JP4464628B2 - 段部を有したリテーナリングを備えた化学的機械研磨装置および該研磨装置の使用方法 - Google Patents
段部を有したリテーナリングを備えた化学的機械研磨装置および該研磨装置の使用方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に化学的機械研磨(CMP)に係り、特に、段部を有したリテーナリングを備えた化学的機械研磨装置および該研磨装置の使用方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
CMPは化学的反応と機械的なバフィング(バフ研磨)の組み合わせである。従来のCMPシステムは、リテーナリングを備えた研磨ヘッドを備えており、該研磨ヘッドは基板(ウエハとして言及してもよい)と同一方向又は反対方向に回転するパッド面に対して基板を保持し回転させる。パッドは充填材を有し成型され薄く切られたポリウレタン(又は他の重合体)又はウレタン被覆フェルトからなり得る。
【0003】
パッドに対して基板を回転させている間、水酸化カリウム又は水酸化アンモニウム等の反応性が穏やかなエッチング液に懸濁されたシリカ(及び/又は他の砥粒)のスラリーがパッドに供給される。スラリーによる化学反応とパッドによる機械的なバフィング(バフ研磨)の組み合わせによって、基板表面の垂直方向の不整合性(凹凸)が取り除かれ、これによって非常に平坦な表面が形成される。
【0004】
しかしながら、リテーナリングを用いたCMPシステムにおいては、基板表面を基板の中心からエッジまで均一に研磨することは困難である。特に、CMPの間、加えられる下方への力によって、パッド材料が基板のエッジ部で変形し、これにより基板のエッジ部における除去量が増加し、平坦でない表面になる。
【0005】
図1Aは基板の均一な研磨ができない従来のリテーナリング、基板およびパッドの断面を図示するブロック図である。リテーナリング30は円筒形状で、CMPの間、基板40を保持する。リテーナリング30は、CMPの間、研磨パッドに接触する平坦な下面32と、基板を保持する内面34と、外面36と、上面38と、リテーナリング30の中空の領域を実質的に覆う上部面50とを有している。CMPの間、基板表面と研磨パッド110との間の摩擦力によって、基板40はリテーナリングの後縁45に押し付けられる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
リテーナリング30は、基板40を保持する機能に加えて、研磨工程の間、横方向の運動でパッド110を押圧するように作用する。後縁45でのリテーナリング30の内面34に加わる力によって、パッド110に加わる圧力が増加し、パッド110が「流動化」して基板のエッジ部に向かって変形し、その結果、エッジ部の除去速度が速くなる。
それゆえ、エッジ部の除去速度を減らし、かつより均一に平坦な表面を得るシステムおよび方法が必要とされている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、段部を有したリテーナリングを備えたCMP装置を提供する。リテーナリングは、基板の直径よりわずかに大きい内径を有したリングである。リテーナリングの内縁は段部になっていて、すなわちリテーナリングの内縁は、基板の高さと略等しい高さを持った開口領域を含んでおり、この開口領域は、例えば、約2mmから約12mmの範囲であり得る均一な深さを有している。加えて、開口領域は、リテーナリングの内縁に延びるとともに、CMPの間、基板を保持する先端部を含んでいる。開口領域は、開口領域内で均等な間隔又は均等でない間隔で設けられた3個又はそれ以上の先端部を含んでいる。例えば、開口領域は90度の間隔で設けられた4つの先端部を含んでいる。パッドの変形が基板の周縁部(エッジ部)の代わりに開口領域で生ずることを可能にすることによって、開口領域は基板の周縁部でのパッドの変形を減ずる。したがって、基板の周縁部における研磨速度は、基板の他の領域における研磨速度とより均一になり、これゆえ、より均一に平坦な基板面になる。
【0008】
本発明は、さらにCMPの方法を提供する。この方法は、段部を有したリテーナリングによって基板を保持し、パッドにスラリーを供給し、リテーナリングをパッドと同一方向又は反対方向に回転させることからなる。本発明の実施形態においては、前記供給および回転は、同時に及び連続してなし得ることに注目すべきである。
したがって、装置および方法は、リテーナリングに、パッドがはね返る(リバウンド、rebound)ための開口領域を提供することによって、平坦な基板表面の形成を可能とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
次の説明は、当業者が発明を生産し使用することを可能とするためになされ、本件出願およびその必須要件に関連してなされる。実施形態に対する種々の変更は当業者には明らかであり、ここに定義された原理は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、他の実施形態および用途に適用可能である。これゆえ、本発明は、図示された実施形態に限定する意図ではなく、ここに開示された原理、特徴および教示と矛盾のない最も広い範囲と一致する。
非限定的かつ網羅的でない本発明の実施形態を図面を参照して説明する。同様な参照符号は、何ら特別な記載がなければ以下の図面を通して同様な部材に関するものである。
【0010】
図1Bは、第1実施形態により実質的に均一にウエハを研磨する研磨装置100aの側断面図を示すブロック図である。研磨装置100aは、リテーナリング120aと、スラリーディスペンサ(スラリー供給装置)170と、研磨パッド110とを備えている。リテーナリング120aは、CMPの間、研磨パッド110に接触するほぼ平坦な下面122と、先端部200(図2)を用いて基板130を保持する内面126と、外面124と、上面128とを有した円筒形状の構造である。リテーナリング120aは、リテーナリング120aの中空領域を実質的に覆う上部面160を含んでもよい。基板130は、珪素表面、金属膜、酸化膜、および表面上の他の種類の膜を含んでいる。研磨パッド110は、研磨面上に溝または穴を有した又は有さないポリウレタンまたは他の重合体材料(埋め込まれた化学物質又は砥粒を有した又は有さない)からなっている。
【0011】
リテーナリング120aは、内面126と下面122の角部の一部または角部全体の周りに段部形状の止め部を有しており、これにより1又は2以上の開口領域140を形成している。各開口領域140は、実施形態によって、例えば、約2mmから8mmの幅を有している。開口領域140は、パッド110が基板130に対してはね返る代わりに、パッド110がはね返る領域または圧力を及ぼす領域を提供する。本発明の実施形態においては、リテーナリング120aは、基板130の外径より、例えば約1mmから2mm大きい内径135(すなわち、リテーナリング120aの中空領域の直径)を有している。例えば、200mmの基板130用のリテーナリング120aは、約201から202mmの内径を有するであろう。リテーナリング120aは、基板130の外径より、例えば約30mmから75mm大きい外径145(すなわち、外面124の直径)を有している。例えば、300mmの基板130用のリテーナリングは、約330mmから375mmの外径を有するであろう。リテーナリング120aは、概略、基板と同一の高さかまたは基板より高い高さ、例えば7.5mmの高さを有している。リテーナリング120aは、PPS(ポリフェニレンサルファイド樹脂)、PEEK(ポリエーテルケトン)またはエルタライト・ティーエックス(Ertalyte TX )(充填ポリエステル)等の重合体からなり得る。
【0012】
CMPの間、リテーナリング120aは、先端部200a,200b,200cおよび200d(図2)の間に基板130を保持する。リテーナリング120aは、リテーナリング120aに対して回転する研磨パッド110上に下降される。一実施形態においては、研磨パッド110は一方向に回転し、リテーナリング120aは反対方向に回転する。また、パッド110は静止しているが、リテーナリング120aがパッド110に対して基板130を回転させてもよい。さらに、リテーナリング120aは静止しているが、パッド110が基板130を保持しているリテーナリングに対して回転してもよい。さらに、回転は、中心から偏心していてもよい。
【0013】
加えて、リテーナリング120aおよび研磨パッド110が回転している間、反応性が穏やかなエッチング液に懸濁されたシリカ及び/又は他の砥粒のスラリーがディスペンサ(供給装置)170からパッド110に供給される。本発明の一実施形態においては、スラリーは市場に出ている煙霧状コロイダルシリカスラリーを含むことができる。摩擦によって、パッド110が変形し、後縁150でパッド110に上方に向かう傾斜を与える。従来のCMPシステムに比べて、この上方に向かうパッドの傾斜は、基板130に余分な圧力を及ぼすことがなく、代わりに開口領域140内に変形する。したがって、リテーナリング120aを用いたCMPシステムは、従来のCMPシステムと比較して、基板130により均一に平坦な表面を達成することが可能となる。
【0014】
図2はリテーナリング120a(図1B)および基板130の底面図を示すブロック図である。リテーナリング120aは、底面122(図1B)、外面124および内面126を有している。内面126から数mm半径方向外側に延び、かつ底面122(図1B)から数mm(別の実施形態では基板とほぼ等しい高さ)上方に延びているのは、回転中にパッド110がはね返るための空間を提供するための開口領域140である。開口領域140は、内面126に延びている4つの先端部200、すなわち先端部200a,先端部200b,先端部200cおよび先端部200dによって中断されている(遮られている)。各先端部200a,200b,200cおよび200dは、数mm、例えば20mmまでの幅、約8mmまでの奥行き、および基板の厚さとほぼ等しい高さ、例えば約0.725μmまたはそれ以上の高さを有している。4つの先端部200は、回転中に基板130を保持するように動作する。この実施形態においては、4つの先端部200は90度の間隔で設けられている。
【0015】
リテーナリング120aは異なった数の先端部200を有することができる。例えば、リテーナリング120aは、120度の間隔で設けられた3つの先端部または72度の間隔で設けられた5つの先端部を有することができる。さらに、先端部200は均等でない間隔で設けることも可能である。例えば、リテーナリング120aが5つの先端部を有する場合には、間隔は80度、49度、110度、89度および32度でもよい。また、リテーナリング120aのサイズに応じて先端部のサイズは変わってもよい。
【0016】
図3は、第2実施形態により実質的に均一にウエハを研磨する研磨装置100bの側断面図を示すブロック図である。研磨装置100bは、リテーナリング120bと、スラリーディスペンサ(スラリー供給装置)170と、研磨パッド110とを備えている。リテーナリング120bはリテーナリング120aに概略類似しているが、リテーナリング120bはパッド110がはね返る追加の容量を提供する第2の開口領域300を含んでいる。この実施形態おいては、リテーナリング120bは、先端部200(図4)を用いて基板130を保持する内面126と、外面124と、上面128とを有した円筒形状の構造である。リテーナリング120bは、リテーナリング120bの中空領域を実質的に覆う上部面160を含んでもよい。
【0017】
リテーナリング120bは、内面126と下面122の角部の一部または角部全体の周りに段部形状の止め部を有しており、これにより1又は2以上の開口領域140を形成している。さらに、リテーナリング120bは、外面124と底面122の角部の一部または角部全体の周りに第2の段部形状の止め部を有しており、これにより1又は2以上の開口領域300を形成している。各開口領域140は、実施形態によって、例えば、約2mmから12mmの幅を有している。開口領域140と開口領域300は、パッド110が基板130に対してはね返る代わりに、パッド110がはね返る領域または圧力を及ぼす領域を提供する。本発明の実施形態においては、リテーナリング120bは、基板130の外径より、例えば約1mmから2mm大きい内径135(すなわち、リテーナリング120bの中空領域の直径)を有している。例えば、200mmの基板130用のリテーナリング120bは、約201から202mmの内径を有するであろう。リテーナリング120bは、基板130の外径より、約30mmから約75mm大きい外径145(すなわち、外面124の直径)を有している。例えば、300mmの基板130用のリテーナリングは、約330mmから約375mmの外径を有するであろう。リテーナリング120bは、約7.5mmの高さを有している。リテーナリング120bは、PPS(ポリフェニレンサルファイド樹脂)、PEEK(ポリエーテルケトン)またはエルタライト・ティーエックス(Ertalyte TX )(充填ポリエステル)等の重合体からなり得る。
【0018】
CMPの間、リテーナリング120bは、先端部200a,200b,200cおよび200d(図4)の間に基板130を保持する。リテーナリング120bは、リテーナリング120bに対して回転する研磨パッド110上に下降される。一実施形態においては、研磨パッド110は一方向に回転し、リテーナリング120bは反対方向に回転する。また、パッド110は静止しているが、リテーナリング120bがパッド110に対して基板130を回転させてもよい。さらに、リテーナリング120bは静止しているが、パッド110が基板130を保持しているリテーナリングに対して回転してもよい。さらに、回転は、中心から偏心していてもよい。
【0019】
加えて、リテーナリング120bおよび研磨パッド110が回転している間、図1Bに関連して説明したように、反応性が穏やかなエッチング液に懸濁されたシリカのスラリーがディスペンサ(供給装置)170からパッド110に供給される。下方への力を与えることによって、パッド110が変形し、後縁150でパッド110に上方に向かう傾斜を与える。従来のCMPシステムに比べて、この上方に向かうパッドの傾斜は、基板130に余分な圧力を及ぼすことがなく、代わりに開口領域140および開口領域300内に変形する。リテーナリング120bの開口領域300は、従来のリテーナリングよりもスラリーを保持することができるか又は移動させることができる。スラリーは、リテーナリング120bを介して開口領域300にある研磨パッド110に移動することができる。したがって、リテーナリング120bを用いたCMPシステムは、従来のCMPシステムと比較して、基板130に、より均一に平坦な表面を達成することが可能となる。
【0020】
図4はリテーナリング120b(図3)および基板130の底面図を示すブロック図である。リテーナリング120bは、4つの先端部200、すなわち先端部200a,先端部200b,先端部200cおよび先端部200dと、第1開口領域140、および第2開口領域300を含んでいる。各先端部200a,200b,200cおよび200dは、数mm、例えば20mmまでの幅、約12mmまでの奥行き、およびリテーナリング120bの許容可能な摩耗の高さにパッド110がはね返ることを可能とする高さまたはそれ以上の高さを加えた高さを有している。第1開口領域140は、内面126から半径方向外側に延びるとともに底面310から上方に延びている。第2開口領域300は、外面124から半径方向内方に延びるとともに底面310から上方に延びている。上述したように、リテーナリング120bの先端部200の数は変わってもよい。例えば、リテーナリング120bは、均等な間隔又は均等でない間隔の偶数又は奇数の先端部を持つことができる。例えば、リテーナリング120bは、120度の間隔又は均等でない間隔で設けられた3つの先端部を含んでもよい。さらに、リテーナリング120bは、均等な間隔又は均等でない間隔で設けられた4つ以上の先端部を含んでもよく、例えば基板の全周に沿う1つの先端部のようにしてもよい。
【0021】
図5a、5bおよび5cは、本発明の第3実施形態に係るリテーナリング500の斜視図である。リテーナリング500は、CMPの間、基板130を保持するための複数の先端部510を含んでいる。各先端部510の間には、基板のエッジ部にはね返る(例えば、余分な圧力を加える)代わりに、パッド110がはね返る空間を提供する開口領域520がある。2つの隣接する先端部510間の各開口領域520は、例えば、長さ数mmあるいはそれよりも長くすることができる。
【0022】
先端部510は、数mm、例えば20mmまでの幅、約12mmまでの奥行き、およびリテーナリング500の許容可能な摩耗の高さにパッド110がはね返ることを可能とする高さを加えた高さを有している。CMPの間、先端部が実質的に充分に基板を保持するために充分な奥行き、幅および高さを持っている限りにおいて、先端部510の奥行き、幅および高さは変わることができる。先端部510は、基板と同一の高さである必要はない。先端部510は、CMPの間、実質的に基板を維持するために充分な高さのみを必要とする。
【0023】
図6は、本発明の第4実施形態に係るリテーナリング600の底面図を示すブロック図である。リテーナリング600は円筒形状の構造であり、内面630を有している。この例においては、リテーナリング600は8個の先端部620を有しており、各先端部620は約4mmの奥行きを有し、パッド110がはね返るための開口領域610を残している。先端部620は、数mmまでの幅、例えば20mmまでの幅を有し、リテーナリング600の許容できる摩耗にパッド110がはね返ることを許容する高さを加えた高さ又はそれより高い高さを有している。開口領域610は内面630から半径方向外側に延びるとともに底面から上方に延びており、それによって、段部状の構造を形成している。先端部620は開口領域610内で45度の間隔で設けられている。先端部620が研磨中に基板を実質的に保持するように位置している限りにおいて、先端部620は、不均一な間隔で設けることが可能である。
【0024】
図7は本発明の第5実施形態に係るリテーナリング700の底面図を示すブロック図である。リテーナリング700は円筒形状の構造であり、内面730を有している。この例においては、リテーナリング700は36個の先端部720を有しており、各先端部720は約2mmの奥行きを有し、パッド110がはね返るための開口領域710を残している。先端部720は、数mmまでの幅、例えば20mmまでの幅を有し、リテーナリング700の許容できる摩耗にパッド110がはね返ることを許容する高さを加えた高さ又はそれより高い高さを有している。開口領域710は内面730から半径方向外側に延びるとともに底面から上方に延びており、それによって、段部状の構造を形成している。先端部は10度の間隔で設けられている。先端部720が研磨中に基板を実質的に保持するように位置している限りにおいて、先端部720は、不均一な間隔で設けることが可能である。
【0025】
図8は本発明の第6実施形態に係るリテーナリング800の底面図を示すブロック図である。リテーナリング800は円筒形状の構造であり、内面830を有している。この例においては、リテーナリング800は36個の先端部820を有しており、各先端部820は4mmの奥行きを有し、パッド110がはね返るための開口領域810を残している。先端部820は、数mmまでの幅、例えば20mmまでの幅を有し、リテーナリング800の許容できる摩耗にパッドがはね返ることを許容する高さを加えた高さ又はそれより高い高さを有している。開口領域810は内面830から半径方向外側に延びるとともに底面から上方に延びており、それによって、段部状の構造を形成している。先端部は13.85度の間隔で設けられている。先端部820が研磨中に基板を実質的に保持するように位置している限りにおいて、先端部820は、不均一な間隔で設けることが可能である。
【0026】
図9は本発明の第7実施形態に係るリテーナリング900の底面図を示すブロック図である。リテーナリング900は円筒形状の構造であり、内面930を有している。リテーナリング900は36個の先端部920を有しており、各先端部920は8mmの奥行きを有し、パッド110がはね返るための開口領域910を残している。先端部920は、数mmまでの幅、例えば20mmまでの幅を有し、リテーナリングの許容できる摩耗にパッドがはね返ることを許容する高さを加えた高さ又はそれより高い高さを有している。開口領域910は内面930から半径方向外側に延びるとともに底面から上方に延びており、それによって、段部状の構造を形成している。先端部は約13.85度の間隔で設けられている。先端部920が研磨中に基板を実質的に保持するように位置している限りにおいて、先端部920は、不均一な間隔で設けることが可能である。
【0027】
図10は従来のリテーナリングと本発明のリテーナリング120a(図1)の研磨速度を示すチャートである。従来のリテーナリング(オリジナルヘッドとも称する)を用いると、研磨速度は基板のエッジ部で一様ではなく、かつ1700Å(オングストローム)/minを超えるまで増加している。これに対して、本発明の実施形態に係る段部を有したリテーナリング(修正されたヘッドとも称する)を用いると、基板の全表面にわたってより均一な研磨速度になり、基板のエッジ部における研磨速度の増加ははるかに小さくなっている。したがって、段部を有したリテーナリングを用いることによって、従来のリテーナリングより、はるかに平坦な基板を得ることができる。
【0028】
図11は段部を有したリテーナリングを用いる方法1100を図示するフローチャートである。この方法は、段部を有したリテーナリング120a,120b等によって基板を保持する工程を備えている(1110)。次に、スラリーがパッド110上に供給される(1120)。スラリーは反応性が穏やかなエッチング液に懸濁されたシリカを含んでもよい。スラリーの供給(1120)後に、リテーナリングはパッド110に対して回転される(1130)。そして、この方法1100は終了する。本発明の別実施形態においては、供給(1120)および回転(1130)は、異なった順序で行ってもよいし、または実質的に同時に行ってもよい。本発明の別の実施形態においては、リテーナリングかパッドのいずれかが回転されるが、両方は回転されない。
【0029】
本発明の図示の実施形態の前述の説明は例示のみであって、上述の実施形態および方法について他の変更および修正が前述の教示に照らして可能である。例えば、リテーナリング120等の段部を有したリテーナリングは、偶数又は奇数の先端部を有してもよい。また、研磨装置は水平であってもよく、垂直であってもよく、また基板表面を上向きにしてもよいし、基板表面を下向きにしてもよい。研磨装置は、基板をパッドに付勢する単一の機構または複数の機構を含んでもよい。さらに、段部は丸みが付いたエッジまたは湾曲したエッジを有してもよい。また、先端部は、丸みを帯びた縁部を有してもよい。上述した実施形態は網羅的であることを意図しているわけではなく、また限定することを意図しているわけでもない。本発明は特許請求の範囲のみによって限定される。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、リテーナリングの内縁は段部になっていて、すなわちリテーナリングの内縁は、基板の高さと略等しい高さを持った開口領域を含んでおり、パッドの変形が基板の周縁部(エッジ部)の代わりに開口領域で生ずることを可能にすることによって、開口領域は基板の周縁部でのパッドの変形を減ずる。したがって、基板の周縁部における研磨速度は、基板の他の領域における研磨速度とより均一になり、これゆえ、より均一に平坦な基板面になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1Aは従来のリテーナリング、基板およびパッドの断面を図示するブロック図である。図1Bは本発明の一実施形態に係るリテーナリング、基板およびパッドの側断面図を示すブロック図である。
【図2】図2は図1Bのリテーナリングの底面図を示すブロック図である。
【図3】図3は本発明の第2実施形態に係るリテーナリング、基板およびパッドの側断面図を示すブロック図である。
【図4】図4は図3のリテーナリングの底面図を示すブロック図である。
【図5】図5a、5bおよび5cは、本発明の第3実施形態に係るリテーナリングの斜視図である。
【図6】図6は本発明の第4実施形態に係るリテーナリングの底面図を示すブロック図である。
【図7】図7は本発明の第5実施形態に係るリテーナリングの底面図を示すブロック図である。
【図8】図8は本発明の第6実施形態に係るリテーナリングの底面図を示すブロック図である。
【図9】図9は本発明の第7実施形態に係るリテーナリングの底面図を示すブロック図である。
【図10】図10は従来のリテーナリング対図1Bのリテーナリングの研磨速度を示すチャートである。
【図11】図11は段部を有したリテーナリングを用いる方法を図示するフローチャートである。
【符号の説明】
100a,100b 研磨装置
110 研磨パッド
120,120a,120b,500,600,700,800,900 リテーナリング
122 下面(底面)
124 外面
126,630,730,830,930 内面
128 上面
130 基板
135 内径
140,300,520,610,710,810,910 開口領域
145 外径
160 上部面
170 スラリーディスペンサ(スラリー供給装置)
200,200a,200b,200c,200d,510,620,720,820,920 先端部
Claims (42)
- 内面と、底面とを備え、
前記底面と内面は段部を形成し、この段部は、研磨中、パッドがはね返ることを可能とし、前記段部に少なくとも3つの先端部を備え、該少なくとも3つの先端部は、研磨中、段部の外側で基板を維持することが可能であることを特徴とする研磨装置で用いる基板支持構造。 - 前記少なくとも3つの先端部のそれぞれは、少なくとも1mmの奥行きであることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記構造は円筒形状であることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記少なくとも3つの先端部は、少なくとも2対の直径方向に対向した先端部を含んでいることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記少なくとも3つの先端部は、偶数の先端部を含んでいることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記少なくとも3つの先端部は、奇数の先端部を含んでいることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記基板支持構造は、さらに外面を備え、前記外面と底面は第2の段部を形成することを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記基板支持構造は、基板支持構造の外側のパッドから基板支持構造内のパッドにスラリーを移動させることができることを特徴とする請求項7記載の基板支持構造。
- 前記基板支持構造は、基板の直径よりわずかに大きい内径を有していることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記基板支持構造は、基板の直径より30mmから75mm大きい外径を有していることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記少なくとも3つの先端部は、丸みを帯びた縁部を有していることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記少なくとも3つの先端部は、均等な間隔の少なくとも2つの先端部を含んでいることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 前記少なくとも3つの先端部は、均等でない間隔の少なくとも2つの先端部を含んでいることを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 研磨は化学的機械研磨を含むことを特徴とする請求項1記載の基板支持構造。
- 基板を研磨することが可能な研磨パッドと、基板支持構造と、前記パッドにスラリーを供給することが可能なディスペンサとを備えた研磨装置であって、
前記基板支持構造は、内面と、底面とを備え、前記底面と内面は段部を形成し、この段部は、研磨中、パッドを元に戻すことを可能とし、前記段部に少なくとも3つの先端部を備え、該少なくとも3つの先端部は、研磨中、段部の外側の基板を維持することが可能であり、
前記基板支持構造は、研磨パッドに対して基板を回転させることが可能であることを特徴とする研磨装置。 - 前記少なくとも3つの先端部のそれぞれは、少なくとも1mmの奥行きであることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記構造は円筒形状であることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記少なくとも3つの先端部は、少なくとも2対の直径方向に対向した先端部を含んでいることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記少なくとも3つの先端部は、偶数の先端部を含んでいることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記少なくとも3つの先端部は、奇数の先端部を含んでいることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記基板支持構造は、さらに外面を備え、前記外面と底面は第2の段部を形成することを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記基板支持構造は、基板支持構造の外側のパッドから基板支持構造内のパッドにスラリーを移動させることができることを特徴とする請求項21記載の研磨装置。
- 前記基板支持構造は、基板の直径よりわずかに大きい内径を有していることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記基板支持構造は、基板の直径より30mmから75mm大きい外径を有していることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記少なくとも3つの先端部は、丸みを帯びた縁部を有していることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記少なくとも3つの先端部は、均等な間隔の少なくとも2つの先端部を含んでいることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 前記少なくとも3つの先端部は、均等でない間隔の少なくとも2つの先端部を含んでいることを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 研磨は化学的機械研磨を含むことを特徴とする請求項15記載の研磨装置。
- 基板支持構造によって基板を保持し、該基板支持構造は、内面と、底面とを備え、前記底面と内面は段部を形成し、この段部は、研磨中、パッドがはね返ることを可能とし、前記段部に少なくとも3つの先端部を備え、該少なくとも3つの先端部は、研磨中、段部の外側で基板を維持することが可能であり、
研磨パッドにスラリーを供給し、
研磨パッドに対して前記基板支持構造を回転させることを特徴とする方法。 - 前記少なくとも3つの先端部のそれぞれは、少なくとも1mmの奥行きであることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記構造は円筒形状であることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記少なくとも3つの先端部は、少なくとも2対の直径方向に対向した先端部を含んでいることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記少なくとも3つの先端部は、偶数の先端部を含んでいることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記少なくとも3つの先端部は、奇数の先端部を含んでいることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記基板支持構造は、さらに外面を備え、前記外面と底面は第2の段部を形成することを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記基板支持構造は、基板支持構造の外側のパッドから基板支持構造内のパッドにスラリーを移動させることができることを特徴とする請求項35記載の方法。
- 前記基板支持構造は、基板の直径よりわずかに大きい内径を有していることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記基板支持構造は、基板の直径より30mmから75mm大きい外径を有していることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記少なくとも3つの先端部は、丸みを帯びた縁部を有していることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記少なくとも3つの先端部は、均等な間隔の少なくとも2つの先端部を含んでいることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記少なくとも3つの先端部は、均等でない間隔の少なくとも2つの先端部を含んでいることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 研磨は化学的機械研磨を含むことを特徴とする請求項29記載の方法。
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