる。

こうして図２（Ｃ）に示す状態を得る。次に層間絶縁膜として、窒化珪素膜２１３と樹
脂膜２１４を積層する。こうして図２（Ｄ）に示す状態を得る。

次に図３（Ａ）に示すようにコンタクトホール１０６と１０９を形成する。そして、チ
タン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜でなるソース電極（延在してソース配線と
なる）２１５及び２１６を形成する。

ソース電極２１５及び２１６は、図１に示すソース配線１１２に延在する。即ち、ソー
ス電極２１５と２１６は共通に接続されている。

図２（Ｄ）に示す状態を得たら、３５０℃の水素雰囲気中において１時間の水素化処理
を行う。こうして薄膜トランシスタを完成させる。

本明細書に開示する発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルに利用すること
ができる。以下において、アクティブマトリクス型の液晶パネルを利用した各種装置の例
を示す。

図５（Ａ）に示すのは、デジタルスチールカメラや電子カメラ、または動画を扱うこと
ができるビデオムービーと称される撮影装置である。

この装置は、カメラ部２００２に配置されたＣＣＤカメラ（または適当な撮影手段）で
撮影した画像を電子的に保存する機能を有している。そして撮影した画像を本体２００１
に配置された液晶表示パネル２００３に表示する機能を有している。装置の操作は、操作
ボタン２００４によって行われる。なお、液晶パネルには、バックライトからの光照射に
よって表示を行うものと、外部からの光を反射して表示を行う反射型と呼ばれる形式とが
ある。

図５（Ｂ）に示すのは、携帯型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）である。こ
の装置は、本体２１０１に装着された開閉可能なカバー（蓋）２１０２に液晶表示パネル
２１０４が備えられ、キーボード２１０３から各種情報を入力したり、各種演算操作を行
うことができる。

図５（Ｃ）に示すのは、カーナビゲーションシステム（情報処理装置）にフラットパネ
ルディスプレイを利用した場合の例である。カーナビゲーションシステムは、アンテナ部
２３０４と液晶表示パネル２３０２を備えた本体から構成されている。

ナビゲーションに必要とされる各種情報の切り換えは、操作ボタン２３０３によって行
われる。一般には図示しないリモートコントロール装置によって操作が行われる。

図５（Ｄ）に示すのは、投射型の画像表示装置の例である。図において、光源２４０２
から発せられた光は、液晶表示パネル２４０３によって光学変調され、画像となる。画像
は、ミラー２４０４、２４０５で反射されてスクリーン２４０６に映し出される。

図５（Ｅ）に示すのは、ビデオカメラ（撮影装置）の本体２５０１にビューファインダ
ーと呼ばれる表示装置が備えられた例である。

ビューファインダーは、大別して液晶表示パネル２５０２と画像が映し出される接眼部
２５０３とから構成されている。

図５（Ｅ）に示すビデオカメラは、操作ボタン２５０４によって操作され、テープホル
ダー２５０５に収納された磁気テープに画像が記録される。また図示しないカメラによっ
て撮影された画像は液晶表示パネル２５０２に表示される。また表示装置２５０２には、
磁気テープに記録された画像が映し出される。

１０１ 共通化されたゲイト電極
１０２ ゲイト電極へのコンタクト
１０３ ゲイト電極
１０４ ゲイト電極
１０５ ソース領域
１０６ ソース領域のコンタクト（コンタクト開口位置）
１０７ ドレイン領域
１０８ ソース領域
１０９ ソース領域のコンタクト（コンタクト開口位置）
１１０ ドレイン領域から延在したパターン
１１１ ドレイン領域へのコンタクト（コンタクト開口位置）
１１２ ソース配線
１１３ 高抵抗領域（低濃度不純物領域）
１１４ 高抵抗領域（低濃度不純物領域）
１１５ チャネル領域
１１６ チャネル領域

Claims (8)

1. 第１乃至第９の領域を有する半導体層と、
   前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第２の領域と重なる位置に設けられた第２のゲイト電極と、
   前記第５の領域と電気的に接続された第１の電極と、
   前記第７の領域と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第１のゲイト電極と前記第２のゲイト電極とは電気的に接続されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは電気的に接続されており、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び第９の領域はマスクを用いて形成された高抵抗領域であり、
   前記第５乃至第７の領域は高濃度不純物領域であり、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第７の領域を結ぶ線上において、前記第３の領域の長さと前記第４の領域の和と、前記第８の領域の長さと前記第９の領域の和と、がマスク合わせのズレに係わらず一定または概略一定であり、
   前記高抵抗領域及び前記高濃度不純物領域にはリンがドーピングされていることを特徴とする半導体装置。
2. 第１乃至第９の領域を有する半導体層と、
   前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第２の領域と重なる位置に設けられた第２のゲイト電極と、
   前記第５の領域と電気的に接続された第１の電極と、
   前記第７の領域と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第１のゲイト電極と前記第２のゲイト電極とは電気的に接続されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは電気的に接続されており、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び第９の領域はマスクを用いて形成された高抵抗領域であり、
   前記第５乃至第７の領域は高濃度不純物領域であり、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第７の領域を結ぶ線上において、前記第３の領域の長さと前記第４の領域の和と、前記第８の領域の長さと前記第９の領域の和と、がマスク合わせのズレに係わらず一定または概略一定であり、
   前記高抵抗領域及び前記高濃度不純物領域にはボロンがドーピングされていることを特徴とする半導体装置。
3. 反転動作を行う半導体装置であって、
   第１乃至第９の領域を有する半導体層と、
   前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第２の領域と重なる位置に設けられた第２のゲイト電極と、
   前記第５の領域と電気的に接続された第１の電極と、
   前記第７の領域と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第１のゲイト電極と前記第２のゲイト電極とは電気的に接続されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは電気的に接続されており、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び第９の領域はマスクを用いて形成された高抵抗領域であり、
   前記第５乃至第７の領域は高濃度不純物領域であり、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第７の領域を結ぶ線上において、前記第３の領域の長さと前記第４の領域の和と、前記第８の領域の長さと前記第９の領域の和と、がマスク合わせのズレに係わらず一定または概略一定であることを特徴とする半導体装置。
4. 第１乃至第９の領域を有する半導体層と、
   前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第２の領域と重なる位置に設けられた第２のゲイト電極と、
   前記第５の領域と電気的に接続された第１の電極と、
   前記第７の領域と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第１のゲイト電極と前記第２のゲイト電極とは電気的に接続されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは電気的に接続されており、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び第９の領域はマスクを用いて形成された高抵抗領域であり、
   前記第５乃至第７の領域は高濃度不純物領域であり、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第７の領域を結ぶ線上において、前記第３の領域の長さと前記第４の領域の和と、前記第８の領域の長さと前記第９の領域の和と、がマスク合わせのズレに係わらず一定または概略一定であり、
   前記高抵抗領域の長さは１〜２μｍであることを特徴とする半導体装置。
5. 反転動作を行う半導体装置であって、
   第１乃至第９の領域を有する半導体層と、
   前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第２の領域と重なる位置に設けられた第２のゲイト電極と、
   前記第５の領域と電気的に接続された第１の電極と、
   前記第７の領域と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第１のゲイト電極と前記第２のゲイト電極とは電気的に接続されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは電気的に接続されており、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び第９の領域はマスクを用いて形成された高抵抗領域であり、
   前記第５乃至第７の領域は高濃度不純物領域であり、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第７の領域を結ぶ線上において、前記第３の領域の長さと前記第４の領域の和と、前記第８の領域の長さと前記第９の領域の和と、がマスク合わせのズレに係わらず一定または概略一定であり、
   前記高抵抗領域の長さは１〜２μｍであることを特徴とする半導体装置。
6. バックライトからの光照射によって表示を行う液晶パネルであって、
   第１乃至第９の領域を有する半導体層と、
   前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第２の領域と重なる位置に設けられた第２のゲイト電極と、
   前記第５の領域と電気的に接続された第１の電極と、
   前記第７の領域と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第１のゲイト電極と前記第２のゲイト電極とは電気的に接続されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは電気的に接続されており、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び第９の領域はマスクを用いて形成された高抵抗領域であり、
   前記第５乃至第７の領域は高濃度不純物領域であり、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第７の領域を結ぶ線上において、前記第３の領域の長さと前記第４の領域の和と、前記第８の領域の長さと前記第９の領域の和と、がマスク合わせのズレに係わらず一定または概略一定であることを特徴とする液晶パネル。
7. 外部からの光を反射して表示を行う液晶パネルであって、
   第１乃至第９の領域を有する半導体層と、
   前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、
   前記ゲイト絶縁膜上であって前記第２の領域と重なる位置に設けられた第２のゲイト電極と、
   前記第５の領域と電気的に接続された第１の電極と、
   前記第７の領域と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第１のゲイト電極と前記第２のゲイト電極とは電気的に接続されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは電気的に接続されており、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び第９の領域はマスクを用いて形成された高抵抗領域であり、
   前記第５乃至第７の領域は高濃度不純物領域であり、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第７の領域を結ぶ線上において、前記第３の領域の長さと前記第４の領域の和と、前記第８の領域の長さと前記第９の領域の和と、がマスク合わせのズレに係わらず一定または概略一定であることを特徴とする液晶パネル。
8. 半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられた前記半導体層の第１の領域と重なる位置に設けられた第１のゲイト電極と、前記半導体層の第２の領域と重なる位置に設けられ前記第１のゲイト電極と電気的に接続される第２のゲイト電極と、を形成し、
   前記半導体層の第３の領域及び第８の領域と重なる位置に設けられた第１のマスクと、前記半導体層の第４の領域及び第９の領域と重なる位置に設けられた第２のマスクと、を同一の工程で形成し、
   前記半導体層の第５の領域と、前記半導体層の第６の領域と、前記半導体層の第７の領域と、に導電型を付与する第１の不純物を添加し、
   前記第１のマスク及び前記第２のマスクを除去し、
   前記第５の領域と前記第７の領域とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
   前記第５の領域と前記第７の領域の間に、第６の領域が位置し、
   前記第５の領域と前記第６の領域の間に、前記第１の領域が位置し、
   前記第７の領域と前記第６の領域の間に、前記第２の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第６の領域との間に、前記第３の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第６の領域との間に、前記第４の領域が位置し、
   前記第１の領域と前記第５の領域との間に、前記第８の領域が位置し、
   前記第２の領域と前記第７の領域との間に、前記第９の領域が位置し、
   前記第１の領域及び前記第２の領域がチャネル領域となり、
   前記第３の領域、前記第４の領域、前記第８の領域、及び前記第９の領域がオフセットゲイト領域となり、
   前記第５乃至７の領域が高濃度不純物領域となることを特徴とする半導体装置の作製方法。

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