JP4402964B2 - パターン膜形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は真空成膜によるパターン膜形成の技術分野に属し、詳しくは、所望のパターンを有し、かつ、エッジがシャープで高精細なパターン膜を、高い生産性で形成することができるパターン膜形成方法に関する。
有機EL(Electro Luminescence)素子の画素(発光体)の形成方法としては、大きく、白色発光のカラーフィルタ法、色変換法、および、マスク蒸着法の3種類が知られている。
白色発光のカラーフィルタ法とは、有機ELの白色発光層を全面に成膜し、その表面に画素に応じたR(赤)フィルタ、G(緑)フィルタ、およびB(青)フィルタを形成することにより、R、GおよびBの3色の光を取り出す方法である。また、色変換方法とは、青色発光層を全面に成膜し、その上に画素の応じた色変換層を形成することによって、B光をR光に変換して、また、B光をG光に変換して、R、GおよびBの3色の光を取り出す方法である。
いずれの方法も、発光層をパターン化して形成する必要が無いので、その点では生産等が良好ではある。しかしながら、カラーフィルタ法では、フィルタによって不要波長がカットされてしまうため、発光効率が低くなってしまう。また、色変換法では、色変換層による変換効率が低く、やはり、発光効率が低くなってしまう。
他方、マスク蒸着法は、画素に応じたパターンを有するマスクを用い、基板の表面にR、G、およびBの各色の発光層をパターンニングして形成する(パターン膜の形成)。また、マスクを用いる別の方法として、特許文献1には、マスクを用いて転写基板上に発光層のパターン膜を形成して、この転写基板と発光層の被成膜基板とを積層して、被成膜基板に発光層のパターン膜を加熱転写する方法や、転写基板全面に発光層を成膜して、マスクを介して転写基板と被成膜基板を積層して、発光層を加熱転写することにより、被成膜基板に発光層のパターン膜を形成する方法が開示されている。
このように、パターンニングした発光層を形成することにより、個々の画素を独立で発光させ、かつ制御することができ、しかも、フィルタ等による発光効率の低下も無いので、非常に良好な発光効率で画像表示を行うことができる。
ところが、好適なパターン膜を形成するためには、マスクを非常に薄くする必要があり、また、有機EL素子で形成する発光層のパターンは微細である。そのため、マスクの製作が難しく、しかも、マスクは薄く、かつ、すぐに破損してしまうため、位置合わせや持ち運び等の取り扱い性も非常に悪い。さらに、マスクを介して蒸着等によって成膜を行う製造方法では、所定回数の成膜を行う毎に、マスクの洗浄を行う必要があり、手間がかかり、なおかつ、この洗浄中にマスクが破損してしまう場合も多い。近年では、表示装置の大型化が進んでいるが、このような問題は、マスクが大きくなるほど、顕著になる。
これに対して、転写によってパターン膜を形成することにより、マスクを用いずに発光層のパターン膜を形成する方法も知られている。
例えば、特許文献2には、表示画素に応じてパターン化された高熱伝導性の凸状突起を有する転写基板に発光層(発光性有機材料)を蒸着成膜し、この転写基板を、透明性導電膜基板(または透明性導電膜上に形成された正孔輸送層)に圧着し、前記転写基板の凸状突起を加熱して発光層を昇華させることにより、透明性導線膜基板の表面に発光層を転写する工程を有する、カラー有機ELディスプレイの製造方法が開示されている。
さらに、前記特許文献1にも、形成する発光層のパターン膜に応じた凹凸を有する帯状の転写基板の凹凸形成面に、蒸着によって発光層を形成し、この転写基板を凹凸面の逆面から加熱して、被転写基板に発光層のパターン膜を転写する方法が開示されている。
ところが、特許文献2に開示される方法では、転写基板を500℃近い高温に加熱して、成膜材料を基板(被成膜基板)に昇華転写する。そのため、耐熱性の低い材料からなるパターン膜を形成することはできない。また、生産性を考慮すれば、パターン膜の材料は昇華性や蒸発性の良好な材料に限られ、かつ、転写基板にも耐熱性が要求されるため、発光層の材料選択性、転写基板の選択性が非常に狭く、自由度や汎用性に欠ける。また、画素周辺の同時昇華を避けることが出来ないため、エッジがシャープな画素を形成することができない。さらに、この方法では、好適な加熱方法としてレーザ光が開示されているが、レーザ照射の位置精度を確保することが困難であり、かつ、高生産性を確保することも困難である。
さらに、このような凹凸を有する転写基板に蒸着等で発光層を形成する方法では、凹部に使用されない発光材料が堆積するため、定期的に転写基板の洗浄を行う必要があり、しかも、この凹部に堆積した発光材料は、無駄になってしまう。
これに対し、本件出願人にかかる特許文献3に開示される、転写によるパターンシートの製造方法によれば、このような問題の解決を図ることができる。
この方法は、フィルム材に高分子有機発光材料やポリマーバインダ等を有機溶媒に溶解して調製したインク(塗料)を塗布/乾燥してなるカラーインク層を形成した単色フィルムを作製し、この単色フィルムとパターン膜の被形成基板となるシートとをカラーインキ層がシートに密着するようにして積層し、この積層体を、形成するパターン膜に応じた凹凸を有する押圧部材で押圧することにより、前記シートに前記カラーインクからなるパターン膜を形成する。特許文献3においては、単色フィルムを目的とするパターンに応じた色の数だけ作製して、順次、先のようにして前記シートに転写して、多色パターンシートを製造する。
特開2003−173870号公報 特許第2918037号公報 特開2003−139944号公報
特許文献3に開示される方法によれば、マスクを用いることなく、かつ、高温での加熱等も不要として、簡易な設備や制御によって、画素に応じたパターンを有する発光層を高い生産性で形成することができる。また、パターンに応じた凹凸を有する押圧部材が、発光層(発光材料)と直接接触することが無いので、凹凸を形成した転写部材に成膜を行う場合と異なり、発光材料等のパターン膜の材料の無駄を防止でき、かつ、押圧部材の洗浄も不要にできる。
しかしながら、特許文献3に開示される方法では、フィルム材とカラーインク層との密着力が高いため前記単色フィルムからシートへの転写性が低く、しかも膜内の結合力が強くカラーインク層の破断も起こりにくい。そのため、高い生産性やエッジ部のシャープさ、さらには、高精細なパターンが求められる用途では、好適な対応は困難であり、よりシャープで、かつ、より精細なパターン膜を、より高い生産性で製造できるパターン膜の形成方法の出現が望まれている。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、エッジがシャープで、かつ高精細なパターンを有する薄膜を、高い生産性かつ低コストで形成することができ、さらに成膜材料の利用効率が高く、パターン膜の形成材料や基板等の選択自由度も高いパターン膜形成方法、および、これを利用するパターン膜形成装置を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明のパターン膜形成方法は、基板に所定のパターンを有するパターン膜を形成するに際し、シート状物の表面に真空成膜法による薄膜を形成してなる転写シートを作成し、この転写シートの前記薄膜とは逆面もしくは前記基板のパターン膜形成面とは逆面から、前記パターン膜に応じた凸部を有する押圧部材によって押圧することにより、前記薄膜を基板のパターン膜形成面に押圧して、この薄膜を前記基板に転写することを特徴とするパターン膜形成方法を提供する。
また、本発明のパターン膜形成装置は、基板の表面に所定のパターン膜を形成するパターン膜の形成装置であって、シート状物の表面に真空成膜法による薄膜を形成してなる転写シートを所定の転写位置に供給する手段、パターン膜の形成面を前記薄膜と対面するようにして、前記転写位置にパターン膜を形成される基板を供給する手段、前記パターン膜に応じた凹凸が形成された押圧部材を有し、前記転写位置において、前記押圧部材によって前記転写シートもしくは基板を押圧して前記薄膜を前記基板に押圧する押圧手段、および、前記押圧後に、基板を前記転写位置から排出する排出手段を有することを特徴とするパターン膜形成装置を提供する。
このような本発明において、前記押圧部材による押圧を行う際に転写部を加熱するのが好ましい。また、前記シート状物の表面に薄膜を形成する前に、このシート状物の表面に剥離性を付与する処理を行うのが好ましい。さらに、必要に応じて、前記押圧部材による押圧を行う前に、前記薄膜表面および基板表面の少なくとも一方に接着性を付与する処理を行ってもよい。
また、前記転写シートは長尺なシートであり、この長尺な転写シートを長手方向に断続的に搬送し、所定位置に停止した領域を前記押圧部材による押圧に供するのが好ましく、さらに、前記転写シートは、ロール状に巻回された状態から引き出されて、前記所定位置において前記押圧部材による押圧に供され、転写を終了した領域は、前記所定位置の前記搬送方向下流において、再度、ロール状に巻回されるのが好ましい。
また、前記押圧部材は、定常的な動作として、所定の待機位置から前記薄膜を基板のパターン膜形成面に押圧する押圧位置への移動し、次いで、この押圧位置から前記待機位置に戻る往復動のみを行うのが好ましい。
また、前記基板への薄膜の転写を行う位置に転写シートを供給する供給手段と、この供給手段が供給する転写シートに対応する押圧部材との組み合わせを、複数配列すると共に、不連続的な単体状の基板を前記組み合わせの配列方向に搬送し、前記押圧部材に対応する位置において基板の搬送を停止して、前記押圧部材による押圧を行うのが好ましく、さらに、前記各組み合わせにおける前記押圧部材による基板への薄膜の転写位置を等間隔で配列し、この配列と一致した間隔で、複数の基板を搬送して同時に前記転写位置に停止し、全ての押圧部材によって同時に押圧を行うのが好ましい。
上記構成を有する本発明によれば、洗浄が不可欠で、しかも取り扱いが困難なマスクを用いることなく、簡易な設備を用いて、高い生産性で、高精細でエッジがシャープなパターン膜を形成できる。また、パターン膜材料の無駄が無く、材料の利用効率も高い。
しかも、本発明によれば、パターン膜の成膜を別工程で行えるので、成膜材料による装置内の汚染を防止でき、かつ、パターン膜を形成する装置内基板やその他の基板に付随する部材の耐熱性が低い場合であっても、所望の材料のパターン膜を形成できる。
以下、本発明のパターン膜形成方法およびパターン膜形成装置について、添付の図面に示される好適実施形態を基に、詳細に説明する。
図1(A)に、本発明のパターン膜形成方法によってパターン膜を形成する、本発明のパターン膜形成装置の一例の概念図を示す。
図1(A)に示すパターン膜形成装置10(以下、膜形成装置10とする)は、一例として、有機EL(Electro Luminescence)素子の製造において、発光層を形成される基板(被成膜基板)12の表面に、後述する転写シート28からの転写によってR(赤)、G(緑)、およびB(青)の各発光材料からなるパターン膜であるR発光層、G発光層、およびB発光層を形成するものであり、基本的に、R発光層形成部14、G発光層形成部16、およびB発光層形成部18と、基板搬送手段(図示省略)とから構成される。
図示例において、基板12は、例えば、ガラス板等を基材として、陽極層、ホール注入層、およびホール輸送層を形成してなる基板である。あるいは、樹脂フィルム等を基材として、陰極層、電子注入層、および電子輸送層を形成してなる基板でもよい。なお、本発明において、基板は、有機ELの発光層を形成される基板に限定はされず、パターン膜を形成される各種の物が基板として利用可能である。
図示例の膜形成装置10において、基板搬送手段は、所定の転写位置に基板12を搬送し、パターン膜の形成(転写)を終了した基板12を下流に搬送するものであり、ベルトコンベアを用いる搬送手段、ガイドレールとガイドレールに案内されて移動する基板保持部材とを用いる搬送手段、基板あるいは基板保持部材を載置搬送する搬送ローラ群を用いる搬送手段など、公知のシート状物や板状物の搬送手段を利用して構成すればよい。
また、基板搬送手段には、搬送手段以外にも、基板12の位置を検出する検出手段等、基板12を後述する転写位置に位置合わせするための手段等を有してもよいのは、もちろんである。
図示例の膜形成装置10においては、好ましい態様として、各発光層形成部は、転写位置の間隔が等間隔となるように配置される。また、基板搬送手段は、この間隔と同じ間隔で、複数の基板12を連続的に搬送する。後に詳述するが、これにより、一回の基板12へのパターン膜の形成(転写)の時間間隔で、R,GおよびBの発光層を形成した基板を作製して、次工程に供給することができ、高い生産性および生産効率を実現できる。
前述のように、膜形成装置10は、R発光層形成部14、G発光層形成部16、およびB発光層形成部18を有する。
なお、R発光層形成部14、G発光層形成部16、およびB発光層形成部18は、基板12に形成する発光層が異なる以外は、基本的に、同じ構成を有するものであるので、同様の部材の符号には同じ番号を付し、各発光層形成部毎に区別すべき要素には、R発光層形成部14にはRを、G発光層形成部16にはGを、B発光層形成部18にはBを、それぞれ符号に付し、個々の説明は必要に応じて行う。
R発光層形成部14は、基板12の表面にR発光層を形成するもので、シート供給手段24Rと、押圧部材26Rとを有して構成される。G発光層形成部16は、基板12の表面にG発光層を形成するもので、シート供給手段24Gと、押圧部材26Gとを有して構成される。さらに、B発光層形成部18は、基板12の表面にB発光層を形成するもので、シート供給手段24Bと、押圧部材26Bとを有して構成される。
膜形成装置10においては、図1(B)に概念的に示すように、まず、R発光層形成部14において、所定の転写位置に搬送された基板12に有機EL素子のR画素となる所定パターンのR発光層を形成し、次いで、G発光層形成部16において所定の転写位置に搬送された基板12に同G画素となる所定パターンのG発光層を形成し、さらに、B発光層形成部18において所定の転写位置に搬送された基板12に同B画素となる所定パターンのB発光層を形成して、R,GおよびBの各発光層を形成した基板12を、次の工程に供給する。
シート供給手段24(24R、24G、24B)は、転写シート28(28R、28G、28B)と、供給ローラ30と、巻取りローラ32と、ガイドローラ34(34a,34b,34c,34d)とを有して構成される。
転写シート28は、長尺なベースフィルムFの表面全面に、発光層(R発光層、G発光層、B発光層)となる有機発光材料の薄膜(以下、発光材料層40(40R、40G、40B)とする)を真空成膜法によって形成してなるものである。
図示例の膜形成装置10において、ベースフィルムFへの発光材料層40の成膜は、膜形成装置10とは別の設備で行われ、発光材料層40を成膜された転写シート28は、発光材料層40を外面にしてロール状に巻回されたシートロール36として膜形成装置10に供給され、供給ローラ30に装填される。すなわち、図示例の膜形成装置10においては、R,GおよびBの3種のシートロール36(36R、36G、36B)が形成され、それぞれ、対応する発光層形成部に装填される。
転写シート28は、シートロール36から繰り出され、ガイドローラ34a、34b,34cおよび34dに案内されて、巻取りローラ32に装填される巻回軸(図示省略)に至り、転写シート28の発光材料の転写を終了した領域は、再度、この巻回軸にロール状に巻回され、回収ロール38(38R、38G、38B)とされる。
また、転写シート28は、ガイドローラ34bおよび34cの間で、直線状(平面状)で、かつ所定の張力(テンション)を有した状態で、発光材料層40を基板12に向けて、押圧部材26および基板12に対面する。後に詳述するが、転写位置は、この領域に設定され、ここで押圧部材26による押圧を行って、転写シート28の転写位置に対応する領域から基板12に発光材料層40すなわちパターン膜を転写し、基板12の表面に発光材料のパターン膜である発光層を形成する。この転写に関しては、後に詳述する。
本発明において、転写シート28のベースフィルムFには特に限定はなく、後述する基板12への発光層の転写に対する十分な強度や、成膜時における十分な耐熱性を有するものであれば、各種の樹脂フィルムなどの公知のシート状物が全て利用可能である。
なお、本発明においては、基板12の表面に形成される発光層の表面性(表面粗さや表面の状態等)は、基本的に、ベースフィルムFの表面性に追従するので、所望する発光層の表面性に応じて、ベースフィルムFを選択するのが好ましい。すなわち、本発明によれば、ベースフィルムFの選択によって、パターン膜の表面性をコントロールできる。
ここで、パターン膜(画素)のエッジのシャープさなど、後述する基板12への発光材料層40(パターン膜)の転写性を確保するためには、押圧部材26の形状(凸部)にベースフィルムFが追従する必要が有る。すなわち、ベースフィルムFの性質は、パターン膜の転写性に大きな影響を与える。
そのため、ベースフィルムFは、必要な強度を確保できれば、可能な限り薄い(好ましくは、10μm以下)のが好ましく、さらに、弾性係数が低く、かつ、伸び係数が高いものが好ましい。
本発明において、ベースフィルムFに発光材料層40(パターン膜の形成材料層)を成膜する方法は、真空成膜法であれば、各種の成膜方法が利用可能である。
具体的には、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition) 等、各種の真空成膜法が全て利用可能である。また、成膜条件も、利用する真空成膜法、真空薄膜の組成や膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
また、形成する発光材料層にも特に限定はなく、真空成膜法で成膜可能な各種の有機発光材料(すなわち、低分子系の有機発光材料)が、全て利用可能である。
なお、本発明において、転写シート28に真空成膜法で形成する薄膜(以下、転写層とする)、すなわち基板に形成するパターン膜は、有機発光材料に限定はされず、真空成膜法で成膜可能な全ての薄膜(低分子薄膜)が利用可能である。具体的には、インジウム−錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、窒化チタンなどの透明導電膜、コバルト合金、クロム合金などの磁性膜、酸化硅素、酸化チタン、酸化アルミニウムなどの酸化膜、窒化硅素、窒化ホウ素などの窒化膜、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、クロム、チタンやその他の金属の金属膜、炭化膜、金属化合物膜、有機化合物や有機金属材料などの有機材料膜等が例示される。膜厚も、パターン膜(パターン膜を形成した基板)の用途に応じた厚さとすればよい。
さらに、必要に応じて、転写シート28に、真空成膜法による複数層の薄膜を形成して、転写層を複数層として、一回の転写で複数層のパターン膜を形成してもよい。
前述のように、図示例の膜形成装置10においては、ベースフィルムFに発光材料層40を成膜する転写シート28の作製は、別の設備で行い、転写シート28を巻回してなるシートロール36の状態で膜形成装置10に供給される。
従来のマスク蒸着法によるパターン膜の形成のように、パターン膜の形成工程において真空成膜を行うと、成膜が律速となって生産性が低下してしまうことが、多々有る。そのため、成膜レートを高くすることが好ましいが、その反面、成膜レートを高くすると、材料分解が発生する等、膜質に問題が生じる。また、パターン膜の形成設備の中で真空成膜を行うと、成膜材料による周囲の汚染等の問題も生じる。
これに対し、本発明によれば、前述のように、発光材料層40(転写層)の成膜は、基板12へのパターン膜の形成工程(後述する転写工程)とは、全く別工程で、かつ、別の設備で行うことが出来る。そのため、真空成膜がパターン膜形成工程の律速となることがなく、最適な条件で発光材料層の成膜を行うことができ、しかも、パターン膜の形成設備を汚染することもない。さらに、成膜とパターン膜の形成とを別工程にできるので、成膜の熱がパターン膜の形成工程に悪影響を与えることが無く、仮に、転写性を向上するための加熱を行っても、この加熱は100℃以下で十分であるので、基板12、押圧部材26、転写前のベースフィルムF等が熱によって悪影響を受けることも防止できる。
また、真空成膜では、脱ガス等を行うことができ、かつ、膜の性質、強度、緻密性等の点で、成膜時に基板等の加熱を行うのが好ましい場合がある。ここで、マスク蒸着法では、マスク膨張等の問題があり、成膜中に基板等の加熱を行うことはできないが、本発明によれば、基板12として耐熱フィルム等の耐熱性を有する物を用いれば、成膜時の基板加熱を自由に行うことができる。
なお、真空成膜法による発光材料層40は、一般的に、空気と接触することで劣化する可能性があり、環境管理が重要となる場合もあるがであるが、シートロール36のようにロール状に巻回することにより、発光材料層の空気との接触を防止できる。また、必要に応じて、シートロール36の外周に保護フィルムを巻いてもよい。
本発明においては、転写シート28の裏面(発光材料層40とは逆面)から、押圧部材26によって転写シート28を押圧し、発光材料層40を基板12に押圧することにより、発光材料層40を基板12に貼着し、かつ、転写シート28から発光材料層40を剥離して、基板12の表面に転写する。
そのため、発光材料層40は、ベースフィルムFからの剥離性が良好であるのが好ましく、ベースフィルムFに発光材料層40を成膜する前に、ベースフィルムFの成膜面に、発光材料層40の剥離性を付与する処理(以下、剥離処理とする)を施すのが好ましい。
剥離処理の方法には、特に限定はなく、各種の方法が利用可能であり、ベースフィルムFや発光材料層40(すなわち形成するパターン膜)の材料、ベースフィルムFと発光材料層40との密着力等に応じて、目的とする効果を得られる剥離処理の方法を、適宜、選択すればよい。
一例として、発光材料層40の成膜に先立ち、ベースフィルムFの表面に、剥離層を形成する方法が例示される。剥離層としては、シリコーン層、フッ素樹脂層、ワックス層、水溶性剥離層、フッ素樹脂やシリコーンなどを用いる撥水層、金などの不活性物質からなる層などが例示される。また、剥離層の形成は、ディップコートやスピンコート等の方法で塗料を塗布/乾燥して形成する方法、真空蒸着などの真空成膜法、プラズマ重合等によって形成する方法等、形成する剥離層に応じた各種の方法で行えばよい。
また、発光材料層40の成膜に先立ち、ベースフィルムFの表面に金属酸化膜やカーボン膜を形成する、真空中あるいは大気中でベースフィルムFの表面にコロナ放電やその他のプラズマ処理を行う等の処理を行って、ベースフィルムFの表面を不活性化することにより、剥離処理を行ってもよい。
さらに、真空成膜では、一般的に、成膜時における運動エネルギが低い程、剥離しやすい膜が形成できる。そのため、成膜開始時には低いエネルギで膜形成を行って、ベースフィルムFの表面に剥離用の下地層を形成した後に、目的とする膜に応じたエネルギで成膜を行うようにして、これを剥離処理としてもよい。
特に、ベースフィルムFの表面に、剥離層としての撥水層を形成する方法は好適であり、中でも特に、水接触角で100°〜130°の撥水層を形成するのが好適である。
シートロール36から回収ロール38に至る転写シート28の搬送は、公知の長尺なシート状物の搬送手段で行えばよい。
なお、転写シート28の搬送パターンは、形成するパターン膜に応じて、発光材料層40が、後述する押圧部材26の凸部に対応する全領域に存在するものであれば、各種の搬送パターンが利用可能である。
例えば、図示例の膜形成装置10は、R、GおよびBのカラー画像表示を行う有機ELディスプレイの発光層を形成するものであるので、最も、発光材料の利用効率が高い好適な方法として、押圧部材26による転写を行った後、転写シート28を発光層の1/3画素分(1サブピクセル分)搬送し、この位置で転写を行った後、再度、同1/3画素分だけ転写シート28を搬送し、この位置で転写を行った後、基板12の1枚分、転写シート28を搬送するパターンを繰り返す方法が例示される。あるいは、パターン膜形成の安定性を確保するために、転写を行った後、1/2画素分の搬送/転写を2回行い、基板1枚分の搬送を行うパターンとしてもよい。
この際において、画素間の間隔分の余裕があるので、転写シート28の位置精度には、それほど高い精度は要求されない。
押圧部材26は、基板12に形成する発光層のパターン(各色の画素パターン)に応じて、この発光層に対応する部分が凸部となっている凹凸パターンを有する板状部材で、前記ガイドローラ34bと34cとの間に設定される所定の転写位置に対応して、凸部を有する面(以下、押圧面とする)を転写シート28と平行に対面して配置される。
図示は省略するが、各形成部には、押圧部材26を往復動して、転写シート28から離間する所定の待機位置から、所定の転写位置に配置された基板12に転写シート28を押しつけ、再度、前記待機位置に戻す、押圧部材26の移動手段が配置される。押圧部材26は、定常の動作では、この往復動のみを行う。なお、この移動手段は、例えば、アクチュエータを用いる手段や機械的な移動手段等、公知の各種の手段を利用すればよい。
本発明の膜形成装置10において、押圧部材26の凸部のパターンは、形成するパターン膜に応じて、適宜、決定すればよい。
例えば、図示例の膜形成装置10は、有機EL素子の発光層を形成するものであるので、例えば、通常の有機ELディスプレイに配置される有機EL素子と同様に、縦(V)方向の画素列を横(H)方向に1画素間隔で配列してなる各色の画素配列に対応する凸部を有するものとすればよい。また、基板12上における各発光層形成部の押圧部材26の凸部は、同じパターンの凸部が、1/3画素(1サブピクセル分)ずつズラして位置する結果となる。従って、押圧部材26は、全ての発光層形成部で同じ物を使用し、各色の画素位置に応じて,転写位置(基板12)に対して1/3画素分ずらして配置してもよい。もしくは、押圧部材26は、全く同様にして、転写位置(転写時の基板12の停止位置)を押圧部材26に対して1/3画素分ズラして設定することにより、各発光層を形成してもよい。
ここで、本発明においては、パターン膜の転写性、パターン膜のエッジ部のシャープさ、より高精細なパターンへの対応等の点で、互いに独立している凸部(薄膜)の間隔は、できるだけ離間しているのが好ましい。
この点を考慮すると、図示例のような有機ELの発光層のように、同パターンで互いに異なる3種のパターン膜を形成する場合には、例えば、図2に示すような、横(H)方向に1/3画素分、縦(V)方向に1画素分、ずらして連続的に配列されるような、斜め方向の配列を有する凸部パターンを有する押圧部材26を用いて、これに対応する画素パターンの発光層を形成するのが有利である。
本発明において、押圧部材26の凸部の高さ(凹凸の深さ)には特に限定はなく、転写シート28の発光材料層を転写できる高さを、適宜、決定すればよい。ただし、転写性等の点で、凸部は、十分な強度が得られる範囲で高い方が有利であり、好ましくは5μm〜20μmである。
なお、図示例のような有機EL素子の発光層を形成する際には、基板12の表面に画素を分けるための隔壁が存在する。この隔壁のような、押圧部材26による押圧を妨害する障害物が基板12の表面に存在する場合には、押圧部材26の凸部の高さは、この障害物よりも高くする必要がある。
このような押圧部材26の形成材料には、特に限定はなく、十分な強度を確保できるものであれば、各種の材料が利用可能であり、例えば、各種の金属材料、セラミックス材料、樹脂材料、ガラス、フィルム等を利用すればよい。中でも、エッチングによって高精度な凹凸が形成できるので高精度なパターン膜を形成でき、また、エッジ性や形状等のパターン状態が良好で、かつ、表面平坦性にも優れた押圧部材26を得られる等の点で、ガラスは好適である。
押圧部材26の押圧面の凸部(凹凸)の形成方法にも、特に限定はなく、押圧部材26の形成材料や形成するパターン膜等に応じた描画的な加工方法が、各種利用可能である。例えば、機械加工、半導体装置製造などで利用されているフォトリソグラフィーとエッチングとによる加工、電鋳による加工等が例示される。これらの加工方法によれば、フォトリソグラフィー並の微細なパターンを高い寸法精度で形成できるので、従って、フォトリソグラフィー並の高精度かつ高精細なパターンを有するパターン膜を形成できる。
このような膜形成装置10において、基板12が所定の転写位置(押圧部材26に対向する位置)に搬送されたら、転写シート28を停止した状態で、転写シート28と離間する待機位置(図1(A)に示される状態)から、前記移動手段によって押圧部材26を下降する。
これにより、図1(C)に示すように、押圧部材26の押圧面によって裏面(ベースフィルムF)から転写シート28を押して、発光材料層40を基板12の発光層形成面に当接して転写シート28と基板12とを積層し、さらに、押圧部材26によって転写シート28(すなわち、発光材料層40)を基板12に押圧する。この押圧(あるいはさらに加熱)によって、押圧部材26の凸部の領域の発光材料層40が基板12に強く押圧されて、この押圧力により基板12に貼着される。
所定時間の押圧を行ったら、押圧部材26を上昇して待機位置に戻す。これにより、図1(A)に示すように、転写シート28と基板12とが離間し、この際に基板12に貼着された押圧部材26の凸部に対応する部分の発光材料層40がベースフィルムFから剥離して、基板12に転写され、図1(B)に示すように、基板12の表面に発光層(すなわちパターン膜)が形成される。
転写が終了したら、基板12を下流に搬送すると共に、転写シート28を所定量(前述のように、例えば、1/3画素分もしくは基板1枚分)搬送し、次の基板12が転写位置に搬送されたら、以下、同様に発光材料層40の転写を行い、基板12の表面に発光層を形成する。
このような発光材料層40(転写層)の転写シート28から基板12への剥離転写において、押圧部材26による押圧力、および押圧を行う時間には、特に限定はなく、発光材料層40とベースフィルムFとの密着力、発光材料層40と基板12との貼着力、発光材料層40の厚さ、転写する発光層のパターン、基板12のサイズ等に応じて、確実に転写できる圧力や時間を、適宜、決定すればよい。
この押圧時に、転写性を向上するために、押圧部材26の加熱等によって、転写部に熱を加えてもよい。また、耐熱性等の点で可能であれば、転写シート28や基板12などを加熱することで転写部の加熱を行ってもよく、さらに、加熱するのは1つの部材でも複数の部材でもよい。なお、この加熱温度は、100℃以下で十分であり、また、公知の方法で実現すればよい。
なお、本発明においては、基板12へのパターン膜の転写に先立ち、基板12と発光材料層40(転写層)との接着力を向上するための処理(以下、接着処理とする)を施してもよい。
接着処理には、特に限定はなく、製品の品質に影響を与えない方法であれば、各種の方法が利用可能である。一例として、電子線照射、オゾン処理、コロナ放電、グロー放電等の表面処理を行って、基板12の表面を活性化しておく方法や、基板12の表面を粗面化しておく方法が例示される。また、作製する製品の品質に影響が無ければ、接着層や粘着層を基板12の表面に形成してもよい。
以上の説明より明らかなように、真空成膜法によってパターン膜の形成材料の薄膜を成膜してなる転写シートを用い、形成材料薄膜を基板に接触した状態で、形成するパターン膜に応じた凸部を有する押圧部材によって、転写シートもしくは基板の裏面より形成材料薄膜を基板に押圧する本発明によれば、マスクを用いることなく、転写シートおよび基板の搬送、押圧部材による押圧という単純な動作を繰り返すことで、高い生産性で、目的とするパターン膜を形成することができる。特に、成膜時間が律速とならないので、生産性の点では有利である。また、前述のように、基板を移動した複数回の転写によって、大きな基板にも容易にパターン膜の形成が行えるので、マスクを用いたパターン膜の形成に比して、極めて容易に大型化を図ることができる。
さらに、転写によるパターン膜は、パターン膜形成時における成膜材料の回り込み等が無いため、マスクを用いるパターン膜に比して、遥かにエッジがシャープなパターン膜を形成することができる。
また、特許文献1や2に開示されるように、押圧部材(転写部材)に直接成膜を行うのではないので、パターン膜の形成に作用しない押圧部材の凹部に材料層が形成されることがなく、パターン膜の材料が無駄にならない。
特に、図示例の有機ELの発光層のように、規則的な繰り返しのパターン膜を形成する場合には、この規則性(パターンの間隙)に応じて転写シートを搬送(移動)することにより、最大で、転写シート28のほぼ全面の材料層を利用することができ、材料の利用効率が、非常に高い。有機EL用の有機材料は非常に高価であるので、以上の点を考慮すると、本発明は、有機EL用のパターン膜の形成には極めて有利かつ有効である。
さらに、押圧部材26は、一度位置を決めてしまえば、転写シート28と離間する待機位置と押圧位置との往復動のみを行えばよく、他方、転写シート28も、次に転写する全領域(次回転写の押圧部材26の凸部に対応する全ての位置)に転写材料層が存在してさえいれば、適正に転写(パターン膜の形成)が行えるので、特に高い精度の位置決め(搬送停止位置の制御)は不要である。
すなわち、本発明においては、高精度な位置決めを要求されるのは、基板12のみであり、動作制御や位置精度制御、設備の簡易化等を図ることができる。しかも、図示例の膜形成装置のように、膜形成部を一方向に配列して、基板12をこの配列方向に搬送する構成であれば、多数回の転写を行う場合でも、一度、搬送方向直交する方向に基板12の位置決を行ってしまえば、これ以降の基板12の位置決めは、この搬送方向のみでよい。
また、押圧部材26とパターン膜の形成材料とが、直接接触することが無いので、押圧部材の洗浄を行う必要がなく、また、メンテナンスの頻度も非常に低くてよく、従って、予備の押圧部材26を用意する必要がなく、交換機構等も不要である。
また、前述のように、転写材料の成膜工程と、基板12へのパターン膜の形成工程すなわちパターン膜の転写工程とを、全く別の工程で行うことができるので、成膜によるパターン膜形成設備の汚染がなく、また、成膜時の熱による基板等の劣化もなく、従って、これに起因する有機EL素子等の製品の劣化が起こることもない。
さらに、基板サイズが大きい場合には、例えば、基板の移動機構を追加して、基板を移動して、転写を複数回行うことにより、容易に基板の全面にパターン膜を形成することができる。すなわち、あらゆる基板サイズに対して、同じ装置で対応することができる。
なお、この際において、精度が要求されるのは、基板の位置合わせのみであり、押圧部材は規定の往復動でよく、また、転写シートの搬送にも、さほど高い精度は要求されないのは、先の記載と同様である。
ところで、前述のように、特許文献3には、転写シートと基板とを積層して、パターン膜に応じた凹凸を有する押圧部材によって、この積層体を押圧することにより、前記基板にパターン膜を転写する多色パターンシートの形成が開示されている。
しかしながら、本発明のパターン膜形成方法は、ベースフィルムに真空成膜による薄膜を成膜して、この真空成膜による薄膜をベースフィルムから基板に転写することによって基板にパターン膜を形成するのに対し、特許文献3に開示される方法では、高分子発光材料やバインダを有機溶剤に溶融して調製したインク(塗料)からなる塗膜をベースフィルムに成膜して、この塗膜をベースフィルムから基板に転写してパターン膜を形成するものであり、両者の間には、以下に示すような作用効果の違いがある。
まず、本発明や引用文献3に開示されるような、転写シートの裏面から押圧して基板にパターン膜を転写するパターン膜の形成においては、良好な転写性を確保するためには、ベースフィルムFからの膜の剥離性が高い方が好ましいのは、言うまでも無い。
そのため、本発明においては、前述のように、ベースフィルムFの表面に剥離処理を行って、発光材料層40の成膜を行うのが好ましい。
ところが、このような剥離処理、特に、好適な剥離処理である撥水層の形成は、多くの場合、液体の濡れ性を大きく低減させる。そのため、引用文献3に開示されるような、塗料(インク)を塗布して薄膜を形成する際には、剥離処理を行うと、ベースフィルムFとインクとの濡れ性が悪くなってしまい、その結果、適正な塗膜を形成することがでなくなってしまうので、剥離処理を行うことが困難である。しかも、このような塗膜は、バインダを含有するために、ベースフィルムに対する密着力が非常に強く、剥離性が悪い。すなわち、引用文献3に開示されるような塗膜の転写を行う方法では、根本的に剥離性が悪いのに加え、剥離処理を行うことも困難であるため、ベースフィルムからの膜の剥離が適正に行われない場合も多く、微細かつ高精度なパターン膜を高い生産性で安定して形成することが困難である。
これに対し、本発明のような真空成膜法による薄膜は、必要にして十分なベースフィルムとの密着力を有した上で、押圧あるいはさらに加熱による転写性も良好である。加えて、剥離処理によって成膜が妨害されることもないので、任意に剥離処理を施すことができる。すなわち、真空薄膜を用いる本発明によれば、剥離性の良好な薄膜によって、微細かつ高精度なパターン膜の形成を高い生産性で、かつ、安定して行うことができる。また、パターン膜の転写の際に、剥離層が同時に転写しないように剥離層の材料、剥離性の付与条件、転写条件等を選択することで、パターン膜に不要物が付着することを防止でき、かつ、剥離性は維持されるので剥離層の繰り返し利用も可能となり、コストや生産性等の点で有利である。
また、エッジがシャープで高精度なパターン膜を形成するためには、転写膜の破断性が重要であり、押圧部材の凸部によって押圧された部分の薄膜が、周辺の薄膜と適正に破断して、転写される重要である。
ところが、塗膜は、前述のようにバインダを含有するために、膜内の結合力が強く、しかも、粘りがあるために、膜を破断させるのに強い力が必要である。そのため、このような塗膜を押圧部材の凸部形状に適正に添って安定して破断することは困難であり、凸部の形状とは異なった形の膜が転写されてしまうことも少なくはない。しかも、塗膜には、バインダ等の必要な機能成分以外の含有量が多いので、機能を適正に発現する膜を形成するためには、ある程度の厚さが必要であるが、塗膜でも真空薄膜でも、厚い程、膜内の結合力は強くなるので、前記不都合は、ますます増長されてしまう。
これに対し、真空薄膜は、必要にして十分な膜強度を有する上に、膜内の結合力が樹脂塗膜ほど強固ではなく、また、樹脂塗膜のような粘りもない。そのため、凸部による押圧力を加えることにより、凸部に応じた膜内での破断が比較的容易に発生する。しかも、真空薄膜は、機能材料以外の成分をほとんど含まないので、樹脂塗膜に比して、膜厚を大幅に薄くできる。これらの相乗効果により、押圧部材26の凸部の形状に適正に沿った真空薄膜を転写することができ、高精細なパターン膜を高精度に形成することができる。
しかも、用途等によっては、パターン膜を多層にするのが好ましい場合もある。真空成膜法を用いる本発明によれば、形成する多層膜に応じて、複数回の真空成膜を行って、容易にベースフィルムに多層膜からなる転写層を形成して、1回の転写で多層膜からなるパターン膜を基板に形成できる。
ところが、塗膜で多層膜を作製するを用いる場合には、完全に乾燥するまで次の層を塗布することができないので、多層膜の形成に時間がかかる。しかも、塗料は溶剤を有しているため、先に形成した塗膜上に塗料を塗布すると、先の塗膜が溶解して、界面が混合してしまい、各層の機能が低下してしまう。
以下、図1に示す膜形成装置10の作用を説明する。
前述のように、基板搬送手段(図示省略)が所定の経路で基板12を搬送し、まず、R発光層形成部14の転写位置に停止する。この状態で、転写フィルム28Rの搬送が終了していれば、R発光層形成部14では、前記所定位置の押圧部材26Rを降下して、転写フィルム28Rを押し下げて、転写フィルム28R(すなわち発光材料層40R)を基板12に押圧し、所定時間経過後に押圧部材26Rを上昇して所定位置に戻す。
これにより、図1(B)の左側に示すように、発光材料層40Rを基板12に剥離転写して、R発光層を基板12の表面に形成する。
R発光層の形成を終了すると、基板搬送手段は、次いで基板12をG発光層形成部16の転写位置に搬送する。また、R発光層形成部14では、転写シート28Rを所定量だけ搬送し、その分、シートロール36Rから未使用の転写シート28Rを繰り出し、かつ、回収ロール38Rに、使用済みの転写シート28Rを巻き取る。
なお、転写シート28の搬送量は、前述のように、有機EL素子の1/3画素分もしくは3回の転写後であれば、基板12の一枚分である。
G発光層形成部16においては、同様に、基板12が所定位置に搬送され、かつ、転写フィルム28Gの搬送が終了していれば、押圧部材26Gを降下して転写シート28Gを基板12に押圧し、次いで上昇して、図1(B)の中央に示すように、発光材料層40Gを基板12に剥離転写して、G発光層を基板12の表面に形成する。
次いで、同様に、基板搬送手段が基板12をB発光層形成部18の転写位置に搬送し、かつ、G発光層形成部16では、転写シート28Gを所定量だけ搬送し、シートロール36Gから転写シート28を繰り出し、かつ、回収ロール38Gに巻き取る。
さらに、B発光層形成部18においては、同様に、基板12が転写位置に搬送され、かつ、転写フィルム28Bの搬送が終了していれば、押圧部材26Bを降下/上昇して、図1(B)の右側に示すように、発光材料層40Bを基板12に剥離転写して、B発光層を基板12の表面に形成する。次いで、基板搬送手段はR、GおよびBの各発光層を形成した基板12すなわち有機EL素子の発光板を次工程に供給し、かつ、B発光層形成部18では、転写シート28Bを所定量だけ搬送する。
ここで、図示の膜形成装置10では、R発光層形成部14、G発光層形成部16、およびB発光層形成部18は、転写位置が等間隔で配置され、さらに、基板12は、基板搬送手段によって、多数の物が転写位置の間隔と同じ間隔で配列して搬送される。そのため、膜形成装置10は、装置が定常的に可動している状態では、全ての発光層形成部の転写位置に同時に基板12が供給され、同時に、押圧部材26による押圧すなわち発光層の転写を行い、発光層を形成した基板を下流に供給できる。
従って、図示例の膜形成装置10によれば、有機EL素子の製造工程において、1色の発光層の形成を行う時間間隔で、R,GおよびBの3色の発光層を形成した発光板を製造することができ、非常に高い生産性および生産効率を実現することができる。しかも、個々の発光層の形成も、本発明による、真空成膜等が律速にならず、かつ、基板12および転写シート28の搬送、押圧手段26による押圧のみで行える、非常に生産効率かつ生産性の高い生産方法であるので、両者の相乗効果によって、極めて良好な生産性および生産効率で、有機EL素子の発光板を製造することができる。
以上、本発明のパターン膜形成方法およびパターン膜形成装置について、詳細に説明したが、本発明は上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
例えば、図示例の膜形成装置10は、ディスクリート(単体)な基板12にパターン膜を形成するものであるが、本発明は、これに限定はされず、長尺なシート状物などのウエブ状の材料を基板として、この表面にパターン膜を形成するものであってもよい。
また、この際には、例えば、外面にパターン膜に応じた凹凸を有するエンドレスベルト状の部材と、この部材を内面から基板に押圧するローラとからなる押圧部材を用いて、長尺な基板の表面に連続的にパターン膜を形成するようにしてもよい。
あるいは、転写シートも長尺なものに限定はされず、ディスクリートな転写シートを用いて、基板にパターン膜を形成するものであってもよい。
また、図示例の膜形成装置10においては、転写シート28の裏面から押圧手段26による押圧を行うことにより、基板12にパターン膜を転写しているが、本発明は、これに限定はされず、押圧手段による押圧を基板の裏面(パターン膜形成面)から行うことにより、基板にパターン膜を転写してもよい。
さらに、図示例のように押圧手段26あるいは基板によって直接押圧を行うのではなく、図3に模式的に示すように、押圧用ロール46を用いて押圧手段26を裏面側から押圧することにより、押圧手段26で転写シート28を押圧してもよい。この方法によれば、基板12が大型の場合に、圧を均一にかけやすく、有利である。
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明について、より詳細に説明する。
25mm×25mmのガラス板の一面に、DCスパッタ法によって、厚さ約200nmの透明導電膜(ITO膜)を成膜した。成膜は、到達真空度を1×10-3Pa、成膜圧力0.5Pa、基板温度250℃として、1nm/secの成膜速度で行った。
この透明電極膜にアルミニウムリード線を結線し、さらに、透明電極膜の上に、真空蒸着によって厚さ約10nmの銅フタロシアニン層を成膜した。成膜は、到達真空度を5×10-4Paとして0.4nm/secの成膜速度で行った。
さらに、この銅フタロシアニン層の上に、真空蒸着によって、厚さ約40nmのα−NPD(α−N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニルベンジジン)層を成膜して、透明電極板を作製した。成膜は、到達真空度を5×10-4Paとして0.4nm/secの成膜速度で行った。
25mm×25mmのガラス板の表面の中央部15mm×15mmの領域に、100μm×100μmで高さ(凹凸の深さ)が10μmの凸部を、50μmの間隔で格子状に形成してなる凹凸パターンを形成して、押圧部材とした。
一方、厚さ4μmのアラミドフィルムの表面に、撥水層を成膜し、真空蒸着によって、R発光層となる低分子系赤色発光性材料を約55nm成膜し、ベースフィルムの表面にRの発光材料層を形成してなる転写シートとした。なお、低分子系赤色発光性材料は、Alq3(下記構造式)にDCM(4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン)を1wt%ドープした物を用いた。また、成膜は、到達真空度を5×10-4Paとして0.4nm/secの成膜速度で行った。
Figure 0004402964
前記α−NPDと発光材料層とが接触するようにして、前記透明電極基板と転写シートとを積層し、凹凸面を転写シートの裏面に当接して、前記押圧部材によって、温度90℃、加圧力0.3MPaの条件で、この積層体を10秒間、押圧し、次いで、透明電極基板と転写シートと剥離することにより、転写シートから透明電極板に発色材料層を剥離転写して、透明電極板の表面にR発光層を形成した。
なお、得られたR発光層の表面に紫外線を照射し、蛍光顕微鏡(KEYENCE 社製 VB-6000)を用いて表面を観察したところ(25倍〜170倍の複数の倍率で観察)、全画素面積において発光層が転写されており、さらに、各画素のエッジがシャープでかつ、欠陥も認められなかった。
このようにして形成したR発光層の上に、真空蒸着によって、厚さ約15nmの前記Alq3からなる有機薄膜層を成膜した。成膜は、到達真空度を5×10-4Paとして0.4nm/secの成膜速度で行った。
この有機薄膜層の上に、真空蒸着によって厚さ約1.5nmのLiF層を成膜した。成膜は、到達真空度を5×10-4Paとして0.1nm/secの成膜速度で行った。
このLiF層の上に、真空蒸着によって、陰極となる厚さ約250nmのアルミニウム層を成膜した。成膜は、到達真空度を5×10-4Paとして5nm/secの成膜速度で行った。
さらに、アルミニウム層にアルミニウムリード線を結線し、R発光する有機EL素子を作製した。
作製した有機EL素子について、KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて直流電流を印加して発光させ、各画素の発光状態を顕微鏡によって観察した(25倍〜170倍の複数の倍率で観察)。その結果、全画素面積が発光し、輝度が100cd以上で全面的に均一であり、かつ、各画素のエッジもシャープで、しかも、欠陥も認められなかった。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
(A)、(B)および(C)は、本発明のパターン膜形成方法を利用する本発明のパターン膜形成装置の一例を説明するための概念図である。 本発明に利用される押圧部材の凸部の形成パターンの一例の概念図である。 本発明のパターン膜形成方法の別の例の概念図である。
符号の説明
10 (パターン)膜形成装置
12 基板
14 R発色層形成部
16 G発色層形成部
18 B発色層形成部
24 シート供給手段
26 押圧部材
28 転写シート
30 供給ローラ
32 巻取りローラ
34a,34b,34c,34d ガイドローラ
36 シートロール
38 回収ロール
40 発色材料層
46 押圧用ロール
F ベースフィルム

Claims (8)

  1. 基板に規則的な繰り返しパターンを有するパターン膜を形成するに際し、
    前記規則的な繰り返しパターンとして、3個のサブピクセルからなる画素の繰り返しにおけるサブピクセルを形成するものであり、かつ、
    シート状物の表面に真空成膜法による薄膜を形成してなる長尺な転写シートを作成し、この長尺な転写シートを長手方向に断続的に搬送し、所定位置に停止した領域を、前記転写シートの前記薄膜とは逆面もしくは前記基板のパターン膜形成面とは逆面から、前記サブピクセルに応じた凸部を有する押圧部材によって押圧することにより、前記薄膜を基板のパターン膜形成面に押圧して、この薄膜を前記基板に転写するものであり、
    前記転写シートの断続的な搬送は、前記基板1枚分の搬送と、1/3画素分の搬送を2回とを行うことを所定の搬送パターンとし、この所定の搬送パターンを繰り返すことを特徴とするパターン膜形成方法。
  2. 前記押圧部材による押圧を行う際に転写部を加熱する請求項1に記載のパターン膜形成方法。
  3. 前記シート状物の表面に薄膜を形成する前に、このシート状物の表面に剥離性を付与する処理を行う請求項1または2に記載のパターン膜形成方法。
  4. 前記押圧部材による押圧を行う前に、前記薄膜表面および基板表面の少なくとも一方に接着性を付与する処理を行う請求項1〜3のいずれかに記載のパターン膜形成方法。
  5. 前記転写シートは、ロール状に巻回された状態から引き出されて、前記所定位置において前記押圧部材による押圧に供され、転写を終了した領域は、前記所定位置の前記搬送方向下流において、再度、ロール状に巻回される請求項1〜4のいずれかに記載のパターン膜形成方法。
  6. 前記押圧部材は、定常的な動作として、所定の待機位置から前記薄膜を基板のパターン膜形成面に押圧する押圧位置へ移動し、次いで、この押圧位置から前記待機位置に戻る往復動のみを行う請求項1〜5のいずれかに記載のパターン膜形成方法。
  7. 前記基板への薄膜の転写を行う位置に転写シートを供給する供給手段と、この供給手段が供給する転写シートに対応する押圧部材との組み合わせを、複数配列すると共に、
    不連続的な単体状の基板を前記組み合わせの配列方向に搬送し、前記押圧部材に対応する位置において基板の搬送を停止して、前記押圧部材による押圧を行う請求項1〜6のいずれかに記載のパターン膜形成方法。
  8. 前記各組み合わせにおける前記押圧部材による基板への薄膜の転写位置を等間隔で配列し、この配列と一致した間隔で、複数の基板を搬送して同時に前記転写位置に停止し、全ての押圧部材によって同時に押圧を行う請求項7に記載のパターン膜形成方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2453766A (en) * 2007-10-18 2009-04-22 Novalia Ltd Method of fabricating an electronic device
US8673777B2 (en) * 2011-09-30 2014-03-18 First Solar, Inc. In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer
US11421318B2 (en) * 2018-05-04 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for high reflectivity aluminum layers
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3915780A (en) * 1973-08-02 1975-10-28 Texas Instruments Inc Extruded epoxy packaging system
US5174847A (en) * 1989-10-20 1992-12-29 Fritz Pichl Process for the production of a circuit arrangement on a support film
JPH08190012A (ja) 1995-01-12 1996-07-23 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタの製造方法及び製造装置
US6099678A (en) * 1995-12-26 2000-08-08 Hitachi Chemical Company Ltd. Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device
JP2918037B1 (ja) * 1998-06-18 1999-07-12 日本電気株式会社 カラー有機elディスプレイとその製造方法
US20020101497A1 (en) * 2001-01-30 2002-08-01 Kwasny David M. Method for creating durable printed CD's using clear hot stamp coating
JP2002367931A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Lintec Corp ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
JP2003139944A (ja) 2001-08-21 2003-05-14 Fuji Photo Film Co Ltd 多色パターンシートの製造方法およびその製造装置
JP4004254B2 (ja) 2001-08-28 2007-11-07 シャープ株式会社 有機el素子の製造方法
JP4480926B2 (ja) * 2001-09-11 2010-06-16 テイコクテーピングシステム株式会社 シリコンウエハに対する保護フィルムの貼着方法及び貼着装置
JP2003173870A (ja) 2001-12-04 2003-06-20 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置及び製造方法
CN100568581C (zh) * 2002-01-25 2009-12-09 富士胶片株式会社 生产图像元件的方法、生产图像元件的设备、和图像元件
US20040144479A1 (en) * 2003-01-23 2004-07-29 Peter Cueli Preparation of novel physical transfer elements such as hot stamping foil and methods for using the same in producing chemically resistant bonds
US7416922B2 (en) * 2003-03-31 2008-08-26 Intel Corporation Heat sink with preattached thermal interface material and method of making same
US20040200061A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-14 Coleman James P. Conductive pattern and method of making

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