JP4424469B2 - レジスト用化合物および感放射線性組成物 - Google Patents
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Description
(式中Aは、炭素数6〜12の芳香族炭化水素基、炭素数6〜10の脂環族炭化水素基、炭素数2〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数2〜6のアシル基、およびスルホニル基からなる群から選ばれる1種以上を含む、全炭素数20以下の特性基であり、式中R1は、水素原子、または、置換メチル基、1−置換エチル基、1−置換−n−プロピル基、1−分岐アルキル基、シリル基、1−置換アルコキシメチル基、環状酸解離性官能基、およびアルコキシカルボニル基からなる群から選択される酸解離性官能基であり、少なくとも1つは酸解離性官能基であり、式中R2が水素原子又は炭素数1〜5の非環状炭化水素基であり、lは、1〜2の整数であり、mは、1〜3の整数であり、nは、1〜3の整数である。)
(1)製造工程が簡素で、原料が安価
工業的に製造可能な低分子系の酸増幅型レジスト設計のために必要である。
(2)低分子量
ナノメーターサイズの高解像度を得るためには分子サイズを小さくすることが一つの方法論と考えられている(Appl.Phys.Lett.63(6)、764(1993))。
(3)酸解離性官能基を有すること
露光により触媒を発生させ、触媒反応によって高感度を達成する酸増幅型レジストがIBMより提唱され(Poly.Eng.Sci.,23,1012(1983))、KrFレジスト構造の主流となっている。
(4)高耐熱性
酸増幅型レジストは露光後、焼成(以下、PEBという。)を行い、酸解離基の脱離を進行させる。耐熱性が低いと塗膜が流動し、平滑性が失われるため、PEB温度を高くすることができずに、感度が上がらないという問題が生じる。逆に、耐熱性(ガラス転移温度)が高いとPEBの温度を高く設定できるために反応速度が促進でき、酸の発生量に関係する露光量を減少させることができる。そのため、レジスト感度は高めることが可能となる。さらに、感度が高まれば、露光量を少なくすることができ、各種放射線の散乱範囲が抑えられるため、解像度も向上することが期待出来る。
さらに、アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
これらの酸解離性官能基のうち、tert−ブトキシカルボニルメチル基、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基、tert−ブチル基、トリメチルシリル基、テトラヒドロピラニル基、1−シクロヘキシルメトキシメチル基、およびtert−ブトキシカルボニル基が好ましく、特にtert−ブトキシカルボニル基が好ましい。
(5)アモルファス性を有すること
アモルファス性を有することにより、レジスト材料は、成膜性に優れる特長を有する。
(6)酸の発生源を含むこと
本発明の化合物は酸増幅型化合物であり、酸が共存すると、酸解離性官能基が脱離し、フェノール性水酸基に変換される。フェノール性水酸基により自己触媒効果と相まって効果的に脱離が進行し、アルカリ可溶物となるため、アルカリ現像可能なポジ型レジストとして利用できる。
溶解促進剤の配合量は、使用される化合物の種類に応じて適宜調節されるが、上記式(1)で示される化合物の少なくとも2種以上100重量部当たり、30重量部以下が好ましく、より好ましくは10重量部以下である。
増感剤の配合量は、上記式(1)で示される化合物の少なくとも2種以上100重量部当たり、30重量部以下が好ましく、より好ましくは10重量部以下である。
<実施例1>
(1)レジスト用化合物の合成
p−アミノフェノール(関東化学(株)製)3.27g(30mmol)とm−アミノフェノール(関東化学(株)製)3.27g(30mmol)の混合物にジメチルアセトアミド(DMAc)10mlを加えた溶液にフェニルイソシアネート(PI)(関東化学(株)製)7.15g(60mmol)にDMAc10mlを加えた溶液を滴下ロートを用いてゆっくり滴下し、室温で1時間攪拌した。更にジ−tert−ブチルジカルボナート(ACROS社製) 14.4g(66mmol)、トリエチルアミン(関東化学(株)製) 7.2gをゆっくり滴下し、60℃で7時間攪拌した。反応液を多量の水に加え再沈殿を繰り返したところ、白色粉末が得られた。最後に減圧乾燥を行い、目的生成物(「tBOC−PI−p−AP」および「tBOC−PI−m−AP」の混合物)を収率95%で得た。構造はFT−IR、400MHz-1H−NMRにより確認した。
IR:(cm−1)
3355(N−H伸縮振動)、1709(C=O,カルボニル)
1H−NMR:(400MHz、CDCl3、内部標準TMS)
δ(ppm)7.0〜8.1(Ph−H)、3.5(−C(CH3)3)、2.1〜2.4(Ph−CH3)
(2)レジストパターンの形成
実施例1で合成した生成物0.5g、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸ナトリウム(東京化成工業(株)製)0.025g、乳酸エチル(関東化学(株)製)およびPGMEA(東京化成工業(株)製)の混合液(重量比10:4)4.5gの均一溶液としたのち、孔径0.2μmのテフロン製メンブランフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製した。得られたレジスト溶液を清浄なシリコンウェハ上に回転塗布した後、110℃で焼成して、レジスト被膜を形成し、該レジスト被膜に、紫外線露光装置(ミカサ製マスクアライナMA−10)を用いて波長365nmのi線、100mJ/cm2で露光した。露光後、135℃で10分間PEBを行った後、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、静置法により、23℃で60秒間現像を行った。その後、水で30秒間洗浄し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。その結果、5μmラインアンドスペースのパターンが得られた。
Claims (3)
- 式(1)で示される化合物の2種以上、および酸発生剤を含む感放射線性組成物。
(a)置換メチル基:
メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、4−ブロモフェナシル基、4−メトキシフェナシル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、i−プロポキシカルボニルメチル基、n−ブトキシカルボニルメチル基およびtert−ブトキシカルボニルメチル基から選択される基、
(b)1−置換エチル基:
1−メトキシエチル基、1−メチルチオエチル基、1,1−ジメトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−エチルチオエチル基、1,1−ジエトキシエチル基、1−フェノキシエチル基、1−フェニルチオエチル基、1,1−ジフェノキシエチル基、1−シクロペンチルオキシエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基、1−フェニルエチル基および1,1−ジフェニルエチル基から選択される基、
(c)1−置換−n−プロピル基:
1-メトキシ−n−プロピル基および1−エトキシ−n−プロピル基から選択される基、
(d)1−分岐アルキル基:
i−プロピル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、1,1−ジメチルプロピル基、1−メチルブチル基および1,1−ジメチルブチル基から選択される基、
(e)シリル基:
トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、tert−ブチルジエチルシリル基、tert−ブチルジフェニルシリル基、トリ−tert−ブチルシリル基およびトリフェニルシリル基から選択される基、
(f)1−置換アルコキシメチル基:
1−シクロペンチルメトキシメチル基、1−シクロペンチルエトキシメチル基、1−シクロヘキシルメトキシメチル基、1−シクロヘキシルエトキシメチル基、1−シクロオクチルメトキシメチル基および1−アダマンチルメトキシメチル基から選択される基、
(g)環状酸解離性官能基:
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、4−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、4−メトキシテトラヒドロピラニル基および4−メトキシテトラヒドロチオピラニル基から選択される基、
(h)アルコキシカルボニル基:
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基およびブトキシカルボニル基から選択される基。) - 式中、Aが、フェニル基、シクロヘキシル基、およびアダマンチル基から選ばれる1種であり、R2が、水素原子、メチル基、およびエチル基から選ばれる1種である請求項1記載の感放射線性組成物。
- 式(1)で示される化合物の分子量が100〜650である請求項1〜2記載の感放射線性組成物。
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