JP4471610B2 - 電子管 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 69
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 73
- 239000002585 base Substances 0.000 description 55
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 43
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 41
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 40
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 39
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 7
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 7
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 7
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
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Description
<第1の変更例>
<第2の変更例>
<第3の変更例>
<他の変更例>
2 外囲器
3 ガラスバルブ
4 ガラスバルブ本体
4a 上側半球部
4b 下側半球部
5 ガラスバルブ基部
6 外側ステム
60 ステム底面
61 ステム内側壁
62 ステム外側壁
9 絶縁筒
15 APD
21、23 導電性フランジ
26 隔壁
27 アルカリ源
70 遮蔽部
71 カバー
71a 外側壁部
73 キャップ
72 内側壁部
74 外側壁部
80 内側ステム
87 台座
87b 外周縁
89 導電性支持部
I 下側半球部4bの仮想延長曲面
M 外周縁87bの仮想延長曲面
S 基準点
Z 軸
Claims (10)
- 内壁の所定の部分に光電面が形成された外囲器と、
一端と他端とを有し前記他端が前記外囲器に接続され前記一端が前記外囲器の内部側に前記光電面に向かって突出した絶縁性の筒と、
前記外囲器内部の前記筒の前記一端に設けられ、中心位置と前記中心位置を囲む外周縁とを有する固定板と、
前記固定板上の前記中心位置に前記光電面に対向するように固定された電子打ち込み型半導体素子と、
前記固定板上の前記中心位置と前記外周縁との間の位置に固定され前記半導体素子を囲み前記筒の中心軸に平行に前記光電面に向かって延びる第1の筒状の壁と、
前記外囲器内部の前記固定板より前記光電面側であって、前記固定板の前記外周縁から前記筒の中心軸に平行に前記光電面に向かって延びる仮想延長面と前記第1の筒状の壁との間の位置に配置された金属蒸気を発生させる蒸着源と、
を有し、
前記外囲器は接地電位を印加され、前記半導体素子はプラス極性の電位を印加され、前記光電面に入射した光により放出される光電子を前記半導体素子により検出することを特徴とする電子管。 - 前記外囲器は、筒状の基部と、略球面状に湾曲した第1本体部と略球面状に湾曲し前記第1本体部と前記基部とを接続する第2本体部とからなる本体とを有し、
前記半導体素子は、前記基部の中心軸と前記基部内に位置した前記第2本体部の仮想延長曲面との交点より前記本体側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の電子管。 - 前記筒の前記一端は前記外囲器の前記本体内に突出していることを特徴とする請求項1乃至請求項2のいずれか一に記載の電子管。
- 前記固定板は、前記筒の一端に導電性支持部を介して接続された内側ステムからなり、
前記外囲器内に設けられ、前記筒の一端から前記筒外部側に突出し、前記筒の一端近傍の電界強度を緩和する導電性部材をさらに有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子管。 - 前記外囲器は、前記筒の他端に接続され少なくとも前記筒の他端と接続する部分が導電性を有する外側ステムを有し、
前記外囲器内に設けられ、前記筒の他端から前記筒外部側に突出し、前記筒の他端近傍の電界強度を緩和する導電性部材をさらに有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子管。 - 内壁の所定の部分に光電面が形成された外囲器と、
一端と他端とを有し、前記他端が前記外囲器に接続され、前記一端が前記外囲器の内部側に突出した絶縁性の筒と、
前記外囲器内部の前記筒の前記一端に設けられた電子打ち込み型半導体素子と、
前記筒の前記一端に設けられ、前記半導体素子を囲む第1の筒状の壁と、
前記筒の前記一端に設けられ、前記外囲器内部の前記第1の筒状の壁の外側に位置し、金属蒸気を発生させる蒸着源と、
前記筒の前記一端に設けられ、前記蒸着源を囲む第2の筒状の壁と、
を有し、
前記外囲器は接地電位を印加され、前記半導体素子はプラス極性の電位を印加され、前記光電面に入射した光により放出される光電子を前記半導体素子により検出することを特徴とする電子管。 - 前記外囲器は、筒状の基部と、略球面状に湾曲した第1本体部と略球面状に湾曲し前記第1本体部と前記基部とを接続する第2本体部とからなる本体とを有し、
前記半導体素子は、前記基部の中心軸と前記基部内に位置した前記第2本体部の仮想延長曲面との交点より前記本体側に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の電子管。 - 前記筒の前記一端は前記外囲器の前記本体内に突出していることを特徴とする請求項6または7のいずれか一項に記載の電子管。
- 前記筒の一端に導電性支持部を介して接続された内側ステムを更に備え、前記内側ステムに前記半導体素子が配置され、
前記外囲器内部に設けられ、前記筒の一端から前記筒外部側に突出し、前記筒の一端近傍の電界強度を緩和する導電性部材をさらに有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載の電子管。 - 前記外囲器は、前記筒の他端に接続され少なくとも前記筒の他端と接続する部分が導電性を有する外側ステムを有し、
前記外囲器内部に設けられ、前記筒の他端から前記筒外部側に突出し、前記筒の他端近傍の電界強度を緩和する導電性部材をさらに有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載の電子管。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003318270A JP4471610B2 (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | 電子管 |
EP04787795.6A EP1670032B1 (en) | 2003-09-10 | 2004-09-09 | Electron tube |
PCT/JP2004/013131 WO2005027179A1 (ja) | 2003-09-10 | 2004-09-09 | 電子管 |
US10/571,293 US7486021B2 (en) | 2003-09-10 | 2004-09-09 | Electron tube with electron-bombarded semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003318270A JP4471610B2 (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | 電子管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005085680A JP2005085680A (ja) | 2005-03-31 |
JP4471610B2 true JP4471610B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=34308517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003318270A Expired - Fee Related JP4471610B2 (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | 電子管 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7486021B2 (ja) |
EP (1) | EP1670032B1 (ja) |
JP (1) | JP4471610B2 (ja) |
WO (1) | WO2005027179A1 (ja) |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL272592A (ja) * | 1960-12-16 | |||
JPS4619162Y1 (ja) * | 1967-03-02 | 1971-07-03 | ||
JPS5773853U (ja) * | 1980-10-22 | 1982-05-07 | ||
NL8202546A (nl) | 1982-06-23 | 1984-01-16 | Philips Nv | Stralingsdetector. |
JPH0738301B2 (ja) | 1983-12-23 | 1995-04-26 | 株式会社東芝 | 光電子増倍装置 |
JPS6199356A (ja) | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US4855642A (en) | 1988-03-18 | 1989-08-08 | Burle Technologies, Inc. | Focusing electrode structure for photomultiplier tubes |
JPH02288145A (ja) | 1989-04-19 | 1990-11-28 | Burle Technol Inc | 光電子増倍管 |
US5120949A (en) | 1991-01-17 | 1992-06-09 | Burle Technologies, Inc. | Semiconductor anode photomultiplier tube |
JP2651319B2 (ja) | 1992-07-09 | 1997-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 真空装置 |
JP3413241B2 (ja) | 1993-05-07 | 2003-06-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
JP3392240B2 (ja) | 1994-11-18 | 2003-03-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
JPH08148113A (ja) | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
JP3618013B2 (ja) | 1995-07-20 | 2005-02-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
US5780913A (en) * | 1995-11-14 | 1998-07-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photoelectric tube using electron beam irradiation diode as anode |
JP3615856B2 (ja) | 1996-02-06 | 2005-02-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電面及びそれを用いた光電変換管 |
JPH09264964A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Hitachi Ltd | 放射線検出装置 |
JPH09312145A (ja) | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子管 |
US5874728A (en) | 1996-05-02 | 1999-02-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube having a photoelectron confining mechanism |
JPH09297055A (ja) | 1996-05-02 | 1997-11-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子管 |
JPH10332478A (ja) | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器及びその製造方法 |
JPH11102658A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出管 |
JP3535094B2 (ja) | 2000-12-27 | 2004-06-07 | 京セラ株式会社 | 光電子増倍管用パッケージ |
-
2003
- 2003-09-10 JP JP2003318270A patent/JP4471610B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-09 WO PCT/JP2004/013131 patent/WO2005027179A1/ja active Application Filing
- 2004-09-09 US US10/571,293 patent/US7486021B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-09 EP EP04787795.6A patent/EP1670032B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7486021B2 (en) | 2009-02-03 |
EP1670032B1 (en) | 2017-07-19 |
JP2005085680A (ja) | 2005-03-31 |
EP1670032A4 (en) | 2008-05-21 |
EP1670032A1 (en) | 2006-06-14 |
US20060267493A1 (en) | 2006-11-30 |
WO2005027179A1 (ja) | 2005-03-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100302 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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