JP4392382B2 - 液晶表示装置の薄膜トランジスタを製造するための方法 - Google Patents
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- 液晶表示装置(LCD)の薄膜トランジスタ(TFT)を製造するための方法であって、
基板を供給するステップと、
前記基板上に、透明導電層、第1の金属層、第1の絶縁層、半導体層、および第2の金属層を順次形成するステップと、
第1のフォトレジスタ層および前記第1のフォトレジスタ層より薄い第2のフォトレジスタ層を前記第2の金属層上に形成するステップと、
前記第1のフォトレジスタ層および第2のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第2の金属層、前記半導体層、前記第1の絶縁層、前記第1の金属層、および前記透明導電層の一部を除去してゲート線および画素電極領域を形成し、第2のフォトレジスタ層を除去するステップと、
第1のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第2の金属層の一部を除去してソース/ドレイン領域およびチャンネル領域を形成し、第1のフォトレジスタ層を除去するステップと、
第2の絶縁層を形成し、前記第2の絶縁層上に第3のフォトレジスタ層および前記第3のフォトレジスタ層より薄い第4のフォトレジスタ層を形成するステップと、
前記第3のフォトレジスタ層および前記第4のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第2の絶縁層、前記半導体層、前記第1の絶縁層および前記第1の金属層の一部を除去し、画素電極領域を露出させ、前記第4のフォトレジスタ層を除去するステップと、
前記第3のフォトレジスタ層に覆蓋されていない第2の絶縁層の一部を除去して、前記ソース/ドレイン領域内に複数の接触孔部を形成し第3のフォトレジスタ層を除去するステップと、
第3の金属層およびパッシベーション層を形成して、前記パッシベーション層上に第5のフォトレジスタ層を形成するステップと、
前記第5のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第3の金属層および前記パッシベーション層の一部を除去し、データ線および導電領域を形成して前記ソース/ドレイン領域と前記画素電極領域を接続させ、前記第5のフォトレジスタ層を除去するステップとを含む方法。 - 前記基板が、ガラス基板、石英基板またはプラスチック基板からなる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の金属層、前記第2の金属層および前記第3の金属層が、タングステン(W)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)またはこれらの金属のうちのいずれかの合金を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記透明導電層が、インジウム錫酸化物(ITO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)を含む、請求項1に記載の方法。
- 液晶表示装置(LCD)の薄膜トランジスタ(TFT)を製造するための方法であって、
基板を供給するステップと、
前記基板上に、透明導電層、第1の金属層、第1の絶縁層、半導体層、および第2の金属層を順次形成するステップと、
第1のフォトレジスタ層および前記第1のフォトレジスタ層より薄い第2のフォトレジスタ層を前記第2の金属層上に形成するステップと、
前記第1のフォトレジスタ層および第2のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第2の金属層、前記半導体層、前記第1の絶縁層、前記第1の金属層、および前記透明導電層の一部を除去してゲート線および画素電極領域を形成し、前記第2のフォトレジスタ層を除去するステップと、
前記第1のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第2の金属層の一部を除去してソース/ドレイン領域およびチャンネル領域を形成し、前記第1のフォトレジスタ層を除去するステップと、
第2の絶縁層を形成し、前記第2の絶縁層上に第3のフォトレジスタ層を形成するステップと、
前記第3のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第2の絶縁層の一部を除去して、前記第2の金属層の一部を露出させ前記ソース/ドレイン領域内の露出した前記第2の金属層上に複数の接触孔部を形成するステップと、
前記第3のフォトレジスタ層および露出した前記第2の金属層に覆蓋されていない前記半導体層、前記第1の絶縁層および前記第1の金属層の一部を、高いエッチング選択性を有するウェット・エッチング工程により除去して、前記画素電極領域を露出させ、前記第3のフォトレジスタ層を除去するステップと、
第3の金属層およびパッシベーション層を形成して、前記パッシベーション層上に第4のフォトレジスタ層を形成するステップと、
前記第4のフォトレジスタ層に覆蓋されていない前記第3の金属層および前記パッシベーション層の一部を除去し、データ線および導電領域を形成して前記ソース/ドレイン領域と前記画素電極領域を接続させ、前記第4のフォトレジスタ層を除去するステップとを含む方法。 - 前記基板が、ガラス基板、石英基板またはプラスチック基板を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記第1の金属層、前記第2の金属層および前記第3の金属層が、タングステン(W)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)またはこれらの金属のうちのいずれかの合金を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記透明導電層が、インジウム錫酸化物(ITO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)を含む、請求項5に記載の方法。
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