JP4463693B2 - 光検出可能な固体薄膜二次電池 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 33
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 8
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 8
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 238000009831 deintercalation Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002409 silicon-based active material Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
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Description
本発明は、固体薄膜二次電池に光検出機能を持たせたことを特徴とする光検出可能な固体
薄膜二次電池に関する。
薄膜二次電池に関する。
自然光や人工光、常時入射光の遮蔽やパルス光の入射など、光を検出する場合、通常の光
検出システムは周辺電子回路のほかに光検出素子と電源が必要不可欠であり、特に、光検
出素子と電源は独立素子であるのが普通である。多孔質シリコンは、発光素子、又は受発
光素子として知られており（例えば、特許文献１）、光検出器として直接遷移型多孔質シ
リコンを用いたものも知られている（例えば、特許文献２）。
検出システムは周辺電子回路のほかに光検出素子と電源が必要不可欠であり、特に、光検
出素子と電源は独立素子であるのが普通である。多孔質シリコンは、発光素子、又は受発
光素子として知られており（例えば、特許文献１）、光検出器として直接遷移型多孔質シ
リコンを用いたものも知られている（例えば、特許文献２）。
本発明は、光検出素子と電源を一体化することによって、システムの構成が簡素で、シス
テムの維持経費が安く、小型軽量で信頼性の高い光検出システムを構成できる新規なデバ
イスを提供することを目的とする。
テムの維持経費が安く、小型軽量で信頼性の高い光検出システムを構成できる新規なデバ
イスを提供することを目的とする。
本発明者は、上記の課題を解決すべく、固体薄膜二次電池を構成する負極活物質層が光検
出機能も併せ持つ新規な構造の固体薄膜二次電池を開発した。すなわち、本発明は、下記
のとおりである。
出機能も併せ持つ新規な構造の固体薄膜二次電池を開発した。すなわち、本発明は、下記
のとおりである。
（１）基板の上に負極活物質層、固体電解質層、正極活物質層及び集電体層を積層した薄
膜固体リチウムイオン二次電池において、該負極活物質層は、多孔質シリコンからなる光
感度を有する層であり、電池の開路電圧が外部光の入射により変化することをもって外部
光の常時モニターが可能であることを特徴とする光検出可能な固体薄膜二次電池。
膜固体リチウムイオン二次電池において、該負極活物質層は、多孔質シリコンからなる光
感度を有する層であり、電池の開路電圧が外部光の入射により変化することをもって外部
光の常時モニターが可能であることを特徴とする光検出可能な固体薄膜二次電池。
（２）多孔度を制御した多孔質シリコンを負極活物質層として用いることにより、リチウ
ムイオンの脱挿入の容易さと近赤外領域から可視及び近紫外領域に亘る広い波長域の光検
出を可能にすることを特徴とする上記（１）の光検出可能な固体薄膜二次電池。
ムイオンの脱挿入の容易さと近赤外領域から可視及び近紫外領域に亘る広い波長域の光検
出を可能にすることを特徴とする上記（１）の光検出可能な固体薄膜二次電池。
（３）光の全透過率が可視全域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）で平均して１％を超えるよう
な膜質と膜厚を持つ正極活物質層及び集電体層を積層したことを特徴とする上記（１）又
は（２）の光検出可能な固体薄膜二次電池。
な膜質と膜厚を持つ正極活物質層及び集電体層を積層したことを特徴とする上記（１）又
は（２）の光検出可能な固体薄膜二次電池。
（４）負極活物質層は、シリコンウェーハを基板として用い、その表面に多孔質シリコン
のスケルトン構造を掘り込み形成した多孔質シリコンであることを特徴とする上記（１）
ないし（３）のいずれかの光検出可能な固体薄膜二次電池。
のスケルトン構造を掘り込み形成した多孔質シリコンであることを特徴とする上記（１）
ないし（３）のいずれかの光検出可能な固体薄膜二次電池。
（５）正極活物質層は、ストライプ状又はメッシュ状に積層されていることを特徴とする
上記（１）ないし（４）のいずれかの光検出可能な固体薄膜二次電池。
上記（１）ないし（４）のいずれかの光検出可能な固体薄膜二次電池。
（６）上記（１）ないし（５）のいずれかの固体薄膜二次電池と電子回路を同一シリコン
基板上に集積化したモノリシックな二次電池搭載型光検出器。
基板上に集積化したモノリシックな二次電池搭載型光検出器。
従来の光導電セルやホトダイオードは、光入射によって流れる電流又はその電流によって
外部抵抗の両端に現れる電圧をモニターするもので、「電流型又はエネルギー消費型」で
ある。
外部抵抗の両端に現れる電圧をモニターするもので、「電流型又はエネルギー消費型」で
ある。
一方、本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池は、負極（「多孔質シリコン」）に生起さ
れた電子と正孔によって電池の正極と負極端子間に現れる電圧変化をモニターするもので
、基本的に光入射に伴う電流は全く流れない。その理由は、正極と負極端子間はリチウム
イオンによって運ばれるイオン電流であるため、電池内部で正極と負極を貫通する電子電
流は流れ得ない。その意味で本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池は、「電圧型又はエ
ネルギー非消費型」である。また、このために、常時、光を照射し続けても、そのことに
よって起こる電池の放電はない。電池の未使用保存時と同じで、ただ自己放電のみがゆっ
くり進行するだけである。
れた電子と正孔によって電池の正極と負極端子間に現れる電圧変化をモニターするもので
、基本的に光入射に伴う電流は全く流れない。その理由は、正極と負極端子間はリチウム
イオンによって運ばれるイオン電流であるため、電池内部で正極と負極を貫通する電子電
流は流れ得ない。その意味で本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池は、「電圧型又はエ
ネルギー非消費型」である。また、このために、常時、光を照射し続けても、そのことに
よって起こる電池の放電はない。電池の未使用保存時と同じで、ただ自己放電のみがゆっ
くり進行するだけである。
光照射による端子電圧の減少（負極電位の上昇）が通常の放電と同じような原因であれば
、負極の多孔質シリコン活物質内のＬｉ＋イオンの一部が正極活物質のＬｉＭｎ２Ｏ４側
に戻ったことを意味する。しかし、光照射をオフ（ｏｆｆ）にするとほぼ同時に、電位が
元に回復するという実験結果は、光照射による端子電圧の減少（負極電位の上昇）がＬｉ
＋イオンの移動によるものではないことを示す。光照射によって対で発生した電子と正孔
（可視光照射による電子−正孔対の生成は通常のシリコン結晶では起こりえず、「多孔質
シリコン」においてのみ可能）が、一時的な負極電位の上昇に寄与しているものと考えら
れる。
、負極の多孔質シリコン活物質内のＬｉ＋イオンの一部が正極活物質のＬｉＭｎ２Ｏ４側
に戻ったことを意味する。しかし、光照射をオフ（ｏｆｆ）にするとほぼ同時に、電位が
元に回復するという実験結果は、光照射による端子電圧の減少（負極電位の上昇）がＬｉ
＋イオンの移動によるものではないことを示す。光照射によって対で発生した電子と正孔
（可視光照射による電子−正孔対の生成は通常のシリコン結晶では起こりえず、「多孔質
シリコン」においてのみ可能）が、一時的な負極電位の上昇に寄与しているものと考えら
れる。
本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池は、昼間の単なる自然光（太陽光）や夜間の室内
灯を何らかの物体が遮断したときに、電池の両端に現れる電圧上昇をモニター（例えば、
光を遮る件数や頭数などをチェック）したり、発光ダイオードやレーザーダイオードから
の目に見えない近赤外域の人工光を遮断したときに現れる電圧上昇をモニター（例えば、
夜間のセキュリティのため）したりすることによって他の電子機器を制御駆動する場合な
どに好適に使用できる。
灯を何らかの物体が遮断したときに、電池の両端に現れる電圧上昇をモニター（例えば、
光を遮る件数や頭数などをチェック）したり、発光ダイオードやレーザーダイオードから
の目に見えない近赤外域の人工光を遮断したときに現れる電圧上昇をモニター（例えば、
夜間のセキュリティのため）したりすることによって他の電子機器を制御駆動する場合な
どに好適に使用できる。
また、電子機器への電力供給を電子回路（有線、したがって接触回路）を通して信号を送
る一般的な場合に対して、何らかの理由（例えば、電気的ノイズから独立した信号伝送の
必要性など）で無線（すなわち、光線、したがって非接触）で行わなければならない場合
、その光信号を受け取る素子が必要であるが、その際、その素子自身の駆動のための自前
の電池を持っている素子を構成できる。
る一般的な場合に対して、何らかの理由（例えば、電気的ノイズから独立した信号伝送の
必要性など）で無線（すなわち、光線、したがって非接触）で行わなければならない場合
、その光信号を受け取る素子が必要であるが、その際、その素子自身の駆動のための自前
の電池を持っている素子を構成できる。
また、外部光信号によって電池の端子電圧を一時的に閥値電圧よりも低下させ、電池から
の負荷への電力駆動を一時的に、又は一定時間停止させるなど、電池の放電電力を制御で
きる電源（電池）装置や、自前の電力供給機能を持つ光検出制御装置などを実現できる。
本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池は、光照射によって放電することはない。
の負荷への電力駆動を一時的に、又は一定時間停止させるなど、電池の放電電力を制御で
きる電源（電池）装置や、自前の電力供給機能を持つ光検出制御装置などを実現できる。
本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池は、光照射によって放電することはない。
まず、光検出モードには、直流モード（定常光モード）と交流モード（ＯＮ−ＯＦＦモー
ド）がある。前者では、常時、二次電池表面に可視光線又は近赤外線（非可視光）を当て
ておいて、何かがその光路を遮ったとき、電池の端子に発生する電圧の上昇によって異常
を検知する。防犯用のセキュリティ素子などへの応用が考えられる。また、夜から朝にか
けて明るさが変化したときに、電池の端子に発生する電圧レベルの減少によって夜明けを
感知し必要な電子機器のスイッチをオン（又はオフ）にする。例えば、無人の電子機器を
昼間のみ、又は夜間のみ動作させるなどの目的が考えられる。他方、後者では、ミリセカ
ンド（ｍｓ）の時間分解能で、光を遮る件数又は頭数を計数したり（電圧上昇型）、光の
点滅回数を計数したり（電圧降下型）できる。
ド）がある。前者では、常時、二次電池表面に可視光線又は近赤外線（非可視光）を当て
ておいて、何かがその光路を遮ったとき、電池の端子に発生する電圧の上昇によって異常
を検知する。防犯用のセキュリティ素子などへの応用が考えられる。また、夜から朝にか
けて明るさが変化したときに、電池の端子に発生する電圧レベルの減少によって夜明けを
感知し必要な電子機器のスイッチをオン（又はオフ）にする。例えば、無人の電子機器を
昼間のみ、又は夜間のみ動作させるなどの目的が考えられる。他方、後者では、ミリセカ
ンド（ｍｓ）の時間分解能で、光を遮る件数又は頭数を計数したり（電圧上昇型）、光の
点滅回数を計数したり（電圧降下型）できる。
本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池を用いた光検出は、二次電池の開路状態又は十分
に大きな抵抗を介して行われる。そのため、二次電池の保存又は未使用状態（自己放電状
態）に極めて近い状態で光検出が可能であり、電池容量の消耗はほとんどない（基本的に
は自己放電による消耗のみ）。
に大きな抵抗を介して行われる。そのため、二次電池の保存又は未使用状態（自己放電状
態）に極めて近い状態で光検出が可能であり、電池容量の消耗はほとんどない（基本的に
は自己放電による消耗のみ）。
第１図及び第２図は、本発明の光検出可能な固体薄膜二次電池の実施の形態を示す概念図
である。該電池の基本構造は、基板側から、基板１、負極活物質層２、固体電解質層３、
正極活物質層４、集電体層５からなり、集電体層５上に正極端子６を、負極活物質層２上
に負極端子７を設ける。両端子６、７には、電池の両端子間に現れる電圧の異常（電圧降
下又は電圧上昇）をモニター（検出）するための回路又は装置を接続する。
である。該電池の基本構造は、基板側から、基板１、負極活物質層２、固体電解質層３、
正極活物質層４、集電体層５からなり、集電体層５上に正極端子６を、負極活物質層２上
に負極端子７を設ける。両端子６、７には、電池の両端子間に現れる電圧の異常（電圧降
下又は電圧上昇）をモニター（検出）するための回路又は装置を接続する。
固体電解質層３、正極活物質層４、集電体層５は通常の固体薄膜リチウムイオン二次電池
の構造と異ならないが、負極活物質層２は、光感度を有する物質を用いる。このような活
物質としては、「多孔質シリコン」が使用できる。「多孔質シリコン」とは、陽極化成に
よって作製されたスケルトン構造のシリコン結晶で、残った結晶部分の大きさ（骨格の太
さ）が、およそ１０数ナノメートルから数ナノメートルの径に該当する特異なシリコン結
晶であることが知られている。
の構造と異ならないが、負極活物質層２は、光感度を有する物質を用いる。このような活
物質としては、「多孔質シリコン」が使用できる。「多孔質シリコン」とは、陽極化成に
よって作製されたスケルトン構造のシリコン結晶で、残った結晶部分の大きさ（骨格の太
さ）が、およそ１０数ナノメートルから数ナノメートルの径に該当する特異なシリコン結
晶であることが知られている。
シリコン結晶はエネルギーバンド構造から、エネルギーバンドギャップが１．１ｅＶであ
り、波長に換算すると約１．１μｍより長い波長の光にしか感じない。また、その場合で
も、光の遷移形式が間接遷移型であるため、光遷移の効率が極めて低いという欠点を持っ
ている。ところが、シリコン微結晶のサイズが前述した大きさにまで小さくなると、「量
子サイズ効果」によって、バンドギャップエネルギーが大きくなり、同時に間接遷移型か
ら直接遷移型に変化し、その結果、波長の短い可視光に効率よく感じるように劇的に変化
する。「多孔質シリコン」が持つこれらの性質は既知である。
り、波長に換算すると約１．１μｍより長い波長の光にしか感じない。また、その場合で
も、光の遷移形式が間接遷移型であるため、光遷移の効率が極めて低いという欠点を持っ
ている。ところが、シリコン微結晶のサイズが前述した大きさにまで小さくなると、「量
子サイズ効果」によって、バンドギャップエネルギーが大きくなり、同時に間接遷移型か
ら直接遷移型に変化し、その結果、波長の短い可視光に効率よく感じるように劇的に変化
する。「多孔質シリコン」が持つこれらの性質は既知である。
基板として透明導電膜でコートしたガラス基板の上に多結晶シリコンを積層したものを用
い、その多結晶シリコン表面を陽極化成するか、シリコン単結晶を基板として用い、その
表面を陽極化成すると、結晶シリコンのかなりの部分が溶け去り、その際、結晶表面から
垂直方向に（円）筒状に多数の孔が開き、基板表面に多孔質シリコンが形成される。その
結果、残った結晶シリコンの構造は孔だらけのスケルトン構造（残った骨格の部分は単結
晶構造を維持）となるが、骨太の（多孔度が低い）場合と骨細の（多孔度が高い）場合で
比較すると、前者の場合は波長の長い近赤外光や赤色寄りの可視光に感度が有り、後者は
波長の短い青色寄りの可視光や紫外光に感度がある。すなわち、陽極化成条件を変えて多
孔度をコントロールすることにより、近赤外域、可視全域及び紫外域の広い波長域に亘っ
ての光検出が可能になる。
い、その多結晶シリコン表面を陽極化成するか、シリコン単結晶を基板として用い、その
表面を陽極化成すると、結晶シリコンのかなりの部分が溶け去り、その際、結晶表面から
垂直方向に（円）筒状に多数の孔が開き、基板表面に多孔質シリコンが形成される。その
結果、残った結晶シリコンの構造は孔だらけのスケルトン構造（残った骨格の部分は単結
晶構造を維持）となるが、骨太の（多孔度が低い）場合と骨細の（多孔度が高い）場合で
比較すると、前者の場合は波長の長い近赤外光や赤色寄りの可視光に感度が有り、後者は
波長の短い青色寄りの可視光や紫外光に感度がある。すなわち、陽極化成条件を変えて多
孔度をコントロールすることにより、近赤外域、可視全域及び紫外域の広い波長域に亘っ
ての光検出が可能になる。
よって、特に、多孔度を制御した多孔質シリコン層を負極活物質層２として用いることに
より、構造的にミクロな多孔質層がリチウムイオンの有効な収容層となり、また、同時に
リチウムイオンの脱挿入の容易さにより効率のよい二次電池動作を実現する。さらに、近
赤外領域から可視領域に亘る広い波長域の光検出を可能にすることができる。
より、構造的にミクロな多孔質層がリチウムイオンの有効な収容層となり、また、同時に
リチウムイオンの脱挿入の容易さにより効率のよい二次電池動作を実現する。さらに、近
赤外領域から可視領域に亘る広い波長域の光検出を可能にすることができる。
基板としてシリコンウェーハを用い、その表面に陽極化成によって多孔質シリコンのスケ
ルトン構造をつくる場合は、もともとの結晶表面から下方に向かって、スケルトン構造が
掘り込み形成されるようにして陽極化成が進み、この場合は、シリコンウェーハの結晶面
の上に多孔質シリコン層が載せられる構造とは異なる。
ルトン構造をつくる場合は、もともとの結晶表面から下方に向かって、スケルトン構造が
掘り込み形成されるようにして陽極化成が進み、この場合は、シリコンウェーハの結晶面
の上に多孔質シリコン層が載せられる構造とは異なる。
本件発明の二次電池の場合は、基本的には集電体（透明導電膜あり）も含めて、正極材料
、固体電解質（本実施例の場合は透明膜）すべてが透明であることが必要であるが、しか
し、半透明の場合でも、例えば、透過率５０％の薄膜の場合では、光の検出感度が１／２
に低下するのであって、検出が不可能となるわけではない。
、固体電解質（本実施例の場合は透明膜）すべてが透明であることが必要であるが、しか
し、半透明の場合でも、例えば、透過率５０％の薄膜の場合では、光の検出感度が１／２
に低下するのであって、検出が不可能となるわけではない。
また、可視域の光吸収が無視できない正極活物質層の場合は、第２図に示すように、特に
、上層の正極活物質層４をストライプ状（線状）又はメッシュ状（格子状）に積層するこ
とにより、正極側からの光の入射効率を高めて光検出感度の向上を図ることができる。な
お、Ｌｉ３ＰＯ４−ｘＮｘなど、固体電解質層３として用いられる膜は、通常は可視全域
に亘って透明である場合が多い。
、上層の正極活物質層４をストライプ状（線状）又はメッシュ状（格子状）に積層するこ
とにより、正極側からの光の入射効率を高めて光検出感度の向上を図ることができる。な
お、Ｌｉ３ＰＯ４−ｘＮｘなど、固体電解質層３として用いられる膜は、通常は可視全域
に亘って透明である場合が多い。
上記の構造により、第１図、第２図に矢印で示すように、外部光Ｌが光感度を有する負極
活物質層２に入射することにより電池の開路電圧が変化することをもって外部光の常時検
出が可能である。
活物質層２に入射することにより電池の開路電圧が変化することをもって外部光の常時検
出が可能である。
この固体薄膜二次電池の周辺には必要な電子回路を同一シリコン基板上に集積化して、Ｌ
ＳＩなどのように単一半導体基板上に搭載可能な、いわゆるモノリシックな二次電池搭載
型光検出器を容易に実現できる。
ＳＩなどのように単一半導体基板上に搭載可能な、いわゆるモノリシックな二次電池搭載
型光検出器を容易に実現できる。
シリコン基板を下記の条件で陽極化成することにより多孔質シリコンからなる負極活物質
層を基板表面に形成した。
層を基板表面に形成した。
Ｓｉ基板：結晶面／（１００）面、抵抗率／４〜７Ωｃｍ、化成液：フッ化水素酸ＨＦ（
４０ｗｔ％）：エタノール（９９．５ｗｔ％）＝１：１の混合液、化成電流密度：５ｍＡ
／ｃｍ２、化成時間：１分、化成温度及び環境：０℃、暗所化成、多孔質シリコン膜厚：
０．２３μｍ。
４０ｗｔ％）：エタノール（９９．５ｗｔ％）＝１：１の混合液、化成電流密度：５ｍＡ
／ｃｍ２、化成時間：１分、化成温度及び環境：０℃、暗所化成、多孔質シリコン膜厚：
０．２３μｍ。
次いで、多孔質シリコンからなる負極活物質層の上に下記の条件で固体電解質層、正極活
物質層、集電体層を形成し積層した。
固体電解質層（Ｌｉ３ＰＯ４−ｘＮｘ）：ＲＦスパッタ １００Ｗ、２０ｈｒ、膜厚〜１
μｍ。正極活物質層（ＬｉＭｎ２Ｏ４）：ＲＦスパッタ １００Ｗ、８ｈｒ、膜厚〜０．
８μｍ。集電体層（金属バナジウム）：ＤＣスパッタ０．６Ａ、１５ｍｉｎ、膜厚〜０．
１μｍ。
物質層、集電体層を形成し積層した。
固体電解質層（Ｌｉ３ＰＯ４−ｘＮｘ）：ＲＦスパッタ １００Ｗ、２０ｈｒ、膜厚〜１
μｍ。正極活物質層（ＬｉＭｎ２Ｏ４）：ＲＦスパッタ １００Ｗ、８ｈｒ、膜厚〜０．
８μｍ。集電体層（金属バナジウム）：ＤＣスパッタ０．６Ａ、１５ｍｉｎ、膜厚〜０．
１μｍ。
得られた二次電池について光検出特性を測定した。なお、充放電測定時の端子電圧の測
定の場合は、ソースメータ（ＫＥＩＴＨＬＥＹ ２４００）を、スペクトル応答測定の場
合には、デジタルマルチメータ（ＫＥＩＴＨＬＥＹＤＭＭ １９６）を、また、光の時間
応答の測定の場合には、オッシロスコープ（ＫＩＫＵＳＵＩ ７２０２Ａ）を使用した。
定の場合は、ソースメータ（ＫＥＩＴＨＬＥＹ ２４００）を、スペクトル応答測定の場
合には、デジタルマルチメータ（ＫＥＩＴＨＬＥＹＤＭＭ １９６）を、また、光の時間
応答の測定の場合には、オッシロスコープ（ＫＩＫＵＳＵＩ ７２０２Ａ）を使用した。
第３図は、本実施例で用いた正極活物質ＬｉＭｎ２Ｏ４膜の透過率特性を示すグラフであ
る。第４図は、本実施例で用いた集電体Ｖ膜の透過率特性を示すグラフである。
る。第４図は、本実施例で用いた集電体Ｖ膜の透過率特性を示すグラフである。
第５図（ａ）は、この固体薄膜リチウムイオン二次電池の暗所における充放電特性を示す
グラフである。約５０回の充放電曲線が図示されているが、放電開始時の端子電圧が約３
Ｖの高電圧で、放電容量も約７μＡｈ／ｃｍ２と比較的良好な二次電池特牲を示している
。このことは、多孔質シリコン層が二次電池の負極活物質として正常かつ良好な特性をも
って機能していることを明示している。
グラフである。約５０回の充放電曲線が図示されているが、放電開始時の端子電圧が約３
Ｖの高電圧で、放電容量も約７μＡｈ／ｃｍ２と比較的良好な二次電池特牲を示している
。このことは、多孔質シリコン層が二次電池の負極活物質として正常かつ良好な特性をも
って機能していることを明示している。
第５図（ｂ）は、放電容量を繰返しサイクルに対してプロットしたものであるが、約５０
回の繰返しに対して、初期に容量が増大した後、ほぼ一定であり、この範囲では減少の傾
向が見られない。これも、多孔質シリコン層を負極活物質に用いた固体薄膜二次電池が再
現性、信頼性に優れていることを示している。
回の繰返しに対して、初期に容量が増大した後、ほぼ一定であり、この範囲では減少の傾
向が見られない。これも、多孔質シリコン層を負極活物質に用いた固体薄膜二次電池が再
現性、信頼性に優れていることを示している。
第６図は、暗所における充電特性測定時における室内灯（天井蛍光灯）のＯＮ／ＯＦＦ時
の端子電圧応答特性を示すグラフである。これより、本実施例の二次電池の開路電圧が、
室内灯のＯＮ／ＯＦＦに応答していることを端的に示している。
の端子電圧応答特性を示すグラフである。これより、本実施例の二次電池の開路電圧が、
室内灯のＯＮ／ＯＦＦに応答していることを端的に示している。
第７図は、第６図の部分拡大図であるが、本実施例の二次電池を暗箱に入れた状態で、充
電及び放電時に操返し１秒間だけ暗箱の窓を開けて室内灯（天井蛍光灯）の明かりに曝し
た時の端子電圧の降下を示している。本発明の二次電池の最大特徴の一つである光応答性
は、かなり高速な時間応答を示すことが分かる。
電及び放電時に操返し１秒間だけ暗箱の窓を開けて室内灯（天井蛍光灯）の明かりに曝し
た時の端子電圧の降下を示している。本発明の二次電池の最大特徴の一つである光応答性
は、かなり高速な時間応答を示すことが分かる。
第８図は、本実施例の二次電池の端子電圧の−ΔＶで示される光感度の分光波長スペクト
ルを示すグラフである。本実施例の二次電池が可視全域（４００〜８００ｎｍ）に亘って
光感度を有することを示している。多孔質シリコンの作製条件を変えれば、近赤外から近
紫外域まで光感度域を広げることが可能である。
ルを示すグラフである。本実施例の二次電池が可視全域（４００〜８００ｎｍ）に亘って
光感度を有することを示している。多孔質シリコンの作製条件を変えれば、近赤外から近
紫外域まで光感度域を広げることが可能である。
第９図は、本実施例の二次電池の端子電圧の−ΔＶで示される光感度の時間応答波形を示
すグラフである。光チョッパーで周期的に断続された光（いわゆる交流光）に対して、光
がオン時の電圧の立下りは極めて高速で、ほぼ光の波形に追従していると思われる。一方
、光がオフ時の電圧の立ち上がり（回復）には若干の時間遅れが見られる。しかしながら
、本実施例の二次電池が約１ｋＨｚの交流光信号に応答することが証明された。
すグラフである。光チョッパーで周期的に断続された光（いわゆる交流光）に対して、光
がオン時の電圧の立下りは極めて高速で、ほぼ光の波形に追従していると思われる。一方
、光がオフ時の電圧の立ち上がり（回復）には若干の時間遅れが見られる。しかしながら
、本実施例の二次電池が約１ｋＨｚの交流光信号に応答することが証明された。
第１０図は、本実施例の固体薄膜二次電池における端子電圧降下スペクトルの光強度依存
性を示すグラフである。光強度（％）はフィルタのスリットの間隔で調整した。
性を示すグラフである。光強度（％）はフィルタのスリットの間隔で調整した。
第１１図は、本実施例の固体薄膜二次電池における端子電圧降下の光強度依存性を示すグ
ラフである。光強度（％）はフィルタのスリットの間隔で調整した。
ラフである。光強度（％）はフィルタのスリットの間隔で調整した。
従来の技術として記載した特許文献１に開示されるような光検出器は、構造的には、ｐｎ
接合が不可欠であるとともに、光検出機能を有するだけであるから、同機能を動作させる
ための電源（又は電池）が必要である。これに対して、本件発明の光検出可能な固体薄膜
二次電池は、単一のｐ型（又はｎ型）Ｓｉ負極活物質を用いるだけであり、負極活物質が
光検出機能を併せ持つため、光検出システムがシンプルで製造コストが安く、小型軽量化
ができる。これを活用して、光検出機能を内在する外部光による電池の放電電力の制御装
置や電力供給可能な端子電圧の変化を利用した光検出素子・制御装置など、従来なかった
構成の外部光制御型電力源や光検出素子・装置を実現できる。
接合が不可欠であるとともに、光検出機能を有するだけであるから、同機能を動作させる
ための電源（又は電池）が必要である。これに対して、本件発明の光検出可能な固体薄膜
二次電池は、単一のｐ型（又はｎ型）Ｓｉ負極活物質を用いるだけであり、負極活物質が
光検出機能を併せ持つため、光検出システムがシンプルで製造コストが安く、小型軽量化
ができる。これを活用して、光検出機能を内在する外部光による電池の放電電力の制御装
置や電力供給可能な端子電圧の変化を利用した光検出素子・制御装置など、従来なかった
構成の外部光制御型電力源や光検出素子・装置を実現できる。
Claims (6)
- 基板の上に負極活物質層、固体電解質層、正極活物質層及び集電体層を積層した薄膜固体リチウムイオン二次電池において、
該負極活物質層は、多孔質シリコンからなる光感度を有する層であり、
電池の開路電圧が外部光の入射により変化することをもって外部光の常時モニターが可能であることを特徴とする光検出可能な固体薄膜二次電池。 - 多孔度を制御した多孔質シリコンを負極活物質層として用いることにより、リチウムイオンの脱挿入の容易さと近赤外領域から可視及び近紫外領域に亘る広い波長域の光検出を可能にすることを特徴とする請求の範囲第１項記載の光検出可能な固体薄膜二次電池。
- 光の全透過率が可視全域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）で平均して１％を超えるような膜質と膜厚を持つ正極活物質層及び集電体層を積層した請求の範囲第１項又は第２項に記載の光検出可能な固体薄膜二次電池。
- 負極活物質層は、シリコンウェーハを基板として用い、その表面に多孔質シリコンのスケルトン構造を掘り込み形成した多孔質シリコンであることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光検出可能な固体薄膜二次電池。
- 正極活物質層は、ストライプ状又はメッシュ状に積層されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光検出可能な固体薄膜二次電池。
- 請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の固体薄膜二次電池と電子回路を同一シリコン基板上に集積化したモノリシックな二次電池搭載型光検出器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003006379 | 2003-01-14 | ||
| JP2003006379 | 2003-01-14 | ||
| PCT/JP2003/017079 WO2004064189A1 (ja) | 2003-01-14 | 2003-12-26 | 光検出可能な固体薄膜二次電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2004064189A1 JPWO2004064189A1 (ja) | 2006-05-18 |
| JP4463693B2 true JP4463693B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=32709061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004566306A Expired - Fee Related JP4463693B2 (ja) | 2003-01-14 | 2003-12-26 | 光検出可能な固体薄膜二次電池 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7276312B2 (ja) |
| EP (1) | EP1596460B1 (ja) |
| JP (1) | JP4463693B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004064189A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2432397A1 (fr) * | 2003-06-25 | 2004-12-25 | Hydro-Quebec | Procede de preparation d'electrode a partir d'un silicium poreux, electrode ainsi obtenue et systeme electrochimique contenant au moins une telle electrode |
| JP2005294013A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 前駆体電池及び非水電解質二次電池 |
| WO2005124897A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | 非水電解質二次電池とその負極 |
| JP6112094B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2017-04-12 | トヨタ自動車株式会社 | 全固体電池システム |
| CN104409217B (zh) * | 2014-11-24 | 2019-01-15 | 常州大学 | 一种光阴极及含有这种光阴极的太阳能电池 |
| JP6837743B2 (ja) * | 2015-11-17 | 2021-03-03 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 光電変換装置 |
| KR102563085B1 (ko) * | 2016-09-01 | 2023-08-04 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 | 반도체 장치 |
| WO2020008285A1 (en) * | 2018-07-03 | 2020-01-09 | International Business Machines Corporation | Rechargeable lithium-ion battery with an anode structure containing a porous region |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3306077B2 (ja) | 1991-03-28 | 2002-07-24 | 科学技術振興事業団 | 多孔質シリコン発光素子と多孔質シリコン受光素子ならびにそれらの製造方法 |
| JP3216153B2 (ja) | 1991-07-30 | 2001-10-09 | 株式会社デンソー | 光検出器 |
| WO2001029912A1 (fr) * | 1999-10-22 | 2001-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode de pile au lithium et d'accumulateur au lithium |
| JP2002237294A (ja) | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Tokuyama Corp | リチウム二次電池用負極 |
| US6906436B2 (en) * | 2003-01-02 | 2005-06-14 | Cymbet Corporation | Solid state activity-activated battery device and method |
-
2003
- 2003-12-26 US US10/542,205 patent/US7276312B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-26 WO PCT/JP2003/017079 patent/WO2004064189A1/ja active Application Filing
- 2003-12-26 JP JP2004566306A patent/JP4463693B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-26 EP EP03768384A patent/EP1596460B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7276312B2 (en) | 2007-10-02 |
| WO2004064189A1 (ja) | 2004-07-29 |
| JPWO2004064189A1 (ja) | 2006-05-18 |
| EP1596460B1 (en) | 2012-08-29 |
| EP1596460A4 (en) | 2007-08-15 |
| EP1596460A1 (en) | 2005-11-16 |
| US20060159986A1 (en) | 2006-07-20 |
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