JP4424177B2 - 圧電磁器および圧電素子 - Google Patents

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Description

本発明は、アクチュエータ,圧電トランスおよび超音波モータなどに適した圧電磁器および圧電素子に関する。
従来より、圧電効果によって発生する変位を機械的な駆動源として利用したものの一つにアクチュエータがある。特に、圧電層と内部電極とを積層した積層型アクチュエータは、電磁式のアクチュエータに比べて消費電力および発熱量が少なく、応答性も良好であると共に、小型化軽量化が可能であるので、近年では繊維編機の選針制御などの様々な分野に利用されている。
これらのアクチュエータに用いられる圧電磁器には、圧電特性、特に圧電歪定数が大きいことが要求される。大きな圧電歪定数が得られる圧電磁器としては、例えば、チタン酸鉛(PbTiO3 ;PT)とジルコン酸鉛(PbZrO3 ;PZ)と亜鉛・ニオブ酸鉛(Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 )との三元系(特許文献1および特許文献2参照)、あるいは、その鉛(Pb)の一部をストロンチウム(Sr),バリウム(Ba)あるいはカルシウム(Ca)などで置換したもの(特許文献3,特許文献4および特許文献5参照)などが知られている。
また、積層型アクチュエータとしては、これらの圧電磁器よりなる圧電層と、銀−パラジウム合金(Ag−Pd合金)よりなる内部電極とを積層したものが知られている。更に、近年では、内部電極により低価格な銅(Cu)を用いることも検討されている。
特公昭44−17344号公報 特開2001−181035号公報 特公昭45−39977号公報 特開昭61−129888号公報 特開2001−181036号公報
しかしながら、内部電極に銅を用いるには低酸素還元雰囲気での焼成が必要となる。ところが、従来の圧電磁器をそのまま低酸素還元雰囲気で焼成すると、電気抵抗が低下してしまうという問題があった。特に、電気抵抗の低下は高温において著しく、改善が求められていた。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電気抵抗を改善することができる圧電磁器および圧電素子を提供することにある。
本発明による圧電磁器は、化1または化2で表される組成物を主成分として含有し、第1副成分として、ユウロピウム(Eu),マグネシウム(Mg),ハフニウム(Hf),およびイットリウム(Y)からなる群のうちの少なくとも1種を含み、第2副成分として、タンタル(Ta),アンチモン(Sb),ニオブ(Nb)およびタングステン(W)からなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Ta 2 5 ,Sb 2 3 ,Nb 2 5 ,WO 3 )に換算して、主成分に対してそれぞれ1.0質量%以下の範囲内で含有するものである。
(化1)
Pb a [(Zn 1/3 Nb 2/3 x Ti y Zr z ]O 3
(化1において、a,x,y,zは、0.96≦a≦1.03、x+y+z=1、0.05≦x≦0.15、0.25≦y≦0.5、0.35≦z≦0.6をそれぞれ満たす範囲内の値である。)
(化2)
(Pb a-b Me b )[(Zn 1/3 Nb 2/3 x Ti y Zr z ]O 3
(化2において、a,b,x,y,zは、0.96≦a≦1.03、0<b≦0.1、x+y+z=1、0.05≦x≦0.15、0.25≦y≦0.5、0.35≦z≦0.6をそれぞれ満たす範囲内の値である。Meは、ストロンチウム(Sr),カルシウム(Ca)およびバリウム(Ba)からなる群のうちの少なくとも1種を表す。)
なお、主成分に対する第1副成分の含有量は、酸化物(Eu2 3 ,MgO,HfO2 ,Y2 3 に換算して、それぞれ1質量%以下の範囲内であることが好ましい。
本発明による圧電素子は、本発明の圧電磁器を用いたものである。
本発明の圧電磁器によれば、第1副成分として、ユウロピウム,マグネシウム,ハフニウムおよびイットリウムからなる群のうちの少なくとも1種を含むようにしたので、低酸素還元雰囲気で焼成しても高い電気抵抗を得ることができ、特に高温における電気抵抗を向上させることができる。よって、本発明の圧電素子によれば、低酸素還元雰囲気で焼成することができるので、内部電極に銅などを用いても、優れた特性を得ることができ、高温においても使用することができる。
特に、主成分として、化1または化2で表される組成物を含有するようにしたので、圧電特性をより向上させることができる。
また、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を所定量含有するようにしたので、圧電特性および機械的強度を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の一実施の形態に係る圧電磁器は、鉛とチタンとジルコニウムと酸素とを含む組成物を主成分として含有している。この組成物としては、例えば化3で表されるものが挙げられる。
(化3)
Pba (Tiy Zrz )O3
(化3において、a,y,zは、0.96≦a≦1.03、y+z=1、0.1≦y≦0.8、0.2≦z≦0.9をそれぞれ満たす範囲内の値である。酸素の組成は化学量論的に求めたものであり、化学量論組成からずれていてもよい。)
この組成物はペロブスカイト構造を有しており、鉛はいわゆるペロブスカイト構造のAサイトに位置し、チタンおよびジルコニウムはいわゆるペロブスカイト構造のBサイトに位置している。
また、主成分の組成物としては、鉛の一部が他の元素で置換されていてもよく、チタンまたはジルコニウムの一部が他の元素で置換されていてもよい。このような組成物としては、例えば、化4または化5で表されるものが挙げられる。
(化4)
Pba [(Zn1/3 Nb2/3 x Tiy Zrz ]O3
(化4において、a,x,y,zは、0.96≦a≦1.03、x+y+z=1、0.05≦x≦0.15、0.25≦y≦0.5、0.35≦z≦0.6をそれぞれ満たす範囲内の値である。酸素の組成は化学量論的に求めたものであり、化学量論組成からずれていてもよい。)
(化5)
(Pba-b Meb )[(Zn1/3 Nb2/3 x Tiy Zrz ]O3
(化5において、a,b,x,y,zは、0.96≦a≦1.03、0<b≦0.1、x+y+z=1、0.05≦x≦0.15、0.25≦y≦0.5、0.35≦z≦0.6をそれぞれ満たす範囲内の値である。Meは、ストロンチウム,カルシウムおよびバリウムからなる群のうちの少なくとも1種を表す。酸素の組成は化学量論的に求めたものであり、化学量論組成からずれていてもよい。)
化3および化4における鉛の組成a、並びに化5における鉛とストロンチウム,バリウムおよびカルシウムからなる群のうちの少なくとも1種との組成aは、いわゆるBサイトに位置する元素の組成を1とした場合におけるいわゆるAサイトに位置する元素の組成比である。aを0.96以上1.03以下とするのは、この範囲内において高い圧電特性を得ることができると共に、電気抵抗を高くすることができるからである。
化3,化4および化5におけるチタンの組成yを0.25以上0.5以下、ジルコニウムの組成zを0.35以上0.6以下とするのは、この範囲内においてモルフォトロピック相境界(MPB)付近の構造を得ることができ、高い圧電特性を得ることができるからである。
また、化4および化5における亜鉛およびニオブ(Zn1/3 Nb2/3 )は圧電特性をより向上させるためのものである。その組成xを0.05以上とするのは、0.05未満では十分に圧電特性を向上させることができないからである。また、組成xを0.15以下とするのは、組成xをあまり大きくすると高価な酸化ニオブを多量に用いなければならず、製造コストが高くなってしまうからである。
更に、化5におけるストロンチウム,バリウムおよびカルシウムからなる群のうちの少なくとも1種(Me)は、圧電特性より向上させるためのものである。その組成bを0.1以下とするのは、組成bをあまり大きくすると焼結性が低下してしまい、それにより圧電特性も低下してしまうからである。
この圧電磁器は、また、第1副成分として、ユウロピウム,マグネシウム,ハフニウム,イットリウムおよびアルミニウムからなる群のうちの少なくとも1種を含んでいる。この第1副成分は、電気抵抗を向上させるためのものであり、特に低酸素還元雰囲気中において焼成した場合に高温における電気抵抗が低下してしまうことを抑制する効果を有するものである。第1副成分の含有量は、主成分に対して、酸化物(Eu2 3 ,MgO,HfO2 ,Y2 3 ,Al2 3 )に換算して、それぞれ1質量%以下の範囲内であることが好ましい。第1副成分の含有量が多くなりすぎると、電気抵抗および圧電特性が低下してしまうからである。
より好ましい範囲は、ユウロピウムであれば酸化物(Eu2 3 )に換算して、0.01質量%以上1.0質量%以下、更には0.05質量%以上0.5質量%以下、更には0.1質量%以上0.5質量%以下である。マグネシウムであれば酸化物(MgO)に換算して、0.005質量%以上1.0質量%以下、更には0.005質量%以上0.05質量%以下、更には0.02質量%以上0.05質量%以下である。ハフニウムであれば酸化物(HfO2 )に換算して、0.01質量%以上1.0質量%以下、更には0.05質量%以上0.5質量%以下、更には0.1質量%以上0.5質量%以下である。イットリウムであれば酸化物(Y2 3 )に換算して、0.01質量%以上1.0質量%以下、更には0.05質量%以上0.5質量%以下、更には0.1質量%以上0.5質量%以下である。アルミニウムであれば酸化物(Al2 3 )に換算して、0.05質量%以上0.5質量%以下、更には0.1質量%以上0.5質量%以下である。
なお、第1副成分は、主成分の組成物に固溶していてもよく、また、主成分の粒界に酸化物なとどして存在していてもよい。
この圧電磁器は、更に、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を含有していることが好ましい。圧電特性および機械的強度を向上させることができるからである。第2副成分の含有量は、主成分に対して、酸化物(Ta2 5 ,Sb2 3 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して、それぞれ1.0質量%以下の範囲内であることが好ましい。1.0質量%を超えると焼結性が低下してしまい、圧電特性が低下してしまうからである。なお、第2副成分は、例えば主成分の組成物に固溶しており、チタンおよびジルコニウムが存在し得るいわゆるBサイトに位置している。
このような構成を有する圧電磁器は、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、主成分の原料として、例えば、酸化鉛(PbO)粉末,酸化チタン(TiO2 )粉末および酸化ジルコニウム(ZrO2 )粉末を用意すると共に、必要に応じて、酸化亜鉛(ZnO)粉末,酸化ニオブ(Nb2 5 )粉末,炭酸ストロンチウム(SrCO3 )粉末,炭酸バリウム(BaCO3 )粉末または炭酸カルシウム(CaCO3 )粉末を用意する。
また、第1副成分の原料として、例えば、酸化ユウロピウム(Eu2 3 )粉末,炭酸マグネシウム(MgCO3 )粉末,酸化ハフニウム(HfO2 )粉末,酸化イットリウム(Y2 3 )粉末または酸化アルミニウム(Al2 3 )粉末を用意する。更に必要に応じて、第2副成分の原料として、例えば、酸化タンタル(Ta2 5 )粉末,酸化アンチモン(Sb2 3 )粉末,酸化ニオブ粉末または酸化タングステン(WO3 )粉末を用意する。なお、これら主成分,第1副成分および第2副成分の原料には、酸化物でなく、炭酸塩,シュウ酸塩あるいは水酸化物のように焼成により酸化物となるものを用いてもよく、また、炭酸塩でなく、酸化物あるいは焼成により酸化物となる他のものを用いてもよい。
次いで、これら原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が上述した範囲となるように秤量し、主成分の原料と第1副成分の原料と必要に応じて第2副成分の原料とをボールミルなどにより有機溶媒中または水中で十分に混合して乾燥し、700℃〜950℃で1時間〜4時間仮焼する。続いて、例えば、この仮焼物をボールミルなどにより有機溶媒中または水中で十分に粉砕し乾燥させたのち、ポリビニールアルコールなどのバインダーを加えて造粒して、一軸プレス成形機あるいは静水圧成形機(CIP)などを用いプレス成形する。
成形したのち、例えば、この成形体を大気雰囲気中または低酸素還元雰囲気中において好ましくは900℃〜1200℃で1時間〜8時間焼成する。なお、焼成雰囲気は、大気よりも酸素分圧を高くするようにしてもよく、純酸素中としてもよいが、本実施の形態では第1副成分を添加しているので、酸素分圧が低い低酸素還元雰囲気中において焼成しても、高い電気抵抗を得ることができる。焼成したのち、得られた焼結体を必要に応じて研磨し、分極用電極を設け、加熱したシリコーンオイル中で電界を印加して分極処理を行う。そののち、分極用電極を除去することにより、上述した圧電磁器が得られる。
このような圧電磁器は、例えば、アクチュエータ、圧電トランスおよび超音波モータなどの圧電素子の材料として好ましく用いられる。
図1は本実施の形態に係る圧電磁器を用いた圧電素子の一構成例を表すものである。この圧電素子は、例えば、本実施の形態の圧電磁器よりなる複数の圧電層11の間に複数の内部電極12が挿入された積層体10を備えている。圧電層11の一層当たりの厚さは例えば1μm〜100μm程度であり、内部電極12に挟まれた圧電層11よりも両端の圧電層11の厚みの方が厚く形成される場合もある。
内部電極12は、導電材料を含有している。導電材料としては、例えば、銀(Ag),金(Au),白金(Pt)あるいはパラジウム(Pd)などの貴金属、またはその合金を用いることもできるが、銅、またはその合金を用いることが好ましい。本実施の形態では、圧電層11を低酸素還元雰囲気中において焼成しても優れた特性を得ることができるからである。内部電極12は、また、これら導電材料の他にリン(P)などの各種微量成分を0.1質量%程度以下含有していても良い。
この内部電極12は例えば交互に逆方向に延長されており、その延長方向には内部電極12と電気的に接続された一対の端子電極21,22がそれぞれ設けられている。端子電極21,22は、例えば、金などの金属をスパッタリングすることにより形成されてもよく、端子電極用ペーストを焼き付けることにより形成されてもよい。端子電極用ペーストは、例えば、導電材料と、ガラスフリットと、ビヒクルとを含有し、導電材料としては、例えば、銀,金,銅,ニッケル,パラジウムおよび白金からなる群のうちの少なくとも1種を含むものが好ましい。ビヒクルには有機ビヒクルあるいは水系ビヒクルなどがあり、有機ビヒクルはバインダを有機溶媒に溶解させたもの、水系ビヒクルは水に水溶性バインダおよび分散剤などを溶解させたものである。端子電極21,22の厚さは用途等に応じて適宜決定されるが、通常10μm〜50μm程度である。
この圧電素子は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、上述した圧電磁器の製造方法と同様にして仮焼成粉を形成し、これにビヒクルを加えて混練して圧電層用ペーストを作製する。次いで、内部電極12を形成するための上述した導電材料または焼成後に上述した導電材料となる各種酸化物,有機金属化合物あるいはレジネートなどをビヒクルと混練し、内部電極用ペーストを作製する。なお、内部電極用ペーストには、必要に応じて分散剤、可塑剤、誘電体材料、絶縁体材料などの添加物を添加してもよい。
続いて、これら圧電層用ペーストと内部電極用ペーストとを用い、例えば、印刷法あるいはシート法により、積層体10の前駆体であるグリーンチップを作製する。そののち、脱バインダ処理を行い、焼成して積層体10を形成する。その際、内部電極12の導電材料として銅などを用いる場合には、焼成雰囲気を低酸素還元雰囲気とすることが好ましい。
積層体10を形成したのち、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、金などの金属をスパッタリングすることにより、あるいは、内部電極用ペーストと同様にして作製した端子電極用ペーストを印刷または転写して焼き付けることにより端子電極21,22を形成する。これにより、図1に示した圧電素子が得られる。
このように本実施の形態によれば、第1副成分として、ユウロピウム,マグネシウム,ハフニウム,イットリウムおよびアルミニウムからなる群のうちの少なくとも1種を含むようにしたので、低酸素還元雰囲気で焼成しても高い電気抵抗を得ることができ、特に高温における電気抵抗を向上させることができる。よって、内部電極12に銅などを用いても、優れた特性を得ることができ、高温においても使用することができる。
特に、主成分として、化4または化5で表される組成物を含有するようにすれば、圧電特性をより向上させることができる。
また、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を所定量含有するようにすれば、圧電特性および機械的強度を向上させることができる。
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
(実施例1−1〜1−6)
化6に示した組成物を主成分とし、第1副成分としてユウロピウムを含む圧電磁器を作製した。まず、主成分の原料として酸化鉛粉末,炭酸ストロンチウム粉末,酸化チタン粉末,酸化ジルコニウム粉末,酸化亜鉛粉末および酸化ニオブ粉末を用意し、化6に示した組成となるように秤量した。また、第1副成分の原料として酸化ユウロピウム粉末を用意し、酸化物(Eu2 3 )に換算した主成分に対する割合を実施例1−1〜1−6で表1に示したように変化させて秤量した。更に、第2副成分の原料として酸化タンタル粉末を用意し、酸化物(Ta2 5 )に換算した主成分に対する割合が0.2質量%となるように秤量した。
次いで、これら原料をボールミルを用いて16時間湿式混合したのち、大気中において700℃〜900℃で2時間仮焼した。続いて、この仮焼物をボールミルを用いて16時間湿式粉砕して乾燥させたのち、バインダーとしてアクリル系樹脂を加えて造粒し、一軸プレス成型機を用いて約450MPaの圧力で直径17mm、厚み1mmの円板状に成形した。成形したのち、熱処理を行ってバインダーを揮発させ、次いで、低酸素還元雰囲気中において950℃で2時間〜8時間焼成した。そののち、得られた焼結体をスライス加工およびラップ加工により厚み0.6mmの円板状とし、両面に銀ペーストを印刷して350℃で焼き付け、120℃のシリコーンオイル中で3kV/mmの電界を15分間印加して分極処理を行った。これにより、実施例1−1〜1−6の圧電磁器を得た。
また、本実施例に対する比較例1−1として、酸化ユウロピウムを添加しないことを除き、実施例1−1〜1−6と同様にして圧電磁器を作製した。
作製した実施例1−1〜1−6および比較例1−1の圧電磁器について、24時間放置したのち、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。電気機械結合係数krの測定にはインピーダンスアナライザー(ヒューレット・パッカード社製HP4194A)を用いた。それらの結果を表1に示す。なお、電気抵抗は比較例1−1に対する相対値で表している。
(化6)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
表1に示したように、実施例1−1〜1−6によれば、ユウロピウムを含まない比較例1−1よりも電気抵抗IRを向上させることができた。また、ユウロピウムの含有量を増加させると、電気抵抗IRおよび電機機械結合係数krは向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られた。
すなわち、ユウロピウムを添加すれば特に高温における電気抵抗を向上させることができ、その含有量を、主成分に対して酸化物(Eu2 3 )に換算して1.0質量%以下の範囲内、更には0.01質量%以上1.0質量%以下の範囲内、更には0.05質量%以上0.5質量%以下の範囲内、更には0.1質量%以上0.5質量%以下の範囲内とするようにすれば、電気抵抗IRをより向上させることができ、電機機械結合係数krについても高い値を得られることが分かった。
(実施例1−7〜1−9)
化7に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例1−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例1−7〜1−9で、主成分の組成aを表2に示したように変化させた。実施例1−7〜1−9の圧電磁器についても、実施例1−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を表2に示す。なお、電気抵抗は表1に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
(化7)
(Pba-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
表2に示したように、主成分の組成aを大きくすると、電気抵抗IRおよび電機機械結合係数krは共に向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られた。すなわち、組成aは0.96以上1.03以下の範囲内とすることが好ましいことが分かった。
(実施例1−10〜1−15)
実施例1−10〜1−13では化8に示した組成物を主成分とし、実施例1−14,1−15では化9に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例1−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例1−10〜1−13では主成分の組成bを表3に示したように変化させ、実施例1−14,1−15では主成分の組成Meを表4に示したように変化させた。なお、カルシウムの原料には炭酸カルシウム粉末を用い、バリウムの原料には炭酸バリウム粉末を用いた。実施例1−10〜1−15の圧電磁器についても、実施例1−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を表3,4に示す。なお、電気抵抗は表1に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
(化8)
(Pb0.995-b Srb )[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化9)
(Pb0.995-0.03Me0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
表3に示したように、主成分の組成bを大きくすると、電機機械結合係数krは向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られた。すなわち、鉛の一部をストロンチウムで置換してもよく、その組成bは0.1以下の範囲内とすることが好ましいことが分かった。また、表4に示したように、鉛の一部をカルシウムまたはバリウムで置換するようにしても優れた特性が得られることが分かった。
(実施例1−16〜1−21)
化10に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例1−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例1−16〜1−21で主成分の組成x,y,zを表5に示したように変化させた。実施例1−16〜1−21の圧電磁器についても、実施例1−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を表5に示す。なお、電気抵抗は表1に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
(化10)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 x Tiy Zrz ]O3
Figure 0004424177
表5に示したように、(Zn1/3 Nb2/3 )を加えると電機機械結合係数krは大幅に向上した。すなわち、チタンまたはジルコニウムの一部を(Zn1/3 Nb2/3 )で置換するようにすれば、圧電特性を向上させることができることが分かった。
(実施例1−22〜1−31)
実施例1−22〜1−26では第2副成分であるタンタルの含有量を変化させ、実施例1−27〜1−31では第2副成分の種類および含有量を変化させたことを除き、実施例1−3と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化6に示した組成物を主成分とし、第1副成分としてユウロピウムを酸化物(Eu2 3 )に換算した主成分に対する割合で0.1質量%添加した。その際、実施例1−22〜1−26では主成分に対するタンタルの含有量を酸化物(T2 5 )に換算して表6に示したように変化させ、実施例1−27〜1−31では第2副成分の種類および主成分に対する含有量を酸化物(Sb2 5 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して表7に示したように変化させた。なお、アンチモンの原料には酸化アンチモン粉末を用い、ニオブの原料には酸化ニオブ粉末を用い、タングステンの原料には酸化タングステン粉末を用いた。表7では第2副成分の種類を酸化物で表示している。
実施例1−22〜1−31の圧電磁器についても、実施例1−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。また、実施例1−22〜1−31および実施例1−3の圧電磁器について、電極を印刷する前の焼結体から2mm×4mm×0.6mmの角板を切り出し、3点曲げ測定法により抗折強度を測定した。測定条件は、支点間距離を2.0mm、荷重速度を0.5mm/minとした。それらの結果を表6,7に示す。なお、電気抵抗は表1に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
Figure 0004424177
Figure 0004424177
表6に示したように、第2副成分の含有量を増加させると、電機機械結合係数krおよび抗折強度が向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られた。また、表7に示したように、第2副成分として、アンチモン,ニオブまたはタングステンを添加するようにしても、電機機械結合係数krおよび抗折強度を向上させることができることが分かった。
すなわち、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Ta2 5 ,Sb2 3 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して、それぞれ1.0質量%以下の範囲内で含有するようにすれば、圧電特性および機械的強度を向上させることができることが分かった。
(実施例2−1〜2−5)
第1副成分としてユウロピウムに代えてマグネシウムを添加したことを除き、他は実施例1−1〜1−6と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化11に示した組成物を主成分とし、第2副成分としてタンタルを酸化物(Ta2 5 )に換算した主成分に対する割合で0.2質量%添加した。なお、マグネシウムの原料には炭酸マグネシウム粉末を用い、マグネシウムの酸化物(MgO)に換算した主成分に対する割合は実施例2−1〜2−5で表8に示したように変化させた。
実施例2−1〜2−5の圧電磁器についても、実施例1−1〜1−6と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を比較例1−1の結果と共に表8に示す。なお、電気抵抗は比較例1−1に対する相対値で表している。
(化11)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
表8に示したように、実施例2−1〜2−5によれば、マグネシウムを含まない比較例1−1よりも電気抵抗IRを向上させることができた。また、マグネシウムの含有量を増加させると、電気抵抗IRは向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られ、電機機械結合係数krは低下する傾向が見られた。
すなわち、マグネシウムを添加するようにしても高温における電気抵抗を向上させることができ、その含有量を、主成分に対して酸化物(MgO)に換算して1.0質量%以下の範囲内、更には0.005質量%以上1.0質量%以下の範囲内、更には0.005質量%以上0.05質量%以下の範囲内、更には0.02質量%以上0.05質量%以下の範囲内とするようにすれば、電気抵抗IRをより向上させることができ、電機機械結合係数krについても高い値を得られることが分かった。
(実施例2−6〜2−21)
実施例2−6〜2−8として、化12に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例2−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例2−6〜2−8で、主成分の組成aを表9に示したように変化させた。
また、実施例2−9〜2−12として、化13に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例2−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例2−9〜2−12で、主成分の組成bを表10に示したように変化させた。
更に、実施例2−13,2−14として、化14に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例2−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例2−13,2−14で、主成分の組成Meを表11に示したように変化させた。
加えて、実施例2−15〜2−21として、化15に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例2−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例2−15〜2−21で主成分の組成x,y,zを表12に示したように変化させた。
実施例2−6〜2−21の圧電磁器についても、実施例2−2と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を表9〜12に示す。なお、電気抵抗は表8に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
(化12)
(Pba-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化13)
(Pb0.995-b Srb )[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化14)
(Pb0.995-0.03Me0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化15)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 x Tiy Zrz ]O3
Figure 0004424177
表9〜12に示したように、副成分としてマグネシウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、組成aは0.96以上1.03以下の範囲内が好ましく、また、鉛の一部をストロンチウム,カルシウムまたはバリウムで置換するようにしてもよく、その組成bは0.1以下の範囲内が好ましいことが分かった。更に、チタンまたはジルコニウムの一部を(Zn1/3 Nb2/3 )で置換するようにすれば、圧電特性を向上させることができることが分かった。
(実施例2−22〜2−31)
実施例2−22〜2−26では第2副成分であるタンタルの含有量を変化させ、実施例2−27〜2−31では第2副成分の種類および含有量を変化させたことを除き、実施例2−2と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化11に示した組成物を主成分とし、第1副成分としてマグネシウムを酸化物(MgO)に換算した主成分に対する割合で0.024質量%添加した。その際、実施例2−22〜2−26では主成分に対するタンタルの含有量を酸化物(T2 5 )に換算して表13に示したように変化させ、実施例2−27〜2−31では第2副成分の種類および主成分に対する含有量を酸化物(Sb2 5 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して表14に示したように変化させた。なお、表14では第2副成分の種類を酸化物で表示している。
実施例2−22〜2−31の圧電磁器についても、実施例2−2と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。また、実施例2−22〜2−31および実施例2−2の圧電磁器について、実施例1−22〜1−31と同様にして抗折強度を測定した。それらの結果を表13,14に示す。なお、電気抵抗は表8に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
Figure 0004424177
Figure 0004424177
表13,14に示したように、副成分としてマグネシウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Ta2 5 ,Sb2 3 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して、それぞれ1.0質量%以下の範囲内で含有するようにすれば、圧電特性および機械的強度を向上させることができることが分かった。
(実施例3−1〜3−6)
第1副成分としてユウロピウムに代えてハフニウムを添加したことを除き、他は実施例1−1〜1−6と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化16に示した組成物を主成分とし、第2副成分としてタンタルを酸化物(Ta2 5 )に換算した主成分に対する割合で0.2質量%添加した。なお、ハフニウムの原料には酸化ハフニウム粉末を用い、ハフニウムの酸化物(HfO2 )に換算した主成分に対する割合は実施例3−1〜3−6で表15に示したように変化させた。
実施例3−1〜3−6の圧電磁器についても、実施例1−1〜1−6と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を比較例1−1の結果と共に表15に示す。なお、電気抵抗は比較例1−1に対する相対値で表している。
(化16)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
表15に示したように、実施例3−1〜3−6によれば、ハフニウムを含まない比較例1−1よりも電気抵抗IRを向上させることができた。また、ハフニウムの含有量を増加させると、電気抵抗IRおよび電機機械結合係数krは向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られた。
すなわち、ハフニウムを添加するようにしても高温における電気抵抗を向上させることができ、その含有量を、主成分に対して酸化物(HfO2 )に換算して1.0質量%以下の範囲内、更には0.01質量%以上1.0質量%以下の範囲内、更には0.05質量%以上0.5質量%以下の範囲内、更には0.1質量%以上0.5質量%以下の範囲内とするようにすれば、電気抵抗IRをより向上させることができ、電機機械結合係数krについても高い値を得られることが分かった。
(実施例3−7〜3−22)
実施例3−7〜3−9として、化17に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例3−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例3−7〜3−9で、主成分の組成aを表16に示したように変化させた。
また、実施例3−10〜3−13として、化18に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例3−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例3−10〜3−13で、主成分の組成bを表17に示したように変化させた。
更に、実施例3−14,3−15として、化19に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例3−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例3−14,3−15で、主成分の組成Meを表18に示したように変化させた。
加えて、実施例3−16〜3−22として、化20に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例3−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例3−16〜3−22で主成分の組成x,y,zを表19に示したように変化させた。
実施例3−7〜3−22の圧電磁器についても、実施例3−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を表16〜19に示す。なお、電気抵抗は表15に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
(化17)
(Pba-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化18)
(Pb0.995-b Srb )[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化19)
(Pb0.995-0.03Me0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化20)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 x Tiy Zrz ]O3
Figure 0004424177
表16〜19に示したように、副成分としてハフニウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、組成aは0.96以上1.03以下の範囲内が好ましく、また、鉛の一部をストロンチウム,カルシウムまたはバリウムで置換するようにしてもよく、その組成bは0.1以下の範囲内が好ましいことが分かった。更に、チタンまたはジルコニウムの一部を(Zn1/3 Nb2/3 )で置換するようにすれば、圧電特性を向上させることができることが分かった。
(実施例3−23〜3−32)
実施例3−23〜3−27では第2副成分であるタンタルの含有量を変化させ、実施例3−28〜3−32では第2副成分の種類および含有量を変化させたことを除き、実施例3−3と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化16に示した組成物を主成分とし、第1副成分としてハフニウムを酸化物(HfO2 )に換算した主成分に対する割合で0.1質量%添加した。その際、実施例3−23〜3−27では主成分に対するタンタルの含有量を酸化物(T2 5 )に換算して表20に示したように変化させ、実施例3−28〜3−32では第2副成分の種類および主成分に対する含有量を酸化物(Sb2 5 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して表21に示したように変化させた。なお、表21では第2副成分の種類を酸化物で表示している。
実施例3−23〜3−32の圧電磁器についても、実施例3−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。また、実施例3−23〜3−32および実施例3−3の圧電磁器について、実施例1−22〜1−31と同様にして抗折強度を測定した。それらの結果を表20,21に示す。なお、電気抵抗は表15に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
Figure 0004424177
Figure 0004424177
表20,21に示したように、副成分としてハフニウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Ta2 5 ,Sb2 3 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して、それぞれ1.0質量%以下の範囲内で含有するようにすれば、圧電特性および機械的強度を向上させることができることが分かった。
(実施例4−1〜4−6)
第1副成分としてユウロピウムに代えてイットリウムを添加したことを除き、他は実施例1−1〜1−6と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化21に示した組成物を主成分とし、第2副成分としてタンタルを酸化物(Ta2 5 )に換算した主成分に対する割合で0.2質量%添加した。なお、イットリウムの原料には酸化イットリウム粉末を用い、イットリウムの酸化物(Y2 3 )に換算した主成分に対する割合は実施例4−1〜4−6で表22に示したように変化させた。
実施例4−1〜4−6の圧電磁器についても、実施例1−1〜1−6と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を比較例1−1の結果と共に表22に示す。なお、電気抵抗は比較例1−1に対する相対値で表している。
(化21)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
表22に示したように、実施例4−1〜4−6によれば、イットリウムを含まない比較例1−1よりも電気抵抗IRを向上させることができた。また、イットリウムの含有量を増加させると、電気抵抗IRは向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られ、電機機械結合係数krは低下する傾向が見られた。
すなわち、イットリウムを添加するようにしても高温における電気抵抗を向上させることができ、その含有量を、主成分に対して酸化物(Y2 3 )に換算して1.0質量%以下の範囲内、更には0.01質量%以上1.0質量%以下の範囲内、更には0.05質量%以上0.5質量%以下の範囲内、更には0.1質量%以上0.5質量%以下の範囲内とするようにすれば、電気抵抗IRをより向上させることができ、電機機械結合係数krについても高い値を得られることが分かった。
(実施例4−7〜4−21)
実施例4−7〜4−9として、化22に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例4−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例4−7〜4−9で、主成分の組成aを表23に示したように変化させた。
また、実施例4−10〜4−13として、化23に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例4−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例4−10〜4−13で、主成分の組成bを表24に示したように変化させた。
更に、実施例4−14,4−15として、化24に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例4−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例4−14,4−15で、主成分の組成Meを表25に示したように変化させた。
加えて、実施例4−16〜4−21として、化25に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例4−3と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例4−16〜4−21で主成分の組成x,y,zを表26に示したように変化させた。
実施例4−7〜4−21の圧電磁器についても、実施例4−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を表23〜26に示す。なお、電気抵抗は表22に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
(化22)
(Pba-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化23)
(Pb0.995-b Srb )[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化24)
(Pb0.995-0.03Me0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化25)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 x Tiy Zrz ]O3
Figure 0004424177
表23〜26に示したように、副成分としてイットリウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、組成aは0.96以上1.03以下の範囲内が好ましく、また、鉛の一部をストロンチウム,カルシウムまたはバリウムで置換するようにしてもよく、その組成bは0.1以下の範囲内が好ましいことが分かった。更に、チタンまたはジルコニウムの一部を(Zn1/3 Nb2/3 )で置換するようにすれば、圧電特性を向上させることができることが分かった。
(実施例4−22〜4−31)
実施例4−22〜4−26では第2副成分であるタンタルの含有量を変化させ、実施例4−27〜4−31では第2副成分の種類および含有量を変化させたことを除き、実施例4−3と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化21に示した組成物を主成分とし、第1副成分としてイットリウムを酸化物(Y2 3 )に換算した主成分に対する割合で0.1質量%添加した。その際、実施例4−22〜4−26では主成分に対するタンタルの含有量を酸化物(T2 5 )に換算して表27に示したように変化させ、実施例4−27〜4−31では第2副成分の種類および主成分に対する含有量を酸化物(Sb2 5 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して表28に示したように変化させた。なお、表28では第2副成分の種類を酸化物で表示している。
実施例4−22〜4−31の圧電磁器についても、実施例4−3と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。また、実施例4−22〜4−31および実施例4−3の圧電磁器について、実施例1−22〜1−31と同様にして抗折強度を測定した。それらの結果を表27,28に示す。なお、電気抵抗は表22に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
Figure 0004424177
Figure 0004424177
表27,28に示したように、副成分としてイットリウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Ta2 5 ,Sb2 3 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して、それぞれ1.0質量%以下の範囲内で含有するようにすれば、圧電特性および機械的強度を向上させることができることが分かった。
(実施例5−1〜5−3)
第1副成分としてユウロピウムに代えてアルミニウムを添加したことを除き、他は実施例1−1〜1−6と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化26に示した組成物を主成分とし、第2副成分としてタンタルを酸化物(Ta2 5 )に換算した主成分に対する割合で0.2質量%添加した。なお、アルミニウムの原料には酸化アルミニウム粉末を用い、アルミニウムの酸化物(Al2 3 )に換算した主成分に対する割合は実施例5−1〜5−3で表29に示したように変化させた。
実施例5−1〜5−3の圧電磁器についても、実施例1−1〜1−6と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を比較例1−1の結果と共に表29に示す。なお、電気抵抗は比較例1−1に対する相対値で表している。
(化26)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
表29に示したように、実施例5−1〜5−3によれば、アルミニウムを含まない比較例1−1よりも電気抵抗IRを向上させることができた。また、アルミニウムの含有量を増加させると、電気抵抗IRは向上し、極大値を示したのち低下する傾向が見られ、電機機械結合係数krは低下する傾向が見られた。
すなわち、アルミニウムを添加するようにしても高温における電気抵抗を向上させることができ、その含有量を、主成分に対して酸化物(Al2 3 )に換算して1.0質量%以下の範囲内、更には0.05質量%以上0.5質量%以下の範囲内、更には0.1質量%以上0.5質量%以下の範囲内とするようにすれば、電気抵抗IRをより向上させることができ、電機機械結合係数krについても高い値を得られることが分かった。
(実施例5−4〜5−18)
実施例5−4〜5−6として、化27に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例5−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例5−4〜5−6で、主成分の組成aを表30に示したように変化させた。
また、実施例5−7〜5−10として、化28に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例5−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例5−7〜5−10で、主成分の組成bを表31に示したように変化させた。
更に、実施例5−11,5−12として、化29に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例5−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例5−11,5−12で、主成分の組成Meを表32に示したように変化させた。
加えて、実施例5−13〜5−18として、化30に示した組成物を主成分としたことを除き、実施例5−2と同様にして圧電磁器を作製した。その際、実施例5−13〜5−18で主成分の組成x,y,zを表33に示したように変化させた。
実施例5−4〜5−18の圧電磁器についても、実施例5−2と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。それらの結果を表30〜33に示す。なお、電気抵抗は表29に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
(化27)
(Pba-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化28)
(Pb0.995-b Srb )[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化29)
(Pb0.995-0.03Me0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 0.1 Ti0.43Zr0.47]O3
Figure 0004424177
(化30)
(Pb0.995-0.03Sr0.03)[(Zn1/3 Nb2/3 x Tiy Zrz ]O3
Figure 0004424177
表30〜33に示したように、副成分としてアルミニウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、組成aは0.96以上1.03以下の範囲内が好ましく、また、鉛の一部をストロンチウム,カルシウムまたはバリウムで置換するようにしてもよく、その組成bは0.1以下の範囲内が好ましいことが分かった。更に、チタンまたはジルコニウムの一部を(Zn1/3 Nb2/3 )で置換するようにすれば、圧電特性を向上させることができることが分かった。
(実施例5−19〜5−28)
実施例5−19〜5−23では第2副成分であるタンタルの含有量を変化させ、実施例5−24〜5−28では第2副成分の種類および含有量を変化させたことを除き、実施例5−2と同様にして圧電磁器を作製した。すなわち、化26に示した組成物を主成分とし、第1副成分としてアルミニウムを酸化物(Al2 3 )に換算した主成分に対する割合で0.1質量%添加した。その際、実施例5−19〜5−23では主成分に対するタンタルの含有量を酸化物(T2 5 )に換算して表34に示したように変化させ、実施例5−24〜5−28では第2副成分の種類および主成分に対する含有量を酸化物(Sb2 5 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して表35に示したように変化させた。なお、表35では第2副成分の種類を酸化物で表示している。
実施例5−19〜5−28の圧電磁器についても、実施例5−2と同様にして、100℃における電気抵抗IRおよび径方向振動の電気機械結合係数krを測定した。また、実施例5−19〜5−28および実施例5−2の圧電磁器について、実施例1−22〜1−31と同様にして抗折強度を測定した。それらの結果を表34,35に示す。なお、電気抵抗は表29に示した比較例1−1に対する相対値で表している。
Figure 0004424177
Figure 0004424177
表34,35に示したように、副成分としてアルミニウムを添加した場合においても、ユウロピウムを添加した場合と同様の結果が得られた。すなわち、第2副成分として、タンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Ta2 5 ,Sb2 3 ,Nb2 5 ,WO3 )に換算して、それぞれ1.0質量%以下の範囲内で含有するようにすれば、圧電特性および機械的強度を向上させることができることが分かった。
なお、上記実施例では、いくつかの例を挙げて具体的に説明したが、主成分および副成分の組成を変化させても、上記実施の形態で説明した範囲内であれば、同様の結果を得ることができる。
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形することができる。例えば、上記実施の形態および実施例では、化3,化4または化5に示した主成分と、ユウロピウム,マグネシウム,ハフニウム,イットリウムおよびアルミニウムからなる群のうちの少なくとも1種と、必要に応じてタンタル,アンチモン,ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種とを含有する場合について説明したが、これらに加えて、他の成分を含んでいてもよい。その場合、その他の成分は、主成分に固溶していてもよく、固溶していなくてもよい。
また、上記実施の形態では、積層型の圧電素子について説明したが、単板型などの他の構造を有する圧電素子についても同様に本発明を適用することができる。
アクチュエータ,圧電トランスおよび超音波モータなどの分野において広く用いることができる。
本発明の一実施の形態に係る圧電磁器を用いた圧電素子の一構成例を表す断面図である。
符号の説明
10…積層体、11…圧電層、12…内部電極、21,22…端子電極。

Claims (7)

  1. 化1または化2で表される組成物を主成分として含有し、
    第1副成分として、ユウロピウム(Eu),マグネシウム(Mg),ハフニウム(Hf),およびイットリウム(Y)からなる群のうちの少なくとも1種を含み、
    第2副成分として、タンタル(Ta),アンチモン(Sb),ニオブ(Nb)およびタングステン(W)からなる群のうちの少なくとも1種を、酸化物(Ta 2 5 ,Sb 2 3 ,Nb 2 5 ,WO 3 )に換算して、前記主成分に対してそれぞれ1.0質量%以下の範囲内で含有する
    ことを特徴とする圧電磁器。
    (化1)
    Pb a [(Zn 1/3 Nb 2/3 x Ti y Zr z ]O 3
    (化1において、a,x,y,zは、0.96≦a≦1.03、x+y+z=1、0.05≦x≦0.15、0.25≦y≦0.5、0.35≦z≦0.6をそれぞれ満たす範囲内の値である。)
    (化2)
    (Pb a-b Me b )[(Zn 1/3 Nb 2/3 x Ti y Zr z ]O 3
    (化2において、a,b,x,y,zは、0.96≦a≦1.03、0<b≦0.1、x+y+z=1、0.05≦x≦0.15、0.25≦y≦0.5、0.35≦z≦0.6をそれぞれ満たす範囲内の値である。Meは、ストロンチウム(Sr),カルシウム(Ca)およびバリウム(Ba)からなる群のうちの少なくとも1種を表す。)
  2. 前記主成分に対する前記第1副成分の含有量は、酸化物(Eu2 3 ,MgO,HfO2 ,Y2 3 に換算して、それぞれ1質量%以下の範囲内である
    ことを特徴とする請求項1記載の圧電磁器。
  3. 前記第1副成分として、ユウロピウムを含む
    ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧電磁器。
  4. 前記第2副成分として、アンチモン、ニオブおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも1種を含む
    ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の圧電磁器。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の圧電磁器を用いたことを特徴とする圧電素子。
  6. 前記圧電磁器よりなる複数の圧電層と、この圧電層の間に挿入された複数の内部電極とを備えたことを特徴とする請求項5記載の圧電素子。
  7. 前記内部電極は銅(Cu)を含むことを特徴とする請求項6記載の圧電素子。
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