JP4410211B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
真空ポンプの下流側の排気路に接続され、当該排気路中における反応生成物の付着を抑えるために希釈用のガスを供給するガス供給路と、
一端が前記排気路におけるメインバルブの上流側に接続されたバイパス路と、
このバイパス路に設けられ、メインバルブが開いているときには閉じられているバルブと、
前記ガス供給路に設けられると共に前記バイパス路の他端側が接続され、前記希釈用のガスを駆動ガスとしてバイパス路の他端側を吸引するエゼクタ方式の吸引手段と、を備えたことを特徴とする。
成膜処理中に真空ポンプの下流側の排気路に反応副生成物の付着を抑えるために希釈用のガスを供給する工程と、
成膜処理が終了した後、前記メインバルブを閉じると共に、前記希釈用のガスを排気路に供給し続けたまま、反応容器内にパージガスを供給して大気圧に復帰させ、その後も反応容器内に大気の巻き込みを抑えるためにパージガスを供給する工程と、
この工程を行っているときに、一端が前記排気路におけるメインバルブの上流側に接続されたバイパス路の他端側を、前記希釈用のガスの供給路に設けられたエゼクタ方式の吸引手段により当該希釈用のガスを駆動ガスとして吸引すると共にこのバイパス路に設けられたバルブを開いた状態にしておく工程と、を含むことを特徴とする。
M モータ
P1 真空ポンプ
MV メインバルブ
V1 バルブ
2 反応容器
3 マニホールド
4 ウエハボート
45 パージガス供給源
62 ガス排気口
70 トラップ装置
71 除害装置
72 排気路
73 ガス供給路
74 加熱器
75 バイパス路
76 逆止弁
8 エゼクタ方式の吸引手段
Claims (6)
- 上流側からメインバルブ及び真空ポンプが設けられた排気路が反応容器に接続され、この反応容器内に原料ガスを供給して減圧雰囲気下で基板に対して成膜処理を行い、成膜終了後にはメインバルブを閉じると共にパージガスの供給により反応容器内を大気圧に復帰させ、反応容器を大気に開放した後もパージガスを反応容器内に供給する成膜装置において、
真空ポンプの下流側の排気路に接続され、当該排気路中における反応生成物の付着を抑えるために希釈用のガスを供給するガス供給路と、
一端が前記排気路におけるメインバルブの上流側に接続されたバイパス路と、
このバイパス路に設けられ、メインバルブが開いているときには閉じられているバルブと、
前記ガス供給路に設けられると共に前記バイパス路の他端側が接続され、前記希釈用のガスを駆動ガスとしてバイパス路の他端側を吸引するエゼクタ方式の吸引手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記成膜処理は、シラン及び塩素を含む化合物とアンモニアとを反応させてシリコン窒化膜を成膜する処理であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 成膜処理は、第1の原料ガスと、この第1の原料ガスと反応する第2の原料ガスとを交互に反応容器内に複数サイクル供給することにより行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 反応容器に排気路が接続されると共にこの排気路に上流側からメインバルブ及び真空ポンプがこの順に設けられた成膜装置を用いて、反応容器内の基板に減圧雰囲気下で成膜処理を行う方法において、
成膜処理中に真空ポンプの下流側の排気路に反応副生成物の付着を抑えるために希釈用のガスを供給する工程と、
成膜処理が終了した後、前記メインバルブを閉じると共に、前記希釈用のガスを排気路に供給し続けたまま、反応容器内にパージガスを供給して大気圧に復帰させ、その後も反応容器内に大気の巻き込みを抑えるためにパージガスを供給する工程と、
この工程を行っているときに、一端が前記排気路におけるメインバルブの上流側に接続されたバイパス路の他端側を、前記希釈用のガスの供給路に設けられたエゼクタ方式の吸引手段により当該希釈用のガスを駆動ガスとして吸引すると共にこのバイパス路に設けられたバルブを開いた状態にしておく工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記成膜処理は、シラン及び塩素を含む化合物とアンモニアとを反応させてシリコン窒化膜を成膜する処理であることを特徴とする請求項4記載の成膜方法。
- 成膜処理は、第1の原料ガスと、この第1の原料ガスと反応する第2の原料ガスとを交互に反応容器内に供給することにより行われることを特徴とする請求項4又は5に記載の成膜方法。
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