JP4397255B2 - 振幅制限回路 - Google Patents
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Description
図1(a)の差動回路に大振幅の信号が入力した場合、Outp及びOutnの両出力端子には、大振幅の信号が出力され、ノードA1及びA2の電位は、それぞれOutp及びOutnから±{Vth2+(I1/(k*W/L))1/2}だけDC電位を変化させたものとなる。このとき、±記号の(+)記号は図1(b)のソースフォロア回路を用いた場合、(−)記号は図1(a)のソースフォロア回路を用いた場合を示している。また、Vth2は、ソースフォロア回路12、14のNMOSトランジスタ1,3或いはソースフォロア回路16,18のPMOSトランジスタの閾値であり、I1はソースフォロア回路を流れる電流源による電流値、kはPMOSトランジスタ5,6に関してプロセスにより与えられる定数、W/Lは、それぞれPMOSトランジスタ5,6のゲート幅及びゲート長である。
Vdiff=Vth1±{Vth2+(I1/(k*W/L))1/2}
となり、図4の従来の回路に比べて、” {Vth2+(I1/(k*W/L))1/2}”だけ値が変化している。ここで、Vth1は、PMOSトランジスタ5,6の閾値電圧である。
Vdiff=Vth1±{Vth2+(I1/(k1*W/L))1/2}
となる。また、Vth1及びVth2は、それぞれ、
Vth1=Vtp0*(1+kp(T−T0))
Vth2=Vtn0*(1+kn(T−T0))
となり、現在のプロセス技術では、MOSトランジスタの閾値電圧が絶対温度Tに対して、kp*Vtp0或いはkn*Vtn0の係数を持った比例特性であると仮定することが出来る(図3参照)。ここで、T0は基準温度(例えば、室温)であり、Vtn0、Vtp0は、それぞれ基準温度における閾値である。
Vdiff=Vtp0*(1+kp(T−T0))−(k1)1/2*Vgs−(1−(k1)1/2)*Vtn0*(1+kn(T−T0))
となる。ここで、Vgsは、NMOSトランジスタ23,26のゲート・ソース間電圧である。
dVdiff/dT=Vtp0*kp−(k1)1/2*dVgs/dT−(1−(k1)1/2)*Vtn0*kn
となる。この式から、絶対温度Tに対して不変であるという条件を、dVdiff/dT=0から導くと、
dVgs/dT={Vtp0*kp−(1−(k1)1/2)*Vtn0*kn}/(k1)1/2
という関係が得られる。ところで、集積回路上では、トランジスタの導電型が異なっていても、あるプロセス条件下においては、Vtn0*kn=Vtp0*kpという条件が成立するので、この条件を上記式に代入すると、
dVgs/dT=Vtp0*kp
という結果が導出される。従って、Vgsの温度係数をVtp0*kpと同一にすれば振幅制限値は温度によらず一定となる。
Vgs=R1*iptat=R1(A*T+B)
である。ここで、A及びBはそれぞれ、電流iptatの温度係数及び温度に依存しない定数である。同様にして、このVgsを絶対温度Tについて微分すると、
dVgs/dT=A*R1
が得られるので、
A*R1=Vtp0*kp
とすることにより、Vdiffを絶対温度Tに対して不変とすることが可能となる。
1,3,8,9,22,23,25,26 NMOSトランジスタ
10 差動回路
12,14,16,18,21,24 ソースフォロア回路
2,4,7,11,13,27 電流源
28 抵抗R1
Claims (2)
- 入力信号が供給された差動回路から出力される差動信号の振幅値を制限する振幅制限回路において、
前記差動回路の一方の出力端子と他方の出力端子間に接続されたダイオード接続構成の
一対の第一導電型のMOSトランジスタと、
第一の電源と第二の電源との間に直列接続された第二導電型の第一及び第二のMOSト
ランジスタから構成される第一のソースフォロア回路と、
前記第一の電源と第二の電源との間に直列接続された第二導電型の第三及び第四のMOSトランジスタから構成される第二のソースフォロア回路と、
前記第一の電源と第二の電源との間に直列接続された、絶対温度に比例する電流を出力
する電流源と抵抗とから構成される電流供給回路と、を備え、
前記差動回路の一方の出力信号を前記第一のソースフォロア回路における前記第一のM
OSトランジスタのゲート入力とすると共に、前記第一及び第二のトランジスタの接続ノ
ードを前記一対の第一導電型のトランジスタの一方のトランジスタのゲート入力とし、
前記差動回路の他方の出力信号を前記第二のソースフォロア回路における前記第三のM
OSトランジスタのゲート入力とすると共に、前記第三及び第四のトランジスタの接続ノ
ードを前記一対の第一導電型のトランジスタの他方のトランジスタのゲート入力とし、
前記電流供給回路における電流源と抵抗との接続ノードを前記第一のソースフォロア回
路の前記第二のMOSトランジスタのゲート入力とすると共に、前記第二のソースフォロア回路の前記第四のMOSトランジスタのゲート入力としたことを特徴とする振幅制限回
路。 - 前記電流源は、バンドギャップリファレンス回路を用いて構成したことを特徴とする請
求項1記載の振幅制限回路。
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