JP4492816B2 - 多値記録相変化メモリ素子、多値記録相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 274
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 273
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910000763 AgInSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005537 GaSeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 InSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/884—Switching materials based on at least one element of group IIIA, IVA or VA, e.g. elemental or compound semiconductors
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
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Description
図3(a)および(b)は、本発明の第1の実施形態にかかる相変化メモリ素子20の構造を示す図であり、図(a)はその平面図を、図(b)は図(a)のB−B線上断面図である。本実施形態にかかる多値記録相変化メモリ素子20は、図示するように、Si等の半導体基板22上に形成したSiO2等の絶縁膜24上に、第1および第2の電極層26、28を形成し、この電極間に相変化材料で構成されるメモリ層30を形成した構造を有する。第1、第2の電極層26、28はメモリ層30の電流加熱用電極であって、Al、Au等を材料として構成されている。第1、第2の電極層26、28の相対向する側面は、階段状に形成されており、その結果、電極間の距離L(L1、L2、L3、L4)が、段階的に異なる値を取るようにされている。
R=ρ×(L/S)
として示される。ここで、ρは抵抗体の比抵抗、Lは抵抗体の長さ、Sは抵抗体の断面積である。断面積Sは、抵抗体の層厚をt、抵抗体の幅をWで表すと、S=W・tとなる。したがって、Rは、
R=ρ×(L/W・t)
として示すことができる。
図4は、本発明の第2の実施形態にかかる多値記録相変化メモリ素子20Aの構造を示す図であり、図(a)はその平面図、図(b)は図(a)のB−B線上断面図である。なお、以降の図面において、図3と同じ符号は、同一あるいは類似の構成要素を示すので、それらについての重複した説明は行わない。
図5は、本発明の第3の実施形態にかかる多値記録相変化チャンネルトランジスタ50の構造を示す図であって、図(a)はその平面図を、図(b)は図(a)のC−C線上断面図である。本トランジスタ50におけるメモリ層40は、部分メモリ層42、44、46、48で構成されているが、これらの部分メモリ層の材料および形状は、図4に示す部分メモリ層32A、34A、36A、38Aと同じである。しかしながら、本実施形態のトランジスタ50では、各部分メモリ42、44、46、48の相変化材料層(例えば44a)上に絶縁膜層(例えば44c)を介してゲート電極52が設けられている点で、図4の相変化メモリ素子と異なっている。なお、図5(b)では、部分メモリ層44についてのみ抵抗層44b、相変化材料層44a、絶縁膜44cの多層構造を示しているが、その他の部分メモリ層42、46、48も同様の構造を有していることは明らかである。
図7は、上記第1および第2の実施形態にかかる多値記録相変化メモリ素子20あるいは20Aを用いたメモリセルアレイの構造を示す一部切り欠き断面図である。なお、説明を容易にするために図7ではメモリセルを1個示しているが、実際は同一基板上に同様のメモリセルが多数配列して構成されている。
図8は、本発明の第5の実施形態にかかるメモリセルアレイの構造を示す断面図である。本実施形態のメモリセルアレイは、第3の実施形態にかかる多値記録相変化チャンネルトランジスタ50を用いてメモリセルアレイを構成している。図では2個のメモリセル50a、50bのみを示しているが、実際には高い記録密度を達成するために、同一基板上に多数のメモリセルが構成されている。図8において、100はSi半導体基板、102はSiO2等の絶縁膜を示し、この絶縁膜102上に、図5に示す多値記録相変化チャンネルトランジスタ50a、50bが形成されている。多値記録相変化チャンネルトランジスタ50a、50bは、それぞれ、抵抗材料で構成された抵抗層104、相変化材料で構成された相変化材料層106、ゲート絶縁膜108、ゲート電極110およびソース、ドレイン電極を構成する第1、第2の電極112、114を備えている。
図9および図10は、図3に示した多値記録相変化メモリ素子のその他の実施形態を示す図であり、それぞれに、図(a)はその平面図、図(b)は図(a)のB−B線上断面図である。
22 Si半導体基板
24 絶縁膜
26 第1の電極層
28 第2の電極層
30 メモリ層
32、34、36、38 部分メモリ層
34a、44a 相変化材料層
34b、44b 抵抗層
44c ゲート絶縁膜
50 多値記録相変化チャンネルトランジスタ
52 ゲート電極
Claims (11)
- 基板上に形成された絶縁膜上で相対向して形成される第1および第2の電極層と、
前記第1および第2の電極層間の前記絶縁膜上に形成された複数の部分メモリ層であって、前記複数の部分メモリ層は互いに分離され、同一の層厚を有しかつ室温でアモルファス相および結晶相で安定する同一の相変化材料で形成された層を含む、前記複数の部分メモリ層と、を備え、
前記部分メモリ層の層幅と、前記部分メモリが形成されるそれぞれの部分の前記第1および第2の電極層間距離との少なくとも一方が、それぞれの部分メモリ層間で互いに異なるように形成されていることを特徴とする、多値記録相変化メモリ素子。 - 請求項1に記載の多値記録相変化メモリ素子において、前記複数の部分メモリ層は、前記相変化材料の層と該層に積層される抵抗層とを含み、前記抵抗層の抵抗値は前記相変化材料の層がアモルファス相を示す場合の抵抗値よりも小さく、結晶相を示す場合の抵抗値よりも大きいことを特徴とする、多値記録相変化メモリ素子。
- 請求項1または2に記載の多値記録相変化メモリ素子において、前記複数の部分メモリ層は、前記第1および第2の電極層間でそれぞれが同じ抵抗値を有し、かつそれぞれ異なる熱容量を有することを特徴とする、多値記録相変化メモリ素子。
- 請求項1または2に記載の多値記録相変化メモリ素子において、前記複数の部分メモリ層は、前記第1および第2の電極層間でそれぞれが異なる抵抗値を有し、かつそれぞれ異なる熱容量を有することを特徴とする、多値記録相変化メモリ素子。
- 基板上に形成された絶縁膜上で相対向して形成される第1および第2の電極と、
前記第1および第2の電極層間の前記絶縁膜上に形成された複数の部分メモリ層であって、前記複数の部分メモリ層は互いに分離され、同一の層厚を有しかつ室温でアモルファス相および結晶相で安定する同一の相変化材料で形成された層を含む、前記複数の部分メモリ層と、
前記複数の部分メモリ層上に第2の絶縁膜を介して共通に設けられた第3の電極層と、を備え、
前記部分メモリ層の層幅と、前記部分メモリが形成されるそれぞれの部分の前記第1および第2の電極層間距離との少なくとも一方が、それぞれの部分メモリ層間で互いに異なるように形成されていることを特徴とする、多値記録相変化チャンネルトランジスタ。 - 請求項5に記載の多値記録相変化チャンネルトランジスタにおいて、前記複数の部分メモリ層は前記相変化材料の層と該層に積層される抵抗層とを含み、前記抵抗層の抵抗値は前記相変化材料の層がアモルファス相を示す場合の抵抗値よりも小さく、結晶相を示す場合の抵抗値よりも大きいことを特徴とする、多値記録相変化チャンネルトランジスタ。
- 請求項5または6に記載の多値記録相変化チャンネルトランジスタにおいて、前記複数の部分メモリ層は、前記第1および第2の電極層間でそれぞれが同じ抵抗値を有し、かつそれぞれ異なる熱容量を有することを特徴とする、多値記録相変化チャンネルトランジスタ。
- 請求項5または6に記載の多値記録相変化チャンネルトランジスタにおいて、前記複数の部分メモリ層は、前記第1および第2の電極層間でそれぞれが異なる抵抗値を有し、かつそれぞれ異なる熱容量を有することを特徴とする、多値記録相変化チャンネルトランジスタ。
- 請求項5または6に記載の多値記録相変化チャンネルトランジスタにおいて、当該多値記録相変化チャンネルトランジスタをスイッチング素子として機能させるために、前記第3の電極には、前記第1、第2の電極層間に電圧を印加した場合に前記メモリ層を流れる電流を遮断する第1の電圧と遮断しない第2の電圧が選択的に印加されることを特徴とする、多値記録相変化チャンネルトランジスタ。
- 一個のMOSトランジスタと、請求項1乃至4の何れか1項に記載の多値記録相変化メモリ素子とを含んで構成されるメモリセルを同一基板上に複数個配列したメモリセルアレイ。
- 同一基板上に、請求項5乃至9の何れか1項に記載の相変化チャンネルトランジスタを複数個配置したことを特徴とする、メモリセルアレイ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006271743A JP4492816B2 (ja) | 2006-10-03 | 2006-10-03 | 多値記録相変化メモリ素子、多値記録相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ |
US11/905,748 US7781753B2 (en) | 2006-10-03 | 2007-10-03 | Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array |
US12/838,985 US7932508B2 (en) | 2006-10-03 | 2010-07-19 | Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006271743A JP4492816B2 (ja) | 2006-10-03 | 2006-10-03 | 多値記録相変化メモリ素子、多値記録相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091682A JP2008091682A (ja) | 2008-04-17 |
JP4492816B2 true JP4492816B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=39358976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006271743A Active JP4492816B2 (ja) | 2006-10-03 | 2006-10-03 | 多値記録相変化メモリ素子、多値記録相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7781753B2 (ja) |
JP (1) | JP4492816B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7859893B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-12-28 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same |
US7883931B2 (en) | 2008-02-06 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells |
EP2272113B1 (en) | 2008-04-01 | 2015-11-25 | Nxp B.V. | Multiple bit phase change memory cell |
JP2009266316A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Semiconductor Technology Academic Research Center | メモリ装置、電子機器、相変化メモリ素子への記録方法 |
JP5378722B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2013-12-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
US8847195B2 (en) * | 2009-12-24 | 2014-09-30 | Micron Technology, Inc. | Structures for resistance random access memory and methods of forming the same |
US8634235B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-01-21 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory coding |
US20130306929A1 (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Jaeho Lee | Multilayer-Stacked Phase Change Memory Cell |
GB2515100A (en) * | 2013-06-14 | 2014-12-17 | Ibm | Phase-change memory cells |
GB2515101A (en) * | 2013-06-14 | 2014-12-17 | Ibm | Phase-change memory cells |
CN103346258B (zh) * | 2013-07-19 | 2015-08-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 相变存储单元及其制备方法 |
US11211556B1 (en) * | 2020-07-20 | 2021-12-28 | International Business Machines Corporation | Resistive element for PCM RPU by trench depth patterning |
CN112086117A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-12-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 相变存储器、存储器控制方法及存储芯片 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001189431A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | メモリのセル構造及びメモリデバイス |
US7018863B2 (en) * | 2002-08-22 | 2006-03-28 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of a resistance variable memory cell |
US7242019B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-07-10 | Intel Corporation | Shunted phase change memory |
JP2005031725A (ja) | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーバ及び中継装置 |
JP2005093619A (ja) | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Sumio Hosaka | 記録素子 |
JP2006108645A (ja) | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Ind Technol Res Inst | マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法並びに製造方法 |
TWI277207B (en) * | 2004-10-08 | 2007-03-21 | Ind Tech Res Inst | Multilevel phase-change memory, operating method and manufacture method thereof |
JP4524455B2 (ja) | 2004-11-26 | 2010-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2007214419A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
TWI310558B (en) * | 2006-06-02 | 2009-06-01 | Ind Tech Res Inst | Phase change memory cell |
-
2006
- 2006-10-03 JP JP2006271743A patent/JP4492816B2/ja active Active
-
2007
- 2007-10-03 US US11/905,748 patent/US7781753B2/en active Active
-
2010
- 2010-07-19 US US12/838,985 patent/US7932508B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008091682A (ja) | 2008-04-17 |
US7781753B2 (en) | 2010-08-24 |
US20080105861A1 (en) | 2008-05-08 |
US7932508B2 (en) | 2011-04-26 |
US20100283027A1 (en) | 2010-11-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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