JPH09312145A - 電子管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、長期に亙って安定した動作を可能
にする電子管を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明による電子管において、アノード
電極６０の開口部６１の開口面積は、半導体素子４０の
電子入射面４４ａの入射面積より小さく形成され、半導
体素子４０は、導電型がｐ型の電子入射面４４ａと導電
型がｎ型の基板４１とを有すると共に、ｎ型の基板４１
を電気的にステム３１に接続し、アノード電極６０とス
テム３１とを同電位にし、半導体素子４０に逆バイアス
を印加する構成である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微弱な光を定量的
に計測するための光検出器として利用され、特に、光電
面より放出された電子を増倍して出力する半導体素子を
もった電子管に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光の入射によって光電面より放出
された電子を、電子レンズで加速・収束した後、半導体
素子に入射して高いゲインを得る電子管が知られてい
る。この電子管は、例えば、特開平５−５４８４９号公
報、特開平６−３１８４４７号公報、特開平７−３２０
６８１号公報、ＵＳ５４７５２２７号公報などに開示さ
れている。特に、ＵＳ５４７５２２７号公報には、半導
体素子に入射する電子によって半導体素子の電子入射面
に吸着したガス分子がイオンとなり、これが光電面に向
けて加速されてフィードバックし、光電面を著しく劣化
させる現象に対して、これを防止するための構造が開示
されている。具体的には、半導体素子の直前に半円筒状
のイオン偏向電極を配置し、半導体素子の電子入射面上
で発生したイオンの軌道を曲げて、イオンが光電面には
戻らない構成としている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ＵＳ５４７５２２７号公報に開示された発明において、
半導体素子から発生したイオンは、その軌道が曲げられ
ることで光電面にフィードバックしないので、光電面の
劣化は防げるものの、曲げられたイオンが絶縁性の側壁
に衝突して安定な動作が得られないという問題があっ
た。その理由として、イオンの衡突によって絶縁性の側
壁から二次電子が放出して側壁が正に帯電し、光電面か
ら半導体素子に向かう電子の軌道に影響を与えるからで
ある。特に、従来例の構成では、側壁の特定部位だけが
イオンの衝突によって帯電するので、電子レンズは著し
く非対称になり、電子の軌道は大きく曲げられる。ま
た、イオンの衝突によって発生した二次電子が、半導体
素子に入射して疑似信号を発生したり、迷走して新たな
不安定さを生じさせる問題があった。

【０００４】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、特に、長期に亙って安定した動作を可能
にする電子管を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明による電子管は、
第１の開口と第１の開口と反対側に位置する第２の開口
とを有すると共に絶縁性材料からなるケースと、ケース
の第１の開口側に設けられて、入射された光に対応して
電子を放出する光電面をもった入力面板と、ケースの第
２の開口側に設けられて導電性材料からなるステムと、
ステムの真空側に位置して、光電面より放出した電子が
照射される電子入射面を有する半導体素子と、半導体素
子と光電面との間で半導体素子の近くに位置して、半導
体素子に対峙させた開口部をもったアノード電極とを備
えた電子管において、アノード電極の開口部の開口面積
は、半導体素子の電子入射面の入射面積より小さく形成
され、半導体素子は、導電型がｐ型の電子入射面と導電
型がｎ型の基板とを有すると共に、ｎ型の基板を電気的
にステムに接続し、アノード電極とステムとを同電位に
し、半導体素子に逆バイアスを印加することを特徴とす
る。

【０００６】この電子管においては、外部から入力面板
に入射した光は光電面によって電子に変換され、アノー
ド電極の開口部を通過した後、半導体素子の電子入射面
に達する。このとき、電子入射面では正イオンが発生す
る。そして、半導体素子の電子入射面に対してアノード
電極は正電位となり、電子入射面で発生した正イオンに
とって逆バイアスになるので、発生した正イオンは、ア
ノード電極の開口部を通って、光電面やケースに戻るこ
とができない。

【０００７】この場合、アノード電極において、アノー
ド電極の開口部と同心的に配置した円筒状のコリメータ
ー部を光電面に向けて突設させると好ましい。半導体素
子（例えばＡＰＤ）を利用するにあたって、コリメータ
ー部をアノード電極に設けることで、光電面からアノー
ド電極の開口部を越えて半導体素子に向かう電界の侵入
を最小限に抑えることができ、イオンフィードバックを
極めて効果的に抑制することができる。

【０００８】また、アノード電極の開口部内に導電性の
メッシュ電極を配置すると好ましい。半導体素子（例え
ばＰＤ）を利用するにあたって、メッシュ電極をアノー
ド電極に設けることで、光電面からアノード電極の開口
部を越えて半導体素子に向かう電界の侵入を最小限に抑
えることができ、イオンフィードバックを極めて効果的
に抑制することができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による電
子管の好適な実施形態について詳細に説明する。

【００１０】図１は、本発明に係る電子管の第１実施形
態を示す断面図である。同図に示すように、電子管１
は、絶縁性材料からなる円筒状のケース１０を有し、こ
のケース１０は、内径及び外形が共に等しく互いに突き
合わせて固定させた中空円筒状のコバール製カソード電
極１１及びセラミック部１２と、両者に対して同心円形
状を有すると共にセラミック部１２に固定された溶接フ
ランジ部１３とからなっている。そして、カソード電極
１１とセラミック部１２と溶接フランジ部１３とは、ろ
う付けにより一体化が図られている。なお、後述する電
子レンズを考慮すると、ケース１０が、外径１５ｍｍ、
内径１２ｍｍ、全長１３ｍｍの寸法を有するとき、カソ
ード電極１１の長さは５ｍｍが好適である。

【００１１】ケース１０のカソード電極１１には、光を
透過させるガラス製の入力面板２１が固設され、この入
力面板２１は、内側に光電面２２を有すると共に、ケー
ス１０の一側に形成された第１の開口１４側に配置され
ている。そして、この入力面板２１は、光電面２２を作
製後、インジューム２３を介してカソード電極１１に一
体化されている。光電面２２の周辺部分には、光電面２
２とインジューム２３とを電気的に接続するように、ク
ロムの薄膜よりなる光電面電極２５が配置されている。
そして、光電面電極２５の内径８ｍｍが光電面２２の有
効径を規定している。また、インジューム２３は、中空
円筒状の支持体２４の内側面で突出するように形成され
ている。そして、カソード電極１１の上にインジューム
２３、入力面板２１の順に配置し、カソード電極１１と
入力面板２１とを互いに押し付けることにより、インジ
ューム２３が変形して接着剤として機能し、入力面板２
１はケース１０と一体化される。

【００１２】ケース１０の溶接フランジ部１３には、導
電性材料（例えばコバール金属）よりなる円盤状のステ
ム３１が固設され、このステム３１は、ケース１０の他
側に形成された第２の開口１５側に配置されている。こ
のステム３１にはガラス３４で絶縁された貫通ピン３２
が固定され、ステム３１は、その周辺部分で溶接フラン
ジ部１３に抵抗溶接され、ケース１０と一体化されてい
る。従って、電子管１は、ケース１０と入力面板２１と
ステム３１とで一体化され、真空気密を保持している。

【００１３】図２に示すように、ステム３１における真
空側の面上には、ＡＰＤ（アバランシェ・フォトダイオ
ード）として動作する半導体素子４０が導電性の接着剤
５０を介して固着されている。半導体素子４０は、ｎ型
の高濃度シリコン基板４１を基板材料とし、中央部分に
は円板状でｐ型のキャリア増倍層４２が形成されてい
る。このキャリア増倍層４２の外周には、キャリア増倍
層４２と同じ厚さで高濃度ｎ型層よりなるガードリング
層４３が形成されている。キャリア増倍層４２の表面に
は、高濃度ｐ型層よりなる降伏電圧制御層４４が形成さ
れている。この降伏電圧制御層４４の表面は電子入射面
４４ａとして形成され、降伏電圧制御層４４の周辺部分
とガードリング層４３とを架け渡すように、酸化膜４５
及び窯化膜４６が形成されている。降伏電圧制御層４４
にアノード電位を供給するために、半導体素子４０の最
外面には、円環状にアルミを蒸着して形成された入射面
電極４７が設けられている。更に、半導体素子４０の最
外面には、ガードリング層４３と導通する周辺電極４８
が設けられ、この周辺電極４８は、入射面電極４７に対
して所定の間隔をもって離間させられている。なお、電
子入射面４４ａの直径は入射面電極４７の内方で３ｍｍ
が好適である。

【００１４】この半導体素子４０の高濃度ｎ型シリコン
基板４１は導電性接着剤５０を介してステム３１に固着
され、この導電性接着剤５０を利用することで、ステム
３１と高濃度ｎ型基板４１とは電気的に導通する。ま
た、半導体素子４０の入射面電極４７は、ステム３１と
絶縁させた貫通ピン３２に対してワイヤー３３により接
続されている。

【００１５】図１及び図２に示すように、半導体素子４
０と光電面２２との間には板状のアノード電極６０が配
置され、このアノード電極６０は溶接フランジ部１３に
固定されると共に、半導体素子４０に近い側に位置して
いる。なお、アノード電極６０と半導体素子４０との間
隔は１ｍｍが好適である。このアノード電極６０の中央
には、半導体素子４０の電子入射面４４ａに対峙させた
開口部６１が形成され、アノード電極６０には、開口部
６１を包囲するように突出した円筒状のコリメーター部
（コリメーター電極）６２が一体に形成され、このコリ
メーター部６２は、光電面２２に向けて突出すると共
に、開口部６１に対して同心的に配置されている。ま
た、この開口部６１の直径は２ｍｍであり、コリメータ
ー部６２の内径は２ｍｍで高さは１ｍｍである。

【００１６】ここで、アノード電極６０の開口部６１の
直径（２ｍｍ）を電子入射面４４ａの直径（３ｍｍ）よ
り小さくしたのは、半導体素子４０の不要な部分、つま
り電子入射面４４ａの周辺部分に電子が入射して、酸化
膜４５や窒化膜４６を帯電させたり、ｐｎ接合界面や半
導体（４４）と金属電極（４７）の接触面にダメージを
与えて、素子特性を劣化させたりするのを防止するため
である。また、アノード電極６０にコリメーター部６２
を追加するのは、光電面２２から開口部６１を越えて半
導体素子４０に向かう電界の進入を最小限に抑え、後述
するイオンフィードバックを抑制する効果を向上させる
ためである。さらに、コリメーター部６２は、光電面２
２の周辺部分より放出して半導体素子４０に斜めに入射
しようとする電子の方向を垂直方向に戻す働きがある。
電子が半導体素子４０に斜めに入射すると、半導体素子
４０のデッド層（降伏電圧制御層４４の上層部分）をよ
り長い行程で横切るようになるため、入射電子が空乏層
まで到達する割合が減少し、増倍ゲインは小さくなる。
そこで、コリメーター部６２を追加して電子の軌道を修
正することで、増倍ゲインの電子放出位置に依存するば
らつきが抑制される。なお、アノード電極６０は、厚さ
０．３ｍｍのステンレス板をプレスして形成する。ま
た、アノード電極６０は、溶接フランジ部１３と一体で
形成しても良い。

【００１７】次に、前述した構成の電子管１の組立てに
ついて説明する。先ず、ステム３１に半導体素子４０を
ダイボンドし、続いて、ワイヤー３３にて入射面電極４
７と貫通ピン３２を結線する。一方、ケース１０の溶接
フランジ部１３には、アノード電極６０を抵抗溶接にて
固着し、溶接フランジ部１３とステム３１とを抵抗溶接
にて固着させる。そして、入力面板２１、イジューム２
３及びステム３１を一体化したケース１０とを、別体に
した状態でトランスファー装置と呼ばれる真空装置に入
れ、３００℃、１０時間程度のべ一キングを施した後、
入力面板２１の片側に光電面２２を作製する。その後、
入力面板２１とケース１０は、インジューム２３を介し
て真空中で一体化され、電子管１を真空気密状態にす
る。最後に、トランスファー装置の真空をリークして、
一連の行程を終了する。

【００１８】図１に示すように、電子管１の光電面２２
及びカソード電極１１には−１２ｋＶを印加し、アノー
ド電極６０はアースしてＯＶを印加する。このとき、カ
ソード電極１１、アノード電極６０は電子レンズを形成
し、有効径８ｍｍの光電面２２から放出された電子は、
コリメーター部６２の内径より小さい直径１．５ｍｍに
縮小して半導体素子４０の電子入射面４４ａに導入され
る。一方、半導体素子４０にはｐｎ接合に逆バイアスが
印加されるように、半導体素子４０の降伏電圧制御層
（アノ−ド）４４に−１５０Ｖを印加し、シリコン基板
４１（カソード）をアースしてＯＶを印加する。従っ
て、ＡＰＤには約５０倍のアバランシエ増倍ゲインが得
られる。

【００１９】そこで、電子管１に光が入射すると、光電
面２２から真空中に電子が放出され、この電子は電子レ
ンズにて加速されると共に収束されて、ｌ２ｋｅｖのエ
ネルギ−を有してＡＰＤ４０の電子入射面４４ａに入射
する。この電子は、ＡＰＤ４０内でエネルギーを３．６
ｅＶ失う毎に１ケづつの電子−正孔対を生成するので、
この最初の増倍過程で約３０００倍になり、続くアバラ
ンシエ増倍でさらに５０倍になるので、トータルで約２
×１０⁵のゲインとなる。

【００２０】この電子管１では、通常の光電子増倍管
（以下「ＰＭＴ」という）に比べて、初段の増倍率が３
０００と、約３桁高いので、Ｓ／Ｎの非常によい検出が
可能である。現に、非常に微弱なパルス光が入射して、
平均４電子程度が光電面２２から放出されたとき、従来
のＰＭＴでは、弁別できなかった入力光電子数（入射光
子数）を弁別できるようになった。前述した電子管１で
得られるこのような特性は、生体微量物質から放出され
る蛍光を定量的に観察する際に非常に有効である。そし
て、電子管１自体が、長期に渡って安定に動作すること
は非常に重要なことである。

【００２１】本実施形態における電子管１において、半
導体素子４０の電子入射面４４ａには、貫通ピン３２、
ワイヤー３３及び入射面電極４７を介して電源から−１
５０Ｖが印加されている。一方、アノード電極６０に
は、溶接フランジ部１３を介してＯＶが印加されてい
る。即ち、半導体素子４０の電子入射面４４に対してア
ノード電極６０は正電位となる。このことは、電子入射
面４４ａで発生した正イオンにとって逆バイアスになる
ので、発生した正イオンは、アノード電極６０の開口部
６１を通って、光電面２０やケース１０に戻ることがで
きない。

【００２２】すなわち、前述した電子管１において、電
子入射面４４ａに対してアノード電極６０が正電位、即
ち、電子入射面４４ａで発生した正イオンに対して逆電
位に保たれるため、電子入射面４４ａで発生したこのよ
うな正イオンは、アノード電極６０を越えて、光電面２
２やケース１０の絶縁部分に戻ることができない。した
がって、電子管１の光電面２２は、このようなイオンの
フィードバックの影響を受けないので、長時間の動作に
対して劣化することはない。さらに、正イオンはケース
１０の絶縁部分にも戻らないので、ケース１０を帯電さ
せることもなく、光電面２２から放出して半導体素子４
０に至る電子の軌道に影響を与えたり、ケース１０から
二次電子を放出して疑似信号を発生することはない。従
って、電子管１では、長期に渡って非常に安定した動作
を実現している。

【００２３】なお、仮に、半導体素子４０の電子入射面
４４ａで発生したイオンが光電面２２に戻るとすると、
正イオンは、光電面２２と電子入射面４４ａとの電位差
により約１２ｋｅＶという高いエネルギーをもって光電
面２２に戻るため、光電面２２の構成材料が正イオンに
よってスパッタされることになる。したがって、電子入
射面４４ａで発生したイオンが光電面２２に戻る状況で
は、短時間の動作で光電面感度は著しく劣化することに
なる。

【００２４】次に、図３〜図６に基づいて本発明に係る
電子管１００の第２実施形態を説明する。なお、以下、
第１実施形態との相違点について説明すると共に、図面
において、同一又は同等の構成部分については同一の符
号を付す。

【００２５】図３に示すように、カソード電極１８が２
ｍｍ程度と短く、絶縁性のケース９０の中間には、２ケ
所に中間フランジ１５ａ，１５ｂが挿入されている。ま
た、半導体素子８０として電子入射面積の大きいＰＤを
使用し、アノード電極７０に面積の大きい開口部７１を
形成し、この開口部７１に格子状のメッシュ電極７２を
配置している。そして、カソード電極１８を短くするこ
とで、有効径８ｍｍの光電面２２から放出した電子をほ
とんど収束させずに半導体素子８０に導くような電子レ
ンズを構成することができる。さらに特定するなら、電
子管１００は、ケース９０の中心を通る管軸線方向にお
ける２Ｔ（テスラ）程度の強磁界中で使用されることを
想定している。

【００２６】このような強磁場中では、電子の進行方向
は磁界の向きによって決められてしまうため、電界は単
に電子を加速するだけにしか使えない。即ち、電界によ
る電子レンズを形成することが不可能となり、実質的な
光電面２２の有効径は、アノード電極７０の開口部７１
或いは後述する半導体素子８０の電子入射面８４ａ（図
６参照）で制限されることになる。そこで、極力大きな
光電面２２の有効径を確保するために、大きな開口部７
１を有するアノード電極７０と大きな電子入射面８４ａ
を有する半導体素子８０が共に必要となる。このような
使用条件は、加速器を使用した高エネルギー実験等で要
求されている。

【００２７】また、絶縁性のケース９０に中間フランジ
１５ａ，１５ｂを挿入したのは、ケース９０の帯電によ
る不安定さを軽減するためであり、中間フランジ１５
ａ，１５ｂには、光電面２２への電圧−１２ｋＶを均等
に分配した−８ｋＶ，−４ｋＶが印加されている。

【００２８】図４及び図５に示すように、アノード電極
７０の開口部７１には、格子状のメッシュ電極７２が配
置され、このようなメッシュ電極７２は、ステンレス製
のアノード電極７０を部分的にエッチングすることで作
り出される。この場合、メッシュ電極７２の線幅は５０
ミクロンで、ピッチは１．５ｍｍである。電子は、この
ようなメッシュ電極７２の開口率（９３％）の分だけ透
過する。

【００２９】アノード電極７０の開口部７１にメッシュ
電極７２を設けた理由としては、アノード電極７０の開
口部７１を半導体素子８０の電子入射面８４ａに合わせ
て大きくしたためである。すなわち、アノード電極７０
の開口部７１を大きくすると、光電面２２側のマイナス
の電位の谷が開口部よりしみこんで、半導体素子８０の
電子入射面８４ａで発生した正イオンのフィードバック
を抑制させる効果が低減するためである。そこで、メッ
シュ電極７２を追加すると光電面２２からのマイナスの
電位が電子入射面８４側に侵入するのを防止できるの
で、イオンのフィードバック抑制効果を維持することが
できる。なお、アノード電極７０の開口部７１の最大径
はＰＤ８０の電子入射面８４ａより小さくなっている。

【００３０】図６に示すように、ＰＤである半導体素子
８０は、高抵抗ｎ型ウェファの裏面からｎ型の不純物で
あるリンを高濃度に深く拡散させた拡散ウェファを基板
材料とし、裏面がｎ型高濃度コンタクト層８１となった
高抵抗ｎ型基板８２の表面の周辺部分にリンを高濃度に
イオン注入して形成したｎ型チャンネルストップ層８３
を有している。また、基板８２の表面の中央部分には、
ボロンを高濃度に拡散して形成した円板状のｐ型入射面
層（降伏電圧制御層）８４が形成され、入射面層８４の
周辺部分には、チャンネルストップ層８３の表面を覆う
酸化膜８５及び窯化膜８６が設けられている。更に、入
射面層８４には、これに接触して入射面層８４に電圧を
供給するアルミ膜の入射面電極８７が設けられ、入射面
電極８７と離間した位置には、チャンネルストップ層８
３と接触しているアルミ膜の帯電防止電極８８が設けら
れている。このＰＤ８０の電子入射面８４ａは、実質的
には、入射面電極８７の内径で規定されている。

【００３１】そこで、このような電子管１００の光電面
２２に−１２ｋＶを印加し、アノード電極７０にＯＶを
印加すると、半導体素子８０のコンタクト層８１はアノ
ード電極７０と同電位なのでＯＶが与えられ、電子入射
面８４ａは、貫通ピン３２、ワイヤー３３及び入射面電
極８７を介して−５０Ｖが与えられる。ここで、この電
子管１００の入射光に対する動作は、第１実施形態と同
様である。そして、メッシュ電極７２を開口部７１に配
置させることで、アノード電極７０の開口部７１を大き
くしてもイオンフィードバックを適切に抑制することが
できる。即ち、アノード電極７０の開口部７１を大きく
した場合でも、メッシュ電極７２が存在することによ
り、マイナスにバイアスされた光電面２２からの低電位
の谷がアースされたアノード電極７０の開口部７１を越
えて電子入射面８４ａの側に進入する電界のしみこみを
抑制できるので、電子の入射により電子入射面８４ａで
イオン化したガス分子が開口部７１を越えて光電面２２
やケース９０に戻るのを有効に抑制することができる。

【００３２】前述した第２実施形態の光電管１００は入
力面板２１の受光面が大きく、高磁界中で、長期に渡っ
て安定動作し、加速器を使った高エネルギー実験で使用
される。

【００３３】

【発明の効果】本発明による電子管は、以上のように構
成されているため、次のような効果を得る。

【００３４】すなわち、アノード電極の開口部の開口面
積は、半導体素子の電子入射面の入射面積より小さく形
成され、半導体素子は、導電型がｐ型の電子入射面と導
電型がｎ型の基板とを有すると共に、ｎ型の基板を電気
的にステムに接続し、アノード電極とステムとを同電位
にし、半導体素子に逆バイアスを印加することにより、
長期に亙って安定した動作を可能にする電子管が可能に
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子管の第１実施形態を示す断面
図である。

【図２】図１の電子管の要部を示す断面図である。

【図３】本発明に係る電子管の第２実施形態を示す断面
図である。

【図４】図３の電子管に適用するメッシュ電極を示す拡
大平面図である。

【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。

【図６】図３の電子管の要部を示す断面図である。

【符号の説明】

１０，９０…ケース、１４…第１の開口、１５…第２の
開口、２１…入力面板、２２…光電面、３１…ステム、
４０，８０…半導体素子、４１，８２…基板、４４ａ，
８４ａ…電子入射面、５０…接着剤、６０，７０…アノ
ード電極、６１，７１…開口部、６２…コリメーター
部、７２…メッシュ電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 哲家 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の開口と前記第１の開口と反対側に
   位置する第２の開口とを有すると共に絶縁性材料からな
   るケースと、 前記ケースの前記第１の開口側に設けられて、入射され
   た光に対応して電子を放出する光電面をもった入力面板
   と、 前記ケースの前記第２の開口側に設けられて導電性材料
   からなるステムと、 前記ステムの真空側に位置して、前記光電面より放出し
   た電子が照射される電子入射面を有する半導体素子と、 前記半導体素子と前記光電面との間で前記半導体素子の
   近くに位置して、前記半導体素子に対峙させた開口部を
   もったアノード電極とを備えた電子管において、 前記アノード電極の前記開口部の開口面積は、前記半導
   体素子の前記電子入射面の入射面積より小さく形成さ
   れ、 前記半導体素子は、導電型がｐ型の前記電子入射面と導
   電型がｎ型の基板とを有すると共に、前記ｎ型の前記基
   板を電気的に前記ステムに接続し、 前記アノード電極と前記ステムとを同電位にし、前記半
   導体素子に逆バイアスを印加することを特徴とする電子
   管。
2. 【請求項２】 前記アノード電極において、前記アノー
   ド電極の前記開口部と同心的に配置した円筒状のコリメ
   ーター部を、前記光電面に向けて突設させたことを特徴
   とする請求項１記載の電子管。
3. 【請求項３】 前記アノード電極の前記開口部内に導電
   性のメッシュ電極を配置したことを特徴とする請求項１
   記載の電子管。