JP4489384B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は溝内をエピタキシャル成長物で充填する技術にかかり、特に、リング状の溝内を充填する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置を高耐圧化するために、通常、活性領域を取り囲むガードリングが配置される。しかし、ガードリングを拡散によって形成する場合は横方向拡散のため、チップサイズが大きくなる。
【0003】
そこで近年では、リング状の溝と、該溝内をシリコン単結晶で充填し、ガードリングを構成する技術が研究されている。
【0004】
図13(a)の符号501は、そのようなガードリング520を複数本有する従来技術の半導体装置であり、トランジスタセル等の活性領域510は、同心状に配置されたガードリング520によって取り囲まれている。
【0005】
このガードリング520の製造工程を、図13(a)のX−X線切断面図に沿って簡単に説明すると、先ず、図14(a)に示すように、シリコンインゴットから切断されたウェーハ基板511の表面に、エピタキシャル成長によってシリコン単結晶の成長層513を形成し、プロセス処理の対象となるシリコン基板514を得て、成長層513の表面に溝522を形成する。
【0006】
溝522内の底面や側面の成長速度を一致させるため、溝522の内部の側面及び底面には、(100)面が露出するようにされている。
【0007】
ここで本発明では、(100)面には、(100)面と等価な面、
【0008】
【数1】
【0009】
の全てを含むものとする。
同様に、後述する(110)面についても、(110)面の表記は、その面と等価な面の全てを含むものとする。また、<110>方向には、<110>方向と等価な方向を全て含むものとする。
【0010】
成長層513の表面に溝522を形成した後、図14(b)に示すように、エピタキシャル成長法によって溝522内にシリコン単結晶523を成長させ、溝522内をシリコン単結晶523で充填すると、ガードリング520が得られる。
【0011】
溝522内のシリコン単結晶523は、成長層513の導電型とは反対の導電型であり、ガードリング520と成長層513の間にはpn接合が形成されている。
【0012】
ここで、溝522の四辺は直線であるが、四隅部分で直角に交差し、長方形又は正方形にされた場合、ガードリング520の四隅部分が直角になり、その部分のpn接合が球状接合又は円筒接合になってしまう。従って、ガードリング520の四隅部分の電界強度が大きくなり、耐圧が低下してしまう。
【0013】
そこで従来技術でも、電界強度を緩和するため、溝522の四隅部分には丸みを付し、ガードリング520を、四隅を丸めた四角リング形状にしている。
【0014】
しかしながら、溝522の内部の四辺位置の側面や底面が(100)面であると、四隅部分の側面は(100)面にはならず、特に、四角形の頂点に対応する位置では、(110)面が露出する。
【0015】
図13(b)は、ガードリング520の丸みが付された角部分の拡大図であり、表面や、直線部分の側面S1、S2が(100)面であり、側面S1、S2に対して45°傾いた面S3の面方位は(110)面となる。
【0016】
(110)面は(100)面よりもシリコン単結晶の成長速度が遅いため、四隅部分がシリコン単結晶で充填されず、窪みや空孔が生じてしまう。そのような窪みや空孔は、耐圧低下や不良品発生の原因となってしまう。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、四隅に丸みが付されリング状の溝の内部をシリコン単結晶で充填する技術に関する。
【0018】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、切断面の面方位が(100)面に対して平行にも垂直にもならないように、且つ前記切断面の面方位が(110)方向とは異なる方向に向けられるように、シリコンインゴットが切断され、前記切断面の表面に第一のシリコン単結晶がエピタキシャル成長されて形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の前記第一のシリコン単結晶の表面に形成された複数の溝とを有し、前記溝内には、エピタキシャル成長法によって成長された第二のシリコン単結晶が充填された半導体装置であって、前記溝のうちの一乃至複数個は、四隅部分に丸みが付された四角リング形状に形成され、前記四角リング形状の前記溝内に充填された前記第二のシリコン単結晶によってガードリングが形成され、前記リング状の溝の四隅部分を除く側面は、互いに直交又は平行に位置する側面によって形成されており、前記リング状の溝は、該溝の前記四隅部分を除く前記側面と底面が、前記シリコン基板の(100)面から傾けられ、前記四隅部分に(110)面が露出しないようにされて前記溝内が前記第二のシリコン単結晶で充填された半導体装置である。
【0019】
本発明では、前記リング状の溝は、該溝の側面と底面に前記シリコン基板の(100)面が露出する状態を0degとした場合に、1個以上の(100)面に対して4deg以上41deg以下の範囲で傾けられていてもよい。
【0020】
請求項2記載の発明は、前記四角リング形状の溝で囲まれた領域に、トランジスタが形成された請求項1記載の半導体装置である。
請求項3記載の発明は、前記四角リング形状の溝で囲まれた領域に、ダイオードが形成された請求項1記載の半導体装置である。
【0021】
本発明は、(100)面に対して4deg以上41deg以下の範囲で傾けることができる。(100)面が45deg傾けられると(111)面になってしまうため、(100)面に対し、4deg以上41deg以下の範囲で傾いた面は、(100)面に対し4deg以上傾き、(111)面に対しても4deg以上傾いている。即ち、(100)面と(111)面の中間が22.5deg傾いた状態であるから、4deg以上41deg以下の範囲の傾きは、22.5deg±18.5degの範囲と同じことである。
【0022】
本発明では、溝の四隅部分を除く側面がこのように傾けられると四隅に丸みが付されたリング状の溝の、四隅部分に(110)面が露出しないようにされる。
【0023】
本発明のリング状の溝の角部分の断面顕微鏡写真を図11に示す。(100)面に対する傾きは4deg、成長速度0.02μm/分である。溝内部はシリコン単結晶で充填されている。
【0024】
それに対し、従来技術のように、リング状の溝の四隅部分に(110)面が露出された場合を図12に示す。充填されずにボイドが生じているのが分かる。
【0025】
【発明の実施の形態】
図1(a)の符号51はシリコンインゴットを示しており、符号52はシリコンインゴット51の中心軸線55に対する垂直な面を示している。この面52は、(100)面である。
【0026】
また、符号53はシリコンインゴット51を切断し、シリコンウェハを切り出す切断面を示している。本発明では、シリコンインゴット51を切断するとき、切断面53が<110>方向以外の方向に向けられている。即ち、切断面53が(100)面に対して平行にも垂直にもならないようにされている。
【0027】
図1(b)の符号56は、その切断方法によって切断されたウェーハ基板を示している。また、符号58は、シリコンインゴット51を切断したときの切断面53を研磨したミラー面であり、ウェーハ基板56の表面を示している。
【0028】
このウェーハ基板56をH2ガス雰囲気中に置き、1100℃に昇温させ、原料ガス(例えばSiHCl3ガス)を導入すると、ウェーハ基板56の表面59上にシリコン単結晶がエピタキシャル成長し、図2(a)に示すように、エピタキシャル層から成る成長層57が形成される。この成長層57とウェーハ基板56とで、後述の溝形成工程や拡散工程の対象となるシリコン基板60が得られる。
【0029】
次に、成長層57の表面59側を部分的にエッチングし、同図(b)に示すようにリング状の溝22や、他の形状の溝を形成する。ここで、リング状の溝22を含む各溝の底面は成長層57の表面に対して平行であり、側面は、表面59に対して垂直になっている。
【0030】
リング状の溝22と、成長層57の(100)面の関係を図3に示す。リング状の溝22の四隅の各角部分は、半径0.5μm以上の円の四半分円の形状であり、即ち、リング状の溝22の四隅部分には丸みが付されている。耐圧を高くするためには半径を大きくする必要があるため、要求される耐圧が大きくなるほど半径も大きくなる。
【0031】
リング状の溝22の側面のうち、外周側側面22aと内周側側面22bは一定間隔に形成されており、従って、リング状の溝22の側面の四隅の曲面部分を除く平面部分の外周側側面22aと内周側側面22bとは互いに平行になっている。
【0032】
図3の立方体47は、成長層57の(100)面で囲まれた領域を示しており、同図中、<100>方向、<010>方向、又は<001>方向が、X軸、Y軸、Z軸として示されている。図3では、Z軸が<100>方向である。
【0033】
リング状の溝22の底面と、平面部分の外周側面22aと内周側側面22bは、(100)面が露出する状態から、X軸、Y軸、Z軸に対して、所定角度θx、θy、θzだけ傾けられており、この例では、リング状の溝22の側面の平面部分と底面と、成長層57の表面59の全てが(100)面に対して傾けられている。
【0034】
この場合、リング状の溝22の四隅の曲面部分には、(110)面は露出せず、且つ、リング状の溝22の底面と外周側側面22a及び内周側側面22bの平面部分には(100)面は露出しない。
【0035】
このようなシリコン基板60を、所定の原料ガス雰囲気中に置き、シリコンエピタキシャル成長法によってリング状の溝22を含む各溝の内部に、成長層57とは異なる導電型のシリコン単結晶を成長させ、溝内をそのシリコン単結晶で充填する。
【0036】
図2(c)の符号23は、そのシリコン単結晶を示している。四隅の曲面部分には(110)面は露出していないため、(110)面が露出している場合に比べてシリコン単結晶の成長速度は速くなっている。そのため、リング状の溝22の内部は成長したシリコン単結晶23によって隙間なく充填され、ガードリング20が形成される。
【0037】
ここで、リング状の溝22の(100)面に対する傾きは、四隅の曲面部分の結晶成長速度が効果的に速くなる程度の大きさが必要である。
【0038】
逆に、傾きが大きすぎると、リング状の溝22の側面の平面部分が(110)面に近づき、結晶成長速度が遅くなりすぎてしまうため、(100)面に対する傾きは4deg以上23deg以下の範囲が適している。
【0039】
次に、上記のようなガードリング20を複数本数有する本発明の半導体装置の拡散構造を説明する。
【0040】
図7は、本発明の第一例の半導体装置101の拡散構造を示す平面図である。この図7では、シリコン基板60の表面に形成された薄膜は省略してある。
【0041】
各ガードリング20は同心状に配置されており、最内周のガードリング20の内側に、下記のようなMOSトランジスタを有する活性領域110が配置されている。
【0042】
ここで、p型又はn型のうち、一方を第一導電型、他方を第二導電型とすると、成長層57とウェーハ基板56とは両方とも第一導電型であり、活性領域110の一部を構成する成長層57の内部の表面側には、第二導電型のベース層130が配置されている。
【0043】
活性領域110のA−A線切断面図を図8(a)に示す。
図8(a)に示された通り、リング状の溝22を形成する工程において、活性領域110内には直線状の溝122が複数本形成されており、各溝122内部は、リング状の溝22を充填する工程で、シリコン単結晶23が充填されている。
【0044】
活性領域110内の溝122の内壁面の上部にはゲート絶縁膜131が配置されており、ゲート絶縁膜131で囲まれた溝122の内部空間には、ゲート電極132が充填されている。
【0045】
また、ベース領域130内の表面側には、第一導電型のソース領域133が配置されており、ソース領域133を除く全部又は一部の領域には、ベース領域130よりも高濃度の第二導電型のオーミック領域135が配置されている。
【0046】
ソース領域133とオーミック領域135上には、ソース領域133とオーミック領域135に接触し、各領域133、135とオーミック接合を形成するソース電極134が配置されている。このソース電極134とゲート電極132の間には絶縁膜137が配置されており、ソース電極134とゲート電極132の間は絶縁されている。
【0047】
ソース領域133の深さはベース領域130よりも浅く、ソース領域133の端部はゲート絶縁膜131と接触している。ゲート絶縁膜131とゲート電極132とは、ベース領域130よりも深い位置まで伸びており、従って、ゲート絶縁膜131は、上部ではソース領域133と接触し、ソース領域133の下方位置ではベース領域130に接触し、ベース領域130よりも深い位置では成長層57に接触している。
【0048】
シリコン基板60の成長層57とは反対側の面、即ちウェーハ基板56が露出する面には、ウェーハ基板56とオーミック接合を形成するドレイン電極139が配置されており、ソース電極134とドレイン電極139の間に、ベース領域130と成長層57の間に形成されたpn接合を逆バイアスする極性の電圧を印加し、その状態でゲート電極132にしきい値電圧以上の電圧を印加すると、ゲート絶縁膜131を間に挟んでゲート電極132に面する部分のベース領域130が第一導電型に反転し、第一導電型の反転層が形成される。
【0049】
ソース領域133と成長層57とはその反転層によって接続され、ソース電極134とドレイン電極139の間に電流が流れる。
【0050】
他方、ガードリング20が配置された領域のB−B線切断面図は、図8(b)に示されている。リング状の溝22内部のシリコン単結晶23は、ソース電極134やゲート電極132には接続されておらず、フローティング電位に置かれている。
【0051】
ベース領域130と成長層57との間の印加電圧が大きくなり、ベース領域130から空乏層が広がると、その空乏層は最内周に位置するガードリング20に達し、更に、それよりも外側に位置するガードリング20に向けて順次広がるので、ガードリング20が存在しない場合に比べて空乏層の広がりが大きくなり、成長層57表面での電界強度が緩和される。
【0052】
上記半導体装置101はトランジスタであったが、本発明はそれに限定されるものではない。
【0053】
図9は、本発明の他の例の半導体装置102の拡散構造を示す平面図であり、上記図7と同様に、シリコン基板60の表面に形成された薄膜は省略してある。
【0054】
この半導体装置102は、上記半導体装置101と同様に、ウェーハ基板56上に、ウェーハ基板56と同じ導電型の成長層57が形成され、成長層57には、(100)面に対して4deg以上23deg以下の範囲で傾いたリング状の溝22が複数本数形成されている。そして、リング状の溝22内には、成長層57とは反対の導電型のシリコン単結晶23がボイドや窪み無く充填されている。
【0055】
各リング状の溝22は同心状に配置されており、その最内周よりも内側の領域は活性領域160にされている。
【0056】
図9のI−I線とII−II線切断面図を、それぞれ図10(a)、(b)に示す。
活性領域160には、リング状の溝22と同時に形成された複数本の溝152が配置されている。その溝152内には、リング状の溝22を充填したのと同じシリコン単結晶23が成長されている。
【0057】
また、活性領域160の表面には、ショットキー電極154が配置されている。このショットキー電極154は、活性領域160内の溝152に充填されたシリコン単結晶23と、活性領域160内の溝152間に露出する成長層57表面に接触しており、シリコン単結晶23とはオーミック接合を形成し、成長層57とはショットキー接合を形成している。
【0058】
ウェーハ基板56表面には裏面側電極159が配置されており、ショットキー電極154と裏面側電極159の間に電圧を印加すると、シリコン単結晶23と成長層57との間のpn接合と、ショットキー電極154と成長層57との間のショットキー接合の両方に、同じ電圧が印加される。
【0059】
シリコン単結晶23と成長層57との間のpn接合の極性と、ショットキー電極154と成長層57との間のショットキー接合の極性は、一方が順バイアスされるときに他方も順バイアスされ、一方が逆バイアスされるときに他方も逆バイアスされるようになっている。
【0060】
但し、ショットキー接合の順方向電圧はpn接合の順方向電圧よりも小さいので、ショットキー接合が順バイアスされるときには、pn接合は、ショットキー接合の順方向電圧でクランプされるため、ショットキー接合には電流が流れるが、pn接合には電流は流れない。
【0061】
逆に、ショットキー接合とpn接合が逆バイアスされると、ガードリング20方向に空乏層が広がり、内側のガードリング20から外側のガードリング20に空乏層が順次到達するため、ガードリング20を有さない場合に比べて電界強度が緩和されている。
【0062】
なお、上記例ではリング状の溝22の側面の平面部分と底面、及び成長層57の表面の全部が(100)面に対して傾いていたが、本発明はそれに限定されるものではなく、丸みが付された四角リング状の溝22の四隅の曲面部分に(110)面が露出しないように傾ければよい。
【0063】
例えば、図4に示すように、リング状の溝22がX軸回りに回転している場合、ZY平面と平行な面以外の面は、Y軸方向とZ軸方向に対して角度θy,θzを持つが、ZY平面と平行な面には(100)面が露出したままになる。
【0064】
同様に、図5に示すようにY軸回りに回転させた場合も、XZ平面に平行な面以外の面が角度θx,θz傾くが、XZ平面に平行な面は(100)面が露出したままになる。
【0065】
それに対し、図6に示すように、リング状の溝22の対角線48回りに回転させた場合、溝22を構成する側面や底面がX軸、Y軸、Z軸に対して角度θx,θy,θzを持って傾いても、対角線48が通る隅の曲面には(110)面49が露出したままになる。従って、このような傾き方は本発明に含まれない。
【0066】
なお、上記シリコンインゴット51は、中心軸線55に対する垂直な面52が、(100)面であったが、本発明には、(100)面が中心軸線55に対して傾いたオフアングル付のインゴットも用いることができる。
【0067】
【発明の効果】
リング状の溝の四隅部分をボイド無くシリコン単結晶で充填することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)、(b):本発明で使用するシリコン基板の製造工程を説明するための図
【図2】(a)〜(c):溝形成と溝を充填する工程を説明するための図
【図3】溝の傾きの第一例を説明するための図
【図4】溝の傾きの第二例を説明するための図
【図5】溝の傾きの第三例を説明するための図
【図6】不適切な溝の傾きを説明するための図
【図7】本発明の一例の半導体装置の拡散構造を説明するための平面図
【図8】(a):そのA−A線切断面図 (b):B−B線切断面図
【図9】本発明の他の例の半導体装置の拡散構造を説明するための平面図
【図10】(a):そのI−I線切断面図 (b):II−II線切断面図
【図11】本発明の半導体装置の溝の角部分の断面顕微鏡写真
【図12】従来技術の半導体装置の溝の角部分の断面顕微鏡写真
【図13】(a):従来技術の半導体装置の拡散構造を説明するための平面図
(b):その部分拡大図
【図14】(a)、(b):従来技術の半導体装置の製造工程を説明するための切断面図であって、図13(a)の平面図のX−X線切断面の位置の断面図
【符号の説明】
60……シリコン基板
22、122、152……溝
22……リング状の溝
22a、22b……側面
Claims (3)
- 切断面の面方位が(100)面に対して平行にも垂直にもならないように、且つ前記切断面の面方位が(110)方向とは異なる方向に向けられるように、シリコンインゴットが切断され、前記切断面の表面に第一のシリコン単結晶がエピタキシャル成長されて形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記第一のシリコン単結晶の表面に形成された複数の溝とを有し、
前記溝内には、エピタキシャル成長法によって成長された第二のシリコン単結晶が充填された半導体装置であって、
前記溝のうちの一乃至複数個は、四隅部分に丸みが付された四角リング形状に形成され、前記四角リング形状の前記溝内に充填された前記第二のシリコン単結晶によってガードリングが形成され、
前記リング状の溝の四隅部分を除く側面は、互いに直交又は平行に位置する側面によって形成されており、
前記リング状の溝は、該溝の前記四隅部分を除く前記側面と底面が、前記シリコン基板の(100)面から傾けられ、前記四隅部分に(110)面が露出しないようにされて前記溝内が前記第二のシリコン単結晶で充填された半導体装置。 - 前記四角リング形状の溝で囲まれた領域に、トランジスタが形成された請求項1記載の半導体装置。
- 前記四角リング形状の溝で囲まれた領域に、ダイオードが形成された請求項1記載の半導体装置。
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