JP4426806B2 - 有機半導体センサー装置 - Google Patents
有機半導体センサー装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4426806B2 JP4426806B2 JP2003334020A JP2003334020A JP4426806B2 JP 4426806 B2 JP4426806 B2 JP 4426806B2 JP 2003334020 A JP2003334020 A JP 2003334020A JP 2003334020 A JP2003334020 A JP 2003334020A JP 4426806 B2 JP4426806 B2 JP 4426806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- semiconductor layer
- sensor
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 claims description 6
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 229940088598 enzyme Drugs 0.000 claims description 6
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims description 3
- 108010015776 Glucose oxidase Proteins 0.000 claims description 2
- 239000004366 Glucose oxidase Substances 0.000 claims description 2
- 229940116332 glucose oxidase Drugs 0.000 claims description 2
- 235000019420 glucose oxidase Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 claims description 2
- 125000002791 glucosyl group Chemical group C1([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 claims 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- -1 tetracarboxylic diimide compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
- G01L1/142—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors
- G01L1/146—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors for measuring force distributions, e.g. using force arrays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
- G01L1/142—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors
- G01L1/148—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors using semiconductive material, e.g. silicon
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Image Input (AREA)
Description
12 有機半導体層
14 比較的厚い上部部分
18 検知表面
20 底部表面
22,24端子
26 スイッチ
28 電圧供給源
P1,P2 導電性プレート
G ゲート電極
Claims (20)
- センサーにおいて、
検知表面を具備しており、前記検知表面下側の領域にわたって分布されている第一導電型の多数可動電荷キャリアを有している物質からなる有機半導体層、
前記検知表面から離隔されている第一導電性プレート、
前記検知表面から離隔されており且つ前記第一導電性プレートから離隔されている第二導電性プレート、
前記第一導電性プレートと第二導電性プレートとの間に介在されているゲート電極、
を有しており、前記ゲート電極が前記ゲート電極に印加される電圧バイアスに応答して前記検知表面下側の前記有機半導体層内に空乏領域を導入し、前記空乏領域の寸法は前記検知表面に近接した物体の存在に応答して変化し、前記寸法における変化は前記検知表面下側の前記有機半導体層を介して通信される信号を検知することにより検知可能であり、且つ
前記有機半導体層がP型の導電型物質の非一様な分布を有しており、前記層は前記検知表面から下方へ延在する軽い濃度のP型物質を有する比較的厚い上部部分と、前記比較的厚い上部部分から前記検知表面と反対側の前記層の下側表面へ下方へ延在する重い濃度のP型物質を有する比較的薄い下部部分とを包含している、
ことを特徴とするセンサー。 - 請求項1において、前記第一導電型がバイアスされていない状態において正の多数可動電荷キャリアの一様な分布により特性付けられるP型であることを特徴とするセンサー。
- センサーにおいて、
検知表面を具備しており、前記検知表面下側の領域にわたって分布されている第一導電型の多数可動電荷キャリアを有している物質からなる有機半導体層、
前記検知表面とは反対側の前記有機半導体層の底部表面上に設けられている第一導電性プレート、
前記底部表面上に設けられており且つ前記第一導電性プレートから離隔されている第二導電性プレート、
前記第一導電性プレートと第二導電性プレートとの間に介在されており且つ前記底部表面上に設けられているゲート電極、
を有しており、前記ゲート電極が前記ゲート電極に印加される電圧バイアスに応答して前記検知表面下側の前記有機半導体層内に空乏領域を導入し、前記空乏領域の寸法は前記検知表面に近接した物体の存在に応答して変化し、前記寸法における変化は前記検知表面下側の前記有機半導体層を介して通信される信号を検知することにより検知可能である、
ことを特徴とするセンサー。 - 有機半導体装置において、
その層の厚さを画定する平行な面に離隔されている上部及び下部の平坦な表面を有する有機半導体層、
行及び列の形態に配列されたセンサーセルからなるアレイを画定する前記下部表面上の導体パターン、
を有しており、各セル位置における前記導体は第一及び第二プレートと前記プレート間のゲートとを包含しており、各セルのゲートは1つの選択された列の全てのゲートへ印加される電圧バイアスに応答して前記有機半導体層内に空乏領域を導入し、前記空乏領域は前記下部表面から上方へ延在し、前記平行な面に対して垂直な方向における前記空乏領域の寸法は前記上部表面に隣接する物体の存在に応答して変化し、前記寸法の変化の程度は前記層の前記上部表面下側の前記有機半導体層を介して通信される信号を検知することによって検知可能であり、前記信号は1つの選択された行のセルを介して通信され、前記選択された列及び選択された行に対応する前記アレイの1個のセルのみが一度に選択される、ことを特徴とする有機半導体装置。 - 請求項4において、前記有機半導体層が、前記層がバイアスされていない状態にある場合に、各センサーセルのプレート上方の正の多数可動電荷キャリアの一様な分布によって特性付けられるP型の導電型物質を有していることを特徴とする有機半導体装置。
- 請求項4において、更に、
制御ユニット、
前記選択された列のセルのゲート上方に空乏領域を導入させるために前記選択された列のセルのみを電圧供給源へ接続させるために前記制御ユニットに応答して動作する列選択回路、
前記選択された行を介して通信される信号を検知するために選択された行のみを前記制御ユニットへ接続させるために前記制御ユニットに応答して動作する行選択回路、
を有していることを特徴とする有機半導体装置。 - 請求項6において、更に、
前記行へ接続されており、選択された行を介して通信される信号を発生するために前記制御ユニットの制御下で動作するパルス発生器、
列を接地接続へ接続して選択されなかった列のセルのゲートを接地へ放電させ、一方選択された列のセルのゲートを電圧供給源によって付勢させる各列に対しての負荷要素、
を有していることを特徴とする有機半導体装置。 - 指紋検知器において、
内部にセンサーセルからなるアレイが形成されており、上部検知表面を具備すると共に下部表面上に導体を具備している有機半導体層、
前記有機半導体層がその上に設けられておりコンタクトが設けられた上部表面を具備している基板、
前記有機半導体層に近接して支持されており且つそれと電気的通信状態にあるシリコン半導体チップ、
を有しており、前記基板の前記上部表面上の選択したコンタクトが前記有機半導体層の前記下部表面上の導体と接続していることを特徴とする指紋検知器。 - 請求項8において、前記有機半導体層が前記検知表面において内部に配設されている接地されたグリッドを包含していることを特徴とする指紋検知器。
- 請求項9において、更に、前記有機半導体層を前記基板へ固定し且つ前記グリッドに対しての接続を与えるために前記有機半導体層の周辺端部におけるフレームを有していることを特徴とする指紋検知器。
- 請求項8において、前記シリコン半導体チップが前記基板の前記上部表面上に装着されていることを特徴とする指紋検知器。
- 請求項8において、更に、
前記有機半導体層がその上に装着されている前記基板の下側に配設されている第二基板、
前記第二基板上に装着されており且つそれら2つの基板を一体的に固定する環状支持体、
を有しており、前記環状支持体が前記シリコン半導体チップを包含する内部凹所を具備しており、前記シリコン半導体チップが前記有機半導体層の下側の前記第二基板上に装着されていることを特徴とする指紋検知器。 - センサー装置の製造方法において、
柔軟性のあるポリマー基板を用意し、
前記柔軟性のあるポリマー基板の上部表面上に剥離可能な膜を形成し、
前記剥離可能な膜の上に前記剥離可能な膜と反対側に露出された主表面を具備している有機半導体層を形成し、
前記有機半導体層の前記露出された主表面の上に導体からなるパターンを形成し、
その上部表面上にコンタクトを具備する永久基板を用意し、
前記有機半導体層上の導体からなるパターンの選択した導体が前記永久基板の上部表面上のコンタクトと接触するように配向された前記永久基板上の前記剥離可能な膜によって固定された前記柔軟性のあるポリマー基板を前記有機半導体層に装着し、
前記剥離可能な膜が接着された前記柔軟性のあるポリマー基板を前記有機半導体層から除去する、
ことを特徴とする方法。 - センサー装置において、
その上にコンタクトを具備する上部表面を具備している基板、
前記基板の前記上部表面上に装着されており且つそれと電気的に相互接続されている下部有機半導体層であって、その中に制御回路を画定するN型及びP型導電型の領域を包含している下部有機半導体層、
前記下部有機半導体層の上側に装着されており且つそれと電気的に相互接続されており、その中にセンサーセルからなるアレイを包含している上部有機半導体層、
を有していることを特徴とするセンサー装置。 - 請求項14において、前記上部有機半導体層が前記上部有機半導体層にわたってのP型の導電型物質により特性付けられることを特徴とするセンサー装置。
- 請求項14において、前記センサーセルからなるアレイは前記上部有機半導体層の検知表面と接触している人間の指の皮膚の存在を検知すべく適合されており、前記センサーセルは指紋の山と指紋の谷とを区別することが可能であることを特徴とするセンサー装置。
- 請求項14において、各センサーセルはそこにおいて接合電界効果トランジスタを与える構成とされており、前記トランジスタはソースコンタクトとドレインコンタクトとそれらの間のゲート電極とを具備しており、前記ゲート電極は、前記ゲート電極が電源電圧へ接続されることにより付勢される場合に、前記センサーセルを検知モードで動作させるべく前記ゲート電極と前記電源電圧との間に介在するスイッチをオンさせて選択的に付勢可能であり、各センサーセルは前記検知モードにおいてJFETチャンネルを有しており、その場合に、前記JFETチャンネルは各センサーセルの直上の前記上部有機半導体層の表面部分に近接した物体の存在又は不存在と共に変化する容量を有していることを特徴とするセンサー装置。
- センサー装置において、
その上にコンタクトを具備する上部表面を具備している基板、
前記基板の前記上部表面上に装着されており且つそれと電気的に相互接続されている下部有機半導体層であって、その中に制御回路を画定するN型及びP型導電型の領域を包含している下部有機半導体層、
前記下部有機半導体層の上側に装着されておりその中にセンサーセルを包含している上部有機半導体層、
前記上部有機半導体層の上に配設されており、露出された上部表面を具備しており、前記露出された上部表面と接触する特定の物質に対して選択的に反応性である化学物質を包含するポリマーを有している反応性界面層、
を有しており、前記反応性界面層内の化学物質と前記特定の物質との前記反応性界面層内における反応が前記上部有機半導体層内の前記センサーセルによって検知され、それにより前記センサー装置が前記特定の物質に対する露呈を検知することが可能であることを特徴とするセンサー装置。 - 請求項18において、前記化学物質が酵素であることを特徴とするセンサー装置。
- 請求項19において、前記酵素がグルコースオキシダーゼであり、且つ前記特定の物質がグルコースであることを特徴とするセンサー装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/254,311 US6852996B2 (en) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | Organic semiconductor sensor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004125791A JP2004125791A (ja) | 2004-04-22 |
JP4426806B2 true JP4426806B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=31993329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003334020A Expired - Lifetime JP4426806B2 (ja) | 2002-09-25 | 2003-09-25 | 有機半導体センサー装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6852996B2 (ja) |
EP (1) | EP1411552B1 (ja) |
JP (1) | JP4426806B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7105462B2 (en) * | 2003-07-22 | 2006-09-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lamination of organic semiconductor |
KR100564915B1 (ko) * | 2004-02-10 | 2006-03-30 | 한국과학기술원 | 정전용량방식 지문센서 및 이를 이용한 지문 센싱방법 |
EP1728072A1 (en) * | 2004-03-03 | 2006-12-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Detection of no with a semi-conducting compound and a sensor and device to detect no |
WO2005122233A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Yamanashi University | ショットキーゲート有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
AT413897B (de) * | 2004-09-08 | 2006-07-15 | Nanoident Technologies Ag | Vorrichtung zum erfassen eines fingerabdruckes |
AT413896B (de) * | 2004-09-08 | 2006-07-15 | Nanoident Technologies Ag | Vorrichtung zum erfassen eines fingerabdruckes |
US7710371B2 (en) * | 2004-12-16 | 2010-05-04 | Xerox Corporation | Variable volume between flexible structure and support surface |
US8059102B2 (en) * | 2006-06-13 | 2011-11-15 | N-Trig Ltd. | Fingertip touch recognition for a digitizer |
US9069417B2 (en) * | 2006-07-12 | 2015-06-30 | N-Trig Ltd. | Hover and touch detection for digitizer |
US8686964B2 (en) * | 2006-07-13 | 2014-04-01 | N-Trig Ltd. | User specific recognition of intended user interaction with a digitizer |
US20080121045A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-05-29 | Cole Matthew C | Multiplexed sensor array |
US8542211B2 (en) * | 2007-01-03 | 2013-09-24 | Apple Inc. | Projection scan multi-touch sensor array |
US8093689B2 (en) * | 2007-07-02 | 2012-01-10 | Infineon Technologies Ag | Attachment member for semiconductor sensor device |
US8536885B2 (en) * | 2008-09-11 | 2013-09-17 | Indian Institute Of Technology, Bombay | Method and device for determining ionizing radiation |
JP2010122015A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Fujitsu Ltd | センサユニット及び電子装置の製造方法 |
CN101509888B (zh) * | 2009-03-20 | 2012-06-13 | 华东师范大学 | 硅基可集成微型葡萄糖传感器的制作方法 |
EP2459961A4 (en) * | 2009-07-31 | 2012-12-26 | Hewlett Packard Development Co | BEAM DIRECTION SENSOR |
TWI407561B (zh) * | 2009-11-10 | 2013-09-01 | Univ Nat Chiao Tung | 一種壓力感測元件及其陣列 |
US9466382B2 (en) | 2012-11-14 | 2016-10-11 | Sandisk Technologies Llc | Compensation for sub-block erase |
US8830717B2 (en) | 2012-11-29 | 2014-09-09 | Sandisk Technologies Inc. | Optimized configurable NAND parameters |
US8988941B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-03-24 | SanDisk Tehcnologies Inc. | Select transistor tuning |
US9218890B2 (en) | 2013-06-03 | 2015-12-22 | Sandisk Technologies Inc. | Adaptive operation of three dimensional memory |
US9142324B2 (en) | 2013-09-03 | 2015-09-22 | Sandisk Technologies Inc. | Bad block reconfiguration in nonvolatile memory |
US9218886B2 (en) | 2013-12-10 | 2015-12-22 | SanDisk Technologies, Inc. | String dependent parameter setup |
CN103793691A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-05-14 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 指纹识别装置及具有其的移动终端 |
US9691473B2 (en) | 2015-09-22 | 2017-06-27 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive operation of 3D memory |
US9401216B1 (en) | 2015-09-22 | 2016-07-26 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive operation of 3D NAND memory |
GB2546995A (en) * | 2016-02-03 | 2017-08-09 | Cambridge Display Tech Ltd | A sensor for detection of a target species |
JP6801370B2 (ja) * | 2016-10-28 | 2020-12-16 | 富士通株式会社 | センサ装置 |
CN106897712B (zh) * | 2017-03-13 | 2020-01-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 指纹模组、显示屏和移动终端 |
CN109308433B (zh) * | 2017-07-27 | 2022-09-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体指纹传感器及其制作方法、电子装置 |
US10781519B2 (en) * | 2018-06-18 | 2020-09-22 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for processing substrate |
CN109374023B (zh) * | 2018-10-25 | 2021-11-02 | 北京机械设备研究所 | 一种柔性可拉伸式传感器的制备方法 |
CN110781804B (zh) * | 2019-10-23 | 2023-06-02 | 业泓科技(成都)有限公司 | 光学式影像辨识装置的制作方法 |
GB2602973B (en) * | 2021-01-20 | 2023-10-18 | Hyve Dynamics Holdings Ltd | A deformable sensing layer and methods |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3831432A (en) * | 1972-09-05 | 1974-08-27 | Texas Instruments Inc | Environment monitoring device and system |
US4222903A (en) * | 1978-05-04 | 1980-09-16 | University Patents, Inc. | P-Type electrically conducting doped polyacetylene film and method of preparing same |
US4353056A (en) * | 1980-06-05 | 1982-10-05 | Siemens Corporation | Capacitive fingerprint sensor |
US4444892A (en) * | 1980-10-20 | 1984-04-24 | Malmros Mark K | Analytical device having semiconductive organic polymeric element associated with analyte-binding substance |
GB2096825A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-20 | Sibbald Alastair | Chemical sensitive semiconductor field effect transducer |
JPS5812370A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Hitachi Ltd | 高分子半導体素子 |
US4550221A (en) * | 1983-10-07 | 1985-10-29 | Scott Mabusth | Touch sensitive control device |
US4717673A (en) * | 1984-11-23 | 1988-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Microelectrochemical devices |
JPS6283641A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | Sharp Corp | 電界効果型半導体センサ |
US4894339A (en) * | 1985-12-18 | 1990-01-16 | Seitaikinouriyou Kagakuhin Sinseizogijutsu Kenkyu Kumiai | Immobilized enzyme membrane for a semiconductor sensor |
JPS63131057A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Terumo Corp | 酵素センサ |
JP2609366B2 (ja) * | 1989-01-10 | 1997-05-14 | 三菱電機株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置 |
GB9116360D0 (en) | 1991-07-29 | 1991-09-11 | Neotronics Ltd | Device for sensing volatile materials |
US6278127B1 (en) * | 1994-12-09 | 2001-08-21 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor |
US5719033A (en) * | 1995-06-28 | 1998-02-17 | Motorola, Inc. | Thin film transistor bio/chemical sensor |
US5625199A (en) * | 1996-01-16 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors |
US5763943A (en) * | 1996-01-29 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Electronic modules with integral sensor arrays |
US6326640B1 (en) * | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
US6114862A (en) * | 1996-02-14 | 2000-09-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Capacitive distance sensor |
GB9615605D0 (en) * | 1996-07-25 | 1996-09-04 | British Nuclear Fuels Plc | Polymer radiation sensors |
GB9626217D0 (en) * | 1996-12-18 | 1997-02-05 | Aromascan Plc | Gas sensor |
US5981970A (en) * | 1997-03-25 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages |
KR100303934B1 (ko) * | 1997-03-25 | 2001-09-29 | 포만 제프리 엘 | 낮은작동전압을필요로하는유기반도체를갖는박막전장효과트랜지스터 |
US6252245B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-06-26 | Howard Edan Katz | Device comprising n-channel semiconductor material |
GB9922572D0 (en) * | 1999-09-24 | 1999-11-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Capacitive sensing array devices |
US6344664B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-02-05 | Tera Connect Inc. | Electro-optical transceiver system with controlled lateral leakage and method of making it |
GB2370410A (en) * | 2000-12-22 | 2002-06-26 | Seiko Epson Corp | Thin film transistor sensor |
US6661299B2 (en) | 2001-02-26 | 2003-12-09 | Lucent Technologies Inc. | Odor sensor with organic transistor circuitry |
US6575013B2 (en) * | 2001-02-26 | 2003-06-10 | Lucent Technologies Inc. | Electronic odor sensor |
JP4087125B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2008-05-21 | シャープ株式会社 | 凹凸パターン検出素子 |
US6672174B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-01-06 | Fidelica Microsystems, Inc. | Fingerprint image capture device with a passive sensor array |
DE10211900A1 (de) * | 2002-03-18 | 2003-10-16 | Infineon Technologies Ag | Biosensor zum Erfassen von makromolekularen Biopolymeren und Verfahren zur Herstellung eines Biosensors zum Erfassen von makromolekularen Biopolymeren |
-
2002
- 2002-09-25 US US10/254,311 patent/US6852996B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-23 EP EP03255931.2A patent/EP1411552B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-25 JP JP2003334020A patent/JP4426806B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-22 US US11/021,063 patent/US7141839B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-10-13 US US11/580,582 patent/US8569809B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1411552A2 (en) | 2004-04-21 |
US7141839B2 (en) | 2006-11-28 |
US20040056245A1 (en) | 2004-03-25 |
US20070029583A1 (en) | 2007-02-08 |
JP2004125791A (ja) | 2004-04-22 |
EP1411552B1 (en) | 2014-04-16 |
US6852996B2 (en) | 2005-02-08 |
EP1411552A3 (en) | 2008-07-02 |
US8569809B2 (en) | 2013-10-29 |
US20050110055A1 (en) | 2005-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4426806B2 (ja) | 有機半導体センサー装置 | |
JP4169395B2 (ja) | ソリッドステート指紋センサーパッケージング装置及び方法 | |
JP3969702B2 (ja) | センサ・セル、センサ、サンプルを同定する方法、化学センサ、指紋認識装置、バイオセンサの操作方法、及び指紋認識装置の操作方法 | |
US5132541A (en) | Sensor matrix | |
US6111280A (en) | Gas-sensing semiconductor devices | |
US6672174B2 (en) | Fingerprint image capture device with a passive sensor array | |
TW201225304A (en) | Chemically sensitive sensor with lightly doped drains | |
US6191593B1 (en) | Method for the non-invasive sensing of physical matter on the detection surface of a capacitive sensor | |
JP3003311B2 (ja) | 指紋センサ | |
US10566425B2 (en) | Apparatus comprising a sensor arrangement and associated fabrication methods | |
EP3214656B1 (en) | A quantum dot photodetector apparatus and associated methods | |
JPH0561966A (ja) | 指紋センサ | |
KR970067851A (ko) | 강자성체 비휘발성 메모리 셀 및 메모리 셀 형성 방법 | |
Al-Ahdal et al. | ISFET-based chemical switch | |
EP0042604B1 (en) | Selective access array integrated circuit | |
CN111279503A (zh) | 用于压力传感器的电子装置 | |
EP4191870A1 (en) | Sensor weak signal reading circuit | |
US20220299465A1 (en) | Manufacturing process for multi-pixel gas microsensors with multiple sensing capabilities | |
KR100479263B1 (ko) | 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 생체 분자 감지를 위한 형광 검출 소자 | |
JPH0268967A (ja) | 圧力センサ | |
CN115096965A (zh) | 薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片及其制备方法 | |
JP3181719B2 (ja) | ガスセンサ | |
JPS60154678A (ja) | 圧覚センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4426806 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |