JP4449462B2 - 液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器に関するものである。

液晶表示装置として反射モードと透過モードとを兼ね備えた半透過反射型液晶表示装置が知られている。このような半透過反射型液晶表示装置としては、上基板と下基板との間に液晶層が挟持されるとともに、例えばアルミニウム等の金属膜に光透過用の窓部を形成した反射膜を下基板の内面に備え、この反射膜を半透過反射板として機能させるものが提案されている。この場合、反射モードでは上基板側から入射した外光が、液晶層を通過した後に下基板の内面の反射膜で反射され、再び液晶層を通過して上基板側から出射され、表示に寄与する。一方、透過モードでは下基板側から入射したバックライトからの光が、反射膜の窓部から液晶層を通過した後、上基板側から外部に出射され、表示に寄与する。
したがって、反射膜の形成領域のうち、窓部が形成された領域が透過表示領域、その他の領域が反射表示領域となる。

ところが、従来の半透過反射型液晶装置には、透過表示での視角が狭いという課題があった。これは、視差が生じないよう液晶セルの内面に半透過反射板を設けている関係で、観察者側に備えた１枚の偏光板だけで反射表示を行わなければならないという制約があり、光学設計の自由度が小さいためである。そこで、この課題を解決するために、Jisakiらは、下記の非特許文献１において、垂直配向液晶を用いる新しい液晶表示装置を提案した。その特徴は、以下の３つである。
（１）誘電異方性が負の液晶を基板に垂直に配向させ、電圧印加によってこれを倒す「ＶＡ（Vertical Alignment）モード」を採用している点。
（２）透過表示領域と反射表示領域の液晶層厚（セルギャップ）が異なる「マルチギャップ構造」を採用している点。
（３）透過表示領域を正八角形とし、この領域内で液晶が全方向に倒れるように対向基板上の透過表示領域の中央に突起を設けている点。すなわち、「配向分割構造」を採用している点。

一方、このような垂直配向液晶を用いた場合の液晶分子の配向規制手段として、例えば特許文献１には、上述した突起の他、電極に対してスリットを形成する手法が開示されている。
特開平１１−２４２２２５号公報 "Development of transflective LCD for high contrast and wide viewing angle by using homeotropic alignment", M.Jisaki et al., Asia Display/IDW'01, p.133-136(2001)

上記非特許文献１ないし特許文献１では、画像表示領域内、特に透過表示領域に設けた突起、あるいは電極に形成したスリットにより電圧印加時の垂直配向液晶の配向制御を行うようになっている。しかしながら、垂直配向モードの液晶表示装置では、画像表示領域内に上記配向規制手段を設けたとしても、画素の周縁部でディスクリネーションが生じて開口率やコントラストを低下させる場合がある。すなわち、画素をスイッチングするために設けられる半導体素子や、それに接続された電極配線の周囲に電界が形成され、この電界ベクトルによって液晶分子に配向乱れが生じる。そして、液晶分子の倒れる方向が制御されず、無秩序な方向に倒れると、異なる液晶配向領域間の境界にディスクリネーションと呼ばれる不連続線が現れ、残像等の原因となり得る。また、液晶の各々の配向領域は異なる視角特性を有するため、斜め方向から液晶装置を見たときに、ざらざらとしたしみ状のむらとして見えるという問題も生じる。

特許文献１では、電極配線に近い領域では突起間の間隙を狭くして電極配線に起因する電界ベクトルの影響を受け難くしたり、配線近傍の突起のテーパ角を大きくする等の工夫を施しているが、これらの構成では、開口率の低下や、光漏れによるコントラストの低下が生じる場合があり、十分な対策が施されているとはいえない。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、垂直配向モードの液晶表示装置において、液晶分子の倒れる方向を好適に制御することが可能であり、かつ電極配線近傍における電界ベクトルの影響を最小限に抑えることが可能であり、その結果、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには広視野角の表示が可能な液晶表示装置を提供することを目的としている。特に、反射表示及び透過表示の双方において表示が均一で且つ視角の広い液晶表示装置を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、このような液晶表示装置を備える電子機器を提供することを目的としている。

本発明は、上記課題を解決するために、互いに対向して配置された素子基板と対向基板との間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記液晶層が、負の誘電異方性を有する液晶からなり、前記素子基板の液晶層側に、画素電極と、該画素電極に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された電極配線とが設けられ、前記対向基板の液晶層側には、前記画素電極と対向配置された対向電極が設けられており、前記電極配線と前記対向電極とが対向する領域のうち少なくとも一部の領域において、前記対向電極が、該対向電極と対向基板との間に設けられた凸状部材により前記液晶層側に突出した突出部分を有し、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられ、前記両領域における液晶層厚が、当該ドット領域内に設けられた液晶層厚調整層によって互いに異ならされており、前記凸状部材と、前記液晶層厚調整層とが一体に同一材料にて一形成され、前記突出部分における液晶層厚が、前記透過表示領域の液晶層厚より薄く形成され、前記反射表示領域における液晶層厚と略同一となっていることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
この構成によれば、スイッチング素子に電力を供給するべく形成された電極配線に対して、対向基板側の電極が、画像表示領域よりも近接して配置されるので、電極配線により液晶層中に生じる電界をこの近接配置された対向電極に集中させることができる。これにより、上記電界ベクトルによる影響を最小限に抑えることができ、もって液晶配向の乱れた領域が画像表示領域まで及ばないようにすることができ、もって広視角、高コントラストであって、高画質の表示を得ることができる。

また、この構成によれば、マルチギャップ構造を備えた半透過反射型液晶表示装置において、電極配線上の液晶層厚が透過表示領域より薄くされるので、電極配線の電界ベクトルの影響を抑えることができ、もって良好な表示を得ることができる。また、この構成によれば、極めて容易に前記対向電極を部分的に素子基板側へ突出させることができ、製造工程を複雑化することなく製造可能な液晶表示装置を提供することができる。また、この構成によれば、前記液晶層厚調整層を形成する工程にて凸状部材も同時に形成できるので、工数の増加を伴うことなく画質の向上を実現し得る液晶表示装置を提供することができる。この構成では、前記対向電極が突出される領域を、透過表示領域に接して設けることが好ましい。透過表示領域では液晶層厚が比較的厚くなっているため、電極配線の電界ベクトルの影響を受けやすいが、突出された対向電極によって電界ベクトルの影響を受けにくくすることができる。

本発明の液晶表示装置では、前記対向電極が突出して形成された領域が、前記電極配線に沿って延びる帯状の領域とされていることが好ましい。この構成によれば、前記電界ベクトルの影響をより効果的に抑えることができる。

本発明の液晶表示装置では、前記電極配線が、前記画素電極の辺端に沿って延びるように配設され、前記凸状部材が、前記画素電極と平面的に近接し且つ前記電極配線に重なる領域に形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、電極配線に近接して配置され、電界ベクトルの影響を受けやすい領域の液晶の配向乱れを優先的に防止する構成となり、凸状部材による効果を効率的に得られるようになる。

本発明の液晶表示装置では、前記画素電極が、複数の島状部と該島状部間を電気的に接続する連結部とを備えてなり、前記凸状部材が、島状部と平面的に近接し且つ前記電極配線に重なる領域に形成されていることが好ましい。この構成によれば、ドット領域内で複数の放射状ドメインを形成するべく画素電極を複数の島状部に分割する場合において、凸状部材による効果を効率的に得られるようになる。

本発明の液晶表示装置では、複数の前記ドット領域が配列されてなる表示領域を備え、前記ドット領域の配列方向において、前記複数のドット領域のうち隣接するドット領域同士の透過表示領域同士が隣接されており、前記凸状部材が、隣接する前記透過表示領域間の境界領域に配設されている構成とすることもできる。この構成によれば、液晶層厚が比較的厚く、従って電極配線の電界ベクトルの影響を受けやすい透過表示領域について、効果的に電界ベクトルによる液晶の配向乱れを防止することができ、もって良好な透過表示を得ることが可能になる。

本発明の液晶表示装置は、前記隣接する透過表示領域の境界領域において、前記凸状部材が部分的に形成されている構成とすることもできる。マルチギャップ構造を備えた半透過反射型液晶表示装置では、透過表示領域と反射表示領域との間に液晶層厚調整層に起因する段差が形成されるため、垂直配向膜を塗布により形成する際に、配向膜形成材料の液体が透過表示領域（段差下面の領域）に溜まりやすくなり、膜厚が大きくなりすぎて膜厚むらが発生して表示むらの原因となる。また特に本発明では、隣接する透過表示領域間を仕切るように凸状部材を配置するため、このような液だまりが生じやすい。そこで隣接する透過表示領域間を仕切って配置される凸状部材については部分的に形成することで、前記配向膜形成材料のうち余分量の液体について排出性を高めることができる。これにより、配向膜の膜厚むらが発生しにくくなる。

本発明の液晶表示装置では、前記画素電極又は対向電極に、電圧印加時の液晶分子の配向方向を制御する配向制御手段が設けられ、前記配向制御手段が、前記画素電極又は対向電極の一部を切り欠いてなる電極スリット、又は前記素子基板又は対向基板の液晶層側面に突出形成された誘電体突起であることが好ましい。この構成によれば、垂直配向液晶の電圧印加時の配向制御を適切に行うことができ、もって広視角、高コントラストの液晶表示装置を提供することができる。

本発明の液晶表示装置では、前記対向電極が突出形成された領域に、遮光膜が形成されていることが好ましい。この構成によれば、画像表示領域とその他の領域（非表示領域）とのコントラストを高めることができる。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、互いに対向して配置された素子基板と対向基板との間に液晶層を挟持してなり、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられ、前記素子基板上に、スイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された電極配線及び画素電極とが形成された液晶表示装置の製造方法であって、前記対向基板上に、前記透過表示領域と反射表示領域とで液晶層厚を異ならせるための液晶層厚調整層を形成する工程と、該液晶層厚調整層上に対向電極を設ける工程と、を含み、前記液晶層厚調整層を形成する工程において、前記素子基板と貼り合わせた状態にて前記電極配線に対向配置され、前記対向電極を前記液晶層側に突出させる凸状部材を、前記液晶層厚調整層と同一材料にて同時に形成することを特徴としている。
この製造方法によれば、マルチギャップ構造を成す液晶層厚調整層を形成する際に、対向電極を素子基板側へ突出させるための凸状部材を設けるので、従来のマルチギャップ構造の液晶表示装置の製造工程に対して工数を増加させることなく表示の高画質化を実現できる。

本発明に係る製造方法にあっては、前記凸状部材は、電極配線に沿って延びる略線状にて形成することもでき、部分的に形成することもできる。凸状部材を部分的に形成する場合には、透過表示領域に近接する電極配線に沿う領域にのみ選択的に形成することもでき、反射表示領域に近接する電極配線に沿う領域にのみ選択的に形成することもできる。

本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶表示装置を備えたことを特徴としている。この構成によれば、広視角、高コントラストの高画質表示が可能な表示部を備えた電子機器が提供される。

（第１の実施形態）
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図１は本実施の形態の液晶表示装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットの等価回路図、図２は、同、１画素領域の構造を示す平面図、図３は同、液晶表示装置の構造を示す断面図であって、図２のＡ−Ａ’線に沿う部分断面図である。本実施形態の液晶表示装置１００は、スイッチング素子としてのＴＦＴを備えるアクティブマトリクス方式の透過型液晶表示装置である。

本実施の形態の液晶表示装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線（電極配線）６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線（電極配線）３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。尚、符号３ｂは容量線である。

次に、図２に基づいて、本実施形態の液晶表示装置１００の画素構成について説明する。図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００では、互いに平行に延在する走査線３ａと、これらの走査線に交差して延在するデータ線６ａとに囲まれた平面視矩形状の領域がドット領域Ｄ１〜Ｄ３とされ、１つのドット領域に対応して３原色のうち１色のカラーフィルタが形成され、３つのドット領域Ｄ１〜Ｄ３で３色のカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを含む画素領域を形成している。尚、これらのカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、それぞれ図示上下方向に延びるストライプ状に形成され、その延在方向で各々複数のドット領域に跨って形成されるとともに、図示左右方向にて周期的に配列されている。

ドット領域Ｄ１〜Ｄ３に設けられた画素電極９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、各ドット領域内に形成されたスリット１９により３個のサブピクセル（島状部）２９に分割され、各サブピクセルは中央部で連結されている（連結部）。それぞれのサブピクセル２９の中央部に誘電体突起１８が配設されている。各サブピクセル２９の角部には面取り等が施され、サブピクセル２９は平面視略八角形状ないし略円形状とされている。
また本実施形態の液晶表示装置では、図示上下方向に延びる各データ線６ａに沿って平面視ストライプ状の凸状部材４５が設けられている。

図示下方側のサブピクセル２９と、走査線３ａ、データ線６ａとの間に、ＴＦＴ３０が介挿されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３３と、半導体層３３の下層側（基板本体１０Ａ側）に設けられたゲート電極部３２と、半導体層３３の上層側に設けられたソース電極部３４と、ドレイン電極部３５とを備えて構成されている。半導体層３３のゲート電極部３２と対向する領域にＴＦＴ３０のチャネル領域が形成されており、その両側の半導体層には、ソース領域、及びドレイン領域が形成されている。

ゲート電極部３２は、走査線３ａの一部をデータ線６ａ延在方向に分岐して形成されており、その先端側で半導体層３３と図示略の絶縁膜を介して対向している。ソース電極部３４は、データ線６ａの一部を走査線３ａ延在方向に分岐して形成されており、図示略のコンタクトホールを介して半導体層３３のソース領域と電気的に接続されている。ドレイン電極３５の一端側は、図示略のコンタクトホールを介して前記ドレイン領域と電気的に接続されており、ドレイン電極３５の他端側は、直接又はコンタクトホールを介してサブピクセル２９（画素電極９）と電気的に接続されている。
そして、ＴＦＴ３０は、走査線３ａを介して入力されるゲート信号により所定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａを介して供給される画像信号を、所定のタイミングで液晶に対して書き込めるようになっている。

一方、図３に示す断面構造を見ると、液晶表示装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置された対向基板２５とを備え、前記基板１０，２５間に初期配向状態が垂直配向を呈する、すなわち誘電異方性が負の液晶からなる液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、図に示す如く画素電極９の形成領域内でほぼ一定の層厚に形成されている。素子基板１０の外面側にあたる液晶セルの外側には、光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト（照明手段）６０が設置されている。尚、符号５１にて示す略棒状の楕円体は、垂直配向された液晶分子を概念的に示すものである。

素子基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層側）に、遮光膜１１が形成され、この遮光膜１１を覆うように透光性の第１層間絶縁膜１４を介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａを覆って形成された透光性の第２層間絶縁膜１５を介して画素電極９が形成されている。また図示は省略したが、画素電極９及び第２層間絶縁膜１５を覆って垂直配向膜が形成されており、液晶分子５１の初期配向を基板面に対し垂直に配向させるようになっている。基板本体１０Ａの外面側には、位相差板１６と偏光板１７とが積層配置されている。
尚、図２に示したＴＦＴ３０は、実際には、第１層間絶縁膜１４と基板本体１０Ａとの間に設けられている。また、遮光膜１１は、図２に示す平面構成では、データ線６ａ、走査線３ａ、及びＴＦＴ３を覆う略格子状に形成されている。遮光膜１１は、ＷＳｉやＡｌ等の金属材料、あるいは不透明な樹脂材料等により形成することができる。

対向基板２５は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体２５Ａを基体としてなり、基板本体２５Ａの内面側に、カラーフィルタ２２、凸状部材４５、及び対向電極３１が順に積層形成されている。対向電極３１は平面ベタ状のＩＴＯ等からなる透明導電膜であり、係る対向電極３１上の画素電極９と対向する位置に、液晶層５０に突出する断面略三角形状の誘電体突起１８，１８が設けられている。また図示は省略したが、対向電極３１及び誘電体突起１８を覆って垂直配向膜が形成されており、液晶分子５１の初期配向を基板面に対し垂直に配向させるようになっている。基板本体２５Ａの外面側には、位相差板３６と偏光板３７とが積層配置されている。誘電体突起１８は、樹脂等の誘電体材料からなり、グレーマスクを用いたフォトリソグラフィ等によって図示したような断面略三角形状に形成することができる。

上記偏光板１７，３７は、特定方向に振動する直線偏光のみを透過させる機能を有する。また位相差板１６，３６には、可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つλ／４板が採用されている。偏光板１７，３７の透過軸と位相差板１６，３６の遅相軸とが約４５°を成すように配置され、偏光板１７，３７および位相差板１６，３６は協働して円偏光板として機能する。この円偏光板により、直線偏光を円偏光に変換し、円偏光を直線偏光に変換し得るようになっている。また、偏光板１７の透過軸および偏光板３７の透過軸は直交するように配置され、位相差板１６の遅相軸および位相差板３６の遅相軸も直交するように配置されている。

図１ないし図３に示す本実施形態の液晶表示装置では、以下のようにして画像表示が行われる。バックライト６０から照射された光は、偏光板１７および位相差板１６を透過して円偏光に変換され、液晶層５０に入射する。電圧無印加時において基板と垂直に配向している液晶分子には屈折率異方性がほとんどないので、入射光は円偏光を保持したまま液晶層５０を進行する。さらに位相差板１６を透過した入射光は、偏光板３７の透過軸と直交する直線偏光に変換される。そして、この直線偏光は偏光板３７を透過しないので、本実施形態の液晶表示装置では、電圧無印加時において黒表示が行われる（ノーマリーブラックモード）。
一方、液晶層５０に電界を印加すると、液晶分子が基板面方向に倒れるように配向して、透過光に対する屈折率異方性を呈する。そのため、バックライト６０から液晶層５０に入射した円偏光は、液晶層５０を透過する過程で楕円偏光に変換される。この入射光が位相差板３６を透過しても、偏光板３７の透過軸と直交する直線偏光には変換されず、その全部または一部が偏光板３７を透過する。従って、本実施形態の液晶表示装置では、電圧印加時において白表示が行われる。また係る構成のもと液晶層５０に印加する電圧を調整することにより、階調表示を行うことが可能である。

図２及び図３に示したように、本実施形態の液晶表示装置では、画素電極９を平面的に分割してなるサブピクセル２９を備えるとともに、各サブピクセル２９の中央部に対応する対向電極３１上に誘電体突起１８が設けられている。そしてこのようなサブピクセルが形成された電極構造により、１つのドット領域内で複数の液晶ドメインを形成可能になっている。すなわち、液晶層に電界を印加すると、サブピクセル２９の輪郭に対して垂直方向に液晶分子５１が傾倒する。また誘電体突起１８の周辺では、電圧無印加時には液晶分子５１が誘電体突起１８の傾斜面と垂直に配向し、電圧印加時には図３に示すように誘電体突起１８から外側に向かって液晶分子５１が倒れ、それを中心とした平面放射状に液晶分子５１が配向する（図２参照）。従って、本実施形態の液晶表示装置１００では、電圧印加時に液晶分子５１のダイレクタが全方位に向くこととなり、視野角の極めて広い表示を得ることができる。尚、上記とは逆に、対向電極３１に、スリット１９を形成し、画素電極９上に誘電体突起１８を配置した構成も適用することができる。

そして、本実施形態の液晶表示装置１００では、図３に示すように、データ線６ａの延在領域にて対向基板２５から液晶層５０に突出する凸状部材４５が形成された結果、係る凸状部材４５の形成領域で対向電極３１が素子基板１０側に突出して配置されている。これによりデータ線６ａ上における液晶層厚ｄ２が、ドット領域のうち画像表示領域を成す画素電極９の形成領域における液晶層厚ｄ１より小さくなっている。このような構成とされていることで、画素電極９への印加電圧を供給する際にデータ線６ａの周辺に形成される電界は、データ線６ａと近接して配置されている対向電極３１に対して集中し、画像表示領域（画素電極９の平面領域）内にはほとんど漏洩しなくなる。これにより、データ線６ａの電界ベクトルの影響による液晶の配向乱れを画像表示領域外に留めることができる。従って本実施形態の液晶表示装置１００によれば、誘電体突起１８やスリット１９の作用によって液晶分子５１が適切に配向制御され、かつ配線近傍での配向乱れも生じないので、広視角、高コントラストの高画質表示を得ることができる。

尚、本実施の形態では、データ線６ａ上の領域にのみ凸状部材４５を設けた構成としたが、ＴＦＴ３０に駆動パルスを入力する走査線３ａの形成領域においても、係る配線の電界ベクトルにより液晶に配向乱れを生じる場合がある。そこで走査線３ａと対向する対向基板２５上にも凸状部材を設けておくことで、より効果的に配線周辺の配向乱れを防止でき、高画質の液晶表示装置を得ることができる。尚、このように走査線３ａに対応する領域にも凸状部材を設けることとしても、先の凸状部材４５と同時にパターン形成すればよいので、製造に際して工数が増加することはない。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について、図４から図６を参照して説明する。図４は本実施形態の液晶表示装置２００の回路構成図、図５は、同、１画素領域を示す平面構成図、図６は、図５のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。本実施形態の液晶表示装置２００は、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置であり、反射表示機能と透過表示機能とを兼ね備えた半透過反射型の液晶表示装置である。
尚、図４から図６において図１から図３と同一の符号が付された構成要素は、先の第１実施形態の液晶表示装置と同様の構成要素であり、それらについて詳細な説明は省略する。

図４に示すように、本実施形態の液晶表示装置２００は、走査線駆動回路２３０及びデータ線駆動回路２２０を含んでいる。液晶表示装置２００には、信号線、すなわち複数の走査線２１３と、これらの走査線２１３と交差する複数のデータ線２０９とが設けられており、走査線２１３は走査信号駆動回路２３０により、データ線２０９はデータ信号駆動回路２２０により駆動されるようになっている。そして、各ドット領域２５０において、走査線２１３とデータ線２０９との間にＴＦＤ素子２４０と液晶表示要素２６０（液晶層）とが直列に介挿されている。なお、図４では、ＴＦＤ素子２４０が走査線２１３側に接続され、液晶表示要素２６０がデータ線２０９側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子２４０をデータ線２０９側に、液晶表示要素２６０を走査線２１３側に設ける構成としても良い。

次に、図５に基づいて液晶表示装置２００に備えられた画素領域の平面構造について説明する。同図に示す１画素領域は、３個のドット領域Ｄ１〜Ｄ３からなる。各ドット領域には、画素電極２３１とこれに接続されたＴＦＤ素子２４０とが設けられており、ＴＦＤ素子２４０には図示上下方向に延びる走査線（電極配線）２１３が接続されている。すなわち、本実施形態にておいて各ドット領域Ｄ１〜Ｄ３は、各々のＴＦＤ素子２４０により独立に駆動可能になっている。また、図に二点鎖線で示す矩形領域は、図示左右方向に延びて複数の画素電極２３１と対向する対向電極２０９である。この対向電極２０９は図４に示したデータ線からなり、各走査線２１３と交差する形のストライプ状を成している。
本実施形態の液晶表示装置２００にも、先の実施形態と同様のカラーフィルタ（２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ）が設けられており、各々ストライプ状のカラーフィルタが２本の走査線２１３，２１３間に挟まれる領域に対応して配置されている。

画素電極２３１は、ＩＴＯ等の透明導電膜からなり、各ドット領域内に形成されたスリット２１９により３個のサブピクセル２３９ａ〜２３９ｃに分割され、各サブピクセルは中央部で連結されている。それぞれのサブピクセル２３９ａ〜２３９ｃの中央部に誘電体突起１８が配設されている。各サブピクセルの角部には面取り等が施され、平面視略八角形状ないし略円形状とされている。そして、図示下側のサブピクセル２３９ｃと、ＴＦＤ素子２４０とが電気的に接続されている。

また、図示左右方向に配列された複数のドット領域のサブピクセル２３９ａ、２３９ｃに跨るように、図示左右方向に延びる複数（図示では２本）の反射膜２２０が形成されている。また、これらの反射膜２２０から分岐されて走査線２１３に沿って延びる遮光膜２１１が形成されている。反射膜２２０及び遮光膜２１１は、ＡｌやＡｇ等の光反射性の金属膜により形成されている。この構成により、各ドット領域Ｄ１〜Ｄ３において、３個のサブピクセル２３９ａ〜２３９ｃのうち、２個のサブピクセル２３９ａ、２３９ｃが反射膜２２０の形成領域内に配置されて反射表示領域Ｒを成し、残りのサブピクセル２３９ｂが反射膜２２０の外側に配されて透過表示領域Ｔを成している。

さらに、本実施形態の場合、反射膜２２０の形成領域に対応して図示左右方向に延びる樹脂膜２４６と、この樹脂膜２４６から分岐されて各走査線２１３（遮光膜２１１）に沿って図示上下方向に延びる凸状部材２４５とが形成されている。すなわち、樹脂膜２４６と凸状部材２４５とは、先の反射膜２２０及び遮光膜２１１からなる平面視略格子状の金属膜と略同一形状を成す樹脂部材である。従って、これらの格子状を成す金属膜及び樹脂部材に設けられた矩形状の開口領域に、先のサブピクセル２３９ｂが配置されている。

ＴＦＤ素子２４０は、走査線２１３と画素電極２３１とを接続するスイッチング素子であって、走査線２１３に沿って延びる第１金属膜２４１と、２つの第２金属膜２４２，２４３との間に図示略の絶縁膜を挟んだ構造を有している。走査線２１３を分岐して形成された第２金属膜２４２と第１金属膜２４１との交差部に第１素子部２４０ａが形成され、第１金属膜２４１と、第２金属膜２４３との交差部に第２素子部２４０ｂが形成されている。そして、第２金属膜２４３によりＴＦＤ素子２４０と画素電極２３１とが接続されている。本実施形態に係るＴＦＤ素子２４０は、このように２つの素子部２４０ａ、２４０ｂが逆向きに接続された構造を備えているので、印加電圧の極性によらず安定した素子特性を得られるものとなっている。
第１金属膜２４１は例えばＴａ（タンタル）からなるものとされ、前記絶縁膜は例えばタンタル酸化物からなるものとされる。また、第２金属膜２４２（走査線２１３）及び第２金属膜２４３は、例えばＣｒ（クロム）からなるものとされる。

次に、図６に示す断面構造をみると、素子基板２２５と、これに対向配置された対向基板２１０との間に、誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層５０が挟持されている。
尚、図６に示す断面構成図ではカラーフィルタ２２Ｒの図示を省略しているが、カラーフィルタ２２Ｒの配設位置に特に限定はなく、基板本体１０Ａ，２５Ａのいずれにも配設することができる。

素子基板２２５は、基板本体２５Ａを基体としてなるとともに、その内面側に走査線２１３、画素電極２３１等を備えている。また画素電極２３１、走査線２１３を覆うように図示略の垂直配向膜が形成されている。基板本体２５Ａの外面側には、位相差板３６、偏光板３７が順に積層されている。他方、対向基板２１０は、基板本体１０Ａを基体としてなるとともに、その内面側に遮光膜２１１、凹凸付与層２２１、反射膜２２０、凸状部材２４５、樹脂膜２４６、対向電極２０９、誘電体突起１８等を備えている。基板本体１０Ａの外面側には、位相差板１６、偏光板１７が積層されている。

凹凸付与層２２１は、アクリル樹脂等の樹脂材料を基板本体１０Ａ上に選択的に形成してなる層であり、図２に示した反射膜２２０の形成領域に対応して設けられるとともに、その表面に形成された反射膜２２０に凹凸形状を付与して光散乱機能を反射膜に付与する。先に記載のように反射膜２２０と遮光膜２１１とは、ＡｌやＡｇ等の光反射性の金属膜により一体に形成されている。尚、遮光膜２１１については、ＷＳｉ等の低反射性の金属材料を用いて反射膜２２０と別途に形成しても良いのは勿論である。

反射膜２２０及び遮光膜２１１を覆う樹脂膜２４６及び凸状部材２４５は、アクリル樹脂等の透光性の樹脂材料を用いて形成されている。樹脂膜２４６は、例えば膜厚が２μｍ±１μｍ程度に形成され、樹脂膜２４６が存在しない部分の液晶層５０の厚みは２〜６μｍ程度であり、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みは透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚みの約半分となっている。つまり、樹脂膜２４６は、自身の膜厚によって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとにおける液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層として機能し、もってマルチギャップ構造を実現するものとなっている。本例の液晶表示装置は、係る構成により明るく高コントラストの表示が得られるようになっている。
尚、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近には、樹脂膜２４６の層厚が連続的に変化している傾斜面が形成されているが、この傾斜面と反射膜２２０のドット領域中央側の縁端部とは、平面的にほぼ重なっており、さらに隣接するサブピクセル間を連結している線状の電極膜とも平面的に重なっている。

また本実施形態の場合、凸状部材２４５は、図５左右方向に隣接するドット領域間で、隣接する透過表示領域Ｔ同士を仕切るように設けられており、液晶層厚調整層である樹脂膜２４６と一体に同膜厚にて形成されている。すなわち、係る凸状部材２４５の形成領域では、凸状部材２４５及び樹脂膜２４６を覆うように形成された対向電極２０９が、その膜厚によって液晶層５０側に突出される。これにより、当該領域における液晶層厚ｄ２は、透過表示領域Ｔにおける液晶層厚ｄ１より薄く、反射表示領域Ｒにおける液晶層厚とほぼ同一となっている。
対向電極２０９上には、液晶層５０に突出する誘電体突起１８が、先のサブピクセル２３９ａ〜２３９ｃの中央部に対向する位置に設けられている。

以上の構成を備えた本実施形態の液晶表示装置２００によれば、各ドット領域内に、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとが備えられているので、バックライト６０からの光を透過表示領域Ｔにて透過させることにより透過表示を行い、また素子基板２２５の外側から入射する光を反射膜２２０で反射させることにより反射表示を行うことが可能になっている。透過表示については、第１実施形態の液晶表示装置１００と同様の動作原理により表示を行うことができる。

反射表示については、以下のようにして画像表示が行われる。素子基板２２５の外側から入射した光は、偏光板３７および位相差板３６を透過して円偏光に変換され、液晶層５０に入射する。電圧無印加時において基板と垂直に配向している液晶分子には屈折率異方性がほとんどないので、入射光は円偏光を保持したまま液晶層５０を進行して反射膜２２０に到達する。そして反射膜２２０により反射されて液晶層５０に戻り、再び位相差板３６に入射する。このとき、反射膜２２０により反射された円偏光は、その回転方向が反転しているので、位相差板３６によって偏光板３７の透過軸と直交する直線偏光に変換される。そして、この直線偏光は偏光板３７を透過しないので、本実施形態の液晶表示装置では、電圧無印加時において黒表示が行われる（ノーマリーブラックモード）。
一方、液晶層５０に電界を印加すると、液晶分子が基板面方向に倒れるように配向して、透過光に対する屈折率異方性を呈する。そのため、素子基板２２５の外側から液晶層５０に入射した円偏光は、液晶層５０を透過する過程で直線に変換されて反射膜２２０に到達する。そして、反射膜２２０により反射された後、液晶層５０を透過して再び位相差板３６に入射する。この反射光は、先の入射光と同じ回転方向の円偏光であるため位相差板３６により偏光板３７の透過軸と平行な直線偏光に変換され偏光板３７を透過する。従って、本実施形態の液晶表示装置では、電圧印加時において白表示が行われる。また係る構成のもと液晶層５０に印加する電圧を調整することにより、階調表示を行うことが可能である。

本実施形態の液晶表示装置においても、画素電極２３１が複数のサブピクセル２３９ａ〜２３９ｃに分割されるとともに、それらの中央部に対応して誘電体突起１８が設けられていることで、先の第１実施形態と同様に、電圧印加時には液晶分子５１…が画像表示領域内で誘電体突起１８を中心に放射状に配向されるので（図５参照）、垂直配向液晶の配向制御が適切に行われる。

そして、本実施形態の液晶表示装置２００では、反射表示領域Ｒの側方の走査線２１３の形成領域にあっては樹脂膜２４６により液晶層５０の層厚が小さくされ、また透過表示領域Ｔの側方の走査線２１３の形成領域にあっては、前記凸状部材２４５により液晶層厚が小さくされているので、ＴＦＤ素子２４０への電圧供給により走査線２１３の周辺に形成される電界は、走査線２１３に近接する部分の対向電極２０９に集中し、画素電極２３１の形成領域（すなわち画像表示領域）内にはほとんど影響しなくなる。従って本液晶表示装置２００によっても、電極配線による電界によって液晶に配向乱れが生じるのを効果的に防止することができ、広視角、高コントラストの高画質表示が得られるようになっている。

また、ドット領域内に部分的に樹脂膜２４６を設けたマルチギャップ構造を採用しているので、透過表示領域Ｔと、反射表示領域Ｒとで液晶層５０のリタデーションを揃えることができ、透過表示、反射表示のいずれにおいても高コントラストの表示が得られるようになっている。さらに、先の凸状部材２４５は、樹脂膜２４６と一体に形成されているので、液晶表示装置２００の製造に際して、樹脂膜２４６と同時に形成することができる。
具体的には、これらの樹脂膜２４６及び凸状部材２４５は、反射膜２２０及び遮光膜２１１までが形成された基板本体１０Ａ上に、アクリル樹脂等の樹脂材料をスピンコートなどにより塗布して樹脂材料層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の開口部（図５ではサブピクセル２３９ｂが配置される領域）をパターン形成することにより得ることができる。従って凸状部材２４５を設けるにあたって工数が増加することもなく、効率的に製造することが可能である。

尚、本実施形態の液晶表示装置２００では、凸状部材２４５の高さが、樹脂膜２４６とほぼ同一である場合について説明したが、凸状部材２４５の高さと樹脂膜２４６の高さとが異なっていてもよい。例えば凸状部材２４５が樹脂膜２４６より低くなったとしても、図６に示した液晶層厚ｄ２が少なくとも透過表示領域Ｔにおける液晶層厚ｄ１より小さくなっていれば、走査線２１３周辺での液晶の配向乱れを防止するについて一定の効果が期待できる。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について、図７及び図８を参照して説明する。図７は、本実施形態の液晶表示装置における１画素領域を示す平面構成図、図８は、図７のＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図である。本実施形態の液晶表示装置３００は、図４に示した先の実施形態の液晶表示装置２００と同様の回路構成を備えており、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶表示装置である。
尚、図７及び図８において図１から図６と同一の符号が付された構成要素は、先の第１、第２実施形態の液晶表示装置と同様の構成要素であり、それらについて詳細な説明は省略する。

本実施形態の液晶表示装置３００の１画素領域は、図７に示す３個のドット領域Ｄ１〜Ｄ３から構成されている。各ドット領域には、画素電極３３１とこれに接続されたＴＦＤ素子２４０とが設けられており、ＴＦＤ素子２４０には図示上下方向に延びる走査線（電極配線）３１３が接続されている。すなわち、本実施形態にておいて各ドット領域Ｄ１〜Ｄ３は、各々のＴＦＤ素子２４０により独立に駆動可能になっている。また、図に二点鎖線で示す矩形領域は、図示左右方向に延びて複数の画素電極３３１と対向する対向電極３０９である。この対向電極３０９は図４に示したデータ線からなり、各走査線３１３と交差する形のストライプ状を成している。
本実施形態の液晶表示装置３００にも、先の実施形態と同様のカラーフィルタ（２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ）が設けられており、各々ストライプ状のカラーフィルタが２本の走査線３１３，３１３間に挟まれる領域に対応して配置されている。

画素電極３３１は、各ドット領域内に形成されたスリット３１９により３個のサブピクセル３３９ａ〜３３９ｃに分割され、各サブピクセルは中央部で連結されている。それぞれのサブピクセル３３９ａ〜３３９ｃの中央部に誘電体突起１８が配設されている。各サブピクセルの角部には面取り等が施され、平面視略八角形状ないし略円形状とされている。そして、図示下側のサブピクセル３３９ｃと、ＴＦＤ素子２４０とが電気的に接続されている。

また、図示左右方向に配列された複数のドット領域のサブピクセル３３９ａ、３３９ｃに跨るように、図示左右方向に延びる複数（図示では２本）の反射膜３２０が形成されている。また、これらの反射膜３２０から分岐され、走査線３１３に沿って延びる遮光膜３１１が形成されている。反射膜３２０及び遮光膜３１１は、ＡｌやＡｇ等の光反射性の金属膜により形成されている。この構成により、各ドット領域Ｄ１〜Ｄ３において、３個のサブピクセル３３９ａ〜３３９ｃのうち、２個のサブピクセル３３９ａ、３３９ｃが反射膜３２０の形成領域内に配置されて反射表示領域Ｒを成し、残りのサブピクセル３３９ｂが反射膜３２０の外側に配されて透過表示領域Ｔを成している。

さらに、本実施形態の場合、反射膜３２０の形成領域に対応して図示左右方向に延びる樹脂膜３４６が設けられている。また、透過表示領域Ｔを成すサブピクセル３３９ｂの側方の走査線３１３上に、第１の凸状部材３４５が部分的に設けられており、樹脂膜３４６の形成領域であって、走査線３１３上の領域に、走査線３１３に沿って延びる第２の凸状部材３５５が形成されている。

次に、図８に示す断面構造をみると、素子基板３２５と、これに対向配置された対向基板３１０との間に、誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層５０が挟持されている。尚、図８に示す断面構成図ではカラーフィルタ２２Ｒの図示を省略しているが、カラーフィルタ２２Ｒの配設位置に特に限定はなく、基板本体１０Ａ，２５Ａのいずれにも配設することができる。

一方の基板を成す素子基板３２５は、基板本体２５Ａを基体としてなるとともに、その内面側に走査線３１３、画素電極３３１等を備えている。また画素電極３３１、走査線３１３を覆うように図示略の垂直配向膜が形成されている。基板本体２５Ａの外面側には、位相差板３６、偏光板３７が順に積層されている。他方、対向基板３１０は、基板本体１０Ａを基体としてなるとともに、その内面側に遮光膜３１１、凹凸付与層２２１、反射膜３２０、凸状部材３４５，３５５、樹脂膜３４６、対向電極３０９、誘電体突起１８等を備えている。基板本体１０Ａの外面側には、位相差板１６、偏光板１７が積層されている。

反射膜３２０は、凹凸付与層２２１上に形成されて表面に凹凸形状を付与され、光散乱機能を備える。先に記載のように反射膜３２０と遮光膜３１１とは、ＡｌやＡｇ等の光反射性の金属膜により一体に形成されている。尚、遮光膜３１１については、ＷＳｉ等の低反射性の金属材料を用いて反射膜３２０と別途に形成しても良いのは勿論である。

反射膜３２０を覆って樹脂膜３４６が、アクリル樹脂等の透光性の樹脂材料を用いて形成されている。樹脂膜３４６は、例えば膜厚が２μｍ±１μｍ程度に形成され、樹脂膜３４６が存在しない部分の液晶層５０の厚みは２〜６μｍ程度であり、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みは透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚みの約半分となっている。つまり、樹脂膜３４６は、自身の膜厚によって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとにおける液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層として機能し、もってマルチギャップ構造を実現するものとなっている。本例の液晶表示装置は、係る構成により明るく高コントラストの表示が得られるようになっている。
尚、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近には、樹脂膜３４６の層厚が連続的に変化している傾斜面が形成されているが、この傾斜面と反射膜３２０のドット領域中央側の縁端部とは、平面的にほぼ重なっており、さらに隣接するサブピクセル間を連結している線状の電極膜とも平面的に重なっている。

また本実施形態の場合、凸状部材３４５は、図７左右方向に隣接するドット領域間で、隣接する透過表示領域Ｔ同士を部分的に仕切るように設けられている。凸状部材３５５は、樹脂膜３４６表面の走査線３１３と対向する領域に選択的に形成されている。
この構成によって、図８に示すように、凸状部材３４５，３５５の形成領域では、それぞれの膜厚によって対向電極３０９が液晶層５０に突出して配置され、透過表示領域Ｔに隣接する走査線３１３上にあっては、凸状部材３４５によって透過表示領域Ｔの液晶層厚ｄ１より小さい液晶層厚ｄ２となり、反射表示領域Ｒに隣接する走査線３１３上にあっては、凸状部材３５５によって反射表示領域Ｒの液晶層厚ｄ３より小さい液晶層厚ｄ４となっている。
そして、対向電極３０９上には、液晶層５０に突出する誘電体突起１８が、先のサブピクセル２３９ａ〜２３９ｃの中央部に対向する位置に設けられており、これらの対向電極３０９、誘電体突起１８を覆って図示略の垂直配向膜が形成されている。

また凸状部材３４５は、図７に示すように透過表示領域Ｔを挟んで両側に配された樹脂膜３４６，３４６間にて部分的に形成されており、凸状部材３４５，３４５の延在方向両側の領域３４５ａ、３４５ａにおける液晶層厚は、透過表示領域Ｔの液晶層厚ｄ１とほぼ同一である。このように凸状部材３４５を部分的に形成することで、対向基板３１０上に垂直配向膜を形成する際に、配向膜の膜厚均一性をより良好なものとすることができる。ここで、仮に隣接する透過表示領域Ｔ，Ｔ間が凸状部材３４５により完全に仕切られているとすれば、スピンコート等により配向膜形成材料の液体を塗布した際に、凸状部材と樹脂膜とに囲まれる凹部に前記液体が溜まり易く、透過表示領域Ｔにおける膜厚が大きくなりすぎるおそれが生じる。これに対して、本実施形態の如く凸状部材３４５の両側に領域３４５ａ、３４５ａを設けてあれば、樹脂膜３４６によって囲まれる凹部内に流れ込んだ配向膜形成材料の液体は、前記領域３４５ａを介して隣接する他のドット領域の透過表示領域Ｔに排出されるので、余分な液体が透過表示領域Ｔに滞留せず、基板面内で均一な膜厚の垂直配向膜を得ることができる。

上記凸状部材３４５の両側に設ける領域３４５ａ、３４５ａは、図７左右方向に沿う直線上に配置されていることが好ましい。このように領域３４５ａ…を配置するならば、スピンコート時に透過表示領域Ｔの凹部に流れ込んだ液体のうち余分量の液体を効率よく外側に排出することができ、より容易に均一な膜厚の垂直配向膜を得ることができる。
また、上記領域３４５ａ、３４５ａを設けると凸状部材３４５による効果も小さくなるが、本実施形態では、図７に示すように平面視略八角形状を成すサブピクセル２３９ｂのうち、走査線３１３に近接されている辺端に沿って凸状部材３４５を設けることで、電界ベクトルの影響を受けやすい走査線３１３近傍の領域にて優先的に液晶の配向乱れを防止するようになっており、画質の低下を伴うことなく上記垂直配向膜の均一化効果を得られるようになっている。

以上の構成を備えた本実施形態の液晶表示装置３００によれば、各ドット領域内に、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとが備えられているので、バックライト６０からの光を透過表示領域Ｔにて透過させることにより透過表示を行い、また素子基板３２５の外側から入射する光を反射膜３２０で反射させることにより反射表示を行うことが可能になっている。その表示原理は先の第２実施形態と同様である。

また、画素電極３３１が複数のサブピクセル３３９ａ〜３３９ｃに分割されるとともに、それらの中央部に対応して誘電体突起１８が設けられていることで、先の第２実施形態と同様に、電圧印加時には液晶分子５１…が画像表示領域内で誘電体突起１８を中心に放射状に配向されるので（図５参照）、垂直配向液晶の配向制御が適切に行われるようになっている。

そして、本実施形態の液晶表示装置３００では、透過表示領域Ｔの側方の走査線３１３の形成領域にあっては、前記凸状部材３４５により液晶層厚が小さくされ、反射表示領域Ｒの側方の走査線３１３上にあっては樹脂膜３４６及び凸状部材３５５により液晶層５０の層厚がさらに小さくされているので、ＴＦＤ素子２４０への電圧供給により走査線３１３の周辺に形成される電界は、走査線３１３に近接する部分の対向電極３０９に集中することとなり、画素電極３３１の形成領域（すなわち画像表示領域）内にはほとんど影響しなくなる。従って本液晶表示装置３００によっても、電極配線による電界によって液晶に配向乱れが生じるのを効果的に防止することができ、広視角、高コントラストの高画質表示が得られるようになっている。また特に、本実施形態の場合、樹脂膜３４６上に積層された凸状部材３５５によって液晶層厚が極めて薄くされているので、反射表示領域Ｒ近傍における走査線３１３からの電界の影響はほぼ皆無であり、より高画質の反射表示を得られるようになっている。

凸状部材３４５，３５５は、樹脂膜３４６をパターン形成した後に、スピンコート等によって基板本体１０Ａ上に樹脂材料層を形成し、係る樹脂材料層をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで形成することができる。あるいは、樹脂膜３４６をパターニングする際に、グレーマスクを用いて露光処理を行うことによっても形成することができる。特に後者の方法を用いると、従来に工程に比しても工数の増加が無く経済的である。

（電子機器）
図９は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶表示装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストであり、かつ広視野角の透過／反射表示が可能になっている。

図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の回路構成図。 図２は、同、１画素領域の平面構成図。 図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。 図４は、第２実施形態に係る液晶表示装置の回路構成図。 図５は、同、１画素領域の平面構成図。 図６は、図５のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図。 図７は、第３実施形態に係る液晶表示装置の画素領域を示す平面構成図。 図８は、図７のＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図。 図９は、電子機器の一例を示す斜視構成図。

符号の説明

１００，２００，３００…液晶表示装置 ３ａ…走査線 ２１３，３１３…走査線（電極配線） ６ａ…データ線（電極配線） ９，２１３，３３１…画素電極 １０，２２５，３２５…素子基板 １８，２１８，３１８…誘電体突起 １９…スリット ２５，２１０，３１０…対向基板 ２９，２３９，３３９…サブピクセル ３１，２０９，３０９…対向電極 ４５，２４５，３４５…凸状部材 ５０…液晶層 ５１…液晶分子 ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ…カラーフィルタ ２２０，３２０…反射膜 ２４５，３４５，３５５…凸状部材 ２４６，３４６…樹脂膜（液晶層厚調整層） Ｒ…反射表示領域 Ｔ…透過表示領域

Claims (10)

1. 互いに対向して配置された素子基板と対向基板との間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、
   前記液晶層が、負の誘電異方性を有する液晶からなり、
   前記素子基板の液晶層側に、画素電極と、該画素電極に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された電極配線とが設けられ、前記対向基板の液晶層側には、前記画素電極と対向配置された対向電極が設けられており、
   前記電極配線と前記対向電極とが対向する領域のうち少なくとも一部の領域において、前記対向電極が、該対向電極と対向基板との間に設けられた凸状部材により前記液晶層側に突出した突出部分を有し、
   １つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられ、前記両領域における液晶層厚が、当該ドット領域内に設けられた液晶層厚調整層によって互いに異ならされており、
   前記凸状部材と、前記液晶層厚調整層とが一体に同一材料にて一形成され、
   前記突出部分における液晶層厚が、前記透過表示領域の液晶層厚より薄く形成され、前記反射表示領域における液晶層厚と略同一となっていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記対向電極が突出して形成された領域が、前記電極配線に沿って延びる帯状の領域とされたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記電極配線が、前記画素電極の辺端に沿って延びるように配設され、
   前記凸状部材が、前記画素電極と平面的に近接し且つ前記電極配線に重なる領域に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記画素電極が、複数の島状部と該島状部間を電気的に接続する連結部とを備えてなり、
   前記凸状部材が、島状部と平面的に近接し且つ前記電極配線に重なる領域に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 複数の前記ドット領域が配列されてなる表示領域を備え、
   前記ドット領域の配列方向において、前記複数のドット領域のうち隣接するドット領域同士の透過表示領域同士が隣接されており、
   前記凸状部材が、隣接する前記透過表示領域間の境界領域に配設されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記隣接する透過表示領域の境界領域において、前記凸状部材が部分的に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記画素電極又は対向電極に、電圧印加時の液晶分子の配向方向を制御する配向制御手段が設けられ、
   前記配向制御手段が、前記画素電極又は対向電極の一部を切り欠いてなる電極スリット、又は前記素子基板又は対向基板の液晶層側面に突出形成された誘電体突起であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 前記対向電極が突出形成された領域に、遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. 互いに対向して配置された素子基板と対向基板との間に液晶層を挟持してなり、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられ、前記素子基板上に、スイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された電極配線及び画素電極とが形成された液晶表示装置の製造方法であって、
   前記対向基板上に、前記透過表示領域と反射表示領域とで液晶層厚を異ならせるための液晶層厚調整層を形成する工程と、該液晶層厚調整層上に対向電極を設ける工程と、を含み、
   前記液晶層厚調整層を形成する工程において、前記素子基板と貼り合わせた状態にて前記電極配線に対向配置され、前記対向電極を前記液晶層側に突出させる凸状部材を、前記液晶層厚調整層と同一材料にて同時に形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

Images